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文檔簡介
存儲器實(shí)驗(yàn)一.實(shí)驗(yàn)?zāi)康牧私釹3C2410X處理器的內(nèi)部存儲空間分配;掌握對存儲區(qū)配置的方法;掌握對存儲區(qū)進(jìn)行讀寫訪問的方法。二.實(shí)驗(yàn)設(shè)備硬件:EmbestEduKit-IV平臺,ULINK2仿真器套件,PC機(jī);軟件:μVisionIDEforARM集成開發(fā)環(huán)境,Windows98/2000/NT/XP。三.實(shí)驗(yàn)內(nèi)容熟練使用命令腳本文件對ARM存儲控制寄存器進(jìn)行正確配置;使用C語言編程,實(shí)現(xiàn)對RAM的讀寫訪問。四.實(shí)驗(yàn)原理存儲器控制S3C2410處理器的存儲控制器可以為片外存儲器訪問提供必要的控制信號,它主要包括以下特點(diǎn):A)支持大、小端模式(通過軟件選擇);B)地址空間:包含8個(gè)地址空間,每個(gè)地址空間的大小為128M字節(jié),總共有1G字節(jié)的地址空間;C)除BANK0以外的所有地址空間都可以通過編程設(shè)置為8位、16位或32位對準(zhǔn)訪問。BANK0可以設(shè)置為16位、32位訪問;D)8個(gè)地址空間中,6個(gè)地址空間可以用于ROM、SRAM等存儲器,2個(gè)用于ROM、SRAM、SDRAM等存儲器;E)6個(gè)地址空間的起始地址及空間大小是固定的;F)1個(gè)地址空間的起始地址和空間大小是可變的;G)所有存儲器空間的訪問周期都可以通過編程配置;H)提供外部擴(kuò)展總線的等待周期;I)SDRAM支持自動(dòng)刷新和掉電模式。五.實(shí)驗(yàn)步驟1.準(zhǔn)備實(shí)驗(yàn)環(huán)境使用ULINK2仿真器連接EmbestEduKit-IV實(shí)驗(yàn)平臺的主板JTAG接口;使用EmbestEduKit-IV實(shí)驗(yàn)平臺附帶的交叉串口線,連接實(shí)驗(yàn)平臺主板上的COM2和PC機(jī)的串口(一般PC只有一個(gè)串口,如果有多個(gè)請自行選擇,筆記本沒有串口設(shè)備的可購買USB轉(zhuǎn)串口適配器擴(kuò)充);使用EmbestEduKit-IV實(shí)驗(yàn)平臺附帶的電源適配器,連接實(shí)驗(yàn)平臺主板上的電源接口。2.串口接收設(shè)置在PC機(jī)上運(yùn)行windows自帶的超級終端串口通信程序,或者使用實(shí)驗(yàn)平臺附帶光盤內(nèi)設(shè)置好了的超級終端,設(shè)置超級終端:波特率115200、1位停止位、無校驗(yàn)位、無硬件流控制,或者使用其它串口通信程序。(注:超級終端串口的選擇根據(jù)用戶的PC串口硬件不同,請自行選擇,如果PC機(jī)只有一個(gè)串口,一般是COM1)3.打開實(shí)驗(yàn)例程1)拷貝實(shí)驗(yàn)平臺附帶光盤DISK3_S3C2410\03-Codes\01-MDK\Mini2410-IV文件夾到MDK的安裝路徑:Keil\ARM\Boards\Embest\(如果本實(shí)驗(yàn)之前已經(jīng)拷貝,可以跳過這一步)。(注:用戶也可拷貝工程到任意目錄,本實(shí)驗(yàn)為了便于教學(xué),故統(tǒng)一實(shí)驗(yàn)路徑);2)運(yùn)行μVisionIDEforARM軟件,點(diǎn)擊菜單欄“Project”,選擇“OpenProject…”,在彈出的對話框選擇實(shí)驗(yàn)例程目錄5.1_Memory_Test子目錄下的Memory_Test.Uv2工程。3)默認(rèn)打開的工程在源碼編輯窗口會(huì)顯示實(shí)驗(yàn)例程的說明文件readme.txt,詳細(xì)閱讀并理解實(shí)驗(yàn)內(nèi)容。4)工程提供了兩種運(yùn)行方式:一是下載到SDRAM中調(diào)試運(yùn)行,二是固化到NorFlash中運(yùn)行。用戶可以在工具欄SelectTarget下拉框中選擇在RAM中調(diào)試運(yùn)行還是固化Flash中運(yùn)行。如下圖所示:下面實(shí)驗(yàn)將介紹下載到SDRAM中調(diào)試運(yùn)行,所以我們在SelectTarget下拉框中選擇Memory_TestINRAM。5)接下來開始編譯鏈接工程,在菜單欄“Projiet”選擇“Buildtarget”或者“Rebuildalltargetfiles”編譯整個(gè)工程,用戶也可以在工具欄單擊“”或者“”進(jìn)行編譯。6)編譯完成后,在輸出窗口可以看到編譯提示信息,比如“".\SDRAM\Memory_Test.axf"-0Error(s),1Warning(s).”,如果顯示“0Error(s)”即表示編譯成功。