旋涂法制備功能薄膜的研究進(jìn)展

旋涂法制備功能薄膜的研究進(jìn)展

功能薄膜是研究信息技術(shù)、生物技術(shù)、能源技術(shù)等領(lǐng)域和國防工程的重要表面材料和材料，關(guān)系到資源、環(huán)境和社會(huì)可持續(xù)發(fā)展。用滴答法制備的薄膜厚度在30-2000nm之間準(zhǔn)確、可控。設(shè)備結(jié)構(gòu)簡單易用，操作方便，具有良好的信噪比。廣泛應(yīng)用于電子行業(yè)的光刻圖像處理（ligh解剖成像過程）、印刷電路（gipsedcircuit）和電路（integratecircuit）的制造、光存儲(chǔ)容量媒體（cd-r、cd-r等）中的光束、染料（dye）、粘合劑、物理涂層等聚合物膜的涂裝劑。旋轉(zhuǎn)法也可應(yīng)用于其他應(yīng)用，如薄膜晶體、光學(xué)晶體材料、光波、有機(jī)照明薄膜、光學(xué)轉(zhuǎn)換薄膜電極、生物化工膜等薄膜裝置的制備。旋涂法涉及到許多物理化學(xué)過程,如流體流動(dòng)、潤濕、揮發(fā)、粘滯、分散、濃縮等.在研究這些過程時(shí),流體力學(xué)傳質(zhì)、傳熱、傳動(dòng)的原理是非常重要的.其中,需要考慮的參數(shù)主要包括薄膜的結(jié)構(gòu)、厚度、面積等性能參數(shù)以及轉(zhuǎn)速、粘度、揮發(fā)速率等操作參數(shù)[1,5,16,17,18,19,20,21,22,23,24,25,26,27,28,29,30,31,32].1旋轉(zhuǎn)法的建模和參數(shù)估算1.1薄膜分散劑的結(jié)構(gòu)模型旋涂法因其所用流體粘度較大,呈膠體狀,所以也被稱為勻膠。一個(gè)典型的旋涂過程主要分為滴膠、高速旋轉(zhuǎn)和干燥(溶劑揮發(fā))三個(gè)步驟.首先,滴膠是將旋涂液滴注到基片表面上,然后經(jīng)高速旋轉(zhuǎn)將其鋪展到基片上形成均勻薄膜,再通過干燥除去剩余的溶劑,最后得到性能穩(wěn)定的薄膜.對(duì)于各種粘度、潤濕性不同的旋涂液,通常使用的滴膠方法有兩種,即靜態(tài)滴膠和動(dòng)態(tài)滴膠,旋涂法中的高速旋轉(zhuǎn)和干燥是控制薄膜厚度、結(jié)構(gòu)等性能的關(guān)鍵步驟,因此這兩個(gè)階段中工藝參數(shù)的影響成為研究的重點(diǎn).越來越多的研究者致力于用旋涂法制備不同類型功能薄膜的工作,他們通過系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和估算得出工藝中各項(xiàng)參數(shù)的取值.因此,科學(xué)家們根據(jù)不同流體(牛頓型流體和非牛頓型流體)以及薄膜特定的性能要求(結(jié)構(gòu)、厚度等)建立起許多模型和估算公式[13,16,17,18,19,20,21,22,23,24,25,26,27,28,29],這樣就可以更精確地設(shè)計(jì)和優(yōu)化具體應(yīng)用中的旋涂工藝過程.下面根據(jù)考察旋涂法的不同側(cè)重點(diǎn),將這些模型歸納為:理想化力學(xué)模型、溶劑揮發(fā)模型、溫度梯度模型、邊界模型.1.1.1流體流動(dòng)軸向?qū)ΨQ早在1958年Emslie等就建立了理想化力學(xué)模型,直接模擬得出旋涂過程中薄膜鋪展的力學(xué)作用機(jī)理.他們認(rèn)為,旋涂法是一種特殊的圓盤旋轉(zhuǎn)系統(tǒng),如圖1所示,圓盤上質(zhì)點(diǎn)的空間坐標(biāo)系坐標(biāo)是(r,θ,z),圓盤在角速度為常數(shù)ω下旋轉(zhuǎn),考察的旋涂液為牛頓型流體,并假定模型中旋轉(zhuǎn)的基板面積無限大,基板上的流體流動(dòng)軸向?qū)ΨQ;流體所受重力的影響可以忽略,流體小微團(tuán)受到剪切力與離心力相平衡;流體徑向速度很小,可以忽略科里奧利力(Coriolisforce),同時(shí)忽略溶劑揮發(fā)、表面空氣流動(dòng)等影響.Emslie等人結(jié)合雷諾方程、連續(xù)性方程、邊界條件,通過理論公式的推導(dǎo)得出液膜的基本流動(dòng)方程.