電子與通信技術(shù)：集成電路工藝原理考試資料（題庫(kù)版）

電子與通信技術(shù)：集成電路工藝原理考試資料（題庫(kù)版）1、問(wèn)答題

簡(jiǎn)述引線框架材料？正確答案：引線框架作為集成電路的芯片載體，是一種借助于鍵合材料（金絲、鋁絲、銅絲）實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部電路引出端與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關(guān)（江南博哥）鍵結(jié)構(gòu)件，它起到了和外部導(dǎo)線連接的橋梁作用。引線框架材料的要求為：熱匹配，良好的機(jī)械性能，導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能好，使用過(guò)程無(wú)相變，材料中雜質(zhì)少，低價(jià)，加工特性和二次性能好。2、問(wèn)答題

簡(jiǎn)述MCM的概念、分類與特性？正確答案：概念：將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。分類：MCM-L是采用片狀多層基板的MCM、MCM-C是采用多層陶瓷基板的MCM、MCM-D是采用薄膜技術(shù)的MCM。特性：尺寸小、技術(shù)集成度高、數(shù)據(jù)速度和信號(hào)質(zhì)量高、可靠性高、成本低、PCB板設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化、提高圓片利用率、降低投資風(fēng)險(xiǎn)?？纱蠓忍岣唠娐愤B線密度，增加封裝效率；可完成輕、薄、短、小的封裝設(shè)計(jì)；封裝的可靠性提升。3、問(wèn)答題

矩形片式電阻由哪幾部分組成？各部分的主要作用是什么？正確答案：基板：基板要具有良好的電絕G8P-1A4PDC12緣性、導(dǎo)熱性和機(jī)械強(qiáng)度高等特征。一般基板的材科多采用高純度的（96%）AL203陶瓷。其工藝要求表面平整、劃線準(zhǔn)確，以確保電阻、電極漿料印制到位。電極：片式電阻器一般都采用三層電極結(jié)構(gòu)，最內(nèi)層的是內(nèi)層電極，它是連接電阻體位于中間層的是中間電極，它是鍍鎳（Ni）層，也被稱為阻擋層，其主要作用是提高電阻器在焊接時(shí)的耐熱性，避免造成內(nèi)層電極被溶蝕。位于最外層的是外層電極，它也被稱為可焊層，該層除了使電極具有良好的可焊性外，還可以起到延長(zhǎng)電極保存期的作用。通常，外層電極采用錫一鉛（S。-PB.合金電鍍而成。電阻膜：電阻膜是采用具有一定電阻率的電阻漿料印制在陶瓷基板上，然后再經(jīng)過(guò)燒結(jié)而成的厚膜電阻。保護(hù)層：保護(hù)層位于電阻膜的外部，主要起保護(hù)作用。它通?？梢约?xì)分為封包玻璃保護(hù)膜、玻璃釉涂層和標(biāo)志玻璃層。4、問(wèn)答題

插裝元器件的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及應(yīng)用？正確答案：結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：插裝元器件的管腳都帶有引線，引腳從封裝兩側(cè)引出，適合進(jìn)行插裝，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。插裝元器件的引腳節(jié)距多為2.54mm，引腳一般在4—64之間。應(yīng)用：應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC，存貯器LSI，微機(jī)電路等。5、填空題

硅片平坦化的四種類型分別是（）、部分平坦化、（）和（）。正確答案：平滑；局部平坦化；全局平坦化6、判斷題

成品率是指在一片晶圓上所有芯片中好芯片所占的百分比。正確答案：對(duì)7、問(wèn)答題

其它表面組裝元件主要是指哪些元件？這些元件各有什么特點(diǎn)？分別用在哪些場(chǎng)合？正確答案：磁珠，二極管。磁珠特點(diǎn)：是由鐵氧體材料和導(dǎo)體線圈組成的疊層型獨(dú)石結(jié)構(gòu)，因在高溫下燒結(jié)而成，因而致密性好、可靠性高。磁珠應(yīng)用場(chǎng)合：廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、遙控玩具、傳真機(jī)、激光打印機(jī)及電子鐘表等通訊和消費(fèi)類電子領(lǐng)域。磁珠是EMC設(shè)計(jì)中常使用的元件，在EMC對(duì)策中占重要位置。二極管特點(diǎn)：有單向?qū)щ娦裕椒庋b，貼片焊接。二極管應(yīng)用場(chǎng)合：可分為開(kāi)關(guān)二極管，變?nèi)荻O管，穩(wěn)壓片式二極管，整流二極管，瞬間抑制二極管，發(fā)光二極管，適合于高頻、大電流、低電壓整流電路以及微波電子混頻電路、檢波電路、高頻數(shù)字邏輯電路等。8、判斷題

