2023低壓半導(dǎo)體（固態(tài)）斷路器用集成模塊技術(shù)規(guī)范

低壓半導(dǎo)體（固態(tài)）斷路器用集成模塊技術(shù)規(guī)范目 次前 言 II范圍 1規(guī)范性引用文件 1術(shù)語和定義 1符號(hào)和縮略語 3分類與組件關(guān)系 3技術(shù)要求 7試驗(yàn)方法 14檢驗(yàn)規(guī)則 19附 錄 A 21I低壓半導(dǎo)體（固態(tài)）斷路器用集成模塊技術(shù)規(guī)范范圍（固態(tài)本文件適用于交流1000V和直流1500V以下的配電系統(tǒng)中低壓半導(dǎo)體（固態(tài)）斷路器集成模塊。規(guī)范性引用文件（包括所有的修改單適用于本文件。GB/T2421—2020 環(huán)境試驗(yàn)概述和指南GB/T2423.1—2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)A：低溫GB/T2423.2—2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)B：高溫GB/T2423.50—2012環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Cy：恒定濕熱GB/T14048.1—2012低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備第1部分：總則GB/T14048.2—2020低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備第2部分：斷路器GB/T16935.1—2008 低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合第1部分：原理、要求和試驗(yàn)GB/T4937.13—2018 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第13部分：鹽霧GB/T17626.2—2006 電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)靜電放電抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.3—2016 電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.4—2008 電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度實(shí)驗(yàn)GB/T17626.5—2008 電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.8—2006 電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)工頻磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.6—2008 電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度GB/T17799.2—2003 電磁兼容通用標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)環(huán)境中的抗擾度試驗(yàn)JB/T6306—1992 電力半導(dǎo)體模塊外形尺寸IEC60749-34—2010 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候測(cè)試方法 第34部分:功率循環(huán)術(shù)語和定義下列術(shù)語和定義適用于本文件。半導(dǎo)體（固態(tài)）斷路器SemiconductorcircuitbreakerSCCB具有半導(dǎo)體開關(guān)元件的保護(hù)裝置，由機(jī)械開關(guān)元件串聯(lián)實(shí)現(xiàn)隔離功能，能接通、承載以及分?jǐn)嗾ｋ娐窏l件下的電流，也能在所規(guī)定的非正常電路（例如短路）下接通、承載一定時(shí)間和分?jǐn)嚯娏鳌Ｗⅲ焊膶慓B/T14048.2—2020。