2022-2023年中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線圖

目錄

一'路線圖編制說(shuō)明.....................................................1

（-）涵蓋內(nèi)容.....................................................................1

（二）指標(biāo)值的確定.................................................................1

二'中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展簡(jiǎn)況...............................................2

三'產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)關(guān)鍵指標(biāo)...............................................5

（-）多晶硅環(huán)節(jié)...................................................................5

1、還原電耗..................................................................5

2、冷氫化電耗...............................................................5

3、綜合電耗.................................................................6

4、水耗.....................................................................7

5、蒸汽耗量.................................................................7

6、綜合能耗.................................................................8

7、硅單耗...................................................................8

8、還原余熱利用率...........................................................9

9、棒狀硅和顆粒硅市場(chǎng)占比..................................................10

10、三氯氫硅法多晶硅生產(chǎn)線投資成本.........................................10

"、多晶硅人均產(chǎn)出量........................................................11

（二）硅片環(huán)節(jié)....................................................................12

1、拉棒電耗.................................................................12

2、鑄錠電耗................................................................12

3、切片電耗................................................................13

4、拉棒單爐投料量..........................................................14

5、鑄錠投料量..............................................................14

6、耗硅量..................................................................15

7、耗水量..................................................................16

8、硅片厚度................................................................16

9、金剛線母線直徑..........................................................17

10、單位方棒/方錠在金剛線切割下的出片量...................................18

11、拉棒/鑄錠/切片單位產(chǎn)能設(shè)備投資額.......................................18

12、硅片人均產(chǎn)出率.........................................................19

13、不同類型硅片市場(chǎng)占比...................................................20

14、不同尺寸硅片市場(chǎng)占比...................................................21

（三）電池片環(huán)節(jié).................................................................22

1、各種電池技術(shù)平均轉(zhuǎn)換效率................................................23

2、不同電池技術(shù)路線市場(chǎng)占比...............................................23

3、電池鋁漿消耗量..........................................................24

4、電池銀漿消耗量..........................................................25

5、異質(zhì)結(jié)電池片金屬電極技術(shù)市場(chǎng)占比.......................................26

6、柵線印刷技術(shù)市場(chǎng)占比...................................................27

7、p型電池片發(fā)射極方塊電阻................................................27

8、電池片背鈍化技術(shù)市場(chǎng)占比...............................................28

9、異質(zhì)結(jié)電池片TCO沉積方法市場(chǎng)占比......................................29

10、電池正面細(xì)柵線寬度.....................................................30

11、各種主柵市場(chǎng)占比.......................................................30

12、電池線人均產(chǎn)出率.......................................................31

13、電耗...................................................................32

14、水耗...................................................................33

15、電池片單位產(chǎn)能設(shè)備投資額..............................................34

（四）組件環(huán)節(jié)...................................................................35

1、不同類型組件功率........................................................35

2、單徼面發(fā)電組件市場(chǎng)占比................................................35

3、全片、半片和疊瓦及多分片組件市場(chǎng)占比...................................36

4、不同電池片互聯(lián)技術(shù)的組件市場(chǎng)占比.......................................36

5、不同焊帶材料組件市場(chǎng)占比...............................................37

6、3.2mm組件封裝用鋼化鍍膜玻璃透光率....................................38

7、不同材質(zhì)正面蓋板組件市場(chǎng)占比...........................................38

8、不同厚度的前蓋板玻璃組件市場(chǎng)占比.......................................39

9、不同封裝材料的市場(chǎng)占比.................................................40

10、樹(shù)脂粒子國(guó)產(chǎn)化率.......................................................40

11、不同背板材料市場(chǎng)占比...................................................41

12、組件電耗...............................................................42

13、組件人均產(chǎn)出率.........................................................42

14、組件單位產(chǎn)能設(shè)備投資額................................................43

（五）薄膜太陽(yáng)能電池/組件........................................................44

1、CdTe薄膜太陽(yáng)能電池/組件轉(zhuǎn)換效率.......................................44

2、CIGS薄膜太陽(yáng)能電池/組件轉(zhuǎn)換效率.......................................44

3、皿-V族薄膜太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率..........................................45

4、鈣鈦礦太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率...............................................45

（六）逆變器.....................................................................46

1、不同類型逆變器市場(chǎng)占比..................................................46

2、逆變器單位容量設(shè)備投資額...............................................46

3、逆變器人均產(chǎn)出率........................................................47

4、逆變器單機(jī)主流額定功率.................................................48

5、逆變器功率密度..........................................................48

6、逆變器功率模塊自主化率.................................................48

7、逆變器主控制芯片自主化率...............................................49

（七）系統(tǒng)環(huán)節(jié)....................................................................50

1、全球光伏新增裝機(jī)量......................................................50

2、國(guó)內(nèi)光伏新增裝機(jī)量.....................................................50

3、光伏應(yīng)用市場(chǎng)............................................................51

4、我國(guó)光伏系統(tǒng)初始全投資及運(yùn)維成本.......................................52

5、不同等效利用小時(shí)數(shù)LCOE估算...........................................55

6、不同系統(tǒng)電壓等級(jí)市場(chǎng)占比...............................................57

7、跟蹤系統(tǒng)市場(chǎng)占比........................................................57

（八）新型儲(chǔ)能環(huán)節(jié)...............................................................59

1、新型儲(chǔ)能新增裝機(jī)規(guī)模....................................................59

2、不同新型儲(chǔ)能技術(shù)市場(chǎng)占比...............................................59

3、鋰電儲(chǔ)能單位裝機(jī)占項(xiàng)目用地.............................................60

4、集裝箱式鋰電儲(chǔ)能系統(tǒng)容量................................................61

5、鋰電儲(chǔ)能系統(tǒng)價(jià)格........................................................61

6、鋰電儲(chǔ)能系統(tǒng)能量轉(zhuǎn)化效率...............................................62

