MOS管電源開關(guān)電路的缺點_第1頁
MOS管電源開關(guān)電路的缺點_第2頁
MOS管電源開關(guān)電路的缺點_第3頁
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第第頁MOS管電源開關(guān)電路的缺點MOS管因為其導(dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在（開關(guān)電源）上。而用好一個MOS管，其（驅(qū)動電路）的設(shè)計就很關(guān)鍵。一般的（電源開關(guān)）電路，控制電源的目的是省電，控制靜態(tài)（電流）。不過以下的電路存在著幾個缺點：

1.管壓降較大

我們知道采用PNP管子作為開關(guān)管的飽和壓降在0～0.3V，這在低電路上是不可接受的。3.3V的控制（電源）最大誤差變成3V，某些1.5V的電源變成1.2V，這會導(dǎo)致由此（供電）的（芯片）損壞。

PMOS的管子壓降為Vdrop=Id×Rdson，Rdson可選擇，實際的值在1歐以內(nèi)。

2.控制電流

我們知道Ib和（Ic）是相關(guān)的，飽和放大系數(shù)一般的設(shè)計為30，因此我們通過200mA的電流的時候，Ib=200/30=7mA，這樣導(dǎo)致了（控制電路）功耗較大。

3.開關(guān)管功耗

我們知道三極管的功耗計算公式為Pd=Veb×Ib+Vec×Ic，Vec飽和時0～0.3V的條件下，當(dāng)通過電流較大的時候，開關(guān)管的功耗就很大。

比較而言，PMOS的導(dǎo)通電阻Rdson較?。ㄒ部蛇x擇），P=Rdson×Id^2。

PMOS（高壓）（電路設(shè)計）（12V）電路

對比PNP電路設(shè)計

低壓開關(guān)（NMOS）【5V，3.3V，1.5V】

NMOS導(dǎo)通關(guān)閉條件：

這里使用PNP管直接使NMOS的G和Vin導(dǎo)通，這樣NMOS才可以完全導(dǎo)通，要是不能使Vin完全和NMOS的G完全接通，就使用最上面的PMOS的方案，如果接成如下的情況：

結(jié)果

當(dāng)PhotoControl為高定平，9014導(dǎo)通，640斷開。當(dāng)PhotoControl為低電平，9014斷開，640導(dǎo)通，可此時640上ds間3~4V的壓降，本意（DC）=VBAT(8V),現(xiàn)在DC只有3點幾伏電壓；

原因：

NPN+PMOS才做電源控制，這是NPN+NMOS，R21直接換成0歐就通了，只不過沒有控制什么事了。

還有NMOS的襯底一般做出來的時候是和源極接在一起的，開機NMOS需控制電壓（相對襯底）大于開啟電壓，這樣接襯底完全懸空了，現(xiàn)在的電路無論怎么控制都達(dá)不到要求，電路本身設(shè)計就錯了，NMOS一般是做低輸出的，PMOS才是高輸出電路，這個性質(zhì)和

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