電子級(jí)特種樹(shù)脂行業(yè)市場(chǎng)分析

電子級(jí)特種樹(shù)脂行業(yè)市場(chǎng)分析1.新興領(lǐng)域帶動(dòng)高頻高速樹(shù)脂需求1.1.5G、智能車(chē)以及算力需求等爆發(fā)，帶動(dòng)高頻高速PCB需求PCB是電子行業(yè)不可或缺原件，新興產(chǎn)業(yè)推動(dòng)高頻高速化發(fā)展。PCB是組裝電子零件用的基板。主要用于連接各種電子零組件形成預(yù)定電路，有“電子產(chǎn)品之母”之稱(chēng)。覆銅板是電子工業(yè)的基礎(chǔ)材料，主要用于加工制造PCB印制電路板，承擔(dān)著PCB的導(dǎo)電、絕緣、支撐三大功能，被廣泛應(yīng)用于通訊設(shè)備、汽車(chē)電子、消費(fèi)電子、工控、醫(yī)療、航空航天等領(lǐng)域。受益于下游需求的爆發(fā)，高頻高速PCB需求將快速增長(zhǎng)。據(jù)MarketWatch預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì)2022-2027年，全球PCB產(chǎn)值將從817億美元達(dá)到約984億美元，CAGR達(dá)3.8%；中國(guó)PCB產(chǎn)值將從436億美元達(dá)到約511億美元，CAGR達(dá)3.3%。其中，由于5G、智能車(chē)以及算力需求等爆發(fā)，QYResearch預(yù)計(jì)2022-2027年，全球高頻高速PCB產(chǎn)值將從27億美元達(dá)到約46億美元，CAGR達(dá)11.40%，增長(zhǎng)速度顯著高于PCB行業(yè)整體增速。（1）通訊技術(shù)發(fā)展推動(dòng)高頻高速趨勢(shì)5G推動(dòng)高頻高速趨勢(shì)。隨著5G、智能汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，信息傳送進(jìn)入高頻領(lǐng)域。5G從基站數(shù)量和單站PCB用量?jī)蓚€(gè)方面拉動(dòng)特種電子樹(shù)脂需求。近年來(lái)，在新基建等政策引領(lǐng)下，我國(guó)5G網(wǎng)絡(luò)穩(wěn)步推進(jìn)。我國(guó)三家基礎(chǔ)電信企業(yè)和中國(guó)鐵塔股份有限公司累計(jì)完成5G投資1803億元，截止2023年6月，我國(guó)5G基站數(shù)量已達(dá)293.7萬(wàn)個(gè)，滲透率達(dá)26%。從產(chǎn)業(yè)規(guī)模上看，5G基站具有精度高、覆蓋半徑小的特性，同等覆蓋范圍需配置的5G基站數(shù)可達(dá)到4G基站數(shù)的1.5倍，且基站天線仍延續(xù)大規(guī)模陣列化和一體化有源天線的趨勢(shì)，導(dǎo)致單個(gè)基站PCB板面積大幅提升，由此對(duì)高頻通信材料的需求也將大幅提升。此外，根據(jù)5GMassiveMIMO白皮書(shū)，為實(shí)現(xiàn)通訊速率及容量方面升級(jí)，5G采用MassiveMIMO技術(shù)，相比于TDD網(wǎng)絡(luò)2/4/8的天線數(shù)量，MassiveMIMO天線通道數(shù)大幅增加，通道數(shù)可達(dá)32或者64，天線陣子數(shù)可達(dá)192、512。且5G天線對(duì)集成度有較高要求，需采用更多層的PCB，PCB用量顯著增加，為高頻通信材料行業(yè)提供了快速成長(zhǎng)的歷史機(jī)遇。