用于第三象限續(xù)流的氮化鎵高電子遷移率晶體管動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法-征求意見稿

1用于第三象限續(xù)流的氮化鎵高電子遷移率晶體管動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測試本文件描述了用于第三象限續(xù)流模式（包括硬關(guān)斷和零電流關(guān)斷）的氮化鎵高電子遷移率晶T/CASAS005—2022用于硬開關(guān)電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測試3.1第三象限硬關(guān)斷thirdquadranthard-switch3.2第三象限零電流關(guān)斷thirdquadrantzero-currentswitch3.33.42VDS(ON)V測量DUT_ VDS(ON)V測量DUT_ AID電流測量ID3.5器件導(dǎo)通時(shí)，從漏極流入的電流值。漏極電流的比較值comparativevalueofdrainI進(jìn)行動(dòng)態(tài)電阻測試時(shí)，控制的漏極電流值。通常需要大于器件額定電流值的3.6預(yù)電壓應(yīng)力持續(xù)時(shí)間timeofpre-volt3.74第三象限續(xù)流電路動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測試原理I可實(shí)現(xiàn)第三象限續(xù)流的測試電路有多種形式，圖2(a)給出了一種最常見的半橋拓?fù)錅y試電路供參主電路; S1S2S1S2S2Vin鉗位+- S1S2S1S2S2Vin鉗位+-LILRshID ooIDtttooooIDttt圖2(b)是采用圖2(a)所示的測試電路，使被測器件工作在第三象限硬關(guān)斷模式時(shí)的關(guān)鍵波形時(shí)序4動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測試模塊DUT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測試模塊DUT后的每個(gè)脈沖開始時(shí)，都能實(shí)現(xiàn)零電壓軟開通以及第三象限零測試環(huán)境相對濕度不超過65%。計(jì)算機(jī)控制及數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)5Pre-tstress將器件安裝在測試裝置上設(shè)置測試參數(shù)：母線電壓（如Vin）、負(fù)載電感量、負(fù)載電阻值（如有）、開/關(guān)脈沖寬度、延遲時(shí)間、電壓反偏應(yīng)力時(shí)間、雙脈沖累計(jì)測試次數(shù)等在第二個(gè)脈沖時(shí)，當(dāng)漏極電流ID電流上升到比較值ID(com)后，同時(shí)測量VDS(on)與ID，并計(jì)算得到RDS(dyn)根據(jù)多次重復(fù)測試結(jié)果，判斷RDS(dyn)值是否穩(wěn)定輸出最終測試結(jié)果tstresststresstm(on)tm(on)tm(on)設(shè)置測試參數(shù)：母線電壓（如Vin）、負(fù)載電感量、負(fù)載電阻值（如有）、開/關(guān)脈沖寬度、連續(xù)脈沖單次測試時(shí)間、延遲時(shí)間、電壓反偏應(yīng)力時(shí)間、多脈沖累計(jì)測試時(shí)在連續(xù)脈沖階段，當(dāng)漏極電流ID電流上升到比較值IPre-tstress將器件安裝在測試裝置上設(shè)置測試參數(shù)：母線電壓（如Vin）、負(fù)載電感量、負(fù)載電阻值（如有）、開/關(guān)脈沖寬度、延遲時(shí)間、電壓反偏應(yīng)力時(shí)間、雙脈沖累計(jì)測試次數(shù)等在第二個(gè)脈沖時(shí)，當(dāng)漏極電流ID電流上升到比較值ID(com)后，同時(shí)測量VDS(on)與ID，并計(jì)算得到RDS(dyn)根據(jù)多次重復(fù)測試結(jié)果，判斷RDS(dyn)值是否穩(wěn)定輸出最終測試結(jié)果tstresststresstm(on)tm(on)tm(on)設(shè)置測試參數(shù)：母線電壓（如Vin）、負(fù)載電感量、負(fù)載電阻值（如有）、開/關(guān)脈沖寬度、連續(xù)脈沖單次測試時(shí)間、延遲時(shí)間、電壓反偏應(yīng)力時(shí)間、多脈沖累計(jì)測試時(shí)在連續(xù)脈沖階段，當(dāng)漏極電流ID電流上升到比較值ID(com)后，同時(shí)測量VDS(on)與ID，并計(jì)算得到RDS(dyn)輸出最終測試結(jié)果將器件安裝在測試裝置上根據(jù)多次重復(fù)測量結(jié)果，判斷RDS(dyn)值是否穩(wěn)定TonToffSSOPre-VstressVDS(on)tm)Timetcp_sPre-tstressTonTofftm(on)IDID(com)Pre-VVDS(on)VDS(on)VDS(on)VDS(on)OO第1個(gè)雙脈沖第2個(gè)雙脈沖第NDP個(gè)雙脈沖IDIID(ccom)ID(ccom)D(ccom)IO O6Pre-tstressIDVDSPre-VstressI VVOtm(on)tm(on)Otm(on)Pre-tstressIDVDSPre-VstressI VVOtm(on)tm(on)Otm(on)IDO TonTocp_ststressTofftcp_ctstressToffIDOtm(on)tm(on)tm(on)ID(com)ID(com)ID(com)TonToffttcp_sPre-tstressTonTofftIDIPre-VVVVOO第1個(gè)雙脈沖第2個(gè)雙脈沖第NDP個(gè)雙脈沖tstressttstressIDID(com) ID(com) ID(com)7 tcp_s ID(com)ID(com)ID(com) tcp_s ID(com)ID(com)ID(com)tcp_ctstressttstresstm(on)tm(on)tm(on)IDO7.2測試流程持續(xù)時(shí)間（tstress連續(xù)脈沖測試模式中的連續(xù)脈沖單次測試時(shí)間（tcp_s）、連續(xù)脈沖累計(jì)測試時(shí)間（tcp_c雙脈沖測試模式中首個(gè)脈沖的電流、雙脈沖累計(jì)測試次數(shù)（NDP、電壓2)比較電流ID(com)應(yīng)達(dá)到器件額定連續(xù)工作電流的103)第三象限硬關(guān)斷的VDS電壓變化速度大于10V/ns，第三象限零電流關(guān)斷不作4)器件開啟后的鉗位電路延遲時(shí)間，漏極電壓、電流震蕩時(shí)間8b）被測試器件源漏極導(dǎo)通壓降VDS(on)；f）9源漏極壓降(VDS(OFF))：電流比較值(ID(com))：電壓反偏應(yīng)力時(shí)間（tstress）:開態(tài)脈沖寬度(ton)：關(guān)態(tài)脈沖寬度(toff)：D動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻值RDS(dyn)123…[1]IEC60747-8:2010半導(dǎo)體器件分立器件第8部分：場效應(yīng)晶體管(Semiconductordevices-Discretedevice-Part8：Field-ef