投影掩膜版上的圖形是由金屬鉭所形成的。正確答案：錯(cuò)9、問(wèn)答題

晶圓的英文是什么？簡(jiǎn)述晶圓制備的九個(gè)工藝步驟。正確答案：Wafer。（1）單晶硅生長(zhǎng)：晶體生長(zhǎng)是把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為硅錠。可用CZ法或區(qū)熔法。（2）整型。去掉兩端，徑向研磨，硅片定位邊或定位槽。（3）切片。對(duì)200mm及以上硅片而言，一般使用內(nèi)圓切割機(jī)；對(duì)300mm硅片來(lái)講都使用線鋸。（4）磨片和倒角。切片完成后，傳統(tǒng)上要進(jìn)行雙面的機(jī)械磨片以去除切片時(shí)留下的損傷，達(dá)到硅片兩面高度的平行及平坦。硅片邊緣拋光修整，又叫倒角，可使硅片邊緣獲得平滑的半徑周線。（5）刻蝕。在刻蝕工藝中，通常要腐蝕掉硅片表面約20微米的硅以保證所有的損傷都被去掉。（6）拋光。也叫化學(xué)機(jī)械平坦化（CMP），它的目標(biāo)是高平整度的光滑表面。拋光分為單面拋光和雙面拋光。（7）清洗。半導(dǎo)體硅片必須被清洗使得在發(fā)給芯片制造廠之前達(dá)到超凈的潔凈狀態(tài)。（8）硅片評(píng)估。（9）包裝。10、判斷題

光刻的本質(zhì)是把電路結(jié)構(gòu)復(fù)制到以后要進(jìn)行刻蝕和離子注入的硅片上。正確答案：對(duì)11、名詞解釋

橫向擴(kuò)散正確答案：由于光刻膠無(wú)法承受高溫過(guò)程，擴(kuò)散的掩膜都是二氧化硅或氮化硅。當(dāng)原子擴(kuò)散進(jìn)入硅片，它們向各個(gè)方向運(yùn)動(dòng)：向硅的內(nèi)部，橫向和重新離開(kāi)硅片。假如雜質(zhì)原子沿硅片表面方向遷移，就發(fā)生了橫向擴(kuò)散。12、判斷題

暴露在高溫的氧氣氛圍中，硅片上能生長(zhǎng)出氧化硅。生長(zhǎng)一詞表示這個(gè)過(guò)程實(shí)際是消耗了硅片上的硅材料。正確答案：對(duì)13、判斷題

西門子工藝生產(chǎn)的硅沒(méi)有按照希望的晶體順序排列原子。正確答案：對(duì)14、判斷題

多晶硅柵的寬度通常是整個(gè)硅片上最關(guān)鍵的CD線寬。正確答案：對(duì)15、填空題

集成電路的發(fā)展時(shí)代分為（）、中規(guī)模集成電路MSI、（）、超大規(guī)模集成電路VLSI、（）。正確答案：小規(guī)模集成電路SSI；大規(guī)模集成電路LSI；甚大規(guī)模集成電路ULSI16、判斷題

大馬士革工藝來(lái)源于一種類似精制的鑲嵌首飾或藝術(shù)品的圖案。正確答案：對(duì)17、判斷題

反刻是一種傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)，它能夠?qū)崿F(xiàn)全局平坦化。正確答案：錯(cuò)18、判斷題

CMP帶來(lái)的一個(gè)顯著的質(zhì)量問(wèn)題是表面微擦痕。小而難以發(fā)現(xiàn)的微擦痕導(dǎo)致淀積的金屬中存在隱藏區(qū)，可能引起同一層金屬之間的斷路。正確答案：對(duì)19、填空題