7、鋰電儲(chǔ)能電池單體電芯容量...............................................62

8、鋰電儲(chǔ)能電池單體電芯循環(huán)壽命...........................................63

9、鋰電儲(chǔ)能單體電芯質(zhì)量/體積能量密度......................................64

光伏產(chǎn)業(yè)是半導(dǎo)體技術(shù)與新能源需求相結(jié)合而衍生的產(chǎn)業(yè)。大力發(fā)展光伏產(chǎn)業(yè)，對(duì)調(diào)整能源

結(jié)構(gòu)、推進(jìn)能源生產(chǎn)和消費(fèi)革命、促進(jìn)生態(tài)文明建設(shè)具有重要意義。我國(guó)已將光伏產(chǎn)業(yè)列為國(guó)家

戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)之一，在產(chǎn)業(yè)政策引導(dǎo)和市場(chǎng)需求驅(qū)動(dòng)的雙重作用下，全國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)了快速

發(fā)展，已經(jīng)成為我國(guó)為數(shù)不多可參與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)并取得領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)業(yè)。光伏產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)成如下圖所

薄膜光伏組件

光

伏

發(fā)

單晶硅棒|單晶硅片I單晶電池電

晶

多

系

硅

晶

+統(tǒng)

組

硅

件

料

多晶硅錠|多晶硅片I多晶電池

圖1光伏產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)成

一'路線圖編制說(shuō)明

(-)涵蓋內(nèi)容

路線圖編制以為國(guó)家制定產(chǎn)業(yè)政策提供支撐、為行業(yè)技術(shù)發(fā)展指明方向、為企業(yè)戰(zhàn)略決策提

供參考為主要目標(biāo)，基于當(dāng)前光伏技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀，從光伏產(chǎn)業(yè)鏈多晶硅、硅棒/硅錠、硅

片、電池、組件、薄膜、逆變器、系統(tǒng)、新型儲(chǔ)能等各個(gè)環(huán)節(jié)抽取出可代表該領(lǐng)域發(fā)展水平的指

標(biāo)，這些指標(biāo)涵蓋產(chǎn)業(yè)、技術(shù)、市場(chǎng)等各個(gè)層面。

(二)指標(biāo)值的確定

本次路線圖的修訂，在前六版的基礎(chǔ)上，秉持客觀性、科學(xué)性、廣泛性和前瞻性的原則，再

次通過(guò)調(diào)查問(wèn)卷、現(xiàn)場(chǎng)調(diào)研、專家研討等形式，廣泛征求意見(jiàn)尤其是重點(diǎn)企業(yè)和專家的建議，由

此確定各環(huán)節(jié)關(guān)鍵指標(biāo)2022-2030年發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢(shì)。本次修訂問(wèn)卷調(diào)查以產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)主要

光伏企業(yè)為主，同時(shí)，多次通過(guò)郵件等書(shū)面形式廣泛征求企業(yè)和專家意見(jiàn)，并組織2次以上專家

研討會(huì)，對(duì)各個(gè)指標(biāo)的合理性及必要性等進(jìn)行詳盡分析，以此確定指標(biāo)取值?？紤]到未來(lái)發(fā)展的

不確定性會(huì)增加指標(biāo)值預(yù)判的難度，路線圖在制定過(guò)程中力求準(zhǔn)確預(yù)測(cè)近期的發(fā)展方向，中遠(yuǎn)期

的預(yù)測(cè)更多代表行業(yè)各界對(duì)未來(lái)的一種趨勢(shì)反映。今后，我們?nèi)詫⒍ㄆ趯?duì)路線圖進(jìn)行更新，以不

斷逼近"真值"，更好地及時(shí)地反映行業(yè)發(fā)展情況，并有效指導(dǎo)行業(yè)發(fā)展。

1

二、中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展簡(jiǎn)況

多晶硅方面，2022年，全國(guó)多晶硅產(chǎn)量達(dá)82.7萬(wàn)噸，同比增長(zhǎng)63.4%。其中，排名前五企

業(yè)產(chǎn)量占國(guó)內(nèi)多晶硅總產(chǎn)量87.1%。2023年隨著多晶硅企業(yè)技改及新建產(chǎn)能的釋放，產(chǎn)量預(yù)計(jì)

將超過(guò)124萬(wàn)噸。

圖22010-2023年全國(guó)多晶硅產(chǎn)量情況（單位：萬(wàn)噸）

硅片方面，2022年全國(guó)硅片產(chǎn)量約為357GW,同比增長(zhǎng)57.5%。其中，排名前五企業(yè)產(chǎn)量

占國(guó)內(nèi)硅片總產(chǎn)量的66%。隨著頭部企業(yè)加速擴(kuò)張，預(yù)計(jì)2023年全國(guó)硅片產(chǎn)量將超過(guò)535.5GW。

圖32010-2023年全國(guó)硅片產(chǎn)量情況（單位：GW）

2

晶硅電池片方面，2022年，全國(guó)電池片產(chǎn)量約為318GW,同比增長(zhǎng)607%。其中，排名前

五企業(yè)產(chǎn)量占總產(chǎn)量的56.3%,產(chǎn)量達(dá)到5GW以上的電池片企業(yè)有17家。預(yù)計(jì)2023年全國(guó)電

池片產(chǎn)量將超過(guò)477GW。

圖42010-2023年全國(guó)電池片生產(chǎn)情況（單位：GW）

組件方面，2022年，全國(guó)組件產(chǎn)量達(dá)到288.7GW,同比增長(zhǎng)58.8%,以晶硅組件為主。其

中，排名前五企業(yè)產(chǎn)量占總產(chǎn)量的61.4%,產(chǎn)量達(dá)5GW以上的組件企業(yè)有11家。預(yù)計(jì)2023年