（2）汽車(chē)電動(dòng)化智能化推動(dòng)高頻高速趨勢(shì)汽車(chē)電動(dòng)化智能化助力高頻PCB需求提升。PCB廣泛應(yīng)用于傳統(tǒng)汽車(chē)領(lǐng)域與新能源汽車(chē)領(lǐng)域，主要應(yīng)用于動(dòng)力控制系統(tǒng)、安全控制系統(tǒng)、車(chē)身電子系統(tǒng)、娛樂(lè)通訊四大系統(tǒng)。新能源汽車(chē)中高價(jià)值量汽車(chē)電子是汽車(chē)PCB快速發(fā)展的重要基礎(chǔ)。根據(jù)中國(guó)產(chǎn)業(yè)研究網(wǎng)測(cè)算，國(guó)內(nèi)緊湊型乘用車(chē)中汽車(chē)電子占成本的比重約為15%，中高端乘用車(chē)中汽車(chē)電子占成本的比重約為28%，而新能源汽車(chē)電子占成本的比重高達(dá)47%-65%。近年來(lái)，新能源汽車(chē)銷(xiāo)量及保有量增長(zhǎng)迅速，新能源汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)量增長(zhǎng)及滲透率提升將為整車(chē)PCB配套及上游電子級(jí)樹(shù)脂材料帶來(lái)了充裕的增量空間。汽車(chē)行業(yè)自動(dòng)駕駛、數(shù)字化、電動(dòng)化趨勢(shì)以及5G技術(shù)發(fā)展所帶來(lái)的高通訊速率支撐，為汽車(chē)輔助駕駛系統(tǒng)的進(jìn)一步發(fā)展提供了良好的支持。自動(dòng)機(jī)工程師學(xué)會(huì)將智能駕駛的等級(jí)分為五個(gè)等級(jí)，目前我們正處于ADAS階段。作為ADAS系統(tǒng)主力傳感器，毫米波雷達(dá)在行業(yè)中滲透率有望進(jìn)一步提升。由于毫米波雷達(dá)需準(zhǔn)確快速接收目標(biāo)反射信號(hào)，經(jīng)后方處理后快速準(zhǔn)確地獲取汽車(chē)車(chē)身周?chē)奈锢憝h(huán)境信息后通過(guò)ECU進(jìn)行智能處理，因此對(duì)于高頻通信材料有較高要求。佐思汽研數(shù)據(jù)庫(kù)顯示，2022年，中國(guó)乘用車(chē)市場(chǎng)（不含進(jìn)口車(chē)型）包括自主品牌與合資品牌所售車(chē)型中，共有867.0萬(wàn)輛車(chē)配備有毫米波雷達(dá)，五顆毫米波雷達(dá)方案覆蓋L2、L2.5、L2.9自動(dòng)駕駛車(chē)型，2022年配備毫米波雷達(dá)汽車(chē)銷(xiāo)量達(dá)60.9萬(wàn)輛。隨著車(chē)載毫米波雷達(dá)規(guī)模進(jìn)一步擴(kuò)大，高頻樹(shù)脂材料需求有望迎來(lái)放量增長(zhǎng)。（3）算力需求爆發(fā)推動(dòng)高頻高速趨勢(shì)算力需求提升遠(yuǎn)期將拉動(dòng)高頻高速樹(shù)脂用量。近期OpenAI的ChatGPT的顯著成功推動(dòng)了人工智能應(yīng)用發(fā)展的商業(yè)化。AI將在未來(lái)5至10年內(nèi)成為電子行業(yè)的主要驅(qū)動(dòng)力。而模型訓(xùn)練需要海量參數(shù)，其訓(xùn)練和推理過(guò)程需要消耗大量算力以及大量服務(wù)器支持。