1集成模塊Integratedmodule一個(gè)包含多個(gè)組件或功能的獨(dú)立單元，這些組件或功能被組合在一起以實(shí)現(xiàn)特定的任務(wù)或功能。半導(dǎo)體（固態(tài)）斷路器用集成模塊SemiconductorcircuitbreakerIntegratedmodules集成半導(dǎo)體開關(guān)單元及輔助功能單元，能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體（固態(tài)）斷路器功能的集成模塊。半導(dǎo)體開關(guān)的單元Semiconductorswitchingunit由功率半導(dǎo)體器件串并聯(lián)構(gòu)成，實(shí)現(xiàn)接通、承載以及分?jǐn)嗾ｋ娐窏l件下的電流，并在所規(guī)定的非正常電路（例如短路）下接通、承載一定時(shí)間和分?jǐn)嚯娏鞯拈_關(guān)單元。隔離驅(qū)動(dòng)單元Isolationdriveunit用于控制和驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件（MOSFET、IGBT、SiC、GaN）的電子設(shè)備或電路。主要作用（通常是控制信號(hào)和邏輯電路的信號(hào)和電源與高電壓電路中的功率半導(dǎo)體器件之間的隔離，以確保安全性、可靠性和電路保護(hù)。信號(hào)處理單元signalprocessingunit輔助供電的單元auxiliarypowersupplyunit用于給半導(dǎo)體（固態(tài)）斷路器用集成模塊中各個(gè)功能組件或單元提供工作電能。功率半導(dǎo)體器件powersemiconductordevice又稱電力電子器件（PowerElectronicDevice），用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上)電子器件。故障信號(hào)處理時(shí)間faultsignalprocessingtime從開始檢測(cè)到故障信號(hào)到控制單元處理完故障信息并做出回應(yīng)的時(shí)間。分?jǐn)鄷r(shí)間breakingtime從半導(dǎo)體開關(guān)單元接受到斷開動(dòng)作信號(hào)瞬間起到半導(dǎo)體開關(guān)單元完全分?jǐn)酁橹沟臅r(shí)間間隔。注：改寫GB/T14048.1—2012,2.5.39接通時(shí)間makingtime從半導(dǎo)體開關(guān)單元接受到閉合動(dòng)作信號(hào)瞬間起到半導(dǎo)體開關(guān)單元完全閉合為止的時(shí)間間隔。自動(dòng)重合閘時(shí)間automaticreclosingswitchtime從半導(dǎo)體（固態(tài)）斷路器分?jǐn)嗪?，到斷路器自?dòng)重新接通的時(shí)間間隔。短路電流整定值short-circuitcurrentsetting使半導(dǎo)體（固態(tài)）斷路器進(jìn)行無任何人為延時(shí)關(guān)斷動(dòng)作的電流額定值。注：改寫GB/T14048.2—2020。過載電流整定值overloadcurrentsetting2使半導(dǎo)體（固態(tài)）斷路器進(jìn)行過載故障處理動(dòng)作的電流整定值。注：改寫GB/T14048.2—2020。短路分?jǐn)嗄芰hort-circuitbreakingcapacity在規(guī)定的條件及額定工作電壓下,半導(dǎo)體（固態(tài)）斷路器能夠進(jìn)行短路電流分?jǐn)嗟哪芰χ?。注：改寫GB/T14048.2-2020。符號(hào)和縮略語DC：直流ACSCCB：半導(dǎo)體（固態(tài)）斷路器SCCBIM：半導(dǎo)體（固態(tài)）斷路器用集成模塊分類與組件關(guān)系分類根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)合，可分為以下幾類：——適用于直流單極或交流單相的SCCBIM,如圖1——SCCBIM2——SCCBIM33圖1 適用于直流單極或交流單相的SCCBIM用例示意圖圖2 適用于直流雙極的SCCBIM用例示意圖4圖3 適用于交流三相的SCCBIM用例示意圖上面用例示意圖中，有以下幾點(diǎn)：1、g,d,sb,c,e2USCFSCCBIMGNDVCC3、強(qiáng)電輸入端和強(qiáng)電輸出端的保護(hù)電路按照對(duì)應(yīng)線路連接。