組件產(chǎn)量將超過(guò)433.1GW。

圖52010-2023年全國(guó)太陽(yáng)能組件生產(chǎn)情況（單位：GW）

光伏市場(chǎng)方面，2022年全國(guó)新增光伏并網(wǎng)裝機(jī)容量87.41GW。累計(jì)光伏并網(wǎng)裝機(jī)容量達(dá)到

392.6GW,新增和累計(jì)裝機(jī)容量均為全球第一。全年光伏發(fā)電量為4276億千瓦時(shí)，同比增長(zhǎng)

3

30.8%,約占全國(guó)全年總發(fā)電量的4.9%。預(yù)計(jì)2023年光伏新增裝機(jī)量超過(guò)95GW,累計(jì)裝機(jī)有

望超過(guò)487.6GW。

600

圖62010-2022年全國(guó)太陽(yáng)能光伏發(fā)電裝機(jī)累計(jì)容量（單位：GW）

產(chǎn)品效率方面，2022年，規(guī)?；a(chǎn)的p型單晶電池均采用PERC技術(shù)，平均轉(zhuǎn)換效率達(dá)

至IJ23.2%;采用PERC技術(shù)的黑硅多晶電池片轉(zhuǎn)換效率達(dá)到21.1%;常規(guī)黑硅多晶電池效率提升

動(dòng)力不強(qiáng)，2022年轉(zhuǎn)換效率仍維持在19.5%左右。

24.0%

22.0%

20.0%

18.0%

16.0%

14.0%

200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022

TB-多晶電池片f-單晶電池片黑硅多晶T-PERC黑硅多晶T-PERC單晶

圖72008-2022年國(guó)內(nèi)電池片量產(chǎn)轉(zhuǎn)換效率發(fā)展趨勢(shì)

人才方面，2021年中國(guó)光伏從業(yè)人員總計(jì)246萬(wàn)人，其中直接從業(yè)人員約為41萬(wàn)人；預(yù)計(jì)

2022-2025年間中國(guó)光伏從業(yè)人員需求將達(dá)到334.2-400.8萬(wàn)人，累計(jì)新增需求達(dá)到88.2-154.8

萬(wàn)人，2022年新增從業(yè)人員需求將超過(guò)26.4萬(wàn)人，并有較大可能達(dá)到歷史高點(diǎn)。

4

三、產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)關(guān)鍵指標(biāo)

(-)多晶硅環(huán)節(jié)1

1、還原電耗

多晶硅還原是指三氯氫硅和氫氣發(fā)生還原反應(yīng)生成高純硅料的過(guò)程，其電耗包括硅芯預(yù)熱、

沉積、保溫、結(jié)束換氣等工藝過(guò)程中的電力消耗。2022年單爐致密料占比維持70%-80%,多晶

硅平均還原電耗較2021年下降3.3%,為44.5kWh/kg-Sio未來(lái)隨著氣體配比的不斷優(yōu)化、大爐

型的投用和穩(wěn)定生產(chǎn)，還原電耗仍將呈現(xiàn)持續(xù)下降趨勢(shì)，到2030年還原電耗有望下降至

40kWh/kg-Sio

圖82022-2030年還原電耗變化趨勢(shì)(單位：kWh/kg-Si)

2、冷氫化電耗

冷氫化技術(shù)是把多晶硅生產(chǎn)過(guò)程中的副產(chǎn)物四氯化硅(SiCL)轉(zhuǎn)化為三氯氫硅(SiHCI,的技術(shù),

其電耗包括物料供應(yīng)、氫化反應(yīng)系統(tǒng)、冷凝分離系統(tǒng)和初儲(chǔ)系統(tǒng)的電力消耗。各企業(yè)在物料供應(yīng)

環(huán)節(jié)使用不同的加熱方式，如電加熱、熱油加熱、蒸汽加熱、天然氣加熱等，因此各企業(yè)冷氫化

電耗存在差異。2022年，冷氫化平均電耗在4.3kWh/kg-Si左右，同比下降8.5%,到2030年

有望下降至3.8kWh/kg-Si以下。技術(shù)進(jìn)步的手段包括反應(yīng)催化劑的開(kāi)發(fā)、提高工藝環(huán)節(jié)中熱能

回收利用率、提高反應(yīng)效率等。

?本章節(jié)若無(wú)特殊注明，均為三氯氫硅法棒狀硅的生產(chǎn)指標(biāo)。多晶硅生產(chǎn)各環(huán)節(jié)工序劃分、能源消耗種類、