根據(jù)漢能投資集團(tuán)測(cè)算，1、訓(xùn)練方面：1746億參數(shù)的GPT-3模型大約需要375-625臺(tái)8卡DGXA100服務(wù)器（對(duì)應(yīng)訓(xùn)練時(shí)間10天左右），對(duì)應(yīng)A100GPU數(shù)量約3000-5000張。漢能投資集團(tuán)推測(cè)國(guó)內(nèi)確定性較大的訓(xùn)練方面的新增算力需求為11,250-18,750PFlops。2、推理方面：以A100GPU單卡單字輸出需要350ms為基準(zhǔn)計(jì)算，假設(shè)每日訪問(wèn)客戶數(shù)量為2,000萬(wàn)人，單客戶每日發(fā)問(wèn)ChatGPT應(yīng)用10次，單次需要50字回答，則每日消耗GPU的計(jì)算時(shí)間為972,222個(gè)運(yùn)行小時(shí)，對(duì)應(yīng)的GPU需求數(shù)量為40509個(gè)，換算成算力約25000PFlops。同時(shí)，隨著新模型推進(jìn)，新的參數(shù)需求量將直線增長(zhǎng)。IDC顯示到2025年全球數(shù)據(jù)創(chuàng)建量預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)到180ZB以上，數(shù)據(jù)創(chuàng)建量增長(zhǎng)強(qiáng)勁，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量的安裝基數(shù)預(yù)計(jì)將同步增加，對(duì)高頻PCB產(chǎn)品性能以及特種電子級(jí)樹(shù)脂要求也會(huì)增加。服務(wù)器更新迭代速度加快，高頻高速PCB市場(chǎng)迎增長(zhǎng)空間。CPU是服務(wù)器的核心部件，在服務(wù)器平臺(tái)升級(jí)換代中起決定作用。作為計(jì)算機(jī)的運(yùn)算核心與控制核心，CPU負(fù)責(zé)讀取電腦中所有操作指令，對(duì)指令譯碼執(zhí)行指令。需與芯片、PCB版、內(nèi)存和硬盤(pán)相互配合才能發(fā)揮出較好的效能。當(dāng)CPU架構(gòu)發(fā)生重大升級(jí)時(shí)，配套組件也需同步升級(jí)，共同推進(jìn)服務(wù)器平臺(tái)更新迭代。2019年5月，Intel正式發(fā)布PCLe5.0,相較于上一代PCLe4.0,相比較之前PCIE4.0的16GT/s，PCIE5.0將信號(hào)速率翻倍到32GT/s，x16雙工帶寬接近128GB/s。極高的信號(hào)速率，使得PCIE5.0能夠更好的支持對(duì)吞吐量要求高的高性能設(shè)備，如用于AI的GPU，網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等。同時(shí)也具備較高的信號(hào)完整性，可以連接顯卡、SSD配件以及平臺(tái)總線使用。因此，基于AI服務(wù)器在高性能計(jì)算資源、內(nèi)存和村塾以及網(wǎng)絡(luò)連接方面的升級(jí)，AI服務(wù)器PCB用量將有所提升。通用服務(wù)器PCB采用8-10層M6板為主，訓(xùn)練服務(wù)器PCB18-20層M8板，推理型服務(wù)器PCB為14-16層M6板。2023年1月，Intel發(fā)布第四代Xeon處理器，AMD也于2022年11月發(fā)布第四代EPYC處理器，隨著服務(wù)器進(jìn)一步升級(jí)更新及新一代CPU滲透率提升，相關(guān)高頻PCB、高頻CCL及上游電子級(jí)樹(shù)脂廠商將會(huì)從中獲益。