晶圓制造工藝

1、表面清洗2、初次氧化3、CVD(ChemicalVapordeposition)Si3N4(HotCVD或LPCVD)。（1）常壓CVD(NormalPressureCVD)（2）低壓CVD(LowPressureCVD)（3）熱CVD(HotCVD)/(thermalCVD)（4）電漿增強CVD(PlasmaEnhancedCVD)（5）MOCVD(MetalOrganic（6）外延生長法(LPE)4、涂敷光刻膠CVD)&分子磊晶成長(MolecularBeamEpitaxy)（1）光刻膠的涂敷（2）預(yù)烘(prebake)（3）曝光（4）顯影（5）后烘(postbake)（6）腐蝕(etching)（7）光刻膠的去除5、此處用干法氧化法將氮化硅去除6透過SiO2型阱7、去除光刻膠，放高溫爐中進行退火處理型阱去除SiO2層層，然后LPCVD沉積一層氮化硅11、利用光刻技術(shù)和離子刻蝕技術(shù)，保留下柵隔離層上面的氮化硅層層，形成PN之間的隔離區(qū)HF極氧化層。14、LPCVD保護層。15PAs)NMOS的源漏極。用同樣的方法，在N阱區(qū)，注入B的源漏極。18、濺鍍第一層金屬19、光刻技術(shù)定出VIA孔洞，沉積第二層金屬，并刻蝕出連線結(jié)構(gòu)。然后，用PECVD法氧化層和氮化硅保護層。20、光刻和離子刻蝕，定出PAD位置晶圓制造總的工藝流程芯片的制造過程可概分為晶圓處理工序（WaferFabrication）、晶圓針測工序（WaferProbe）、構(gòu)裝工序（Packaging）、測試工序（InitialTestandFinalTest）等幾個步驟。其中晶圓處理工序和晶圓針測工序為前段（FrontEnd）工序，而構(gòu)裝工序、測試工序為后段（BackEnd）工序。處理程序通常與產(chǎn)品種類和所使用的技術(shù)有關(guān)，但一般基本步驟是先將晶圓適當(dāng)清洗，再在其表面進行氧化及化學(xué)氣相沉積，然后進行涂膜、曝光、顯影、蝕刻、離子植入、金屬濺鍍等反復(fù)步驟，最終在晶圓上完成數(shù)層電路及元件加工與制作。提高效率，同一片晶圓上制作同一品種、規(guī)格的產(chǎn)品；但也可根據(jù)需要制作幾種不同品種、規(guī)格的產(chǎn)品。在用針測（Probe）儀對每個晶粒檢測其電氣特性，并將不合格的晶粒標(biāo)上記號后，將晶圓切開，分割成一顆顆單獨的晶粒，再按其電氣特性分類，裝入不同的托盤中，不合格的晶粒則舍棄。底部伸出的插腳連接，以作為與外界電路板連接之用，最后蓋上塑膠蓋板，用膠水封死。其目的是用以保護晶粒避免受到機械刮傷或高溫破壞。到此才算制成了一塊集成電路芯片（即我們在電腦里可以看到的那些黑色或褐色，兩邊或四邊帶有許多插腳或引線的矩形小塊）。4、測試工序：芯片制造的最后一道工序為測試，其又可分為一般測試和特殊測試，前者是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測試其電氣特性，如消耗功率、運行速度、耐壓度等。經(jīng)測試后的芯片，依其電氣特性劃分為不同等級。而特殊測試則是根據(jù)客戶特殊需求的技術(shù)參數(shù)，從相近參數(shù)規(guī)格、品種中拿出部分芯片，做有針對性的專門測試，看是否能滿足客戶的特殊需求，以決定是否須為客戶設(shè)計專用芯片。經(jīng)一般測試合格的產(chǎn)品貼上規(guī)格、型號及出廠日期等標(biāo)識的標(biāo)簽并加以包裝后即可出廠。而未通過測試的芯片則視其達到的參數(shù)情況定作降級品或廢品答：(1)干蝕刻(2)濕蝕刻答：poly,oxide,metal何謂dielectric答：Oxideetchandnitrideetch半導(dǎo)體中一般介電質(zhì)材質(zhì)為何何謂干式蝕刻答：利用何謂答：系指被蝕刻材料，在被蝕刻途中停止造成應(yīng)被去除的薄膜仍有殘留何謂Asher的主要用途W(wǎng)etbenchdryer功用為何列舉目前Wetbenchdry方法:答：(1)SpinDryer(2)Marangonidry(3)IPAVaporDry何謂SpinDryer測蝕刻速率時,使用何者量測儀器金屬蝕刻機臺asher的功用為何答：去光阻及防止腐蝕何種氣體為PolyETCH主要使用氣體答：Cl2,HBr,HCl用于Al金屬蝕刻的主要氣體為答：Cl2,BCl3用于W金屬蝕刻的主要氣體為答：SF6何種氣體為oxidevai/contactETCH主要使用氣體答：C4F8,C5F8,C4F6AMP答：NH4OH/H2O2/H2O答：利用UV光對光阻進行預(yù)處理以加強光阻的強度"UV答：金屬層何謂EMO答：機臺緊急開關(guān)EMO作用為何濕式蝕刻門上貼有那些警示標(biāo)示答：(1)警告(2)機械手臂危險.嚴(yán)禁打開此門(3)化學(xué)藥劑危險嚴(yán)禁打開此門遇化學(xué)溶液泄漏時應(yīng)如何處置答：嚴(yán)禁以手去測試漏出之液體遇IPA槽著火時應(yīng)如何處置答：立即關(guān)閉IPA輸送管路并以機臺之滅火器滅火及通知緊急應(yīng)變小組BOE槽之主成份為何BOE為那三個英文字縮寫答：BufferedOxideEtcher。