PECVD等離子的基本原理課件

PECVD的原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)PECVD的原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)1PECVD：PlasmaEnhanceChemicalVapourDeposition等離子增強化學(xué)氣相沉積等離子體：由于物質(zhì)分子熱運動加劇，相互間的碰撞就會使氣體分子產(chǎn)生電離，這樣的物質(zhì)就會變成自由運動并由相互作用的電子、正離子和中性粒子組成混合物的一種形態(tài)，這種形態(tài)就稱為等離子態(tài)即第四態(tài).PECVD的原理PECVD：PlasmaEnhanceChemical2工作原理：CentrothermPECVD系統(tǒng)是一組利用平行板鍍膜舟和高頻等離子激發(fā)器的系列發(fā)生器。在低壓和升溫的情況下，等離子發(fā)生器直接裝在鍍膜板中間發(fā)生反應(yīng)。所用的活性氣體為硅烷SiH4和氨NH3。這些氣體作用于存儲在硅片上的氮化硅?？梢愿鶕?jù)改變硅烷對氨氣的比率，來得到不同的折射指數(shù)。在沉積工藝中，伴有大量的氫原子和氫離子的產(chǎn)生，使得晶片的氫鈍化性十分良好。PECVD的原理工作原理：CentrothermPECVD系統(tǒng)是一組利用3技術(shù)原理：是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。PECVD的原理3SiH4+4NH3→Si3N4+12H2↑技術(shù)原理：是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放4Si3N4的認(rèn)識:Si3N4膜的顏色隨著它的厚度的變化而變化，其理想的厚度是75—80nm之間，表面呈現(xiàn)的顏色是深藍色，Si3N4膜的折射率在2.0—2.5之間為最佳，與酒精的折射率相乎，通常用酒精來測其折射率。Si3N4的優(yōu)點：優(yōu)良的表面鈍化效果高效的光學(xué)減反射性能（厚度折射率匹配）低溫工藝（有效降低成本）反應(yīng)生成的H離子對硅片表面進行鈍化.PECVD的原理及作用

Si3N4的認(rèn)識:PECVD的原理及作用5物理性質(zhì)和化學(xué)性質(zhì)：結(jié)構(gòu)致密，硬度大能抵御堿、金屬離子的侵蝕介電強度高耐濕性好PECVD的原理物理性質(zhì)和化學(xué)性質(zhì)：PECVD的原理6Si3N4膜的作用:減少光的反射:良好的折射率和厚度可以促進太陽光的吸收。防氧化:結(jié)構(gòu)致密保證硅片不被氧化。PECVD的原理Si3N4膜的作用:PECVD的原理7PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)晶片裝載區(qū)爐體特氣柜真空系統(tǒng)控制系統(tǒng)PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)晶片裝載區(qū)8PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖9晶片裝載區(qū)：槳、LIFT、抽風(fēng)系統(tǒng)、SLS系統(tǒng)。槳：由碳化硅材料制成，具有耐高溫、防變形等性能。作用是將石墨舟放入或取出石英管。LIFT：機械臂系統(tǒng)，使舟在機械臂作用下在小車、槳、儲存區(qū)之間互相移動。抽風(fēng)系統(tǒng)：位于晶片裝載區(qū)上方，初步的冷卻石墨舟和一定程度的過濾殘余氣體SLS系統(tǒng)：軟著落系統(tǒng)，控制槳的上下，移動范圍在2—3厘米PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)晶片裝載區(qū)：槳、LIFT、抽風(fēng)系統(tǒng)、SLS系統(tǒng)。PECVD設(shè)10爐體：石英管、加熱系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)石英管：爐體內(nèi)有四根石英管，是鍍膜的作業(yè)區(qū)域，耐高溫、防反應(yīng)。加熱系統(tǒng)：位于石英管外，有五個溫區(qū)。PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)爐體：石英管、加熱系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)11PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)冷卻系統(tǒng)：是一套封閉的循環(huán)水系統(tǒng)，位于加熱系統(tǒng)的金屬外殼，四進四出并有一個主管道，可適量調(diào)節(jié)流量大小。冷卻系統(tǒng)的優(yōu)點:沒有消耗凈室空氣不同管間無熱干涉爐環(huán)境的溫度沒有被熱空氣所提升空氣運動（通風(fēng)裝置）沒有使房間污染噪音水平低PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)冷卻系統(tǒng)：12冷卻系統(tǒng)示意圖冷卻系統(tǒng)示意圖13特氣柜：MFC氣動閥