1.2.PCB的高頻高速化帶來(lái)基材樹(shù)脂的需求轉(zhuǎn)變作為覆銅板三大原材料之一，電子級(jí)樹(shù)脂很大程度上決定了覆銅板性能以及最終的應(yīng)用場(chǎng)景。特種電子樹(shù)脂指的是基于差異化性能需求專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的具有特殊的骨架結(jié)構(gòu)和官能團(tuán)的一系列新型熱固性樹(shù)脂，由特種電子樹(shù)脂組合制成的覆銅板，其剛性、耐熱性、吸水性、線性膨脹系數(shù)、尺寸穩(wěn)定性以及介電性能等指標(biāo)得以相應(yīng)改善。覆銅板生產(chǎn)工藝流程包括：調(diào)膠、上膠含浸、半固化片切片、排版、上料銅箔熱壓、裁切和檢驗(yàn)等步驟。電子樹(shù)脂應(yīng)用于調(diào)膠流程，該流程系覆銅板生產(chǎn)的核心工藝環(huán)節(jié)；由于覆銅板的理化性能、介電性能及環(huán)境性能主要由膠液配方?jīng)Q定，因此覆銅板生產(chǎn)廠商通過(guò)研制不同的膠液配方，以適配PCB生產(chǎn)企業(yè)及終端客戶的多樣化、差異化需求。無(wú)鉛化、輕薄化、高頻高速化成為電子樹(shù)脂研發(fā)和制造的最新技術(shù)趨勢(shì)。隨著移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展與行業(yè)環(huán)保要求提高，基于環(huán)氧樹(shù)脂的覆銅板材料逐漸難以滿足高頻高速應(yīng)用需求，具有規(guī)整分子構(gòu)型和固化后較少極性基團(tuán)產(chǎn)生的苯并噁嗪樹(shù)脂、馬來(lái)酰亞胺樹(shù)脂、官能化聚苯醚樹(shù)脂等新型電子樹(shù)脂應(yīng)運(yùn)而生，無(wú)鉛化、輕薄化、高頻高速化成為電子樹(shù)脂研發(fā)和制造的最新技術(shù)趨勢(shì)。電子信息產(chǎn)品高頻化、高速化對(duì)印刷板的信號(hào)傳輸速率與介質(zhì)損耗提出了更高要求，CCL使用的樹(shù)脂種類(lèi)也會(huì)發(fā)生變化。其中，信號(hào)傳送速率與材料介電常數(shù)（DK）的平方根成反比關(guān)系，高介電常數(shù)容易引起信號(hào)傳輸延遲；信號(hào)損耗與介質(zhì)損耗（Df）成正比關(guān)系，介質(zhì)損耗越小信號(hào)損耗也越小。因此，高頻基板材料必須維持較小的Dk與Df。而降低覆銅板介質(zhì)材料的Dk與Df主要可以通過(guò)樹(shù)脂選擇、樹(shù)脂含量與增強(qiáng)材料三種途徑實(shí)現(xiàn)。LowLoss（低損耗）等級(jí)以上（基材Df≤0.008）的高頻高速電路用覆銅板，所用的主流樹(shù)脂組成工藝路線有兩條：一條是PTFE為代表的熱塑性樹(shù)脂體系構(gòu)成的工藝路線；另一條是以碳?xì)錁?shù)脂或者改性聚苯醚樹(shù)脂為代表的熱固性樹(shù)脂體系構(gòu)成的工藝路線。“PPO為主體+交聯(lián)劑”為當(dāng)前的主流樹(shù)脂路線。在高頻高速基板材料的發(fā)展初級(jí)階段，PTFE樹(shù)脂因其容易實(shí)現(xiàn)低介電損失性成為最早被使用的最成熟的特種樹(shù)脂，但其工業(yè)化成本較高。