在干法刻蝕中發(fā)生刻蝕反應(yīng)的三種方法是（）、（）和（）。正確答案：化學(xué)作用；物理作用；化學(xué)作用與物理作用混合20、問(wèn)答題

片式鉭電解電容和鋁電解電容有什么主要特點(diǎn)和主要差別？正確答案：片式鉭電解電容器：是用金屬鉭做正極，用稀硫酸等配液做負(fù)極，用鉭表面生成的氧化膜作為介質(zhì)制成。矩形鉭電解電容外殼為有色塑料封裝，一端印有深色標(biāo)志線，為正極，在封面上有電容量的數(shù)值及耐壓值，一般有醒目的標(biāo)志，以防用錯(cuò)。鋁電解電容：以金屬鋁為正極，其表面氧化膜作為介質(zhì)，電解液作為負(fù)極的電容，液體電解質(zhì)片式鋁電解電容器的特點(diǎn)：它是由鋁圓筒做負(fù)極、里面裝有液體電解質(zhì)，插人一片彎曲的鋁帶做正極制成。還需經(jīng)直流電壓處理，做正極的片上形成一層氧化膜做介質(zhì)。其特點(diǎn)是容量大、但是漏電大、穩(wěn)定性差、有正負(fù)極性，適于電源濾波或低頻電路中，使用時(shí)，正、負(fù)極不能接反。21、問(wèn)答題

載帶自動(dòng)焊的分類及結(jié)構(gòu)特點(diǎn)？正確答案：TAB按其結(jié)構(gòu)和形狀可分為Cu箔單層帶：Cu的厚度為35-70um，Cu-PI雙層帶Cu-粘接劑-PI三層帶Cu-PI-Cu雙金屬22、判斷題

離子注入是唯一能夠精確控制摻雜的手段。正確答案：對(duì)23、填空題

淀積膜的過(guò)程有三個(gè)不同的階段。第一步是（），第二步是（），第三步是（）。正確答案：晶核形成；聚焦成束；匯聚成膜24、判斷題

20世紀(jì)90年代初期使用的第一臺(tái)CMP設(shè)備是用樣片估計(jì)拋光時(shí)間來(lái)進(jìn)行終點(diǎn)檢測(cè)的。正確答案：對(duì)25、填空題

刻蝕剖面指的是（），有兩種基本的刻蝕剖面（）刻蝕剖面和（）刻蝕剖面。正確答案：被刻蝕圖形的側(cè)壁形狀；各向同性；各向異性26、判斷題

人員持續(xù)不斷地進(jìn)出凈化間，是凈化間沾污的最大來(lái)源。正確答案：對(duì)27、判斷題

CD越小，源漏結(jié)的摻雜區(qū)越深。正確答案：對(duì)28、填空題

制備半導(dǎo)體級(jí)硅的過(guò)程：1、（）；2、（）；3、（）。正確答案：制備工業(yè)硅；生長(zhǎng)硅單晶；提純29、判斷題

濺射是個(gè)化學(xué)過(guò)程，而非物理過(guò)程。正確答案：錯(cuò)30、判斷題

表面起伏的硅片進(jìn)行平坦化處理，主要采用將低處填平的方法。正確答案：錯(cuò)31、判斷題

在晶片制造中，有兩種方法可以向硅片中引入雜質(zhì)元素，即熱擴(kuò)散和離子注入。正確答案：對(duì)32、判斷題

摻雜的雜質(zhì)和沾污的雜質(zhì)是一樣的效果。正確答案：錯(cuò)33、問(wèn)答題

測(cè)試過(guò)程4要素？正確答案：檢測(cè)：確定被測(cè)器件（DUT）是否具有或者不具有某些故障。診斷：識(shí)別表現(xiàn)于DUT的特定故障。器件特性的描述：確定和校正設(shè)計(jì)或者測(cè)試中的錯(cuò)誤。失效模式分析（FMA.：確定引起DUT缺陷制造過(guò)程中的錯(cuò)誤。34、判斷題