集成模塊內(nèi)部組件及關(guān)系（固態(tài)（固態(tài)1、2、3SignalSCFUIT輔助供電單元主要負(fù)責(zé)給集成模塊內(nèi)部的電壓傳感器、電流傳感器、溫度傳感器、隔離驅(qū)動(dòng)單元、VCC集成模塊外部端口情況如下：5表1 集成模塊各端口名稱及功能說明端口名稱外接功能拓展口g/bMOS管的柵極或者晶體管的基極d/cMOS管的漏級(jí)或者晶體管的集電極s/eMOS管的源極或者晶體管的發(fā)射極輸出口U采樣電壓輸出口GND1采樣電壓接地口I采樣電流輸出口GND2采樣電流接地口T采樣溫度輸出口GND3采樣溫度接地口SCF短路保護(hù)信號(hào)輸出口輸入口Signal驅(qū)動(dòng)控制輸入口GND4驅(qū)動(dòng)控制接地口VCC輔助電源輸入口GND5輔助電源接地口g,d,sUI端口T對(duì)應(yīng)溫度傳感器采樣半導(dǎo)體器件溫度輸出端；SCFSCCBIMSignal端口GND表示弱電的接地；端口VCC對(duì)應(yīng)輔助電源接入端。端口強(qiáng)電輸入端和強(qiáng)電輸出端分別保護(hù)電路按照對(duì)應(yīng)線路連接。集成模塊端口與半導(dǎo)體（固態(tài)）斷路器連接關(guān)系（固態(tài)（SCCBIM）（固態(tài)4。6圖4 半導(dǎo)體斷路器用集成模塊與半導(dǎo)體斷路器的連接示意圖SCCBIMSCCBIM技術(shù)要求通用功能要求5.1節(jié)所述各類SCCBIM應(yīng)滿足一下基本要求：a）應(yīng)具備電流分?jǐn)嗄芰Γ瑢?shí)現(xiàn)電流的快速切除和恢復(fù)；b）應(yīng)具備簡(jiǎn)單快速的故障判斷處理能力；應(yīng)具備電壓、電流、溫度等信息的采集能力；5.2f）應(yīng)具備短路和過載保護(hù)閾值可調(diào)能力。外觀要求7外觀質(zhì)量外形尺寸SCCBIM5.2300ASCCBIM安裝孔、幾何尺寸和封裝尺寸、散熱面平整度在JB/T6306-19923300A的安裝孔、幾何尺寸和封裝尺寸、散熱面平整度不做規(guī)定，以滿足用戶需求為標(biāo)準(zhǔn)。通用性能要求）GB/T14048.1—2012中4.3.1.1適用,并補(bǔ)充如下:SCCIM的額定工作電壓要滿足AC100V和DC150V以下。e一般表示交流相間或直流極間的電SCCBIM）GB/T14048.1—2012中4.3.1.2適用,并補(bǔ)充如下:SCCBIM）GB/T14048.1—2012中4.3.1.3適用,并補(bǔ)充如下:SCCBIM的額定沖擊耐受電壓應(yīng)該大于SCCBIM所處電路中可能產(chǎn)生的瞬態(tài)過電壓規(guī)定值，）對(duì)CCBM見GBT1448.2012中4...4，SCCBIM額定接通能力GB/T14048.1—2012中4.3.5.2適用,并補(bǔ)充如下:SCCBIM的額定接通能力的規(guī)定要考慮額定工作電壓和額定工作電流，一般要低于額定工作電流。額定分?jǐn)嗄芰B/T14048.1—2012中4.3.5.3適用,并補(bǔ)充如下:SCCBIMSCCBIMSCCBIMSCCBIM）GB/T14048.1—2012中4.3.6.1適用,并補(bǔ)充如下:8SCCBIM商規(guī)定。在保證CCBM散熱良好的情況下，能夠在2倍SCCBM分?jǐn)鄷r(shí)間o內(nèi)安全運(yùn)行的電流設(shè)為最大短時(shí)耐受電流。額定短時(shí)耐受電流的規(guī)定值應(yīng)該小于最大短時(shí)耐受電流。SCCBIM42：SCCBIM123416842倍SCCBM。）SCCBIM（MCU）80μs。）SCCBIM的分?jǐn)鄷r(shí)間和內(nèi)部半導(dǎo)體器件及外圍組件相關(guān)，該值不大于10μs。）SCCBIM的分?jǐn)鄷r(shí)間和內(nèi)部半導(dǎo)體器件及外圍組件相關(guān)，該值不大于10μs。短路保護(hù)SCCBIMMCs過電流保護(hù)SCCBIMMCo溫度信號(hào)輸出及過溫保護(hù)SCCBIM10℃~+60自動(dòng)重合閘功能SCCBIM在完成分?jǐn)噙^程后，能夠自動(dòng)重新閉合，自動(dòng)重合閘時(shí)間不應(yīng)大于3ms。