并且由于是熱塑性樹(shù)脂，PTFE在實(shí)現(xiàn)天線基板多層化、基材結(jié)構(gòu)復(fù)合化方面，面臨著不少工藝、設(shè)備配套等方面的困難問(wèn)題。聚苯醚(PPO或PPE)的介電性能僅次于PTFE，同時(shí)PPO材料的可加工性比PTFE材料好很多。因此，在熱固性樹(shù)脂體系構(gòu)成的第二條工藝路線中，目前是以“PPO為主體+交聯(lián)劑（交聯(lián)劑可為雙馬酰亞胺樹(shù)脂、三烯丙基三異氰酸脂(TAIC)、碳?xì)錁?shù)脂等）”為主流路線。同時(shí)，高頻高速電路用覆銅板用樹(shù)脂組成設(shè)計(jì)技術(shù)近幾年還不斷推進(jìn)，出現(xiàn)了以改性馬來(lái)酰亞胺（雙、多官能團(tuán)型）為主樹(shù)脂的工藝路線；以特種環(huán)氧樹(shù)脂（雙環(huán)戊二烯型、聯(lián)苯醚型等）+苯并噁嗪樹(shù)脂的工藝路線等構(gòu)成的極低損耗（VeryLowLoss）等級(jí)，以及在極低損耗等級(jí)以下的高頻高速電路用基材的覆銅板品種。電子樹(shù)脂國(guó)產(chǎn)化浪潮推進(jìn)，國(guó)內(nèi)企業(yè)迎來(lái)發(fā)展機(jī)遇。我國(guó)電子樹(shù)脂生產(chǎn)企業(yè)起步較晚，產(chǎn)品性能參數(shù)、質(zhì)量和穩(wěn)定性與經(jīng)營(yíng)多年的國(guó)際企業(yè)存在一定差距。目前在供給結(jié)構(gòu)上，我國(guó)電子樹(shù)脂產(chǎn)能以基礎(chǔ)液態(tài)環(huán)氧樹(shù)脂居多，高品質(zhì)的特種電子樹(shù)脂較少；能夠滿足下游PCB行業(yè)在綠色環(huán)保（無(wú)鉛無(wú)鹵）、輕薄化、高速高頻等方面要求的特種電子樹(shù)脂供應(yīng)緊張、高度依賴(lài)進(jìn)口。目前電子樹(shù)脂主要供應(yīng)商為日本大金、杜邦、旭化成、SABIC、三菱瓦斯在內(nèi)的外資企業(yè)以及晉一化工、長(zhǎng)春化工在內(nèi)的臺(tái)資企業(yè)。在我國(guó)戰(zhàn)略性布局電子信息產(chǎn)業(yè)及新材料產(chǎn)業(yè)的大背景下，電子樹(shù)脂行業(yè)的市場(chǎng)結(jié)構(gòu)亟待進(jìn)一步優(yōu)化，應(yīng)用于中高端覆銅板生產(chǎn)的高性能電子樹(shù)脂存在較大的國(guó)產(chǎn)化空間，國(guó)內(nèi)包括東材科技、圣泉集團(tuán)、宏昌電子以及同宇新材在內(nèi)的電子樹(shù)脂生產(chǎn)企業(yè)蘊(yùn)含巨大的市場(chǎng)空間和發(fā)展?jié)摿Α?.3.PTFE：高端化趨勢(shì)明顯，國(guó)內(nèi)企業(yè)已取得技術(shù)突破聚四氟乙烯（PTFE）是由四氟乙烯聚合而成的高分子化合物，是一種重要的有機(jī)氟材料，具有“塑料王”之稱(chēng)。聚四氟乙烯制品是由PTFE樹(shù)脂經(jīng)成型加工的方式制成的各種材料，其保持了PTFE的各種優(yōu)異性能。PTFE上游涉及基礎(chǔ)化工原料螢石、氫氟酸和三氯甲烷，成品下游需求主要來(lái)自于國(guó)防、航空航天、石油化工、電子、機(jī)械和醫(yī)療等領(lǐng)域。PTFE分子結(jié)構(gòu)使其具備良好的介電性能，目前已成高頻覆銅板主流基體。