純凈的半導(dǎo)體是一種有用的半導(dǎo)體。正確答案：錯(cuò)35、判斷題

離子注入物質(zhì)必須以帶電粒子束或離子束的形式存在。正確答案：對(duì)36、判斷題

各向異性的刻蝕剖面是在所有方向上（橫向和垂直方向）以相同的刻蝕速率進(jìn)行刻蝕。正確答案：錯(cuò)37、問(wèn)答題

簡(jiǎn)述模塑料？正確答案：模塑料與常見(jiàn)的熱塑性塑料相比，模塑料具有更高的幾何尺寸穩(wěn)定性、更耐極端高熱高濕復(fù)雜環(huán)境、耐化學(xué)品腐蝕、高機(jī)械強(qiáng)度等特點(diǎn)。其基本構(gòu)成為：基體（10-30%）（高分子化合物樹(shù)脂）、環(huán)氧樹(shù)脂、硅酮樹(shù)脂、1，2-聚丁二烯酯樹(shù)脂、添加劑（60-90%）、固化劑、催化劑、填充劑（SiO2）、阻燃劑、脫模劑、染色劑。38、判斷題

氧化物有兩個(gè)生長(zhǎng)階段來(lái)描述，分別是線性階段和拋物線階段。正確答案：對(duì)39、判斷題

平滑是一種平坦化類型，它只能使臺(tái)階角度圓滑和側(cè)壁傾斜，但高度沒(méi)有顯著變化。正確答案：對(duì)40、判斷題

與APCVD相比，LPCVD有更低的成本、更高的產(chǎn)量以及更好的膜性能，因此應(yīng)用更為廣泛。正確答案：對(duì)41、判斷題

高阻襯底材料上生長(zhǎng)低阻外延層的工藝稱為正向外延。正確答案：錯(cuò)42、填空題

硅片上的氧化物主要通過(guò)（）和（）的方法產(chǎn)生，由于硅片表面非常平整，使得產(chǎn)生的氧化物主要為層狀結(jié)構(gòu)，所以又稱為（）。正確答案：熱生長(zhǎng)；淀積；薄膜43、判斷題

多層金屬化指用來(lái)連接硅片上高密度堆積器件的那些金屬層。正確答案：錯(cuò)44、問(wèn)答題

簡(jiǎn)述多層印制電路基板制造工藝？正確答案：裁板、內(nèi)層前處理、壓膜、曝光、DES連線、CCD沖孔、AOI檢驗(yàn)、VRS確認(rèn)、棕化、鉚釘、疊板、壓合、后處理、上PIN、下PIN。45、判斷題