方程描述了薄膜表面的徑向截面輪廓、厚度、面積等參數(shù)隨時(shí)間的變化規(guī)律,比例關(guān)系式如公式(1).他們還分別考察了幾種初始流體輪廓分布(包括高斯曲線、慢流型、高斯附加均勻流、正弦曲線)對(duì)流體鋪展的影響,結(jié)果表明流體的初始分布不會(huì)影響最終生成薄膜的均勻度,從而通過理論推導(dǎo)證實(shí)了旋涂法制備均勻薄膜的可行性.式中h為估算的薄膜厚度,ω為角速度,η為溶液的動(dòng)力粘度.常數(shù)k及指數(shù)p、β為擬合系數(shù).此外1977年Washo考慮了不同滴膠方式的影響,根據(jù)N-S流動(dòng)方程和相應(yīng)的條件假設(shè)(旋涂液的滴加流量恒定或逐漸減少的情況、是否考慮科羅拉多力等),得出相應(yīng)的模型和公式,如公式(2-1),(2-2).1.1.2溶劑自發(fā)模型由于液膜中的溶劑揮發(fā)時(shí),常常伴隨著薄膜整體的物理(如溶劑揮發(fā)對(duì)溶質(zhì)分布的作用,物質(zhì)和熱量傳遞、流體流變)、化學(xué)(如溶劑與固體溶質(zhì)、基底的作用)等性能的變化.Meyerhofer在1978年首次提出溶劑揮發(fā)在旋涂過程中的重要性,并對(duì)Emslie、Washo等前人的模型進(jìn)行了改進(jìn),這里稱之為溶劑揮發(fā)模型.這一模型認(rèn)為液膜減薄是在流體徑向流動(dòng)和溶劑揮發(fā)這兩個(gè)主要因素作用下的結(jié)果.在旋涂的初始低速階段,液膜在離心力、剪應(yīng)力的作用下徑向流動(dòng)在基片上逐漸鋪展;隨著液膜厚度的降低,液膜中的溶劑揮發(fā)成為膜層變薄的主要因素.該模型考察溶劑揮發(fā)是由整個(gè)過程的平均揮發(fā)速率出發(fā)的,設(shè)計(jì)由不同初始濃度的旋涂液直接得到干燥薄膜的過程,得出了揮發(fā)速率、轉(zhuǎn)速和初始粘度等因素與膜厚度變化的比例關(guān)系,如公式(3-1),(3-2),其中e為溶劑揮發(fā)速率.而溶劑的揮發(fā)只有在干燥時(shí)才成為主要的減薄作用,在估算整體過程中各變量之間的關(guān)系時(shí),使用平均揮發(fā)速率這樣參數(shù)難免會(huì)產(chǎn)生較大的誤差.但Meyerhofer重點(diǎn)提出溶劑揮發(fā)這一變量的作用,為今后研究旋涂過程中微觀物質(zhì)、能量交換等問題開拓了思路.1.1.3旋涂溶劑充放電溫度梯度模型是對(duì)溶劑揮發(fā)模型進(jìn)一步的探討,它主要研究了旋涂液的熱傳導(dǎo)性、比熱容等性質(zhì)在整個(gè)過程中的作用.1983年Chen將溶液環(huán)境的內(nèi)能變化與液膜厚度聯(lián)系起來,給出極性、非極性不同溶液體系下的液膜厚度估算方法.在推導(dǎo)過程中,Chen引入了熱容、溶劑揮發(fā)潛熱、濕度等概念,從熱力學(xué)方向描述了旋涂過程的熱量變化對(duì)薄膜形成的影響.Birnie等認(rèn)為頂層溶劑揮發(fā)會(huì)引起液膜內(nèi)部熱毛細(xì)不穩(wěn)定現(xiàn)象,這一作用使得液膜不均勻而產(chǎn)生對(duì)流流動(dòng),這種效應(yīng)使液相內(nèi)產(chǎn)生溫度、濃度梯度.