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紅外光譜(InfraredSpectroscopy,IR)
核磁共振譜(NuclearMagneticResonance,NMR)
紫外-可見光譜(UltravioletSpectroscopy,UV)
質(zhì)譜(MassSpectrometry,
MS)第7章波譜分析500MHzNMRFT-ICR-MSHPLC/MSIRUV-Spectrophotometer7.1電磁波譜(ElectromagneticSpectrum)
△E=h
吸收光譜——分子吸收電磁波所形成的光譜。分子內(nèi)的各種躍遷都是不連續(xù)的,即量子化的,只有當(dāng)光子的能量與兩個(gè)能級(jí)之間的能量差相等時(shí),這個(gè)光子的能量才能被吸收產(chǎn)生分子內(nèi)躍遷。7.2紅外光譜
7.2.1分子的振動(dòng)形式和紅外光譜
紅外光譜——用紅外光照射試樣分子,引起分子中振動(dòng)和轉(zhuǎn)動(dòng)能級(jí)的躍遷所產(chǎn)生的吸收光譜。紅外光譜圖以波長(zhǎng)λ或波數(shù)σ(波長(zhǎng)的倒數(shù))為橫坐標(biāo),表示吸收峰的位置;以透射率(T%)為縱坐標(biāo),表示吸收強(qiáng)度。
正己烷1-己烯1-己炔己醇己胺己醛如何解析紅外光譜圖?例.某化合物的分子式為C7H8,其紅外光譜圖如下,推測(cè)其結(jié)構(gòu)。
不飽和度的計(jì)算公式:Ω為不飽和度ni為每種元素的原子個(gè)數(shù)Vi為該元素通常表現(xiàn)的化合價(jià)
H為一價(jià)
C為四價(jià)鹵素為一價(jià)
O為二價(jià)
S為二價(jià)
N為三價(jià)C7H8第八次作業(yè)(11月3日)第7章習(xí)題3、4
7.3核磁共振譜
7.3.1核磁共振現(xiàn)象與核磁共振譜
自旋量子數(shù)(I)----原子核電自旋運(yùn)動(dòng)的狀況.當(dāng)原子的質(zhì)量數(shù)和原子序數(shù)兩者之一是奇數(shù)或均為奇數(shù)時(shí),I≠0,原子核就像陀螺一樣繞軸做旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)。由于原子核帶正電,自旋時(shí)產(chǎn)生磁矩。當(dāng)質(zhì)量與原子序數(shù)都為偶數(shù)時(shí),I=0,就不自旋產(chǎn)生磁矩。
I≠0:
1H,13C,19F,51P……I=0:
12C,16O……質(zhì)子核磁共振譜----氫譜----1HNMRI=1/2
為磁旋比(物質(zhì)的特征常數(shù))是照射頻率h為Plank常數(shù)
當(dāng)照射電磁波的能量恰好等于兩能級(jí)能量之差時(shí),質(zhì)子吸收電磁波從低能級(jí)躍遷到高能級(jí),這時(shí)就發(fā)生了核磁共振。
掃頻----固定磁場(chǎng)改變頻率掃場(chǎng)----固定頻率改變磁場(chǎng)
任何有機(jī)分子中的質(zhì)子周圍都有電子,在外加磁場(chǎng)作用下,電子的運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生感應(yīng)磁場(chǎng),而感應(yīng)磁場(chǎng)的方向與外加磁場(chǎng)的方向相反,所以質(zhì)子實(shí)際感受到的磁場(chǎng)強(qiáng)度并非是外加磁場(chǎng)的強(qiáng)度,而是外加磁場(chǎng)強(qiáng)度減去感應(yīng)磁場(chǎng)強(qiáng)度:
H實(shí)=H0-H
=
H0-σH0=H0(1-σ)
H實(shí)為質(zhì)子實(shí)際感受到的磁場(chǎng)強(qiáng)度H0為外加磁場(chǎng)強(qiáng)度H
為感應(yīng)磁場(chǎng)強(qiáng)度σ為屏蔽常數(shù)
核外電子對(duì)質(zhì)子產(chǎn)生的這種作用稱為屏蔽效應(yīng)。質(zhì)子周圍的電子云密度越大,屏蔽效應(yīng)越大,只有增加磁場(chǎng)強(qiáng)度才能使質(zhì)子發(fā)生共振。反之,若感應(yīng)磁場(chǎng)與外加磁場(chǎng)方向相同,質(zhì)子實(shí)際感受到的磁場(chǎng)強(qiáng)度為外加磁場(chǎng)與感應(yīng)磁場(chǎng)強(qiáng)度之和,這種作用稱去屏蔽效應(yīng),只有減小外加磁場(chǎng)強(qiáng)度才能使質(zhì)子共振。由于分子中不同質(zhì)子核周圍的電子云密度各有不同,或者說質(zhì)子所處的化學(xué)環(huán)境不同,因此它們發(fā)生核磁共振所需的外磁場(chǎng)強(qiáng)度各有不同,即產(chǎn)生了化學(xué)位移(chemicalshift)。