芯片上的物理尺寸特征被稱為關(guān)鍵尺寸，即CD。正確答案：對(duì)46、問(wèn)答題

簡(jiǎn)述MCM的BGA封裝？正確答案：BGA封裝適用于MCM封裝，能夠?qū)崿F(xiàn)MCM的高密度，高性能。47、判斷題

離子注入的缺點(diǎn)之一是注入設(shè)備的復(fù)雜性。正確答案：對(duì)48、問(wèn)答題

片式電感器的類型主要有幾種？其結(jié)構(gòu)各有什么特點(diǎn)？正確答案：片式電感器從制造工藝來(lái)分，片式電感器主要有4種類型，即繞線型、疊層型、編織型和薄膜片式電感器。其中，繞線式是傳統(tǒng)繞線電感器小型化的產(chǎn)物，疊層式則采用多層印刷技術(shù)和疊層生產(chǎn)工藝制作，體積比繞線型片式電感器還要小，是電感元件領(lǐng)域重點(diǎn)開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品。片式電感器現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)由于微型電感器要達(dá)到足夠的電感量和品質(zhì)因數(shù)（Q）比較困難，同時(shí)由于磁性元件中電路與磁路交織在一起，制作工藝比較復(fù)雜，故作為三大基礎(chǔ)無(wú)源元件之一的電感器片式化，明顯滯后于電容器和電阻器。特點(diǎn)：繞線型它的特點(diǎn)是電感量范圍廣（mH～H），電感量精度高，損耗小（即Q大），容許電流大、制作工藝?yán)^承性強(qiáng)、簡(jiǎn)單、成本低等，但不足之處是在進(jìn)一步小型化方面受到限制。陶瓷為芯的繞線型片電感器在這樣高的頻率能夠保持穩(wěn)定的電感量和相當(dāng)高的Q值，因而在高頻回路中占據(jù)一席之地。NLC型適用于電源電路，額定電流可達(dá)300mA；NLV型為高Q值，環(huán)保（再造塑料），可與NL互換；NLFC有磁屏，適用于電源線。疊層型：它具有良好的磁屏蔽性、燒結(jié)密度高、機(jī)械強(qiáng)度好。不足之處是合格率低、成本高、電感量較小、Q值低。它與繞線片式電感器相比有諸多優(yōu)點(diǎn)：尺寸小，有利于電路的小型化，磁路封閉，不會(huì)干擾周圍的元器件，也不會(huì)受臨近元器件的干擾，有利于元器件的高密度安裝；一體化結(jié)構(gòu)，可靠性高；耐熱性、可焊性好；形狀規(guī)整，適合于自動(dòng)化表面安裝生產(chǎn)。薄膜片式：具有在微波頻段保持高Q、高精度、高穩(wěn)定性和小體積的特性。其內(nèi)電極集中于同一層面，磁場(chǎng)分布集中，能確保裝貼后的器件參數(shù)變化不大，在100MHz以上呈現(xiàn)良好的頻率特性。編織型：特點(diǎn)是在1MHz下的單位體積電感量比其它片式電感器大、體積小、容易安裝在基片上。用作功率處理的微型磁性元件。49、判斷題

半導(dǎo)體級(jí)硅的純度為99.9999999%。正確答案：對(duì)50、問(wèn)答題

簡(jiǎn)述引線材料？正確答案：用于集成電路引線的材料，需要注意的特性為電特性、絕緣性質(zhì)、擊穿、表面電阻熱特性，玻璃化轉(zhuǎn)化溫度、熱導(dǎo)率、熱膨脹系數(shù)，機(jī)械特性，揚(yáng)氏模量、泊松比、剛度、強(qiáng)度，化學(xué)特性，吸潮、抗腐蝕。51、判斷題

與干法刻蝕相比，濕法腐蝕的好處在于對(duì)下層材料具有高的選擇比，對(duì)器件不會(huì)帶來(lái)等離子體損傷，并且設(shè)備簡(jiǎn)單。正確答案：對(duì)52、判斷題

柵氧一般通過(guò)熱生長(zhǎng)獲得。正確答案：對(duì)53、判斷題

阻擋層金屬是淀積金屬或金屬塞，其作用是增加上下層材料的附著。正確答案：錯(cuò)54、填空題

選擇性氧化常見(jiàn)的有（）和（），其英語(yǔ)縮略語(yǔ)分別為L(zhǎng)OCOS和（）。正確答案：局部氧化；淺槽隔離；STI55、填空題

芯片硅片制造廠可以分為6個(gè)獨(dú)立的生產(chǎn)區(qū)：擴(kuò)散區(qū)、（）、刻蝕區(qū)、（）、（）和拋光區(qū)。正確答案：光刻區(qū)；注入?yún)^(qū)；薄膜區(qū)56、問(wèn)答題

倒裝焊芯片凸點(diǎn)的分類、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及制作方法？正確答案：蒸鍍焊料凸點(diǎn)：蒸鍍焊料凸點(diǎn)有兩種方法，一種是C4技術(shù)，整體形成焊料凸點(diǎn)；電鍍焊料凸點(diǎn)：電鍍焊料是一個(gè)成熟的工藝。先整體形成UBM層并用作電鍍的導(dǎo)電層，然后再用光刻膠保護(hù)不需要電鍍的地方。電鍍形成了厚的凸點(diǎn)。印刷焊料凸點(diǎn)：焊膏印刷凸點(diǎn)是一種廣泛應(yīng)用的凸點(diǎn)形成方法。印刷凸點(diǎn)是采用模板直接將焊膏印在要形成凸點(diǎn)的焊盤(pán)上，然后經(jīng)過(guò)回流而形成凸點(diǎn)釘頭焊料凸點(diǎn)：這是一種使用標(biāo)準(zhǔn)的球形導(dǎo)線鍵合技術(shù)在芯片上形成的凸點(diǎn)方法?？捎肁u絲線或者Pb基的絲線?；瘜W(xué)凸點(diǎn)：化學(xué)鍍凸點(diǎn)是一種利用強(qiáng)還原劑在化學(xué)鍍液中將需要鍍的金屬離子還原成該金屬原子沉積在鍍層表面形成凸點(diǎn)的方法。57、問(wèn)答題