電漿的頻率一般380~420KHz何謂ESC(electricalstaticchuck)將Wafer固定在極板(Substrate)上Asher主要氣體為答：O2Asher機臺進行蝕刻最關(guān)鍵之參數(shù)為何答：溫度簡述TURBOPUMP原理10-6TORR熱交換器(HEAT簡述BACKSIDEHELIUMCOOLING之原理ORIENTER之用途為何答：搜尋notch邊使芯片進反應(yīng)腔的位置都固定可追蹤問題簡述EPD之功用pointdetector利用波長偵測蝕刻終點何謂答：massflowcontrolerGDP為何答：氣體分配盤(gasdistributionplate)GDP有何作用答：均勻地將氣體分布于芯片上方何謂isotropicetch答：等向性蝕刻側(cè)壁側(cè)向蝕刻的機率均等何謂anisotropicetch何謂etch答：不同材質(zhì)之蝕刻率比值何謂AEICDDimension)何謂CDbias答：蝕刻CD簡述何謂田口式實驗計劃法答：利用混合變因安排輔以統(tǒng)計歸納分析何謂反射功率反射功率LoadLock之功能為何loadlockGas答：BulkGasO2,Ar等Gas答：InertGas如NH3,CF4,CHF3,SF6等Gas答：ToxicGas如SiH4,Cl2,BCl3等機臺維修時異常告示排及機臺控制權(quán)應(yīng)如何處理答：將告示牌切至異常且將機臺控制權(quán)移至維修區(qū)以防有人誤動作冷卻器的冷卻液為何功用答：傳導(dǎo)熱Etch之廢氣有經(jīng)何種方式處理答：利用水循環(huán)將廢氣溶解之后排放至廢酸槽何謂RPM答：即RemotePowerModule,系統(tǒng)總電源箱.火災(zāi)異常處理程序答：(1)立即警告周圍人員.(2)嘗試3秒鐘滅火.(3)按下EMO停止機臺.(4)關(guān)閉VMBValve并通知廠務(wù).(5)撤離.答：(1)警告周圍人員.(2)按Pause鍵,暫止Run貨.(3)立即關(guān)閉VMB閥,并通知廠務(wù).(4)高壓電擊異常處理程序答：(1)EMO鍵(2)處理受傷人員T/C(傳送TransferChamber)之功能為何機臺PM時需佩帶面具否答：是,防毒面具何謂何謂日常測機以確認(rèn)機臺狀況正常何謂WAC(WaferlessAutoClean)答：無wafer自動干蝕刻清機何謂DryClean答：干蝕刻清機日常測機量測etchrate之目的何在操作酸堿溶液時,應(yīng)如何做好安全措施操作區(qū)備有清水與水管以備不時之需(3)操作區(qū)備有吸酸棉及隔離帶如何讓chamber達到設(shè)定的溫度答：使用heater和chillerChiller之功能為何溫度如何在chamber建立真空答：(1)parts組裝完整(2)以drypump作第一階段的真空建立(3)當(dāng)圧力到達turbopump抽真空至1mT以下真空計的功能為何答：偵測chamber的壓力,確保wafer在一定的壓力下processTransfermodule之robot功用為何答：將wafer傳進chamberchamber之用何謂MTBC(meantimebetweenclean)答：上一次wetclean到這次wetcleanRFGenerator是否需要定期檢驗為何需要對etchchamber溫度做監(jiān)控etching為何需要注意drypumpexhaustpresure(pump出口端的氣壓)pump跳掉,影響chamber的壓力,直接影響到run為何要做漏率測試(Leakrate)答：(1)在PM后PUMPDown1~2小時后;為確保chamberRunchambe影響chamberGAS成份(2)chamber機臺發(fā)生Alarm時應(yīng)如何處理答：(1)若是一般異常,請先檢查alarm蝕刻機臺廢氣排放分為那幾類答：208V三相干式蝕刻機臺分為那幾個部份答：(1)Load/Unload端(2)transfermodule(3)Chamberprocessmodule(4)統(tǒng)(5)GASsystem(6)RFsystem答：(1)cleaning)(2)etching).晶圓洗凈(wafer答：(1)Batchtype(immersiontype):a)carriertypeb)Cassettelesstype(2)Singlewafertype(spraytype)晶圓洗凈(wafer半導(dǎo)體制程有那些污染源答：(1)微粒子(2)金屬(3)有機物(4)(5)天生的氧化物RCA清洗制程目的為何洗凈溶液APM(SC-1)-->NH4OH:H2O2:H2O的目的為何答：去除微粒子及有機物洗凈溶液SPM-->H2SO4:H2O2:H2O的目的為何答：去除有機物洗凈溶液HPM(SC-2)-->答：去除金屬洗凈溶液DHF-->答：去除自然氧化膜及金屬洗凈溶液FPM-->HF:H2O2:H2O的目的為何答：去除自然氧化膜及金屬洗凈溶液BHF(BOE)-->HF:NH4F的目的為何答：氧化膜濕式蝕刻H3PO4的目的為何答：氮化膜濕式蝕刻微米邏輯組件有那五種標(biāo)準(zhǔn)清洗方法答：(1)蝕刻后清洗(3)CMP后清洗超音波刷洗(ultrasonic答：去除不溶性的微粒子污染高壓噴灑(hig