MFC：氣體流量計（NH3CF4SiH4O2N2）SiH41.8slmNH310.8slmCF43.6slmO23slmN215slm

氣動閥：之所以不用電磁閥是因為電磁閥在工作時容易產(chǎn)生火花，而氣動閥可以最大程度的避免火花。PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)特氣柜：MFC氣動閥PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)14真空系統(tǒng)真空泵：每一根石英管配置一組泵，包括主泵和輔助泵。蝶閥：可以根據(jù)要求控制閥門的開關(guān)的大小，來調(diào)節(jié)管內(nèi)氣壓的PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)真空系統(tǒng)PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)15控制系統(tǒng)

CMI:是Centrotherm研發(fā)的一個控制系統(tǒng)，其中界面包括Jobs（界面）、System（系統(tǒng)）、Catalog（目錄）、Setup（軟件）、Alarms（報警）、Help（幫助）.Jobs:機器的工作狀態(tài)。System:四根管子的工作狀態(tài)，舟的狀態(tài)以及手動操作機器臂的內(nèi)容。Datalog:機器運行的每一步。

PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)控制系統(tǒng)PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)16PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)Setup:舟的資料的更改，工藝內(nèi)容的更改，使用權(quán)限的更改，LIFT位置的更改，CMS安區(qū)系統(tǒng)（安裝的感應(yīng)器將監(jiān)控重要系統(tǒng)的運行情況，而一旦不受管的計算機的控制，CMS將會發(fā)生作用，所有的錯誤信息也都會在CIM上得以簡潔的文本方式顯示出來）的更改等。Alarms：警報內(nèi)容Help:簡要的說了一下解除警報以及其他方面的方法CESAR:控制電腦，每一個系統(tǒng)都安裝了CESAR控制電腦及CESAR控制軟件，此控制電腦獨立于主電腦系統(tǒng)中。PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)Setup:舟的資料的更改，工藝內(nèi)容的17CESAR控制電腦示意圖運行順序控制控制界面數(shù)據(jù)資料記錄溫度特氣真空晶片裝載CESAR控制電腦示意圖運行順序控制控制界面數(shù)據(jù)資料記錄溫度18PECVD等離子的基本原理課件19PECVD等離子的基本原理課件20PECVD等離子的基本原理課件21PECVD等離子的基本原理課件22PECVD等離子的基本原理課件23PECVD等離子的基本原理課件24PECVD等離子的基本原理課件25PECVD等離子的基本原理課件26PECVD等離子的基本原理課件27PECVD等離子的基本原理課件28PECVD等離子的基本原理課件29判斷PECVD的產(chǎn)出硅片的質(zhì)量亮點色斑鍍膜時間太短水紋印色斑色差判斷PECVD的產(chǎn)出硅片的質(zhì)量亮點色斑鍍膜時間太短水紋印色30要正直地生活，別想入非非！要誠實地工作，才能前程遠大。。9月-239月-23Sunday,September3,2023最困難的事情就是認(rèn)識自己。。21:12:0721:12:0721:129/3/20239:12:07PM我不能說我不珍視這些榮譽，并且我承認(rèn)它很有價值，不過我卻從來不曾為追求這些榮譽而工作。。9月-2321:12:0721:12Sep-2303-Sep-23自覺心是進步之母，自賤心是墮落之源，故自覺心不可無，自賤心不可有。。21:12:0721:12:0721:12Sunday,September3,2023聰明出于勤奮，天才在于積累。。9月-239月-2321:12:0721:12:07September3,2023不怕路長，只怕志短。。2023年9月3日9:12下午9月-239月-23生活就是一種積累，你若儲存的溫暖越多，你的生活就會越陽光明媚，你若儲存太多寒涼，你的生活就會陰云密布。。03九月20239:12:07下午21:12:079月-23強中自有強中手，莫向人前滿自夸?！毒劳ㄑ浴肪旁?39:12下午9月-2321:12September3,2023沒有口水與汗水，就沒有成功的淚水。。2023/9/321:12:0721:12:0703September2023細節(jié)的不等式意味著1%的錯誤會導(dǎo)致100%的錯誤。。9:12:07下午9:12下午21:12:079月-23時窮節(jié)乃現(xiàn)，一一