泄漏電流SCCBIM在分?jǐn)嗪?，無絕緣故障，由于功率半導(dǎo)體特性導(dǎo)致流過半導(dǎo)體（固態(tài)）斷路器的電流，該值應(yīng)不大于5mA。SCCBIMSCCBIM在額定工作電壓和額定工作電流運(yùn)行條件下，功耗應(yīng)不大于系統(tǒng)額定功率的2‰。最大容許短路電流上升率9SCCBIM在額定工作電壓下，最大容許短路電流上升率不大于1kA/us。介電性能沖擊耐受電壓GB/T14048.1—2012中7.2.3.1適用，并補(bǔ)充如下：SCCBIM23表2 沖擊耐受電壓額定沖擊耐受電試驗(yàn)電壓與相應(yīng)海拔壓UimpkVU1.2/50kV海平面200m500m1000m2000m0.330.350.350.350.340.330.50.550.540.530.520.50.80.910.90.90.850.81.51.751.71.71.61.52.52.952.82.82.72.5表3 與額定絕緣電壓對(duì)應(yīng)的介電試驗(yàn)電壓額定絕緣電壓UiV交流試驗(yàn)電壓（r,m,s）V直流試驗(yàn)電壓bVUi≤601000141560＜Ui≤30015002120300＜Ui≤69018902670690＜Ui≤80020002830800＜Ui≤1000220031101000＜Ui≤1500a——3820a僅適用于直流。b試驗(yàn)電壓值依據(jù)GB/T16935.12008中4.1.2.3.1第3段。電氣強(qiáng)度SCCBIM應(yīng)無擊穿、閃絡(luò)現(xiàn)象、引腳功能、電氣性能無異常。電氣間隙SCCBIM的結(jié)構(gòu)應(yīng)使電氣間隙足夠6.4.1要求的額定沖擊耐受電壓。4B4A(非均勻電場(chǎng))所列之值，則不需進(jìn)行試驗(yàn)。表4 空氣中最小電氣間隙最小電氣間隙最小電氣間隙/mm額定沖10擊耐受電壓UimpkV情況A非均勻電場(chǎng)條件情況B均勻電場(chǎng)條件污染等級(jí)污染等級(jí)123412340.330.010.20.81.60.010.20.81.60.50.040.20.81.60.040.20.81.60.80.10.20.81.60.10.30.81.61.50.50.50.81.60.30.60.81.62.51.51.51.51.60.61.21.21.6注：空氣中最小電氣間隙是以1.2/50us沖擊電壓為基礎(chǔ)，其氣壓為80kPa相當(dāng)于2000m海拔處正常大氣壓。爬電距離基本絕緣的爬電距離不應(yīng)小于表5中的規(guī)定值；附加絕緣的爬電距離至少為基本絕緣規(guī)定值；加強(qiáng)絕緣的爬電距離至少為基本絕緣規(guī)定值的兩倍；功能性絕緣的爬電距離不應(yīng)小于表6規(guī)定值。表5 基本絕緣的最小爬電距離工作電壓V爬電距離mm污染等級(jí)1污染等級(jí)2污染等級(jí)3材料組材料組IIIIIIa/IIIbIIIIIIa/IIIb≤500.20.60.61.21.51.71.9＞50且≤1250.30.81.11.51.92.12.4＞125且≤2500.61.31.82.53.23.64.0＞250且≤4001.02.02.84.05.05.66.3＞400且≤5001.32.53.65.06.37.18.0＞500且≤8001.83.24.56.38.09.010.0＞800且≤10002.44.05.68.010.011.012.5＞1000且≤12503.25.07.11012.514.016.0＞1250且≤16004.26.39.012.516.018.020.0＞1600且≤20005.68.011.016.020.022.025.0＞2000且≤25007.510.014.020.025.028.032.0＞2500且≤320010.012.518.025.032.036.040.0＞3200且≤400012.516.022.032.040.045.050.0＞4000且≤500016.020.028.040.050.056.063.0＞5000且≤630050.025.036.050.063.071.080.0＞6300且≤800025.032.045.063.080.090.0100.0＞8000且≤1000032.040.056.080.0100.0110.0125.0＞10000且≤1250040.050.071.0100.0125.0140.0160.0繞組漆包線認(rèn)為是裸露導(dǎo)線，爬電距離不必大于表4規(guī)定的相應(yīng)間隙。