PTFE結(jié)構(gòu)式為—CF2-CF2—，其分子主鏈由C—C鍵構(gòu)成，所有的側(cè)鍵都為C—F鍵，由于C—F鍵的鍵能比C—H鍵高，電子云對(duì)C—C鍵的屏蔽作用大于氫原子，在碳碳骨架外形成了一個(gè)“氟代”保護(hù)層;同時(shí)，PTFE分子是完全對(duì)稱(chēng)的無(wú)支鏈的線性高分子，分子無(wú)極性。PTFE獨(dú)特的結(jié)構(gòu)決定了其具有各種優(yōu)異的性能:高度的化學(xué)穩(wěn)定性，不溶于任何酸、堿和有機(jī)溶劑;極強(qiáng)的耐高低溫性能，在－180~250℃可長(zhǎng)期使用;良好的電絕緣性和抗老化能力;高潤(rùn)滑不粘性;抗輻射性等。1960年，美國(guó)杜邦公司首次將PTFE樹(shù)脂用于高頻覆銅板的生產(chǎn)，經(jīng)過(guò)近60年的發(fā)展，PTFE高頻覆銅板的制造技術(shù)在不斷進(jìn)步，品種也多樣化，已成為現(xiàn)代通信領(lǐng)域不可缺少的材料之一。PTFE易蠕變且耐磨性差，有極高的熔體黏度，需進(jìn)行改性才能適應(yīng)覆銅板生產(chǎn)。因此，對(duì)PTFE進(jìn)行改性，開(kāi)發(fā)新型PTFE復(fù)合材料，已成為目前PTFE的主要研究和發(fā)展方向。目前，PTFE的改性主要采用復(fù)合的原則，將其與其他材料相結(jié)合以彌補(bǔ)PTFE的缺陷。改性的方法主要有:表面改性、填充改性和共混改性等。其中表面改性是指在PTFE表面的分子鏈中加入極性基團(tuán)，使其表面粗糙度增大，主要采用化學(xué)處理法中的偶聯(lián)劑的辦法。填充改性主要包括的是填料改性和纖維增強(qiáng)，常見(jiàn)的無(wú)機(jī)填料有碳酸鈣、二氧化硅、炭黑、二氧化鈦等無(wú)機(jī)物；而纖維增強(qiáng)主要指的是在PTFE中加入電子級(jí)的玻纖布，從而降低PTFE的熱膨脹性能。共混改性就是將多種，通常是兩種以上的聚合物混合在一起，主要包括物理混合和化學(xué)混合。目前，PTFE覆銅板種類(lèi)主要有短玻纖/玻纖布增強(qiáng)型、無(wú)機(jī)填料增強(qiáng)型、高介電常數(shù)型、無(wú)機(jī)填料/玻纖布增強(qiáng)型，每個(gè)種類(lèi)都可以按介電常數(shù)的不同形成不同產(chǎn)品，滿足不同產(chǎn)品需求。高能覆銅板領(lǐng)域由美日頭部企業(yè)占據(jù)，前五大廠商占比達(dá)90%。海外企業(yè)積極開(kāi)拓高端市場(chǎng)，近年來(lái)接連推出高頻、低傳輸損耗覆銅板新品種，技術(shù)水平遠(yuǎn)超國(guó)內(nèi)公司和臺(tái)資企業(yè)。目前全球領(lǐng)先的高頻覆銅板供應(yīng)商主要有美國(guó)三巨頭羅杰斯、泰康利、伊索拉和日本的松下電工、日立化成。我國(guó)PTFE產(chǎn)能集中度較高，但主要集中在注塑型中低端產(chǎn)品，低端產(chǎn)能過(guò)剩且仍處于擴(kuò)張階段。國(guó)內(nèi)PTFE產(chǎn)能主要集中在東岳化工、中昊晨光、浙江巨化、江西理文和魯西化工等企業(yè)，CAR4達(dá)63.54%。近二十多年來(lái)隨著國(guó)內(nèi)氟化工技術(shù)的突破，PTFE產(chǎn)能逐漸從海外向中國(guó)轉(zhuǎn)移，2019年在全球總產(chǎn)能中占比超過(guò)40%。