在此,他假設(shè)了影響液膜鋪展的兩種效應(yīng):一種是浮力效應(yīng)“buoyancyeffects”,是說在表層溶劑揮發(fā)后,下層靠近旋轉(zhuǎn)中心液相內(nèi)的溶劑不斷向上、向外補(bǔ)充,中心部分的液膜厚度隨之逐漸減少;另一種效應(yīng)則能更好地說明膜厚小于1mm時(shí)的情況,即表面張力變化效應(yīng)“surfacetensionvariations”,它是指表面溶劑揮發(fā)后,局部溶液的濃度、液膜張力同時(shí)變化,液體微團(tuán)由于張力梯度的作用而移動(dòng),結(jié)果使得液膜逐漸均勻鋪展.模型中引入指數(shù)Mn用來表征熱毛細(xì)效應(yīng)的對(duì)流強(qiáng)度,具體量化了液膜內(nèi)部物質(zhì)、能量梯度的影響.1.1.4邊界處液膜由于前人的許多模型中通常不會(huì)考察到液膜邊緣的情況,但在實(shí)際應(yīng)用中為保證整個(gè)薄膜的均勻度,旋涂液膜的邊緣分布問題卻是必須要解決的.由于旋涂過程中溶劑的揮發(fā),表面及邊界處液體的濃度和粘度都較大,在干燥階段邊界處液膜無法完全潤濕基板,因此Uddin等認(rèn)為邊界處液膜有收縮效應(yīng),使邊界處液膜的厚度大于軸心部分的.Schwartz等通過流體運(yùn)動(dòng)方程及計(jì)算機(jī)程序三維圖形,模擬出了旋涂時(shí)液膜的鋪展過程,提出“wallandtower”的邊界模型.在較小轉(zhuǎn)速下重點(diǎn)考察了旋涂液膜前沿“fingers”3D動(dòng)態(tài)形貌的演變過程;并通過高速旋涂的實(shí)驗(yàn),得到與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合的邊界“finger”模擬結(jié)果.該模型涉及了基板為化學(xué)均相和非均相的情況,涉及的參數(shù)包括了重力、科羅拉多力、接觸角等,從而比較完整的研究了旋涂法中液膜邊緣分布的問題.1.2對(duì)于揮發(fā)性溶劑指數(shù)p的求解旋涂法中所用溶液的物理、化學(xué)性質(zhì),系統(tǒng)所處的環(huán)境條件等都會(huì)影響最終薄膜的結(jié)構(gòu),因此需要對(duì)過程中各個(gè)參數(shù)進(jìn)行綜合的設(shè)計(jì)和估算.旋涂法所用的參數(shù)主要有基片的轉(zhuǎn)速、旋涂液粘度及濃度、溶劑的揮發(fā)速率等.科學(xué)家們運(yùn)用相應(yīng)的流體運(yùn)動(dòng)方程、邊界條件和連續(xù)性方程得出許多不同側(cè)重點(diǎn)的模型,對(duì)旋涂法中的各步驟進(jìn)行了模擬,得出了旋涂法中各參數(shù)之間的估算關(guān)系式[17,18,19,20,21,22,23,24],通用的指數(shù)式形如下式(1-1).參數(shù)k及指數(shù)p、β為擬合系數(shù),它們與旋涂液的物理性質(zhì)、環(huán)境的溫度濕度、溶液與基底的作用等有關(guān).通過歸納已有的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),得到式中β取值范圍在0.29—0.39[1,5,16,17,18,19,20,21,22,23,24,25,26,27,28,29,30,31,32].對(duì)于高粘度、低揮發(fā)率的溶劑,指數(shù)p接近于1,這與Emslie理想力學(xué)模型所得的公式一致,也得到Givens、Skrobis等的支持;對(duì)于揮發(fā)性溶劑,大部分文獻(xiàn)給出指數(shù)p的數(shù)值都在0.6[1,5,16,17,18,19,20,21,22,23,24,25,26,27,28,29,30,31,32]附近.比如Washo給出的恒定流量的厚度關(guān)系式(2-1,2-2),Meyerhofer在1978年得出考慮了揮發(fā)速率的薄膜厚度估算式(3-1,3-2).