對(duì)于不會(huì)發(fā)生漏電起痕的玻璃、陶瓷和其他無機(jī)絕緣材料，爬電距離不必大于相應(yīng)的電氣間隙。除了隔離變壓器的次級(jí)電路，工作電壓不必小于器具的額定工作電壓。11表6 功能性絕緣的最小爬電距離工作電壓V爬電距離mm污染等級(jí)1污染等級(jí)2污染等級(jí)3材料組材料組IIIIIIa/IIIbIIIIIIa/IIIb≤500.20.60.81.11.41.61.8＞50且≤1250.30.71.01.41.82.02.2＞125且≤2500.41.01.42.02.52.83.2＞250且≤4000.81.62.23.24.04.55.0＞400且≤5001.02.02.84.05.05.66.3＞500且≤8001.83.24.56.38.09.010.0＞800且≤10002.44.05.68.010.011.012.5＞1000且≤12503.25.07.110.012.514.016.0＞1250且≤16004.26.39.012.516.018.020.0＞1600且≤20005.68.011.016.020.022.025.0＞2000且≤25007.510.014.020.025.028.032.0＞2500且≤320010.012.518.025.032.036.040.0＞3200且≤400012.516.022.032.040.045.050.0＞4000且≤500016.020.028.040.050.056.063.0＞5000且≤630050.025.036.050.063.071.080.0＞6300且≤800025.032.045.063.080.090.0100.0＞8000且≤1000032.040.056.080.0100.0110.0125.0＞10000且≤1250040.050.071.0100.0125.0140.0160.0對(duì)于工作電壓小于250V且污染等級(jí)1和污染等級(jí)2的PTC電熱元件，PTC材料表面上爬電距離不必大于相應(yīng)的電氣間隙，但其端子間的爬電距離按本表規(guī)定。對(duì)于不會(huì)發(fā)生漏電起痕的玻璃，陶瓷和其他無機(jī)絕緣材料，爬電距離不必大于相應(yīng)的電氣間隙。電磁兼容性考慮如下兩種電磁環(huán)境：A;B.環(huán)境A:與低壓非公用電網(wǎng)或工業(yè)電網(wǎng)的場(chǎng)所/裝置有關(guān)，含高騷擾源。環(huán)境B:與低壓公用電網(wǎng)的輕工業(yè)場(chǎng)所/裝置有關(guān)，不含高騷擾源。GB/T14048.1-2012中7.3.2.2適用，但作如下補(bǔ)充：SCCBIMGB/T14048.1-201223SCCBIM12靜電放電抗擾度SCCBIM的靜電放電抗擾度應(yīng)滿足GB/T17626.2中試驗(yàn)等級(jí)2的要求。射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度SCCBIM的射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度應(yīng)滿足GB/T17626.3中試驗(yàn)等級(jí)2和3的要求。電快速瞬變/脈沖群抗擾度SCCBIM的電快速瞬變/脈沖群抗擾度應(yīng)滿足GB/T17626.4中試驗(yàn)等級(jí)4的要求。浪涌沖擊抗擾度SCCBIM的浪涌沖擊抗擾度應(yīng)滿足GB/T17626.5中試驗(yàn)等級(jí)1、2、3和4的要求。射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度SCCBIM的射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度應(yīng)滿足GB/T17626.6中試驗(yàn)等級(jí)3的要求。工頻磁場(chǎng)抗擾度SCCBIM的工頻磁場(chǎng)抗擾度應(yīng)滿足GB/T17626.8中試驗(yàn)等級(jí)3和4的要求。