簡(jiǎn)述BGA的安裝互聯(lián)技術(shù)？正確答案：安裝前需檢查BGA焊球的共面性以及有無(wú)脫落，BGA在PWB上的安裝與目前的SMT工藝設(shè)備和工藝基本兼容。先將低熔點(diǎn)焊膏用絲網(wǎng)印制到PWB上的焊區(qū)作列上，用安裝設(shè)備將BGA對(duì)準(zhǔn)放在印有焊膏的焊區(qū)上，然后進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)的SMT再流焊。58、判斷題

離子注入中靜電掃描的主要缺點(diǎn)是離子束不能垂直轟擊硅片，會(huì)導(dǎo)致光刻材料的陰影效應(yīng)，阻礙離子束的注入。正確答案：對(duì)59、問(wèn)答題

簡(jiǎn)要說(shuō)明IC制造的平坦化工藝的作用是什么？主要有哪些方式？并解釋各種方式的詳細(xì)內(nèi)容。正確答案：在多層布線立體結(jié)構(gòu)中，把成膜后的凸凹不平之處進(jìn)行拋光研磨，使其局部或全局平坦化。A.關(guān)于ECMP（電化學(xué)機(jī)械研磨方法），其工作步驟如下：首先，用電能使Cu氧化，再用絡(luò)合劑使之生成Cu的絡(luò)合物，最終研磨掉Cu絡(luò)合物。從對(duì)加工面進(jìn)行研磨加工的原理觀察，除了Cu的氧化方法之外，ECMP和CMP是同樣的，而且加工面獲得的平坦度性能也是同等水平。但是，ECMP的必要條件是底座盤(pán)應(yīng)具備導(dǎo)電性。B.關(guān)于電解研磨ECP方法，利用電鍍的逆反應(yīng)。從電場(chǎng)集中之處開(kāi)始進(jìn)行刻蝕，可獲得平滑的研磨加工表面；但是，它能刻蝕平坦的區(qū)域只限于突起部分。C.關(guān)于化學(xué)蝕刻CE構(gòu)成的平坦化技術(shù)，它是把Si的精細(xì)加工等領(lǐng)域里使用的各向異性刻蝕用濕式刻蝕法實(shí)現(xiàn)的。關(guān)于濕式刻蝕法雖然對(duì)于平坦化無(wú)能為力，但是，若把圓片一面旋轉(zhuǎn)一面加工，則產(chǎn)生各向異性，體現(xiàn)出平坦化能力。60、判斷題

CZ直拉法是按照在20世紀(jì)90年代初期它的發(fā)明者的名字來(lái)命名的。正確答案：對(duì)61、填空題

CMP是一種表面（）的技術(shù)，它通過(guò)硅片和一個(gè)拋光頭之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)來(lái)平坦化硅片表面，在硅片和拋光頭之間有（），并同時(shí)施加（）。正確答案：全局平坦化；磨料；壓力62、判斷題

化學(xué)機(jī)械平坦化，簡(jiǎn)稱CMP，它是一種表面全局平坦化技術(shù)。正確答案：對(duì)63、判斷題

旋涂膜層是一種傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)，在0.35μm及以上器件的制造中常普遍應(yīng)用于平坦化和填充縫隙。正確答案：對(duì)64、問(wèn)答題

硅錠直徑從20世紀(jì)50年代初期的不到25mm增加到現(xiàn)在的300mm甚至更大，其原因是什么？正確答案：（1）更大直徑硅片有更大的表面積做芯片，能夠減少硅片的浪費(fèi)。（2）每個(gè)硅片上有更多的芯片，每塊芯片的加工和處理時(shí)間減少，導(dǎo)致設(shè)備生產(chǎn)效率變高。（3）在硅片邊緣的芯片減少了，轉(zhuǎn)化為更高的生產(chǎn)成品率。（4）在同一工藝過(guò)程中有更多芯片，所以在一塊芯片一塊芯片的處理過(guò)程中，設(shè)備的重復(fù)利用率提高了。65、判斷題

