材料顯微結(jié)構(gòu)分析.04-正反極圖面織構(gòu)測(cè)定課件

材料顯微結(jié)構(gòu)分析方法清華大學(xué).材料顯微結(jié)構(gòu)分析.04-正反極圖面織構(gòu)測(cè)定§3.擇優(yōu)取向(織構(gòu))的測(cè)定方法

*利用物理性質(zhì)的各向異性；**利用XRD，一.正極圖

試樣中所有晶粒的同一選定晶面(hkl)

的晶面極點(diǎn)在空間分布的狀態(tài)的極射(或極射赤面)投影。通常采用衍射儀法，作極圖。

因?yàn)閾駜?yōu)取向的本質(zhì)是晶粒取向的定向排列。清華大學(xué).材料顯微結(jié)構(gòu)分析.04-正反極圖面織構(gòu)測(cè)定

絲軸〈100〉無(wú)織構(gòu)

軋向R.D一.正極圖立方(111)極圖〈100〉絲織構(gòu)55o44`立方{100}極圖〈100〉板織構(gòu){100}橫向

T.D(111)(001)清華大學(xué).材料顯微結(jié)構(gòu)分析.04-正反極圖面織構(gòu)測(cè)定

某特殊方向絲織構(gòu)：投影基園的極軸(絲軸方向)

投影時(shí)，X射線入射方向按某選擇的(hkl)、符合2dSin=固定材料繞絲軸步進(jìn)轉(zhuǎn)動(dòng)

。投影光源2投影基面絲軸方向

X射線入射方向X射線反射方向投影球投影基園的極軸材料繞絲軸轉(zhuǎn)動(dòng)

。投影光源垂直基園方向入射，清華大學(xué).材料顯微結(jié)構(gòu)分析.04-正反極圖面織構(gòu)測(cè)定

投影基園板織構(gòu)：

材料的板面投影光源投影基面板面法線NR.DX射線入射方向X射線反射方向T.D

板面法線

投影光源

軋向R.D=投影基園的極軸平分入射和反射X射線

橫向T.D

投影時(shí)，=投影基園的赤道橫向T.D作

轉(zhuǎn)動(dòng)。衍射儀軸=衍射儀軸板面法線作

，清華大學(xué).材料顯微結(jié)構(gòu)分析.04-正反極圖面織構(gòu)測(cè)定投影光源投影基面板面法線NR.DX射線入射方向X射線反射方向T.D

實(shí)驗(yàn)步驟：ⅰ.初始XRD幾何布置：入射X線、探測(cè)器

依選定(hkl)

按2d(hkl)Sin=固定ⅱ.測(cè)量方法：板面平分(T.D)180

2,板以衍射儀軸為軸(即以R.D為軸)軋向R.D=衍射儀軸，板面以N為軸(軋向R.D繞N)衍射儀軸轉(zhuǎn)角；轉(zhuǎn)角。

清華大學(xué).材料顯微結(jié)構(gòu)分析.04-正反極圖面織構(gòu)測(cè)定

NT.D

NT.DR.D

板面法線N入射X射線

0

0T.D

c反射X射線R.Ddd`cc`dd`極點(diǎn)投影衍射儀軸c`

清華大學(xué).材料顯微結(jié)構(gòu)分析.04-正反極圖面織構(gòu)測(cè)定=0改變(0o~360o，間隔5o~10o)=5o改變

……吸收校正系數(shù)R(.)：ⅲ.測(cè)量步驟：聯(lián)合透射與反射法ⅳ.極點(diǎn)強(qiáng)度：1.2.相對(duì)值予先求無(wú)織構(gòu)的作為歸一化標(biāo)準(zhǔn)清華大學(xué).材料顯微結(jié)構(gòu)分析.04-正反極圖面織構(gòu)測(cè)定ⅴ.作極圖：將測(cè)定的各

變化：沿同心圓

變化：沿直徑ⅵ.確定織構(gòu)系統(tǒng)：與標(biāo)準(zhǔn)極圖投影對(duì)照冷軋鋁板的{100}極圖冷軋鋁板的{111}極圖

N

T.DR.D標(biāo)注在赤平投影圖上。清華大學(xué).材料顯微結(jié)構(gòu)分析.04-正反極圖面織構(gòu)測(cè)定

板織構(gòu)的定量測(cè)定：原赤平投影圖繞T.D轉(zhuǎn)90o(原N、R.D對(duì)調(diào))極坐標(biāo):天頂角(原

)

(0-)方位角(原

)

(0-2)

A(.)

