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文檔簡介
兼容700VLDMOS的BCD工藝中若干問題的研究的開題報告一、研究背景隨著移動通信、汽車電子、工業(yè)控制等領域的快速發(fā)展,高功率射頻半導體器件的需求越來越大。而在高功率射頻半導體器件的生產(chǎn)中,一種BCD(BipolarCMOSDMOS)工藝逐漸成為主流,特別是在大功率半導體器件制造領域中得到了廣泛應用。BCD工藝是利用Bipolar、CMOS、DMOS三種器件相互結(jié)合,形成一種能夠以低功耗完成高電壓、大電流功率射頻功能的半導體制造工藝?,F(xiàn)有的BCD工藝在普通的低壓和功率應用中已取得業(yè)界領先地位,但在高壓(高于700V)LDMOS(LateralDiffusedMOSFET)器件方面還存在許多問題亟待解決。在BCD工藝生產(chǎn)中,LDMOS器件是重要的組成部分。LDMOS器件是一種側(cè)向擴散型的MOS場效應晶體管,具有低導通電阻、高反向擊穿電壓、良好的熱穩(wěn)定性、與CMOS電路完全兼容等優(yōu)點,因此在高功率半導體器件領域得到廣泛應用。但是,現(xiàn)有的BCD工藝中的LDMOS器件在高電壓應用方面仍存在一些問題,例如:反向漏電流大、反向擊穿電壓低、漏電流溫度特性差等。這些問題的存在限制了BCD工藝在高壓應用中的發(fā)展。二、研究內(nèi)容本文旨在研究兼容700VLDMOS的BCD工藝中存在的問題,并提出一些解決方案,以解決現(xiàn)有BCD工藝中LDMOS器件在高電壓應用方面存在的問題,避免制約BCD工藝在高壓應用中發(fā)展的問題。具體研究內(nèi)容如下:1.分析現(xiàn)有的BCD工藝中存在的問題,重點關(guān)注LDMOS器件的反向漏電流大、反向擊穿電壓低、漏電流溫度特性差等問題;2.研究兼容700VLDMOS的BCD工藝的工藝流程,并分析該工藝的優(yōu)點和不足;3.分析和比較不同材料參數(shù)和工藝參數(shù)對LDMOS器件性能的影響,提出優(yōu)化方案;4.制備兼容700VLDMOS的BCD工藝中所需的器件,并采用測試儀器進行性能測試;5.對測試結(jié)果進行分析,提出改進方案,比較其優(yōu)劣性;6.對改進后的兼容700VLDMOS的BCD工藝進行驗證,并比較其與現(xiàn)有工藝的差異;7.撰寫畢業(yè)論文,總結(jié)研究成果并提出下一步的研究方向。三、研究意義本研究在現(xiàn)有的BCD工藝基礎上,針對高壓(高于700V)LDMOS器件存在的問題,提出了相應的制備工藝和優(yōu)化方案,并制備了兼容700VLDMOS的BCD工藝中所需的器件進行測試分析。通過優(yōu)化工藝和選擇合適的材料參數(shù)和工藝參數(shù),成功地解決了BCD工藝中LDMOS器件在高電壓應用方面存在的問題,為BCD工藝在高壓應用領域的發(fā)展奠定了堅實的基礎。四、研究方法本研究采用實驗研究的方法,首先分析現(xiàn)有的BCD工藝中存在的問題,重點關(guān)注LDMOS器件的反向漏電流大、反向擊穿電壓低、漏電流溫度特性差等問題。其次,研究兼容700VLDMOS的BCD工藝的工藝流程,并分析該工藝的優(yōu)點和不足。接著,分析和比較不同材料參數(shù)和工藝參數(shù)對LDMOS器件性能的影響,提出優(yōu)化方案。然后,制備兼容700VLDMOS的BCD工藝中所需的器件,并采用測試儀器進行性能測試。對測試結(jié)果進行分析,提出改進方案,比較其優(yōu)劣性。最后,對改進后的兼容700VLDMOS的BCD工藝進行驗證,并比較其與現(xiàn)有工藝的差異。五、預期成果本研究預期能夠解決兼容700VLDMOS的BCD工藝中存在的問題,制備出兼容700VLDMOS的BCD工藝中所需的器件,并得出該器件在高壓應用中的性能數(shù)據(jù)。同時,本研究還將提出一些優(yōu)化兼容70
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