由于國(guó)內(nèi)制冷劑企業(yè)所需低端PTFE行業(yè)壁壘較低，行業(yè)曾經(jīng)歷盲目擴(kuò)張階段，整體開(kāi)工率連續(xù)五年維持50%-70%。目前，我國(guó)PTFE常年處于凈出口狀態(tài)，低端PTFE競(jìng)爭(zhēng)充分但高端PTFE嚴(yán)重依賴(lài)進(jìn)口，進(jìn)口價(jià)格普遍高于出口價(jià)格。國(guó)內(nèi)PTFE高頻覆銅板企業(yè)已取得技術(shù)突破，PTFE樹(shù)脂擴(kuò)產(chǎn)加速。廣東生益公司推出CGA-500系列、天線射頻電路用玻璃布增強(qiáng)PTFE覆銅板產(chǎn)品，在高頻領(lǐng)域具備聚四氟乙烯(PTFE)和碳?xì)鋬蓚€(gè)系列的產(chǎn)品。浙江華正公司高頻板H5系列已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，同時(shí)又從部分專(zhuān)利公開(kāi)信息來(lái)看，南京大學(xué)、江蘇迪飛達(dá)電子有限公司等也在積極研發(fā)聚四氟乙烯高頻覆銅板開(kāi)發(fā)了HC系列和HN系列，PTFE和碳?xì)湎盗挟a(chǎn)品種類(lèi)豐富。樹(shù)脂供應(yīng)方面，昊華科技、巨化股份等多家國(guó)內(nèi)大型PTFE生產(chǎn)企業(yè)正積極布局高端PTFE，有望緩解我國(guó)嚴(yán)重依賴(lài)進(jìn)口的被動(dòng)局面。1.4.碳?xì)錁?shù)脂：高頻覆銅板用碳?xì)錁?shù)脂體系仍處于探索階段碳?xì)錁?shù)脂性質(zhì)良好，在高頻高速覆銅板領(lǐng)域的用量日益擴(kuò)大。碳?xì)錁?shù)脂是指僅由C、H兩種元素組成的飽和及不飽和聚合物。其分子鏈中C－H鍵的極性小，C－H及C－C鍵能高、極化率低、密度小，因此碳?xì)渚酆衔锞哂袃?yōu)異的介電性能及耐熱穩(wěn)定性。且碳?xì)錁?shù)脂來(lái)源廣泛、價(jià)格低廉，具有較高的性?xún)r(jià)比，是非常具有競(jìng)爭(zhēng)力的高頻、高速及高性能電路基板用樹(shù)脂基體。設(shè)計(jì)符合覆銅板用碳?xì)錁?shù)脂體系配方，是國(guó)內(nèi)外企業(yè)技術(shù)突破的方向。碳?xì)錁?shù)脂作為一種熱塑性樹(shù)脂，存在力學(xué)強(qiáng)度低、熱性能不足等問(wèn)題。覆銅板用碳?xì)錁?shù)脂需增強(qiáng)改性，提高碳?xì)錁?shù)脂材料的力學(xué)強(qiáng)度和耐高溫性能。具體可通過(guò)分子中不飽和雙鍵的交聯(lián)反應(yīng)形成高度交聯(lián)的互穿聚合物網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，使其由熱塑性向熱固型樹(shù)脂轉(zhuǎn)變實(shí)現(xiàn)。覆銅板用碳?xì)錁?shù)脂需滿足以下條件：①分子結(jié)構(gòu)中必須含有不飽和烯鍵或具有反應(yīng)活性的原子團(tuán)，且分子鏈上的活性官能團(tuán)數(shù)目須大于2。②需有適宜的分子量及分布。③交聯(lián)固化反應(yīng)后，應(yīng)具有熱固性樹(shù)脂的特性。④滿足濕法工藝的要求。國(guó)外率先開(kāi)展高頻高速覆銅板用樹(shù)脂配方研發(fā)并已取得成果。