5-1 半導(dǎo)體材料及PN節(jié)

半導(dǎo)體材料及PN結(jié)電工電子技術(shù)知識(shí)要點(diǎn)Knowledgepoints本征半導(dǎo)體摻雜半導(dǎo)體PN結(jié)本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體定義高度純凈、具有完整單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體材料稱為本征半導(dǎo)體。本征半導(dǎo)體導(dǎo)電粒子

半導(dǎo)體材料原子為四價(jià)元素，形成穩(wěn)定的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子，稱為價(jià)電子。

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Si價(jià)電子共價(jià)健本征半導(dǎo)體價(jià)電子在獲得一定能量（溫度升高或受光照）后，即可掙脫原子核的束縛，成為自由電子（帶負(fù)電），同時(shí)共價(jià)鍵中原位置留下一個(gè)空位，稱為空穴（帶正電）。失去價(jià)電子后的原子吸引相鄰原子的價(jià)電子來填補(bǔ)，而在相鄰原子中因?yàn)殡娮右苿?dòng)出現(xiàn)一個(gè)空穴，其結(jié)果相當(dāng)于空穴的運(yùn)動(dòng)（相當(dāng)于正電荷的移動(dòng)）。

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Si自由電子空穴(1)本征半導(dǎo)體中移動(dòng)載流子數(shù)目極少,其導(dǎo)電性能很差；(2)導(dǎo)電性能具有熱敏性和光敏性。本征半導(dǎo)體特點(diǎn)本征半導(dǎo)體導(dǎo)電原理摻雜半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入微量五價(jià)的雜質(zhì)（如磷）,形成雜質(zhì)半導(dǎo)體。

摻雜后自由電子數(shù)目大量增加，自由電子導(dǎo)電成為這種半導(dǎo)體的主要導(dǎo)電方式，稱為N型半導(dǎo)體。

在N型半導(dǎo)體中自由電子是多數(shù)載流子，空穴是少數(shù)載流子。N型導(dǎo)體特點(diǎn)

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Sip+多余電子磷原子在常溫下即可變?yōu)樽杂呻娮覰型半導(dǎo)體摻入五價(jià)元素在本征半導(dǎo)體中摻入微量三價(jià)的的雜質(zhì)（如硼）,形成雜質(zhì)半導(dǎo)體。

摻雜后空穴數(shù)目大量增加，空穴導(dǎo)電成為這種半導(dǎo)體的主要導(dǎo)電方式，稱為空穴半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體。

在P型半導(dǎo)體中空穴是多數(shù)載流子，自由電子是少數(shù)載流子。無論N型或P型半導(dǎo)體都是中性的，對(duì)外不顯電性。P型半導(dǎo)體特點(diǎn)摻入三價(jià)元素

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SiB–硼原子空穴P型半導(dǎo)體摻雜半導(dǎo)體PN結(jié)

在一塊本征半導(dǎo)體上摻入不同雜質(zhì)，使一邊成為P型半導(dǎo)體，一邊成為N型半導(dǎo)體，則在兩種類型半導(dǎo)體的交界面上就會(huì)形成一個(gè)空間電荷區(qū)，該空間電荷區(qū)也稱PN結(jié)。多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場(chǎng)少子的漂移運(yùn)動(dòng)濃度差P型半導(dǎo)體N

型半導(dǎo)體－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++－－－－－－－－形成空間電荷區(qū)擴(kuò)散和漂移這一對(duì)相反的運(yùn)動(dòng)最終達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，空間電荷區(qū)的厚度固定不變。PPT模板下載：/moban/行業(yè)PPT模板：/hangye/節(jié)日PPT模板：/jieri/PPT素材下載：/sucai/PPT背景圖片：/beijing/PPT圖表下載：/tubiao/優(yōu)秀PPT下載：/xiazai/PPT教程：/powerpoint/Word教程：/word/Excel教程：/excel/資料下載：/ziliao/PPT課件下載：/kejian/范文下載：/fanwen/