利用磁控濺射制備銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管的研究的開題報告

利用磁控濺射制備銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管的研究的開題報告一、選題背景與意義銦鎵鋅氧化物（IGZO）是一種新型的透明導電材料，因其高透明度和高載流子遷移率等優(yōu)良特性，在薄膜晶體管等電子器件中有廣泛應(yīng)用。目前，IGZO薄膜晶體管制備方法有很多種，其中磁控濺射法制備IGZO薄膜晶體管是一種非常有效的方法，得到了廣泛關(guān)注。本文將探討IGZO薄膜晶體管磁控濺射制備方法的優(yōu)缺點，并研究IGZO薄膜晶體管的性能，以期對IGZO薄膜晶體管制備和性能的研究做出有益的貢獻。二、研究目標本文的研究目標是通過磁控濺射法制備IGZO薄膜晶體管，探索不同條件下IGZO薄膜晶體管的性能差異，并通過實驗分析IGZO薄膜晶體管的物理性質(zhì)，以期實現(xiàn)IGZO薄膜晶體管的制備和應(yīng)用。三、研究內(nèi)容1.IGZO薄膜晶體管的磁控濺射制備方法的研究。2.不同實驗條件下IGZO薄膜制備工藝的優(yōu)化和實驗研究。3.分析IGZO薄膜晶體管的物理性質(zhì)和性能差異。4.探究IGZO薄膜晶體管的應(yīng)用前景。四、研究方法本文采用實驗研究和理論分析相結(jié)合的方法進行研究。其中，實驗研究部分將采用磁控濺射法制備IGZO薄膜晶體管，并在不同條件下進行性能測試。在理論分析部分，將通過文獻資料的搜集和分析來深入探討IGZO薄膜晶體管的性質(zhì)和應(yīng)用。五、預期成果通過本文的研究，預計得到以下成果：1.掌握IGZO薄膜晶體管磁控濺射制備的原理和工藝。2.實現(xiàn)不同條件IGZO薄膜晶體管的制備和性能測試，選擇最優(yōu)方案。3.研究IGZO薄膜晶體管的性能差異，預測其應(yīng)用前景。4.為IGZO薄膜晶體管的應(yīng)用提供參考和基礎(chǔ)研究。六、研究時間節(jié)點|時間節(jié)點|完成任務(wù)||---------|---------||第1-2周|文獻閱讀和綜述寫作||第3-4周|IGZO薄膜晶體管的制備和實驗測試||第5周|數(shù)據(jù)分析和討論||第6周|論文寫作和修改||第7周|答辯準備和匯報|七、參考文獻1.林斌，李亮，周健明等.磁控濺射制備IGZO透明導電薄膜的優(yōu)化[J].人工晶體學報，2015（9）：2296-2301.2.Li,Y.,Sun,H.,&Zhang,R.(2015).AstudyonelectricalcharacteristicsofamorphousIn-Ga-Zn-Othinfilmtransistorsfabricatedbyreactivesputtering.MicroelectronicsJournal,46(9),777-781.3.張子龍，孫明.銦鎵鋅氧化物透明導電薄膜的研究進展[J].材料導報，2014（7）：67-72.4.Chiang,Y.C.,Chen,B.H.,Lin,M.H.,&Chang,S.P.(2017).Indium–gallium–zincoxidethin-filmtransistorsusingaTiO2gateinsulatorforflexibledisplays.ThinSolidFilms,636,901-904.5.Park,J.H.,Min,B.K.,Kang,S.M.,Cho,E.C.,Han,H.J.,&Kim,J.M.(2017).Influenceofpost-annealingtemperatureandtimeontheelectricalpropertiesofInGaZn