GB/T 6616-2023半導體晶片電阻率及半導體薄膜薄層電阻的測試非接觸渦流法

ICS77040

CCSH.21

中華人民共和國國家標準

GB/T6616—2023

代替GB/T6616—2009

半導體晶片電阻率及半導體薄膜薄層

電阻的測試非接觸渦流法

Testmethodforresistivityofsemiconductorwafersandsheetresistanceof

semiconductorfilms—Noncontacteddy-currentgauge

2023-08-06發(fā)布2024-03-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T6616—2023

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法非接觸渦流法

GB/T6616—2009《》,

與相比除結構調整和編輯性改動外主要技術變化如下

GB/T6616—2009,,:

更改了范圍見第章年版的第章

a)(1,20091);

更改了干擾因素見第章版的第章

b)(5,20095);

更改了試驗條件見第章年版的

c)(6,20096.1);

更改了標準片和參考片的要求見年版的

d)(8.1、8.2、8.3,20094.2);

增加了樣品的要求見

e)(8.4、8.5、8.6);

更改了試驗步驟見第章年版的第章

f)(9,20096);

更改了精密度見第章年版的第章

g)(10,20097);

增加了硅單晶電阻率溫度系數(shù)見附錄

h)(A)。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國半導體設備和材料標準化技術委員會和全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位中國電子科技集團公司第四十六研究所有色金屬技術經濟研究院有限責任公

:、

司浙江金瑞泓科技股份有限公司浙江海納半導體股份有限公司廣東天域半導體股份有限公司北京

、、、、

通美晶體技術股份有限公司山東有研半導體材料有限公司天津中環(huán)領先材料技術有限公司北京天

、、、

科合達半導體股份有限公司中電晶華天津半導體材料有限公司浙江旭盛電子有限公司浙江中晶

、()、、

科技股份有限公司昆山海菲曼科技集團有限公司

、。

本文件主要起草人何烜坤劉立娜李素青張穎馬春喜張海英潘金平丁雄杰任殿勝

:、、、、、、、、、

王元立朱曉彤張雪囡佘宗靜齊斐許蓉李明達詹玉峰黃笑容邊仿

、、、、、、、、、。

本文件于年首次發(fā)布年第一次修訂本次為第二次修訂

1995,2009,。

Ⅰ

GB/T6616—2023

半導體晶片電阻率及半導體薄膜薄層

電阻的測試非接觸渦流法

1范圍

本文件描述了非接觸渦流法測試半導體晶片電阻率及半導體薄膜薄層電阻的方法

。

本文件適用于測試直徑或邊長不小于厚度為的硅導電型砷化鎵導

25.0mm、0.1mm~1.0mm、、

電型碳化硅單晶片的電阻率以及襯底上制備的電阻不小于薄膜電阻倍的薄膜薄層的電阻單

,1000。

晶片電阻率的測試范圍為薄膜薄層電阻的測試范圍為3

0.001Ω·cm~200Ω·cm,2.0×10Ω/□~

3本方法也可以擴展到其他半導體材料中但不適用于晶片徑向電阻率變化的判定

3.0×10Ω/□。,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導體材料術語

GB/T14264

潔凈室及相關受控環(huán)境第部分按粒子濃度劃分空氣潔凈度等級

GB/T25915.1—20211:

3術語和定義

界定的術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4原理

將晶片平插入一對共軸渦流探頭渦流傳感器之間的固定間隙內與振蕩回路相連接的兩個渦流

(),

探頭之間的交變磁場在晶片上感應產生渦流激勵電流的變化是晶片電導的函數(shù)通過測試激勵電流

,。

的變化即可測得晶片的電導率晶片的薄層電阻R按公式進行計算

。(s)(1)。

ρ

R==1=1

stGδt…………(1)

式中

:

R晶片的