計(jì)量和計(jì)算方法按《多晶硅企業(yè)單位產(chǎn)品能源消耗限額》GB29447執(zhí)行。

5

4.6

4.4

3.6

2022年2023年2024年2025年2027年2030年

圖92022-2030年冷氫化電耗變化趨勢(shì)（單位：kWh/kg-Si）

3、綜合電耗

綜合電耗是指工廠生產(chǎn)單位多晶硅產(chǎn)品所耗用的全部電力，包括合成、電解制氫、精儲(chǔ)、還

原、尾氣回收和氫化等環(huán)節(jié)的電力消耗。由于各家生產(chǎn)工藝不同，因此綜合電耗有一定差距。2022

年，多晶硅平均綜合電耗已降至60kWh/kg-Si,同比下降4.8%。未來(lái)隨著生產(chǎn)裝備技術(shù)提升、

系統(tǒng)優(yōu)化能力提高、生產(chǎn)規(guī)模增大等，預(yù)計(jì)至2030年有望下降至52kWh/kg-Si0

圖102022-2030年綜合電耗變化趨勢(shì)（單位：kWh/kg-Si）

6

4、水耗

水耗是指生產(chǎn)單位多晶硅產(chǎn)品所需要補(bǔ)充的水量，水的消耗主要包括蒸發(fā)、清洗等。2022

年，多晶硅平均水耗在0.09t/kg-Si的水平，同比下降10.0%。新疆地區(qū)氣候干燥，蒸發(fā)量大，水

耗較行業(yè)平均值高。預(yù)計(jì)到2025年，通過(guò)余熱利用降低蒸發(fā)量，精憎塔排出的物料再回收利用

降低殘液處理水耗等措施，可將耗水量控制在0.08t/kg-Si的水平并維持到2030年。

0.10

0.07

2022年2023年2024年2025年2027年2030年

圖112022-2030年水耗變化趨勢(shì)（單位：t/kg-Si）

5、蒸汽耗量

蒸汽耗量是指生產(chǎn)單位多晶硅產(chǎn)品外購(gòu)蒸汽量，不考慮還原爐余熱利用所產(chǎn)生的蒸汽（該能

量已通過(guò)電力的形式計(jì)入）。蒸汽的補(bǔ)充主要用于精儲(chǔ)、冷氫化、尾氣回收等環(huán)節(jié)。2022年企

業(yè)蒸汽耗量均值為15.0kg/kg-Si左右，同比下降18.5%,在新疆等寒冷地區(qū)蒸汽耗量較其他地區(qū)

高。隨著企業(yè)還原余熱利用率提升、提純、精儲(chǔ)系統(tǒng)優(yōu)化等，2030年企業(yè)蒸汽耗量將降至

8.0kg/kg-Sio

7

17.0

13.0

9.0

5.0

2022年2023年2024年2025年2027年2030年

圖122022-2030年蒸汽耗量變化趨勢(shì)（單位：kg/kg-Si）

6、綜合能耗

多晶硅綜合能耗包括多晶硅生產(chǎn)過(guò)程中所消耗的天然氣、煤炭、電力、蒸汽、水等。2022年

多晶硅企業(yè)綜合能耗平均值為8.9kgce/kg-Si,同比下降6.3%。隨著技術(shù)進(jìn)步和能源的綜合利用,

到12030年預(yù)計(jì)可降到7.2kgce/kg-Si。

圖132022-2030年綜合能耗變化趨勢(shì)（單位：kgce/kgS）

7、硅單耗

硅單耗指生產(chǎn)單位高純硅產(chǎn)品所耗費(fèi)的硅量，主要包括合成、氫化工序，外購(gòu)硅粉、三氯氫

硅、四氯化硅等含硅物料全部折成純硅計(jì)算，外售氯硅烷等按含硅比折成純硅計(jì)算，從總量中扣

8

除。2022年，硅耗在1.09kg/kg-Si水平，基本與2021年持平，且未來(lái)5年內(nèi)變化幅度不大。隨

著氫化水平的提升，副產(chǎn)物回收利用率的增強(qiáng)，預(yù)計(jì)到2030年將降低到1.07kg/kg-Si。

圖142022-2030年硅單耗變化趨勢(shì)（單位：kg/kg-Si）

8、還原余熱利用率

還原余熱利用率是指回收利用還原工藝中熱量占還原工藝能耗比。2022年，多晶硅還原余

熱利用率平均水平在81.5%,較2021年提升了0.5個(gè)百分點(diǎn)。隨著多晶硅工廠大爐型的使用，

節(jié)能技術(shù)的進(jìn)步，以及低品位熱的利用，余熱利用率有望進(jìn)一步提升，但考慮設(shè)備本身散熱和尾

氣帶走熱等影響，預(yù)計(jì)2030年還原余熱利用率將會(huì)達(dá)到83%。

9

9、棒狀硅和顆粒硅市場(chǎng)占比

當(dāng)前主流的多晶硅生產(chǎn)技術(shù)主要有三氯氫硅法和硅烷流化床法,產(chǎn)品形態(tài)分別為棒狀硅和顆

粒硅。三氯氫硅法生產(chǎn)工藝相對(duì)成熟，隨著2022年硅烷法顆粒硅產(chǎn)能和產(chǎn)量的增加，顆粒硅市

場(chǎng)占比有所上漲，達(dá)到7.5%,棒狀硅占92.5%0從未來(lái)看，若顆粒硅的產(chǎn)能進(jìn)一步擴(kuò)張，并且

隨著生產(chǎn)工藝的改進(jìn)和下游應(yīng)用的拓展，市場(chǎng)占比會(huì)進(jìn)一步提升。

圖162022-2030年棒狀硅和顆粒硅市場(chǎng)占比變化趨勢(shì)

10、三氯氫硅法多晶硅生產(chǎn)線投資成本

多晶硅生產(chǎn)線投資主要包含土建、設(shè)備、安裝費(fèi)用，其中設(shè)備投資成本占比60%-70%o2022

年投產(chǎn)的萬(wàn)噸級(jí)多晶硅生產(chǎn)線投資成本為1.00億元/千噸，較2021年有小幅下降。但隨著生產(chǎn)

裝備技術(shù)的進(jìn)步、單體規(guī)模的提高和工藝水平的提升，三氯氫硅法多晶硅生產(chǎn)線投資成本逐年下

降。預(yù)計(jì)到2030年，千噸投資可下降至0.93億元。

10

圖172022-203。年三氯氫硅法多晶硅生產(chǎn)線投資成本變化趨勢(shì)（單位：億元/千噸）

11、多晶硅人均產(chǎn)出量

隨著多晶硅工藝技術(shù)瓶頸不斷突破，工廠智能化制造水平的不斷提升，多晶硅工廠的人均產(chǎn)

出也快速提升。2022年多晶硅生產(chǎn)線人均產(chǎn)出量為58噸/（人?年），同比大幅提升45.4%,這與

單線產(chǎn)能提升、系統(tǒng)集成化、以及產(chǎn)線滿產(chǎn)等因素有關(guān)。隨著多晶硅新投產(chǎn)線單線規(guī)模增大，自