沒(méi)有CMP，就不可能生產(chǎn)甚大規(guī)模集成電路芯片。正確答案：錯(cuò)66、填空題

對(duì)芯片互連的金屬和金屬合金來(lái)說(shuō)，它所必備一些要求是（）、高黏附性、（）、（）、可靠性、抗腐蝕性、應(yīng)力等。正確答案：導(dǎo)電率；淀積；平坦化67、判斷題

二氧化硅是一種介質(zhì)材料，不導(dǎo)電。正確答案：對(duì)68、問(wèn)答題

簡(jiǎn)述溝道效應(yīng)的含義及其對(duì)離子注入可能造成的影響如何避免？正確答案：對(duì)晶體進(jìn)行離子注入時(shí)，當(dāng)離子注入的方向與與晶體的某個(gè)晶向平行時(shí)，一些離子將沿溝道運(yùn)動(dòng)，受到的核阻止作用很小，而且溝道中的電子密度很低。受到的電子阻止也很小，這些離子的能量損損失率很低，注入深度就會(huì)大于無(wú)定形襯底中深度，這種現(xiàn)象稱為溝道效應(yīng)。溝道效應(yīng)的存在，使得離子注入的濃度很難精確控制，因?yàn)樗鼤?huì)使離子注入的分布產(chǎn)生一個(gè)很廠的拖尾，偏離預(yù)計(jì)的高斯分布規(guī)律。溝道效應(yīng)降低的技巧：（1）、覆蓋一層非晶體的表面層、將硅晶片轉(zhuǎn)向或在硅晶片表面制造一個(gè)損傷的表層。（2）、將硅晶片偏離主平面5-10度，也能有防止離子進(jìn)入溝道的效果。（3）、先注入大量硅或鍺原子以破壞硅晶片表面，可在硅晶片表面產(chǎn)生一個(gè)隨機(jī)層。69、判斷題

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界第一種類型的CVD是APCVD。正確答案：對(duì)70、填空題

集成電路的制造分為五個(gè)階段，分別為（）、（）、硅片測(cè)試和揀選、（）、終測(cè)。正確答案：硅片制造備；硅片制造；裝配和封裝71、問(wèn)答題

埋層芯片互聯(lián)－后布線技術(shù)的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及發(fā)展趨勢(shì)？正確答案：結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：先布線焊接互聯(lián)技術(shù)：在各類基板上的金屬化布線焊區(qū)上焊接各類IC芯片，即先布線而后焊接，稱為先布線焊接互聯(lián)技術(shù)。埋層芯片互聯(lián)技術(shù)（后布線技術(shù)）：先將IC芯片埋置到基板或PI介質(zhì)層中后，再統(tǒng)一進(jìn)行金屬布線，將IC芯片的焊區(qū)與布線金屬自然相連。這種芯片焊區(qū)與基板焊區(qū)間的互聯(lián)屬金屬布線的一部分，互連已無(wú)任何“焊接”的痕跡。這種先埋置IC芯片再進(jìn)行金屬布線的技術(shù)稱為后布線技術(shù)。發(fā)展趨勢(shì)：埋置芯片互連還可進(jìn)一步提高電子組裝密度，是進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)立體封裝的一種有效的形式。它的最明顯好處是可以消除傳統(tǒng)的IC芯片與基板金屬焊區(qū)的各類焊接點(diǎn)，從而提高電子產(chǎn)品的可靠性。而Si基板除了以上兩種埋置芯片互連技術(shù)外，還可以利用半導(dǎo)體IC芯片制造工藝，先在Si基板內(nèi)制作所需的各類有源器件后再布線與各有源器件的焊區(qū)互連。在這種內(nèi)含有源器件的Si基板上再進(jìn)行多層布線，埋置IC芯片，將有更高的集成度。72、問(wèn)答題