性能判據(jù)6.5.1~6.5.61、2、3A，載4B1234下適用B。GB/T17799.2-2003中4適用，但做如下修改：ASCCBIMSCCBIMSCCBIMB：在試驗(yàn)之后,SCCBIMSCCBIMSCCBIM溫升性能溫升極限SCCBIM66表7 SCCBIM部件的溫升極限值13部件名稱溫升極限值/℃---與外部連接的接線端子125---可觸及但不是手握的部件金屬零件125非金屬零件85---正常操作時(shí)無需觸及的部件金屬零件125非金屬零件85除上述所列部件外，對(duì)其他部件不做溫升規(guī)定，但以不引起相鄰絕緣部件損壞為限。周圍環(huán)境溫度7GB/T14048.1—20126.1.1注1中的“GB/T7251.1”改為“GB/T7251系列”。環(huán)境適應(yīng)性高溫環(huán)境SCCBIM能夠承受高溫工作環(huán)境為125℃，濕度正常，電氣性能與初始值偏差在10%以內(nèi)。低溫環(huán)境SCCBIM能夠承受低溫工作環(huán)境為-30℃，濕度正常，電氣性能與初始值偏差在10%以內(nèi)。高溫高濕環(huán)境SCCBIM能夠承受高溫工作環(huán)境為85℃及濕度在85%，電氣性能與初始值偏差在10%以內(nèi)。SCCBIM的耐腐蝕能力應(yīng)滿足GB/T4937.13—2018中鹽霧試驗(yàn)條件A的要求。功率循環(huán)SCCBIMIEC60749-34—20102310%內(nèi)。試驗(yàn)方法GB/T2421—20202外觀試驗(yàn)外觀質(zhì)量14倍的光學(xué)設(shè)備和足夠大的視場(chǎng)來對(duì)SCCBIMSCCBIM

用能夠放大3倍~1027m/sGB/T4937.3-2012SCCBIM外形尺寸用游標(biāo)卡尺、角尺等工具測(cè)試。通用性能試驗(yàn)額定工作電壓A額定絕緣電壓按照GB/T14048.2—2020中8.3進(jìn)行，根據(jù)試驗(yàn)樣品的額定絕緣電壓，對(duì)試驗(yàn)樣品的額定絕緣電壓進(jìn)行測(cè)量，確實(shí)其額定絕緣電壓滿足6.3.2的要求。額定沖擊耐受電壓按照GB/T14048.2—2020中8.3進(jìn)行，根據(jù)試驗(yàn)樣品的額定沖擊耐受電壓，對(duì)試驗(yàn)樣品的額定沖擊耐受電壓進(jìn)行測(cè)量，確實(shí)其額定沖擊耐受電壓滿足6.3.3的要求。額定工作電流A額定接通能力SCCBIM6.3.5A額定分?jǐn)嗄芰CCBIM6.3.6A額定短時(shí)耐受電流SCCBIM6.3.7A故障信號(hào)處理時(shí)間6.2.8A分?jǐn)鄷r(shí)間156.2.9A接通時(shí)間6.2.6A短路保護(hù)AAA溫度輸出及過溫保護(hù)6.3.13A重合閘功能SCCBIMA斷態(tài)漏電流6.3.15ASCCBIMSCCBIM功耗分為半導(dǎo)體開關(guān)單元功耗和其他單元功耗之和。因此，試驗(yàn)分為兩個(gè)部分：。IGBn=是IGBTC對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）P

=2R

是場(chǎng)效應(yīng)管的通態(tài)電阻。

on C

ds(ON)

ds(ON)p。16T/CECXXXX-202Xt的功耗p=pp流。給定試驗(yàn)樣品額定工作電壓和額定工作電流，穩(wěn)定后，試驗(yàn)給其他單元進(jìn)行供電的電源儀器輸出電壓和電流，按照上面公式即可測(cè)量出其他單元的功耗。SCCBIM6.3.16A最大容許短路電流上升率6.3.17A介電性能試驗(yàn)沖擊耐受電壓GB/T14048.1-20128.3.3.4.1SCCBIMSSCBIMSSCBIM電氣強(qiáng)度2500C1mi1m。電氣間隙GB/T14048.1-20128.3.3.4.3SCCBIM3ASCCBIM爬電距離按GB/T16935.1進(jìn)行試驗(yàn)，確認(rèn)滿足6.4.4的要求。