動(dòng)化程度提升，人均產(chǎn)出量將會(huì)有較大幅度的增長(zhǎng)，到2030年提高到79噸/（人?年）。

圖182022-2030年多晶硅生產(chǎn)線人均產(chǎn)出量變化趨勢(shì)（單位：噸/（人年））

11

（二）硅片環(huán)節(jié)2

1、拉棒電耗

單晶拉棒電耗是指直拉法生產(chǎn)單位合格單晶硅棒所消耗的電量，可以通過(guò)改善熱場(chǎng)、保溫性

能、提升設(shè)備自動(dòng)化、智能化程度、提高連續(xù)拉棒技術(shù)等方法，降低拉棒生產(chǎn)電耗。2022年，

因熱場(chǎng)尺寸增加以及石英砂的不確定性導(dǎo)致成晶率下降，帶來(lái)能耗增長(zhǎng)。因此2022年，拉棒平

均電耗水平從2021年23.9kWh/kg-Si增長(zhǎng)至24.4kWh/kgS（方棒）。預(yù)計(jì)到2025年，有望

下降至21.5kWh/kg-Sio

圖192022-2030年拉棒電耗變化趨勢(shì)（單位：kWh/kg-Si）

2、鑄錠電耗

鑄錠電耗是指通過(guò)定向凝固技術(shù)生產(chǎn)硅錠（大方錠）所消耗的電量。2022年，鑄錠電耗為

8.0kWh/kg-Si,較2021年僅有小幅升高。主要上升原因?yàn)?022年鑄錠爐較多的被應(yīng)用于生產(chǎn)

鑄錠單晶產(chǎn)品，而與生產(chǎn)多晶相比，生產(chǎn)鑄錠單晶的裝料量有所下降，導(dǎo)致單位電耗增加，鑄錠

爐機(jī)型仍以G7系統(tǒng)為主，預(yù)計(jì)未來(lái)鑄錠電耗下降也將呈持續(xù)放緩趨勢(shì)。

2若無(wú)特殊說(shuō)明，本環(huán)節(jié)指標(biāo)均以生產(chǎn)182mm尺寸硅片為基準(zhǔn)。

由于本環(huán)節(jié)將邊界條件由166mm改為182mm產(chǎn)品，

12

圖202022-2030年鑄錠電耗變化趨勢(shì)［單位：kWh/kg-Si（大方錠）］

3、切片電耗

切片電耗是指通過(guò)切片工序，從方棒/方塊到成品硅片所消耗的電量。2022年，切片電耗約

為8.3萬(wàn)kWh/百萬(wàn)片，較2021年小幅上升。主要因?yàn)?022年硅片尺寸從166mm增加到

182mm,相應(yīng)的脫膠槽體、清洗槽體體積呈幾何形式增加，使得加熱的水體積增加，相應(yīng)用電量

有所提升。未來(lái)，棒長(zhǎng)增長(zhǎng)，切速增加，細(xì)線化、薄片化帶來(lái)的單次出片量增加，都將促進(jìn)切片

電耗繼續(xù)下降。

圖212022-2030年切片電耗變化趨勢(shì)（單位：萬(wàn)kWh/百萬(wàn)片）

13

4、拉棒單爐投料量

拉棒單爐投料量是指一只由埸用于多次拉棒生產(chǎn)的總投料量，其中由埸使用時(shí)間為關(guān)鍵因素

之一。2022年，拉棒單爐投料量約為3100kg,較2021年的2800kg有小幅提升，主要是由于

熱場(chǎng)尺寸增大以及拉棒數(shù)增加。未來(lái)隨著用端制作工藝、拉棒技術(shù)的不斷提升以及t甘堪使用的優(yōu)

化，投料量仍有較大增長(zhǎng)空間，或向著連續(xù)投料的方向發(fā)展。

圖222022-2030年拉棒單爐投料量變化趨勢(shì)（單位：kg）

5、鑄錠投料量

鑄錠投料量是指用于鑄錠的單只用埸的最大裝料量，鑄錠爐可以生產(chǎn)多晶和鑄錠單晶（準(zhǔn)單

晶）。2017年行業(yè)已經(jīng)出現(xiàn)G8系統(tǒng)（1500kg）的應(yīng)用，但因?yàn)槭袌?chǎng)中多晶硅片需求下滑，鑄錠

單晶技術(shù)發(fā)展不及預(yù)期等原因，G8系統(tǒng)鑄錠爐未能更大范圍普及。2022年我國(guó)鑄錠爐仍以G7

系統(tǒng)為主，多晶投料量約1200kg,鑄錠單晶因?yàn)槠焚|(zhì)控制原因投料量暫約1100kg。未來(lái)，多晶

技術(shù)投入會(huì)減少，所以多晶投料量保持不變，但鑄錠單晶目前仍有企業(yè)在積極投入，隨著鑄錠單

晶技術(shù)的進(jìn)一步提升，預(yù)計(jì)2024年以后鑄錠爐有可能普遍升級(jí)為G8系統(tǒng)，鑄錠單晶投料量可

增長(zhǎng)至1500kg。

14

圖232022-2030年鑄錠單爐投料量變化趨勢(shì)（單位：kg）

6、耗硅量

耗硅量是指生產(chǎn)每公斤方棒（含邊皮復(fù)投料）所消耗的多晶硅原料量（按年度統(tǒng)計(jì)）。2022年

鑄錠耗硅量為1.10kg/kg,與2021年持平。由于鑄錠研發(fā)投入有限，預(yù)計(jì)未來(lái)幾年內(nèi)數(shù)值變化不

大。2022年拉棒耗硅量為1.06kg/kg,與2021年基本持平。清洗、破碎環(huán)節(jié)的損耗降低，生產(chǎn)