簡(jiǎn)述芯片粘結(jié)材料？正確答案：通常采用粘接技術(shù)實(shí)現(xiàn)管芯與底座的連接的材料。要求機(jī)械強(qiáng)度、化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)電、導(dǎo)熱、熱匹配、低固化溫度、可操作性。主要的粘結(jié)技術(shù)為：銀漿粘接技術(shù)、低熔點(diǎn)玻璃粘接技術(shù)、導(dǎo)電膠粘接技術(shù)、環(huán)氧樹(shù)脂粘接技術(shù)、共晶焊技術(shù)。73、填空題

根據(jù)氧化劑的不同，熱氧化可分為（）、（）和（）。正確答案：干氧氧化；濕氧氧化；水汽氧化74、判斷題

世界上第一塊集成電路是用硅半導(dǎo)體材料作為襯底制造的。正確答案：錯(cuò)75、填空題

集成電路制造中摻雜類工藝有（）和（）兩種。正確答案：熱擴(kuò)散；離子注入76、判斷題

雖然直至今日我們?nèi)云毡椴捎脭U(kuò)散區(qū)一詞，但是硅片制造中已不再用雜質(zhì)擴(kuò)散來(lái)制作pn結(jié)，取而代之的是離子注入。正確答案：對(duì)77、問(wèn)答題

集成電路測(cè)試的分類？正確答案：按測(cè)試目的分類：驗(yàn)證測(cè)試、生產(chǎn)測(cè)試（DMP）、驗(yàn)收測(cè)試（避免在系統(tǒng)組裝的時(shí)候使用有缺陷的器件）、使用測(cè)試、參數(shù)測(cè)試、功能測(cè)試、結(jié)構(gòu)測(cè)試。按測(cè)試內(nèi)容分類：數(shù)字電路測(cè)試、模擬電路測(cè)試、混合信號(hào)電路測(cè)試、存儲(chǔ)器測(cè)試、SOC測(cè)試。78、判斷題

對(duì)正性光刻來(lái)說(shuō)，剩余不可溶解的光刻膠是掩膜版圖案的準(zhǔn)確復(fù)制。正確答案：對(duì)79、判斷題

有光刻膠覆蓋硅片的三個(gè)生產(chǎn)區(qū)域分別為光刻區(qū)、刻蝕區(qū)和擴(kuò)散區(qū)。正確答案：對(duì)80、判斷題

LPCVD緊隨PECVD的發(fā)展而發(fā)展。由660℃降為450℃，采用增強(qiáng)的等離子體，增加淀積能量，即低壓和低溫。正確答案：錯(cuò)81、填空題

列出熱氧化物在硅片制造的4種用途（）、（）、場(chǎng)氧化層和（）。正確答案：摻雜阻擋；表面鈍化；金屬層間介質(zhì)82、問(wèn)答題

片式瓷介電容器主要有哪幾種類型？各有什么主要特點(diǎn)？正確答案：片式瓷介電容器：?jiǎn)螌拥碾姌O燒結(jié)構(gòu)成陶瓷芯片，再外加電極，形成電容器。多層片式瓷介電容器：由印好電極（內(nèi)電極）的陶瓷介質(zhì)膜片以錯(cuò)位的方式疊合起來(lái)，經(jīng)過(guò)一次性高溫?zé)Y(jié)形成陶瓷芯片，再在芯片的兩端封上金屬層（外電極），從而形成一個(gè)類似獨(dú)石的結(jié)構(gòu)體，故也叫獨(dú)石電容器。83、填空題

單晶硅生長(zhǎng)常用（）和（）兩種生長(zhǎng)方式，生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為（）。正確答案：CZ法；區(qū)熔法；硅錠84、填空題

影響CZ直拉法的兩個(gè)主要參數(shù)是（）和（）。正確答案：拉伸速率；晶體旋轉(zhuǎn)速率85、名詞解釋

蒸發(fā)鍍膜正確答案：加熱蒸發(fā)源，使原子或分子從蒸發(fā)源表面逸出，形成蒸汽流并入射到硅片（襯底）表面，凝結(jié)形成固態(tài)薄膜。86、名詞解釋

化學(xué)氣相沉積正