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文檔簡介
會計學掃描電子顯微鏡_SEM_和能譜分析技術_EDS主
要
內
容掃描電鏡(SEM)掃描電鏡的作用掃描電鏡的工作原理掃描電鏡的主要構造掃描電鏡對樣品的作用能譜儀(EDS)能譜的工作原理能譜的結構能譜的特點JEOL-6380SEM和EDAXEDS的主要功能樣品的制備1掃描電鏡的作用:顯微形貌分析:應用于材料、醫(yī)藥以及生物等領域。成分的常規(guī)微區(qū)分析:元素定性、半定量成分分析2掃描電鏡的工作原理電子源電磁透鏡聚焦掃
描電子信號探測信號屏幕顯像陰極控制極陽極電子束聚光鏡試樣樣品表面激發(fā)的電子信號特征X射線二次電子、背散射電子和特征X射線二次電子它是被入射電子轟擊出來的樣品核外電子.背散射電子它是被固體樣品中原子反射回來的一部分入射電子。特征X射線它是原子的內層電子受到激發(fā)之后,在能級躍遷過程中直接釋放的具有特征能量和波長的一種電磁波輻射SEM: 二次電子
EDS: 特征X射線背散射電子二次電子:產生范圍在5-50nm的區(qū)域能量較低,約50
eV背反射電子:產生范圍在100nm-1μm深度能量較高,小于和等于入射電子能量E0原子序數(shù)特征X射線:在試樣的500nm-5
μm深度能量隨元素種類不同而不同產率3掃描電鏡的主要構造掃描電鏡由六個系統(tǒng)組成電子光學系統(tǒng)(鏡筒)掃描系統(tǒng)信號收集系統(tǒng)圖像顯示和記錄系統(tǒng)真空系統(tǒng)電源系統(tǒng)3收集二次電子時,為了提高收集有效立體角,常在收集器前端柵網上加上+250V偏壓,使離開樣品的二次電子走彎曲軌道,到達收集器。這樣就提高了收集效率。收集背散射電子時,背散射電子仍沿出射直線方向運動,收集器只能收集直接沿直線到達柵網上的那些電子。信號收集4掃描電鏡對樣品的作用--加速電壓、電子束與樣品之間的關系4掃描電鏡對樣品的作用--二次電子與背散射電子之間的區(qū)別二次電子當樣品中存在凸起小顆粒或尖角時對二次電子像襯度會有很大影響,其原因是,在這些部位處電子離開表層的機會增多。由一對硅半導體組成,對于原子序數(shù)信息來說,進入左右兩個檢測器的信號,大小和極性相同,而對于形貌信息,兩個檢測器得到的信號絕對值相同,其極性相反。成分有差別,形貌無差別背散射電子成分無差別形貌有差別成分形貌都有差別二次電子圖像
VS.背散射電子圖像AlSn4掃描電鏡對樣品的作用--物鏡光欄、工作距離與樣品之間的關系物鏡光欄的影響工作距離的影響5能譜儀(EDS)的工作原理能譜儀(EDS)是利用X光量子有不同的能量,由Si(li)探測器接收后給出電脈沖訊號,經放大器放大整形后送入多道
脈沖分析器,然后在顯像管上把脈沖數(shù)-脈沖高度曲線顯示出來,這就是X光量子的能譜曲線。6能譜儀(EDS)的結構7能譜儀(EDS)的特點性能EDS分析時間幾分鐘檢測效果100%譜鑒定簡單試樣對檢測影響較小探測極限700ppm定量分析精度±5-10%優(yōu)點快速并且可以同時探測不同能量的X-光能譜接受信號的角度大。儀器設計較為簡單操作簡單缺點能量解析度有限對輕元素的探測能力有限探測極限4)定量能力有限8儀器功能介紹及應用型號日本電子JEOL-6380LV美國EDAX
GENESIS
2000SEM/EDS的主要性能指標SEM分辨率:高真空模式:3.0nm;低真空模式:4.0nm低真空:1-270Pa加速電壓:0.5KV-30KV放大倍數(shù):5倍-30萬倍電子槍:W發(fā)卡燈絲式檢測器:高真空模式和低真空模式下的二次電子檢測, 背散射電子檢測EDS能量分辨率:132eV分析范圍:Be-UJEOL-6380/SEM的工作界面顆粒10,0000-Au6,0000-納米晶金剛石薄膜及涂層材料昆
蟲頭
發(fā)生物材料EDAX-EDS的工作界面---譜線收集ElementWt
%At
%C
K50.8570.14O
K16.5817.17AlK09.9206.09SiK00.2500.15MoL01.9200.33CrK01.8200.58MnK00.2200.07FeK18.44
05.47能譜譜線收集實例EDAX-EDS的工作界面---區(qū)域分析ElementWt%At%CK07.2923.57OK04.5511.03AlK01.5102.17SiK02.1302.94PK05.5506.96SnL04.2901.40FeK74.6951.93區(qū)域分析實例-顆粒EDAX-EDS的工作界面---面掃描面掃描實例例--CCuu網網SEI掃描圖CuAl+線掃描實例-Cu網9電鏡樣品的制備基本要求:送檢樣品為干燥的固體一定的化學、物理穩(wěn)定性不會揮發(fā)或變形無強磁性、放射性和腐蝕性(2)塊狀試樣的制備:用導電膠把待測試樣粘結在樣品座上樣品直徑和厚度一般從幾毫米至幾厘米樣品高度不宜超過30mm,樣品最大寬度不能超過100mm(3)粉末樣品的制備:導電膠--粘牢粉末--吸耳球--觀察懸浮液--滴在樣品座上--溶液揮發(fā)--觀察(4)不導電樣品:通常對不導電樣品進行噴金、噴碳處理或使用導電膠形貌觀察:噴金處理成分分析:噴碳處理a顯露出所欲分析的位置b不得有松懈的粉末或碎屑c需耐熱,不得有熔融蒸發(fā)的現(xiàn)象
d不能含有液狀或膠狀物質,以免揮發(fā)e非導體表面需鍍金或鍍碳f磁性材料會影響聚焦,成像效果不好樣品制備注意事項謝
謝
!4掃描電鏡對樣品的作用--二次電子與背散射電子之間的區(qū)別二次電子當樣品中存在凸起小顆?;蚣饨菚r對二次電子像襯度會有很大影響,其原因是,在這些部位處電子離開表層的機會增多。由一對硅半導體組成,對于原子序數(shù)信息來說,進入左右兩個檢測器的信號,大小和極性相同,而對于形貌信息,兩個檢測器得到的信號絕對值相同,其極性相反。成分有差別,形貌無差別背散射電子成分無差別形貌有差別成分形貌都有差別4掃描電鏡對樣品的作用--物鏡光欄、工作距離與樣品之間的關系物鏡光欄的影響JEOL-6380/SEM的工作界面EDAX-EDS的工作界面---譜線收集ElementW
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