AP30H150KA N溝道 30V 150A 絲印30H150KA-30h150 mos管-驪微電子

AP30H150KAN-ChannelEnhancementMosfetFeature? 30V,150As。)mGs=os)mGsAdvancedTrenchTechnologyLeadfreeproductisacqui「edLowGateChargeExcellentCdv/dte懺ectdeclineApplicati。nPWMappli臼tionsLoadSwitchPowermanagementPackageMarkingdOrderinglnformatin

劍”。1WERDATASHEETSchematicDiagramDI\30H150KAG sMarkingandpinassignmentMarkingDevice IDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity(PCS)30H150KAAP30H150KAI13inch2500ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(Ta=25℃unlessotherwisenoted}ParameterSymb。lValueUnitDrain-SourceVoltagevGate-SourceVoltageVGsvContinuousDrainCurrent(Ta=25loAContinuousDrainCurrent(Ta=100℃）loAPulsedDrainCurrenr<1>loMASingelPulsedAvalancheEnergy<2lDissipationEAsPo109mJwThermalResistance.JunctiontoCaseJunctionTemperatureReJcTJ℃NJ。CStorageTemperatureTsrn-55～＋150深圳市驪微電子科技有限公司 銓力半導(dǎo)體代理商AP30H1SOKA 劍”。1WERhannelEnhancementMosfet DATASHEETMOSFETELECTRICALCHARACTERISTICS(T.=25℃unlessotherwisea’”r l tstaticCharactarlsUca

n e 缸 UnitDrai咽U『回breakdownV(BR)DSS""OV,leee250μA30．．vgatevol回gecur『酬tlossVosVGs"'ov．．1.0μAlea陽(yáng)gecurrentIGssVGS＝士20V,Vos=OV．．nAGateth陪sholdvoltage3>VG剖th)s，o250μA1.01.62.5vDrai毛oeonistanc<>?叫田｝Vos=10V,lo=30A=4.5V,lo．．2.44.236mQDynamiccharac飽risticsnte OutputCapaci國(guó)nee 馬蛐 VosfReveeTransferCapaci恒n四 Cr.Tu圈Tu圈nde陽(yáng)y句n)．26．Tum-onrisetimeI,o15V,c=．24．

． 3500 ．． 500 ． pF． ．Tum-odelaytime icic，而 VG10V,R3.30

ns． 91 ．Tum-o仔falltime 島To飽lGateCharge QgGate-SourceCha咱e Gate-DrainCharge 句d。necharactariati臼

VDS=15V,10=30人

． ．． ．． 9 ． ． ．DiodeForward陶醉。｝ 因 GS=OV,ls=1ADiodeForwardIsrtes:RepetitiveRating:limit創(chuàng)bymaximumjunctiontemperatu陪EASCondition:TJ=25℃，Vco叫5V,RG=250,L=0.5mH,IAS=30Ae:，ycycle!i:2%4.Su「faceMountedn4Boa時(shí)，恒10s民

． ． v． ． 1出 A深圳市驪微電子科技有限公司 銓力半導(dǎo)體代理商AP30H1SOKA 劍”。1WERN-ChannelEnhancementMosfetTestCircuit

DATASHEET_J_一

Vos

Q伊ChargeFlgure1:G副eCha咱e&WavefonnVos0%--I 1%－干’；＋一－1,,,.一一一＋l'Figure2:ResistivegtCircuit& ') )l《SV囚1vjl_TT斗t＂←3:UnclampedInductiveSwl時(shí)，IngTestCircuit&W町，fonns深圳市驪微電子科技有限公司 銓力半導(dǎo)體代理商AP30H1SOKAN-ChannelEnhancementMosfetFigure1:OutputCharacteristicsID(A)08060咽

劍”。1WERSHEET－·，F(xiàn)igure2:Typi四lTransferCharacte「isti－·，jj℃／s℃／在今｝80VGs=2.5V。 1.0 3.0 4.0Figure3:0n－陪sis幅neevs.DrainCurrent

5.0

。 1 2 3 4 5 6Figure4:BodyCharac恒risti臼SRDS(ON)(mC) VGS=4.5V43100

ls(A) ----- LJ---,------"／ ／／／ ／ ;2s℃2 VGs=10VID(A)0 20 40 田 回Figura5:GateCha『ac幅risticsV臼(V)VDS-15VVDS-15VID=30A／／／／Qg(nC)8

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 e6:n四Cha『cteristicsC(pF)」10000主二二6 ’1比4100

C畫(huà)·一一”

「－－－－－－ 「「－－－－－ =r= 2 「一一一一一一一 「00 8 才6 24

32

10 l l0 5

VDS(V) 」卻 深圳市驪微電子科技有限公司 銓力半導(dǎo)體代理商AP30H1SOKAN-ChannelEnhancementMosfet

劍”。1WERSHEETFigura7:dBeakdownVol國(guó)gevs.JunctionTemperatu陪VBR(DSS】’2

2.52.0

Figura:Normalizednn四vs.JunctionTemperature1.10.9

.,/"'

」／／／

1.5’.o

」／／

，，，

，／／／／。TH℃｝。

200

0.5

可（℃｝-50 。出 1出 -50 。’00

Figura9:MaximumO陰陽(yáng)tingAreaIDC，?！唬?[,,.< 、＼、 卡、 飛、’，t飛 飛咱口-墅、、

Figure協(xié)：MaximumContinuousDrainCurrentvs.Case＼＼＼＼＼＼!"'-.Tc℃｝＼150

IImIre：衛(wèi)

" 、＼｜｜｜｜ V因·＂

四100、 60nu捕nu捕。Sinale陽(yáng)｜Figure.Tre『1tllmpedan臼’Junction-to-Case

25 50 75 100 ’因 才7511100tσt1嚀廬深圳市驪微電子科技有限公司 銓力半導(dǎo)體代理商AP30H1SOKAN-ChannelEnhancementMosfet

劍”。1WERSHEETT0-252PackageInformationRef.MillimetersRef.MillimetersInchesMin.Typ.A2.102.500.0830.098A20.10B0.660.860.0260.0345.48c0.60C20.440.580.017D5.906.300.232D1E6.406.800.252.268G4.474.670.1780.184H9.50’L1.091.2’0.歸30.0481.351.650.0530.065V17??V2·5?o·s·82。 。0.2020.016＼0.2020.016＼0.0240.0245.30REF0.209REF＼5.30REF0.209REF＼jJJ／’c口町，ULAReelSpectification·T0-252BT?T

DimensionsRef. Mii町、，幅幅 Inches? w 15皿 16.0016.10 。

.6300.634B-B節(jié)「｜｜｜

Min. . Max. Mn. Typ. M皿．.626。 。2錦E1.筒1.751.850.0650.時(shí)l9。 。2錦F7.40劇劇，10.295.059隊(duì)063回1.40才團(tuán).059隊(duì)063。D11.401劇1.600.由S0.0590.α53PO a田4.000.1!剖口.157口.161。同1劇2.00