環(huán)節(jié)環(huán)境控制，降低堪底料比例，優(yōu)化機(jī)加環(huán)節(jié)精度控制，減少加工余量，提升降級(jí)硅料的分級(jí)

和處理技術(shù)等，都將促使拉棒耗硅量繼續(xù)下降。

圖242022-2030年鑄錠耗硅量變化趨勢(shì)（單位：kg/kg）

15

7、耗水量

切片工序取水量包括脫膠、清洗、切片等所有環(huán)節(jié)的生產(chǎn)設(shè)備、輔助設(shè)備、污水處理設(shè)備等

取水量或分?jǐn)偭浚话k公區(qū)域及生活用水（純水量應(yīng)折算成新鮮水量）。2022年切片環(huán)節(jié)

耗水量為906t后萬(wàn)片，未來(lái)通過(guò)循環(huán)用水、水的回收再處理再應(yīng)用、工藝水平提升、清洗劑的

性能優(yōu)化等方法，耗水量將逐步下降。

圖252022-2030年耗水量變化趨勢(shì)（單位：t/S萬(wàn)片）

8、硅片厚度

薄片化有利于降低硅耗和硅片成本，但會(huì)影響碎片率。目前切片工藝完全能滿足薄片化的需

要，但硅片厚度還要滿足下游電池片、組件制造端的需求。硅片厚度對(duì)電池片的自動(dòng)化、良率、

轉(zhuǎn)換效率等均有影響。2022年，多晶硅片平均厚度為175nm,由于市場(chǎng)終端需求量較小，無(wú)繼

續(xù)減薄的動(dòng)力，因此預(yù)測(cè)2024年之后厚度維持170Hm不變，但不排除后期仍有變薄的可能。p

型單晶硅片平均厚度在155Hm左右，較2021年下降15wn。目前，用于TOPCon電池的n型

硅片平均厚度為140nm,用于異質(zhì)結(jié)電池的硅片厚度約130nmo未來(lái)硅片厚度的變化將與多晶

硅價(jià)格息息相關(guān)。

16

一?一單晶硅片厚度-n型硅片-HJTT-單晶硅片厚度-n型硅片-TOPCon

圖262022-2030年硅片厚度變化趨勢(shì)（單位：um）

9、金剛線母線直徑

金剛線母線直徑及研磨介質(zhì)粒度同硅片切割質(zhì)量及切削損耗量相關(guān),較小的線徑和介質(zhì)粒度

有利于降低切削損耗和生產(chǎn)成本。2022年，用于單晶硅片的金剛線母線直徑為38|jm,降幅較

大，且呈不斷下降趨勢(shì)。由于多晶硅片中缺陷及雜質(zhì)較多，細(xì)線容易發(fā)生斷線，因此用于多晶硅

片的金剛線母線直徑大于單晶硅片。2022年，用于多晶硅片的金剛線母線直徑為57nm,且隨

著多晶硅片需求減緩，技改動(dòng)力不足，未來(lái)用于多晶硅片的金剛線母線直徑保持不變。目前主流

金剛線為碳鋼，鋸絲線仍處于中試階段，預(yù)估2024年以后鋁絲線或?qū)⑦M(jìn)入市場(chǎng)，母線直徑將會(huì)

進(jìn)一步下降。

圖272022-2030年金剛線母線直徑變化趨勢(shì)（單位：町）

17

10、單位方棒/方錠在金剛線切割下的出片量

隨著金剛線直徑降低以及硅片厚度下降，等徑方棒/方錠每公斤出片量將增加。2022年p型

每公斤單晶方棒出片量約為59片，n型TOPCon單晶方棒出片量約為63片，n型HJT單晶方

棒出片量約為50片。（2022年，p型多晶方錠158.75mm尺寸出片量約為65片；p型166mm

尺寸每公斤單晶方棒出片量約為70片；p型210mm尺寸每公斤單晶方棒出片量約為44片；n

型TOPCon210mm單晶方棒出片量約為47片;n型HJT166mm單晶方棒出片量約為80片。）

--n型HJT每公斤方棒出片量（片）

圖282022-2030年每公斤方棒/方錠在金剛線切割下的出片量變化趨勢(shì)（單位：片）

注：本指標(biāo)p單晶型和n型TOPCon以182mm尺寸硅片為基準(zhǔn)；n型HJT以210mm尺寸硅片為基準(zhǔn)，出片數(shù)以整片計(jì)

算。

11、拉棒/鑄錠/切片單位產(chǎn)能設(shè)備投資額

2022年，拉棒和鑄錠環(huán)節(jié)單位產(chǎn)能設(shè)備投資額（包括機(jī)加環(huán)節(jié)）分別為5.0萬(wàn)元/噸和2.0

萬(wàn)元/噸。隨著單晶拉棒設(shè)備供應(yīng)能力提高及技術(shù)進(jìn)步，設(shè)備投資成本呈逐年下降趨勢(shì)。但鑄錠

設(shè)備技改降本動(dòng)力不足，以及設(shè)備生產(chǎn)商利潤(rùn)空間有限，未來(lái)設(shè)備投資成本無(wú)下降的動(dòng)力。切片

環(huán)節(jié)單位產(chǎn)能設(shè)備投資是指從方棒/方錠到制成硅片的設(shè)備投資，2022年為23.9萬(wàn)元萬(wàn)片,

未來(lái)呈逐漸下降的趨勢(shì)，但是如果加入自動(dòng)化設(shè)備，切片環(huán)節(jié)設(shè)備投資額的變化趨勢(shì)可能持平甚