對(duì)于轉(zhuǎn)速指數(shù)p的估算,Jenekhe、Lawrence等最早做出了推導(dǎo)和歸納.Jenekhe首先結(jié)合前人的模型,推導(dǎo)得出粘度ν與厚度h的關(guān)系式(4),其中α為正參數(shù);又由式(1)得出厚度h與轉(zhuǎn)速ω的比例關(guān)系式(5).他還通過大量的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)發(fā)現(xiàn):(4)、(5)兩式中的指數(shù)系數(shù)α,p之間存在著一定關(guān)系,形如公式(6).其中特別地,α=2,p=1/2;α=1,p=2/3;α=0,p=1.Jenekhe根據(jù)前人的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)得出:一般α的范圍取0.44—3.00,p的取值范圍在0.40—0.82,并通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了公式(6)的適用性.此外Schubert等人增添和修正了實(shí)際操作中的一些影響因素,進(jìn)一步完善了旋涂工藝的系統(tǒng)理論和技術(shù)參數(shù).科學(xué)家們綜合對(duì)薄膜厚度影響的各種因素發(fā)現(xiàn),溶液性質(zhì)的影響還主要體現(xiàn)在公式(1)及(1-1)中的參數(shù)k上,這些性質(zhì)包括溶液比熱、熱傳導(dǎo)性、溶質(zhì)溶解度、與基底的潤濕性、溶質(zhì)分子質(zhì)量等.研究得出的這些經(jīng)驗(yàn)公式以及圖表[1,13,16,17,18,19,20,21,22,23,24,25,26,27,28,29,30,31,32,33,34]為實(shí)際應(yīng)用時(shí)選擇適當(dāng)?shù)墓に嚄l件提供了理論指導(dǎo).2電子、機(jī)械設(shè)計(jì)等等3種薄膜旋涂法符合光學(xué)、微電子學(xué)、納米光子學(xué)、納米電子學(xué)等許多薄膜類器件的制備要求.在微電子行業(yè)中,運(yùn)用旋涂法制備出的新型薄膜晶體管器件具有電子遷移率高、厚度精確、均勻穩(wěn)定等優(yōu)良的性能,該薄膜可廣泛用于制造LED顯示屏、存儲(chǔ)智能卡、微處理器等電子器件.例如IBM托馬斯·J·沃森研究中心的科研工作者們?cè)诟呒児杵线\(yùn)用旋涂法制備出特定晶型結(jié)構(gòu)、納米級(jí)厚度的場(chǎng)效應(yīng)電晶體薄膜,并大量減少了傳統(tǒng)工藝中有毒溶劑的用量.在與電化學(xué)法、物理/化學(xué)氣相沉積法等薄膜制備技術(shù)對(duì)比時(shí),旋涂法具備工藝條件溫和、操作控制簡單等獨(dú)特優(yōu)勢(shì),所以在降低污染、節(jié)能、提高性價(jià)比等方面效果顯著.近年來,旋涂法不斷受到人們重視,其應(yīng)用逐漸推廣到物理學(xué)、醫(yī)學(xué)、生物學(xué)等領(lǐng)域.2.1光學(xué)2.1.1旋涂法制備支撐相轉(zhuǎn)移的固體薄膜作為目前旋涂法最成功的工業(yè)化應(yīng)用實(shí)例,圓片形的光盤是最容易讓人想到的應(yīng)用.因其工藝目標(biāo)是將少量流體在基片表面鋪展,獲得極薄的、均勻的、極少缺陷的固體薄膜,在實(shí)際生產(chǎn)中可利用旋涂法制造可刻錄光盤(如CD-R,DVD-R)中用于信息記錄的染料層.在制備過程中需要對(duì)薄膜的均勻分布進(jìn)行控制,使旋涂液與非平坦基片上軌道溝槽的幾何形狀合理匹配,這是DVD-R制造中一項(xiàng)非常關(guān)鍵的工藝技術(shù).2.1.2基于ps-pi方法的高速旋轉(zhuǎn)薄膜的制備以生產(chǎn)光盤為例,設(shè)計(jì)調(diào)控合理的工藝參數(shù)不僅可得到高質(zhì)量的產(chǎn)品,而且可大大減少產(chǎn)品生產(chǎn)、檢測(cè)等過程中的成本.