電磁兼容性試驗(yàn)靜電放電抗擾度SCCBIMGB/T17626.26.5.16.5.7SCCBIM射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度SCCBIMGB/T17626.36.5.26.5.7SCCBIM電快速瞬變/脈沖群抗擾度SCCBIMGB/T17626.46.5.36.5.7SCCBIM17浪涌沖擊抗擾度SCCBIMGB/T17626.56.5.46.5.7SCCBIM射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度SCCBIMGB/T17626.66.5.56.5.7SCCBIM工頻磁場(chǎng)抗擾度SCCBIMGB/T17626.86.5.66.5.7SCCBIM溫升性能試驗(yàn)溫升極限GB/T14048.1-20128.3.3.3.1部件的溫升是按GB/T14048.1-20128.3.3.3.27.5.2度之差，確定滿足6.5.1的要求。主電路半導(dǎo)體的溫升是按GB/T14048.1-2012中8.3.3.3.4測(cè)量溫升，確定滿足6.5.1的要求。GB/T14048.1-20128.3.3.3.46.5.1周圍環(huán)境溫度GB/T14048.1-20128.3.3.3.11/4SCCBIM1/2SCCBIM1m3℃,應(yīng)按SCCBIM環(huán)境適應(yīng)性試驗(yàn)高溫環(huán)境SCCBIMGB/T2423.2—20085.2（125±3）℃的高溫環(huán)96hSCCBIM2hSCCBIMSCCBIM48h低溫環(huán)境SCCBIMGB/T2423.2—20085.2（-35±3）℃的高溫環(huán)96hSCCBIM18在常態(tài)下恢復(fù)2h，SCCBIMSCCBIM48h高溫高濕環(huán)境SCCBIMGB/T2423.50（-85±3）℃的高溫環(huán)境下，相對(duì)濕8596hSCCBIM2hSCCBIMSCCBIM48h鹽霧GB/T4937.13—20184.1GB/T4937.13—20184.2試驗(yàn)箱內(nèi)的溫度應(yīng)保持在(35±2)℃,鹽霧的濃度和噴出速度應(yīng)調(diào)節(jié)到使試驗(yàn)區(qū)域內(nèi)鹽沉降率為(30±10)g/(m2·d)。在不低于35℃pH6.0~7.5(CPpH試驗(yàn)條件按照6.6.4中要求，試驗(yàn)結(jié)束后，按照GB/T4937.13—2018中4.4判斷試驗(yàn)樣品是否失效。功率循環(huán)IEC60749-34SCCBIMSCCBIM（90±10）5000SCCBIMSCCBIM檢驗(yàn)規(guī)則檢驗(yàn)分類檢驗(yàn)應(yīng)包括型式試驗(yàn)、常規(guī)試驗(yàn)、抽樣試驗(yàn)。型式試驗(yàn)概述有下列情況之一時(shí)應(yīng)進(jìn)行型式試驗(yàn)：新產(chǎn)品定型或老產(chǎn)品轉(zhuǎn)廠生產(chǎn)時(shí)；正式生產(chǎn)后，在設(shè)計(jì)、工藝材料、結(jié)構(gòu)有改變，并可能影響產(chǎn)品性能時(shí)；合同規(guī)定有型式試驗(yàn)要求時(shí)；國家質(zhì)量監(jiān)督機(jī)構(gòu)提出進(jìn)行型式試驗(yàn)的要求時(shí)；型式試驗(yàn)周期三年。樣品數(shù)量型式試驗(yàn)在1套樣品上進(jìn)行，試驗(yàn)中途不得更換樣品。合格判據(jù)型式試驗(yàn)各項(xiàng)目全部符合技術(shù)要求為合格。發(fā)現(xiàn)有不符合技術(shù)要求的項(xiàng)目應(yīng)分析原因，處理缺陷。19對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行整改后，再按全部型式試驗(yàn)項(xiàng)目進(jìn)行試驗(yàn)。常規(guī)試驗(yàn)概述常規(guī)試驗(yàn)旨在檢查電器的材料和加工質(zhì)量的缺陷，并檢測(cè)電器的固有功能。樣品數(shù)量應(yīng)在每臺(tái)產(chǎn)品上進(jìn)行。合格判據(jù)抽樣試驗(yàn)概述如果工程和統(tǒng)計(jì)分析表示常規(guī)試驗(yàn)沒有必要在每臺(tái)產(chǎn)品上進(jìn)行，則可由抽樣試驗(yàn)來代替。抽樣方案GB/T2828.1—2012S-3AQL1.0的正常檢驗(yàn)一次抽樣方案執(zhí)行。合格判據(jù)試驗(yàn)項(xiàng)目試驗(yàn)項(xiàng)目見表8