R.DN設(shè)極點(diǎn)空間分布函數(shù)：滿足對(duì)稱分布，可用1/8球面表示，即

：0－/2

：0－/2任一點(diǎn)A(

.

)清華大學(xué).材料顯微結(jié)構(gòu)分析.04-正反極圖面織構(gòu)測(cè)定對(duì)Randon(完全無(wú)序)試樣：取單位球r=1，1/8球面上的極點(diǎn)密度：則：與

、

無(wú)關(guān)…...(1)對(duì)Texture(有序)試樣：取單位球r=1，1/8球面上的極點(diǎn)密度：……(2)清華大學(xué).材料顯微結(jié)構(gòu)分析.04-正反極圖面織構(gòu)測(cè)定∵織構(gòu)化前后:(1)=(2)式∴……(3)

如果測(cè)量的極點(diǎn)足夠多，空間分布合理，∴可利用(4)的令……(5)……(4)進(jìn)行歸一化處理對(duì)相對(duì)值2/

可略去，則有：的歸一化密度，為空間任一點(diǎn)則有：清華大學(xué).材料顯微結(jié)構(gòu)分析.04-正反極圖面織構(gòu)測(cè)定實(shí)際上：清華大學(xué).材料顯微結(jié)構(gòu)分析.04-正反極圖面織構(gòu)測(cè)定二.反極圖

試樣的中某一宏觀方向(如板面法線方向)的一小角度范圍內(nèi)各個(gè)晶粒所呈現(xiàn)的不同晶體學(xué)方向[uvw]

的空間分布幾率。實(shí)驗(yàn)方法：衍射儀法

代表晶面(hkl)平行于試樣板面的晶粒百分?jǐn)?shù)。有織構(gòu)時(shí)：……(6)令：實(shí)驗(yàn)原理：清華大學(xué).材料顯微結(jié)構(gòu)分析.04-正反極圖面織構(gòu)測(cè)定無(wú)織構(gòu)時(shí)：……(7)(6)/(7)得：……(8)有織構(gòu)時(shí)：……(6)……(9)那么有：清華大學(xué).材料顯微結(jié)構(gòu)分析.04-正反極圖面織構(gòu)測(cè)定……(9)(9)/(8)整理得：……(10)……(8)清華大學(xué).材料顯微結(jié)構(gòu)分析.04-正反極圖面織構(gòu)測(cè)定

當(dāng)被測(cè)量的(hkl)足夠多，空間分布合理時(shí)，令：……(11)以(11)式作為歸一化標(biāo)準(zhǔn)，則有：……(12)對(duì)于(10)清華大學(xué).材料顯微結(jié)構(gòu)分析.04-正反極圖面織構(gòu)測(cè)定實(shí)驗(yàn)步驟：(1)對(duì)有、無(wú)織構(gòu)試樣作XRD(2)求出：(3)求(12)各(hkl)的(4)將各例：旋鍛Zr棒的織構(gòu)測(cè)定XRD如右圖上:縱截面

中:橫截面

下:粉體標(biāo)注在投影圖上清華大學(xué).材料顯微結(jié)構(gòu)分析.04-正反極圖面織構(gòu)測(cè)定Zr的六方晶胞的標(biāo)準(zhǔn)投影旋鍛Zr棒的縱截面的反織構(gòu)圖清華大學(xué).材料顯微結(jié)構(gòu)分析.04-正反極圖面織構(gòu)測(cè)定不同的歸一化標(biāo)準(zhǔn)：……(13)……(14)對(duì)于(10)清華大學(xué).材料顯微結(jié)構(gòu)分析.04-正反極圖面織構(gòu)測(cè)定最合理的歸一化標(biāo)準(zhǔn)：……(15)對(duì)于(10)清華大學(xué).材料顯微結(jié)構(gòu)分析.04-正反極圖面織構(gòu)測(cè)定……(16)……(17)方程兩邊∑清華大學(xué).材料顯微結(jié)構(gòu)分析.04-正反極圖面織構(gòu)測(cè)定單線法……(18)由(16)/(17)，(16):(17):廣義上:多線法……(19)整理得：清華大學(xué).材料顯微結(jié)構(gòu)分析.04-正反極圖面織構(gòu)測(cè)定三.面織構(gòu)表示方法{001}

