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課時打算授課教案教師：課時打算授課教案教師：第第1頁3頁授課日期授課節(jié)次授課班級課題： 第八章 鑄造多晶硅8.3.4晶體生長的影響因素8.3.4晶體生長的影響因素教學目的教學重點教學難點
1、把握鑄造多晶硅晶體生長時，要解決的主要問題2312把握各個問題產(chǎn)生的緣由及可能實行的措施教學預備 教材教案教參教學方法 探究式教學法Ⅰ、課堂組織： 2分鐘組織課堂紀律點名教Ⅱ、復習舊課，導入課：4 分鐘問題：1、利用鑄造技術(shù)制備多晶硅的工藝主要有幾種？分別是？2學 3、直熔法如何進展冷卻？4、鑄造多晶硅的原料？56過 7、晶體生長工藝過程分哪幾步?Ⅲ、講授課： 78分鐘第八章鑄造多晶硅8.3.4晶體生長的影響因素程 一、固液界面的溫度〔均勻、無溫度梯度〕假設(shè)固液界面溫度不均勻〔邊緣溫度低〕→邊緣處晶核從四周向中心生長二、熱應力〔越小越好〕晶體生長速度快→溫度梯度→熱應力→晶體內(nèi)位錯生長三、晶粒大小〔盡可能大〕晶粒越大→晶界面積相應削減→電池效率影響減小四、來自坩堝的污染雜質(zhì)越多，導致材料質(zhì)量下降五、解決方法1、熱場設(shè)計目的：使得固液界面始終保持與水平面平行2避開熔硅四周局部與外界進展熱交換→避開熱量散失3、把握晶體生長速率速率高→晶體溫度下降加快→溫度梯度增大→熱應力增大→位錯嚴峻4、把握冷卻速度需要退火〔退火后，關(guān)閉加熱功率，提升隔熱裝置或完全下降晶錠〕⑵冷卻速率帶大→晶核快速形成→速度大→晶粒越多越小→晶界面積越大→效率越低8.3.4晶體生長的影響因素一、P二、n三、p1、原料五氧化二磷2氧化硼加熱分解生成硼和氧氣摻雜濃度越高，載流子密度越大，電學性能越好0.1-0.51cm3分凝系數(shù)0.8，均勻摻雜，電阻率均勻Ⅳ、歸納總結(jié)：2 分鐘123Ⅴ、布置作業(yè)：1分
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