7)撥動(dòng)實(shí)驗(yàn)平臺電源開關(guān),給實(shí)驗(yàn)平臺上電,單擊菜單欄Debug->Start/StopDebugSession項(xiàng)將編譯出來的映像文件下載到SDRAM中,或者單擊工具欄“”按鈕來下載。8)下載完成后,單擊菜單欄Debug->Run項(xiàng)運(yùn)行程序,或者單擊工具欄“”按鈕來全速運(yùn)行程序。用戶也可以使用進(jìn)行單步調(diào)試程序。9)全速運(yùn)行后,用戶可以在超級終端看到程序運(yùn)行的信息,以檢測對存儲區(qū)的操作是否成功。10)用戶可以Stop程序運(yùn)行,使用μVisionIDEforARM的一些調(diào)試窗口跟蹤查看程序運(yùn)行的信息。注:如果在第4)步用戶選擇在Flash中運(yùn)行,則編譯鏈接成功后,單擊菜單欄Flash->Download項(xiàng)將程序固化到NorFlash中,或者單擊工具欄按鈕“”固化程序,從實(shí)驗(yàn)平臺的主板拔出JTAG線,給實(shí)驗(yàn)平臺重新上電,程序?qū)⒆詣?dòng)運(yùn)行。4.觀察實(shí)驗(yàn)結(jié)果在執(zhí)行到第8)步時(shí),可以看到超級終端上顯示以下信息:*********************************************************************英蓓特EduKit系列嵌入式教學(xué)系統(tǒng)平臺****EmbestEduKitSeriesEmbeddedTeachingPlatform*********************************************************************MemoryTest(30E00000H-30F00000H):WRMemoryTest(30E00000H-30F00000H):RDO.K.5.完成實(shí)驗(yàn)練習(xí)題理解和掌握實(shí)驗(yàn)后,完成實(shí)驗(yàn)練習(xí)題。六.實(shí)驗(yàn)參考程序本實(shí)驗(yàn)的參考程序如下:/**********************************************************************************************File:memory.c*Author:embest*Desc:memorytestfile*History:*********************************************************************************************//*------------------------------------------------------------------------------------------*//*includefiles*//*------------------------------------------------------------------------------------------*/#include"2410lib.h"/**********************************************************************************************name:memory_test*func:memorytest*para:none*ret:none*modify:*comment:*********************************************************************************************/voidmemory_test(void){inti;UINT32Tdata;intmemError=0;UINT32T*pt;uart_printf("\nMemoryTest(%xh-%xh):WR\n",_RAM_STARTADDRESS+0x0e000000,(_ISR_STARTADDRESS&0xf0ff0000));//memorywritept=(UINT32T*)(_RAM_STARTADDRESS+0x0e000000);while((UINT32T)pt<(_ISR_STARTADDRESS&0xf0ff0000)){*pt=(UINT32T)pt;pt++;}//memoryreaduart_printf("\nMemoryTest(%xh-%xh):RD\n",_RAM_STARTADDRESS+0x0e000000,(_ISR_STARTADDRESS&0xf0ff0000));pt=(UINT32T*)(_RAM_STARTADDRESS+0x0e000000);while((UINT32T)pt<(_ISR_STARTAD
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