2019年暨南大學(xué)823電子技術(shù)基礎(chǔ)考研真題

依據(jù)考試大綱總結(jié)命題規(guī)律輔導(dǎo)備考策略歷年考題詳析梳理考試要點總結(jié)核心知識篩選最新考點精編典型習(xí)題積累備考經(jīng)驗全真模擬測試預(yù)測考試趨勢讓學(xué)習(xí)為我們創(chuàng)造終生價值2019年暨南大學(xué)823電子技術(shù)基礎(chǔ)考研真題命題趨勢應(yīng)試技巧擬好題記先聲奪人名師精編模擬訓(xùn)練考前特訓(xùn)知識拆解非非命本本本非和本本本非本和本本本非非本本本非非非水本本非雜本中本非球非本本本非和中本本非非本本本本非*招生專業(yè)與代碼：080902電路與系統(tǒng)、080903微電子學(xué)與固體電子學(xué)、081001通信與信息系統(tǒng)、081002信號與信息處理、085208電子與通信工程(專業(yè)學(xué)位)、物理電子學(xué)研究方向：各方向考生注意：所有答案必須寫在答題紙(卷)上，寫在本試題上3.在圖1電路中，已知石英晶體的標(biāo)稱頻率為1MHz,C?=270pF,L=是并聯(lián)型晶體振蕩電路?振蕩頻率f?是多少?CC體+圖2(1)估算電路的靜態(tài)參數(shù)；(2)畫出簡化h參數(shù)交流等效電路；第1頁/共4頁RzR6命題趨勢應(yīng)試技巧擬好題記先聲奪人名師精編模擬訓(xùn)練考前特訓(xùn)知識拆解千+二R+土0RR十2.圖4電路中晶體管的β=120,UBEQ=0.6V,rp=1.6kΩ,各電容對交流信號均可視為短路。(1)估算靜態(tài)工作點/Bo、Ico、UcEQ(3)若C?開路，R;、R。有何變化(增大、減小、基本不變)?出電壓的最大幅值為±14V,u?1max=10mV,M?max=28mV,最小值均為0V,則CRRRRRRA4.圖6所示的帶阻濾波電路中，A為理想運放，其中：R=10kQ,R?=20kQ,C=6800pF,(1)試求傳遞函數(shù)A,(iw)=U?Ow)/U?(jw)的表達式。(2)計算十RA+十第2頁/共4頁第3頁，共4頁5.在圖7所示電路中，已知R?=5k2,R?=10kQ,R?=1kQ,R?=50kQ,±U?(2)當(dāng)u?=-6V時振蕩頻率約為多少?(3)若要u?=-6V時振蕩頻率約為600Hz,則R6應(yīng)調(diào)整成約為多少16.在如圖8所示串聯(lián)型穩(wěn)壓電源中，已知三極管的UgF均為0.7V,集成運放的最(1)求出Uo的調(diào)節(jié)范圍；(2)若VT?管的最大發(fā)射極電流IE?max=1A,則VT?管的集電極最大功耗Pcmax為多少?三、設(shè)計題(共4小題，每小題10分，共40分)1.試用集成運算放大器、晶體三極管和電阻器設(shè)計電路實現(xiàn)下列運算，并給出分析計算過程，已知un、uyz均大于零，Ur是溫度電壓當(dāng)量2.已知N溝道增強型MOS場效應(yīng)管的開啟電壓Ucsth=2V,且ucs=4V時，漏極電流ip=2mA。利用此MOS管，選用+15V直流電源，設(shè)計一個共源放大電路，n圖9考試科目：823電子技術(shù)基礎(chǔ)第3頁/共4頁命題趨勢應(yīng)試技巧擬好題記先聲奪人名師精編模擬訓(xùn)練考前特訓(xùn)知識拆解四、綜合題(共2小題，每小題15分，共30分)出端電位各應(yīng)為多少?(2)電路的最大輸出功率Pom=?此時，輸出級的效率+A32.寬帶型集成運放F733內(nèi)部電路原理圖如圖11所示。試說明：(1)該電路有幾級放大電路?它們的組成和電路名稱是什么?(2)該電路閉環(huán)后通常不會產(chǎn)生自激振蕩，這是為什么?(2)該電路閉環(huán)后通常不會產(chǎn)生自激振蕩，這是為什么?