至增加。

18

圖292022-2030年拉棒/鑄錠環(huán)節(jié)設(shè)備投資成本變化趨勢(shì)（單位：萬(wàn)元/噸）

圖302022-2030年切片環(huán)節(jié)設(shè)備投資成本變化趨勢(shì)（單位：萬(wàn)元/百萬(wàn)片）

12、硅片人均產(chǎn)出率

硅片人均產(chǎn)出主要指產(chǎn)線員工的人均產(chǎn)出（包含產(chǎn)線直接和間接人員，不含管理人員）。隨

著工廠自動(dòng)化水平的不斷提升，單位產(chǎn)能逐步增加，硅片工廠的人均產(chǎn)出也快速提高。2022年，

硅片產(chǎn)線晶體環(huán)節(jié)拉棒（方棒）人均產(chǎn)出率為26.8t/（人?年），切片人均產(chǎn)出率為1.9百萬(wàn)片

/（人?年）。未來(lái)大尺寸產(chǎn)能逐步釋放，自動(dòng)化水平顯著提升，預(yù)計(jì)晶體拉棒（方棒）人均產(chǎn)出和

切片人均產(chǎn)出均會(huì)有較為明顯的增加。

19

圖312022-2030年拉棒（方棒）人均產(chǎn)出率變化趨勢(shì)（單位：U（人?年））

圖322022-2030年切片人均產(chǎn)出率變化趨勢(shì)（單位：百萬(wàn)片/（人?年））

13、不同類型硅片市場(chǎng)占比3

2022年，單晶硅片（p型+n型）市場(chǎng)占比約97.5%,其中p型單晶硅片市場(chǎng)占比降至87.5%,

n型單晶硅片占比增長(zhǎng)至10%。隨著下游對(duì)單晶產(chǎn)品的需求增大，單晶硅片市場(chǎng)占比也將進(jìn)一步

增大，目n型單晶硅片占比將持續(xù)提升。多晶硅片的市場(chǎng)份額由2021年的5.2%下降至2.5%,

未來(lái)呈逐步下降趨勢(shì)，但仍會(huì)在細(xì)分市場(chǎng)保持一定需求量。

本環(huán)節(jié)市場(chǎng)占比是各類產(chǎn)品在國(guó)內(nèi)硅片企業(yè)總出貨量（含出口）中的占比。

20

圖332022-2030年不同類型硅片市場(chǎng)占比變化趨勢(shì)

14、不同尺寸硅片市場(chǎng)占比

2022年市場(chǎng)上硅片尺寸種類多樣,包括156.75mm、157mm、158.75mm、166mm、182mm、

210mm等，目各占有一定的市場(chǎng)份額。其中,156.75mm尺寸占比由2021年的5%下降為0.5%,

2024年或?qū)⒌鍪袌?chǎng)；166mm尺寸占比由2021年的36%降至15.5%,且未來(lái)市場(chǎng)占比將進(jìn)一

步減少；2022年182mm和210mm尺寸合計(jì)占比由2021年的45%迅速增長(zhǎng)至82.8%,未來(lái)其

占比仍將快速擴(kuò)大。

圖342022-2030年不同尺寸硅片市場(chǎng)占比變化趨勢(shì)

注：156.75mm尺寸硅片包括M2單晶硅片、標(biāo)準(zhǔn)多晶硅片、157mm多晶硅片；

160-166mm尺寸硅片主要包括161.7mm全方片、161.7mm類方片、163mm類方片、166mm類方片硅

片。

21

(三)電池片環(huán)節(jié)4

表1各種晶硅電池名稱縮寫及釋義對(duì)照表

名稱縮寫各種晶硅電池釋義

鋁背場(chǎng)電池(AluminiumBackSurfaceField)為改善太陽(yáng)能電池的效

AI-BSF率，在p-n結(jié)制備完成后，在硅片的背光面沉積一層鋁膜，制備P+層，稱

為鋁背場(chǎng)電池。

發(fā)射極鈍化和背面接觸(PassivatedEmitterandRearContact)利用

PERC特殊材料在電池片背面形成鈍化層作為背反射器，增加長(zhǎng)波光的吸收，同時(shí)

增大p-n極間的電勢(shì)差，降低電子復(fù)合，提高效率。

隧穿氧化層鈍化接觸(TunnelOxidePassivatedContact)在電池背面

TOPCon制備一層超薄氧化硅，然后再沉積一層摻雜硅薄層，二者共同形成了鈍化接

觸結(jié)構(gòu)。

具有本征非晶層的異質(zhì)結(jié)(HeterojunctionTechnology)在電池片里同

HJT

時(shí)存在晶體和非晶體級(jí)別的硅，非晶硅的出現(xiàn)能更好地實(shí)現(xiàn)鈍化效果。

父指式背接觸(InterdigitatedBackContact)把正負(fù)電極都置于電池背

IBC面，減少置于正面的電極反射一部分入射光帶來(lái)的陰影損失。

金屬穿透電極技術(shù)(Metal-wrapthrough)——通過(guò)在電池片上開(kāi)孔并填充

MWT導(dǎo)電漿料而將電池正面電極引到背面，使得電池片的正、負(fù)電極均位于電池

背面，從而發(fā)揮電池組件的低擋光、低應(yīng)力衰減、不含鉛等優(yōu)勢(shì)。

異質(zhì)結(jié)背接觸(HeterojunctionBackContact)利用異質(zhì)結(jié)(HJT)電池

結(jié)構(gòu)與交指式背接觸(IBC)電池結(jié)構(gòu)相結(jié)合，形成的新型太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)。這

HBC

種電池結(jié)構(gòu)結(jié)合了IBC電池高的短路電流與HJT電池高的開(kāi)路電壓的優(yōu)勢(shì)，

因此能獲得更高的電池效率。

隧穿氧化層鈍化背接觸(TunnelingOxidePassivatedBackContact)-----

利用隧穿氧化層鈍化接觸(TOPCon)電池結(jié)構(gòu)與交指式背接觸(IBC)電池

TBC

結(jié)構(gòu)相結(jié)合，形成的新型太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)。這種電池結(jié)構(gòu)結(jié)合了IBC電池高的