其中,通過光學(xué)的檢測(cè)手段來表征薄膜厚度是一種可用于實(shí)時(shí)監(jiān)控的快捷方法.Birnie等選用紅、藍(lán)兩色光作為入射光,通過一定的攝像設(shè)備觀察記錄旋涂過程中薄膜的反射光,通過反射光照片中兩種顏色光圈的位置及面積大小,以及結(jié)合入射激光干涉圖譜測(cè)得軸心處的準(zhǔn)確厚度,歸納得到了表觀色彩與薄膜厚度之間的相互關(guān)系.該方法可直觀地確定不同位置旋涂液膜的厚度,便于現(xiàn)場(chǎng)操作時(shí)的產(chǎn)品檢測(cè)和參數(shù)調(diào)控.人們一直想要探究高速旋轉(zhuǎn)中薄膜的形成過程,以便于對(duì)薄膜的鋪展過程進(jìn)行更深入的了解,這就需要借助先進(jìn)分析技術(shù)的幫助.在旋涂法制備混合聚苯乙烯-聚異戊二烯(PS-PI)薄膜的過程中,Ebbens等運(yùn)用多種成像手段(2D傅里葉變換圖譜、同步頻閃照明以及高光收集靈敏度電子倍增CCD像機(jī)),在納米尺度上跟蹤觀察聚合物的相分離現(xiàn)象,為進(jìn)一步發(fā)現(xiàn)旋涂過程中薄膜的結(jié)構(gòu)變化提供新方法.Giuliani等借助在特殊光源下的快速成像設(shè)備、原子力顯微鏡(AFM)、掃描電子顯微鏡(SEM)等表征手段,具體分析了在干燥階段中薄膜分布的短暫過程.他們對(duì)比歸納了快速成像照片中各種樣品的特征圖案,將不同條件下制備的薄膜分為兩大主要的類型.他們還通過估算這兩類薄膜在干燥階段的揮發(fā)速率,得出薄膜局部體積和結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變的規(guī)律.2.1.3pmma光刻膠層的制備對(duì)基底表面材料進(jìn)行光刻圖案化處理時(shí),通常要用到旋涂法來涂覆光刻膠薄膜.科學(xué)家們考察了一些光刻膠的應(yīng)用材料,例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA),得到大量的旋涂工藝參數(shù)及計(jì)算方法,為今后實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)提供了必要的準(zhǔn)備.在實(shí)際應(yīng)用中,Kanamori等制備光柵模板時(shí)多次用旋涂法制備PMMA光刻膠層.他首先在硅基底上制備PMMA薄膜,然后運(yùn)用等離子刻蝕出光柵硅片模板;將模板上殘余的PMMA處理掉之后,再制備一層PMMA薄膜;干燥后將該薄膜取下,并轉(zhuǎn)移到涂覆有粘性聚二甲基硅氧烷(PDMS)薄膜的玻璃基片上,這樣就快速制得一個(gè)光柵制品,將硅片模板清潔處理后又可以制備下一個(gè)光柵.這樣的方法中硅片模板可多次使用,大大減少了光刻步驟的成本以及各產(chǎn)品之間的誤差.HaeshinLee等同樣運(yùn)用了光刻圖案化處理等技術(shù),制備出了特定粗糙結(jié)構(gòu)的硅片模板.然后將柔性PDMS涂覆在硅片模板上鑄造構(gòu)型,固化后分離并通過表面聚合物修飾,最終得到了類似壁虎、河蚌觸手表面的粘附性薄膜材料.2.1.4增透薄膜薄膜Steiner等總結(jié)了材料透過率的原理,將增透的重點(diǎn)集中于降低薄膜的折射率,借用折射率最低的空氣,設(shè)計(jì)構(gòu)造出多孔結(jié)構(gòu)的薄膜.他們通過增加薄膜的孔隙率來降低整體折射率,并得到在一定波長下幾乎完全透明(在波長534nm處T%>99.95%)的薄膜.Jiang等人通過旋涂法在載玻片上制備出雙面PMMA增透薄膜,Wang等利用微米級(jí)的SiO2顆粒在SOG(spin-on-glass)基底上制得具備全方向角增透(Omni-AR)性能的薄膜.