uvw

型面織構(gòu)在陶瓷中很普遍(1)

f因子表示法：……(20)P:有織構(gòu)的極點(diǎn)密度

……(21)P0:無(wú)織構(gòu)的極點(diǎn)密度

……(22)清華大學(xué).材料顯微結(jié)構(gòu)分析.04-正反極圖面織構(gòu)測(cè)定

當(dāng)無(wú)織構(gòu)時(shí)：

P=P0

f=0

當(dāng)完全有序時(shí)：

f=1

非理想織構(gòu)時(shí)：0<f<1f值是非本征量

影響因數(shù)：①試樣特性

②衍射線選取數(shù)量

③工藝條件

清華大學(xué).材料顯微結(jié)構(gòu)分析.04-正反極圖面織構(gòu)測(cè)定(2)面織構(gòu)的本征表示方法

本征量(19)：改寫后有：廣義上

……(23)(19)f因子表示法則有：……(24)清華大學(xué).材料顯微結(jié)構(gòu)分析.04-正反極圖面織構(gòu)測(cè)定由(20)式：那么：……(25)廣義上

……(26){001}

uvw

型面織構(gòu)

清華大學(xué).材料顯微結(jié)構(gòu)分析.04-正反極圖面織構(gòu)測(cè)定1200C/2h條件下以BiT為種晶制備的織構(gòu)化BNKT陶瓷(1-y)(Bi1/2Na1/2)TiO3-y(Bi1/2K1/2)TiO3

XRD花樣(a)隨機(jī)取向(b)織構(gòu)化I.Lotgering因子:

f＝0.88織構(gòu)測(cè)定實(shí)例:

SEM二次電子像

清華大學(xué).材料顯微結(jié)構(gòu)分析.04-正反極圖面織構(gòu)測(cè)定II.正極圖

:

傾角

(20~90

)方位角

(0~360

)角度測(cè)量間隔5

步進(jìn)時(shí)間1s/step投影光源板面法線NR.DX射線入射方向X射線反射方向T.D

衍射儀軸

測(cè)量實(shí)驗(yàn)條件：a.(111)極圖

2

＝39.98

b.(002)極圖

2

＝46.57

(111)面和(002)面夾角為54.7

(111)極圖中心到最大極點(diǎn)密度的角度50

清華大學(xué).材料顯微結(jié)構(gòu)分析.04-正反極圖面織構(gòu)測(cè)定III.反極圖

:

圖中(100)附近的極點(diǎn)密度指數(shù)達(dá)到最大，表示沿(100)面的晶粒最多，所以(100)晶面織構(gòu)程度最高。清華大學(xué).材料顯微結(jié)構(gòu)分析.04-正反極圖面織構(gòu)測(cè)定作業(yè)：第十四題第十五題實(shí)驗(yàn)、上課安排：1.實(shí)驗(yàn)：AlN陶瓷的XRD的定量相分析第七周十月三十一日周五2.上課：第八周十一月七日周五清華大學(xué).材料顯微結(jié)構(gòu)分析.04-正反極圖面織構(gòu)測(cè)定實(shí)驗(yàn)1.理論計(jì)算Ci

的無(wú)標(biāo)樣法定量相分析

AlN陶瓷的XRD的定量相分析單線法多線法清華大學(xué).材料顯微結(jié)構(gòu)分析.04-正反極圖面織構(gòu)測(cè)定1650~1800℃/4h流動(dòng)N2氣體96wt%AlN+3wt%Y2O3+1%CaF2Y2O3CaF2Dy2O3YF31.原料：試樣制備