短路電流與TOPCon優(yōu)異的鈍化接觸特性，因此能獲得更高的電池效率。

4若無(wú)特殊說(shuō)明，本環(huán)節(jié)指標(biāo)均以生產(chǎn)182mm尺寸電池為基準(zhǔn)。

22

1、各種電池技術(shù)平均轉(zhuǎn)換效率

2022年,規(guī)?；a(chǎn)的p型單晶電池均采用PERC技術(shù),平均轉(zhuǎn)換效率達(dá)到23.2%,較2021

年提高0.1個(gè)百分點(diǎn)；采用PERC技術(shù)的多晶黑硅電池片轉(zhuǎn)換效率達(dá)到21.1%,較2021年提高0.1

個(gè)百分點(diǎn)；常規(guī)多晶黑硅電池效率提升動(dòng)力不強(qiáng)，轉(zhuǎn)換效率與2021年持平，且未來(lái)效率提升空

間有限；鑄錠單晶PERC電池平均轉(zhuǎn)換效率為22.5%,較單晶PERC電池低0.7個(gè)百分點(diǎn)；n型

TOPCon電池平均轉(zhuǎn)換效率達(dá)到24.5%,異質(zhì)結(jié)電池平均轉(zhuǎn)換效率達(dá)到24.6%,兩者較2021年

均有較大提升，XBC電池平均轉(zhuǎn)換效率達(dá)到24.5%,今后隨著技術(shù)發(fā)展，TBC、HBC等電池技術(shù)

也可能會(huì)不斷取得進(jìn)步。未來(lái)隨著生產(chǎn)成本的降低及良率的提升，n型電池將會(huì)成為電池技術(shù)的

主要發(fā)展方向之一。

表22022-2030年各種電池技術(shù)平均轉(zhuǎn)換效率變化趨勢(shì)

2022年2023年2024年2025年2027年2030年

BSFp型多晶黑硅電池

P型多晶PERCp型多晶黑硅電池21.1%21.3%----

PERCp型鑄錠單晶電池22.5%22.7%22.9%---

P型單晶PERCp型單晶電池23.2%23.3%23.4%23.5%23.6%23.7%

TOPCon單晶電池24.5%24.9%25.2%25.4%25.7%26.0%

n型單晶異質(zhì)結(jié)電池24.6%25.0%25.4%25.7%25.9%26.1%

XBC電池24.5%24.9%25.2%25.6%25.9%26.1%

注：均只記正面效率。

2、不同電池技術(shù)路線市場(chǎng)占比

2022年，新投產(chǎn)的量產(chǎn)產(chǎn)線仍以PERC電池產(chǎn)線為主。但下半年部分n型電池片產(chǎn)能陸續(xù)

釋放，PERC電池片市場(chǎng)占比下降至88%,n型電池片占比合計(jì)達(dá)到約9.1%,其中n型TOPCon

電池片市場(chǎng)占比約8.3%,異質(zhì)結(jié)電池片市場(chǎng)占比約0.6%,XBC電池片市場(chǎng)占比約0.2%。由于

部分海外市場(chǎng)如印度、巴西等國(guó)家仍對(duì)成本低廉的BSF產(chǎn)品有需求，國(guó)內(nèi)一些細(xì)分市場(chǎng)如太陽(yáng)

能路燈等產(chǎn)品在使用，2022年BSF電池片市場(chǎng)占比約2.5%。

23

■異質(zhì)結(jié)電池市場(chǎng)占比（％）XBC電池市場(chǎng)占比（％）■MWT電池市場(chǎng)占比（％）

圖352022-2030年不同電池技術(shù)路線市場(chǎng)占比變化趨勢(shì)

3、電池鋁漿消耗量

鋁漿消耗量主要為晶硅電池片中鋁背場(chǎng)消耗的鋁漿。隨著雙面PERC電池的迅速發(fā)展，以及

PERC電池的技術(shù)進(jìn)步，電池片鋁漿平均消耗量持續(xù)下降。2022年單面PERC電池鋁漿消耗量約

為780mg/片，雙面PERC電池鋁漿消耗量約為264mg/片。隨著未來(lái)PERC電池的技術(shù)進(jìn)步，

每片電池耗鋁量仍有下降空間。

圖362022-2030年單徼面PERC電池鋁漿消耗量變化趨勢(shì)（單位：mg/片）

24

4、電池銀漿消耗量

目前電池銀漿分為高溫銀漿和低溫銀漿兩種。p型電池和TOPCon電池使用高溫銀漿，異

質(zhì)結(jié)電池使用低溫銀漿。銀漿在電池片成本中占比較高，目前主要通過(guò)多主柵技術(shù)以及減小柵線

寬度來(lái)減少正銀消耗量。

2022年，p型電池片主柵數(shù)量從9BB改為11BB及16BB,正銀消耗量降低至約65mg/片,

背銀消耗量約26mg/片；n型TOPCon電池雙面銀漿（鋁）$（95%銀）平均消耗量約115mg/

片；異質(zhì)結(jié)電池雙面低溫銀漿消耗量約127mg/片。

圖372022-2030年p型電池片正/背面銀漿消耗量變化趨勢(shì)（單位：mg/片）

圖382022-2030年n型TOPCon電池片雙面銀漿（鋁）消耗量變化趨勢(shì)（單位：mg/片）

5TOPCon電池正面主柵使用銀漿，細(xì)柵使用銀鋁漿。

25

150

圖392022-2030年異質(zhì)結(jié)電池雙面低溫銀漿消耗量變化趨勢(shì)（單位：mg/片）

5、異質(zhì)結(jié)電池片金屬電極技術(shù)市場(chǎng)占比

目前異質(zhì)結(jié)電池片的金屬電極仍以銀電極為主,年低溫銀漿電極市場(chǎng)占比達(dá)到

202298.2%0