制得的增透薄膜可用于量子點(diǎn)薄膜器件、柔性太陽能薄膜電池等.2.1.5在光子晶體薄膜1987年Yablonovitch和John首先提出了光子晶體的概念,它是一種折射率在空間上周期性變化的電介質(zhì)微結(jié)構(gòu),其折射率變化的周期與光波長的量級(jí)相同.Míguez等運(yùn)用旋涂法在玻璃平板上制備了特定晶型排列的光子晶體薄膜(見圖2).利用光子晶體的特點(diǎn)可以精確設(shè)計(jì)出多種功能性器件,例如偏振器、激光器、光波導(dǎo)(OpticalWaveguides)、光開關(guān)等.2002年Chen首次使用旋涂法制備出有機(jī)聚合物的光波導(dǎo),得到的光波導(dǎo)薄膜厚度在1μm以下,并具備很好的機(jī)械強(qiáng)度和靈活性.選擇適當(dāng)?shù)幕钚苑肿訐诫s物(具有高電光系數(shù)的材料),還可得到各種被動(dòng)、有源等不同類型的波導(dǎo).2.2微電子學(xué)2.2.1反滲透膜技術(shù)的應(yīng)用集成電路的誕生為電子產(chǎn)品高級(jí)功能的開發(fā)鋪平了道路,使微處理器的出現(xiàn)成為了可能,大幅度降低了其生產(chǎn)成本,從而使計(jì)算機(jī)變成普通人可以親近的日常工具.在集成電路板的制備工藝中,通常運(yùn)用旋涂法制備抗反膜、物理保護(hù)膜等,以便進(jìn)行下一步的刻蝕、焊接等工藝.在實(shí)際情況下,集成電路板上分布著許多電晶體、二極體、電阻、電容等器件,這些器件使得電路板表面并不平坦,因此需要對(duì)工藝中的下料點(diǎn)、下料量、轉(zhuǎn)速等參數(shù)進(jìn)行綜合的估算.2.2.2有機(jī)薄膜晶體晶體管(transistors)作為一種半導(dǎo)體元件,可以用于放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其他功能,是所有現(xiàn)代電器的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)元件.Mitzi等運(yùn)用旋涂法制備出連續(xù)、均勻的納米級(jí)場(chǎng)效應(yīng)薄膜晶體管(TFTs),他們還嘗試了許多種不同材料,比如p型半導(dǎo)體CuInTe2、In2Te3,無機(jī)金屬硫化物晶體SnS2-xSex等.有機(jī)薄膜晶體管(OTFT)與無機(jī)材料相比具備許多優(yōu)勢(shì),比如材料的成本低、更易于加工處理、耐彎折度好等.He等通過旋涂、影印、噴墨等技術(shù),在塑料箔基底上制備出透明有機(jī)薄膜晶體管,該樣品的電子遷移速率、開關(guān)電流比、電勢(shì)電壓等性能優(yōu)異,并在不同濕度的環(huán)境中仍能保持穩(wěn)定.2.2.3薄膜的制備方法有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)薄膜,又稱為有機(jī)電致發(fā)光顯示器,是一種利用載流子在電場(chǎng)作用下由正、負(fù)電極進(jìn)入有機(jī)固體層復(fù)合發(fā)光現(xiàn)象制成的顯示器件,具備體積小、性能好等優(yōu)點(diǎn).Yimsiri、Mackley等通過對(duì)比旋涂法和浸涂法(dip-coating)兩種方法制得的薄膜晶體管的性能,總結(jié)出旋涂法制備薄膜在厚度控制及均一性等方面的優(yōu)勢(shì).Chao等利用三維有限差分時(shí)域法等算法,估算了OLED薄膜的最優(yōu)三維結(jié)構(gòu)(厚度、突起間隔等),并運(yùn)用旋涂法及聚焦離子束刻印技術(shù)(FIB)制得這種結(jié)構(gòu)的薄膜.與氧化銦錫ITO基底對(duì)比,發(fā)現(xiàn)在入射光波長為350nm時(shí),該樣品薄膜的發(fā)光