化學(xué)位移的表示最常用的標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì):(CH3)4Si(TMS)
規(guī)定化學(xué)位移用δppm(1ppm=10-6)來表示
TMS的δ為零所用溶劑為氘代溶劑,如CDCl3,CD3COCD3
零點(diǎn)-1-2-312345678910
TMS低場(chǎng)高場(chǎng)影響化學(xué)位移的因素(1)電負(fù)性電負(fù)性大的基團(tuán)吸引電子能力強(qiáng),通過誘導(dǎo)效應(yīng)使鄰近質(zhì)子核外電子云密度降低,屏蔽效應(yīng)減小,共振吸收移向低場(chǎng)(左移);相反,給電子基團(tuán)使質(zhì)子核外電子云密度增加,屏蔽效應(yīng)增大,共振吸收移向高場(chǎng)(右移)。
CH3X:CH3HCH3ICH3BrCH3NH2CH3ClCH3OHCH3FX的電負(fù)性:2.12.52.83.03.03.54.0δ(ppm):0.232.162.682.73.053.44.26(2)磁各向異性效應(yīng)
雙鍵π電子環(huán)電流在外加磁場(chǎng)的作用下產(chǎn)生一個(gè)與外加磁場(chǎng)相反的感應(yīng)磁場(chǎng),該感應(yīng)磁場(chǎng)在雙鍵及雙鍵平面上、下方與外磁場(chǎng)方向相反,故該區(qū)為屏蔽區(qū)。由于磁力線的閉和性,在雙鍵的側(cè)面,感應(yīng)磁場(chǎng)的方向與外磁場(chǎng)方向相同,為去屏蔽區(qū),雙鍵碳上的質(zhì)子正好處于去屏蔽區(qū)內(nèi),處于較低場(chǎng),故δ值較大(δ=4.5~5.7ppm).
羰基(C=O)碳上所連的氫(醛氫)位于羰基的去屏蔽區(qū),同時(shí),羰基中氧的電負(fù)性較大,具有吸電子的誘導(dǎo)效應(yīng),使得醛氫的化學(xué)位移更加移向低場(chǎng),所以,醛氫的δ值比烯氫大(δ=9~10)。
三鍵sp3雜化碳的電負(fù)性比雙鍵sp2雜化碳的電負(fù)性大,似乎三鍵碳所連質(zhì)子的δ值應(yīng)該比雙鍵碳所連質(zhì)子的δ值大,但事實(shí)上,三鍵質(zhì)子的δ值為2~3.1。這是因?yàn)槿叉I氫正好處于碳碳三鍵的屏蔽區(qū)內(nèi),故δ值移向高場(chǎng)。
苯環(huán)上π電子環(huán)流所產(chǎn)生的感應(yīng)磁場(chǎng)使得苯環(huán)內(nèi)及苯環(huán)上、下為屏蔽區(qū),苯環(huán)側(cè)面為去屏蔽區(qū),芳?xì)湔锰幱谌テ帘螀^(qū)內(nèi),δ值較大。由于苯環(huán)π電子云密度比雙鍵大,產(chǎn)生的感應(yīng)磁場(chǎng)強(qiáng)度也大,故芳?xì)涞娜テ帘涡?yīng)比雙鍵強(qiáng),δ值比烯氫的大(δ=7~8.5)。
102345678910111213C3CHC2CH2C-CH3環(huán)烷烴0.2~1.5CH2ArCH2NR2CH2SC
CHCH2C=OCH2=CH-CH31.7~3CH2FCH2Cl
CH2BrCH2ICH2OCH2NO22~4.70.5(1)~5.56~8.510.5~12CHCl3(7.27)4.6~5.99~10OHNH2NHCR2=CH-RRCOOHRCHO常用溶劑的質(zhì)子的化學(xué)位移值D特征質(zhì)子的化學(xué)位移值自旋偶合和自旋裂分
在外磁場(chǎng)(H0)的作用下,自旋的質(zhì)子產(chǎn)生小磁矩(H′),通過成鍵電子對(duì)鄰近質(zhì)子產(chǎn)生影響。質(zhì)子的自旋有兩種取向,自旋取向與外磁場(chǎng)方向相同的質(zhì)子,使鄰近質(zhì)子感受到的總磁場(chǎng)強(qiáng)度為H0+
H′,自旋取向與外磁場(chǎng)方向相反的質(zhì)子,使鄰近質(zhì)子感受到的總磁場(chǎng)強(qiáng)度為H0-
H′。因此,當(dāng)發(fā)生核磁共振時(shí),一個(gè)質(zhì)子的吸收信號(hào)被另一個(gè)質(zhì)子裂分為兩個(gè),這兩個(gè)峰強(qiáng)度相等,這就產(chǎn)生了自旋裂分。
單峰:s(singlet)雙峰:d(doublet)三重峰:t(triplet)四重峰:q(quartet)多重峰:m(mutipl
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