目前國(guó)內(nèi)外高頻高速覆銅板用碳?xì)錁?shù)脂研發(fā)路線主要有：①碳?xì)錁?shù)脂為主體的樹(shù)脂；②雙鍵改性聚苯醚/馬來(lái)酰亞胺+碳?xì)錁?shù)脂；③碳?xì)錁?shù)脂與其他類(lèi)型的樹(shù)脂如環(huán)氧樹(shù)脂、苯并噁嗪樹(shù)脂配合使用。Rogers將低分子量的聚丁二烯或聚異戊二烯、玻纖布、填料、阻燃劑和引發(fā)劑等組合以合適的組分配比制備電路基板，呈現(xiàn)優(yōu)異的低介電性能；2017年，日本松下開(kāi)始研究碳?xì)錁?shù)脂在馬系覆銅板中的應(yīng)用，2018年推出的M-7N產(chǎn)品就用到了碳?xì)錁?shù)脂。松下以雙鍵末端的聚苯醚和分子量低于10000的丁苯共聚物作為基體樹(shù)脂，與固化劑、阻燃劑充分分散后得到的樹(shù)脂清漆并涂布在銅箔表面，制備出具有優(yōu)良介電性能、耐熱和成膜性能的覆銅板。2023年，松下研制的熱固性碳?xì)錁?shù)脂覆銅板（也可能還是碳?xì)錁?shù)脂為主體，配少量熱固性樹(shù)脂）或?qū)⒚媸?。我?guó)對(duì)高頻電子電路基材用碳?xì)錁?shù)脂的研究、生產(chǎn)起步較晚，尚未實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用。目前全球高頻電子電路基材用碳?xì)錁?shù)脂生產(chǎn)企業(yè)主要集中在美國(guó)、日本、德國(guó)等地區(qū)，主要企業(yè)為沙多瑪、科騰高性能聚合物公司、旭化成株式會(huì)社、曹達(dá)株式會(huì)社等。相比而言，中國(guó)的四川東材科技集團(tuán)股份有限公司雖然研發(fā)出高頻電子電路基材用碳?xì)錁?shù)脂，但尚未實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用。下游碳?xì)涓层~板廠商已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，為電子級(jí)碳?xì)錁?shù)脂的進(jìn)口替代提供技術(shù)支持。近年來(lái)，生益科技、南亞新材等覆銅板公司在碳?xì)涓咚俑哳l覆銅板產(chǎn)品領(lǐng)域重點(diǎn)投入，產(chǎn)品核心性能已比肩海外龍頭企業(yè)。其中，生益科技于2012年開(kāi)始高頻高速板材研發(fā)，目前已有S7136H、LNB33等碳?xì)涓哳l覆銅板投產(chǎn)，并獲得了華為、中興、諾基亞、浪潮等先進(jìn)通訊、服務(wù)器終端客戶的認(rèn)可。2020年11月，生益科技企業(yè)集團(tuán)率先在國(guó)際上提出兩項(xiàng)熱固碳?xì)涓层~板IEC標(biāo)準(zhǔn)，體現(xiàn)了生益科技在碳?xì)涓层~板配方及制造技術(shù)上的領(lǐng)先性。南亞新材不斷完善碳?xì)湎盗挟a(chǎn)品，NYHP-7300L、NYHP-7003C等產(chǎn)品已經(jīng)在國(guó)內(nèi)主流天線終端導(dǎo)入量產(chǎn)。此外，中英科技持續(xù)加大碳?xì)錁?shù)脂基覆銅板研發(fā)力度，ZYC8350T/TL等產(chǎn)品已完成中試。1.5.PPO：行業(yè)壁壘較高且供需格局偏緊，布局企業(yè)有望迎來(lái)快速成長(zhǎng)機(jī)會(huì)聚苯醚性能優(yōu)良，可用于提升覆銅板的電性能。聚苯醚簡(jiǎn)稱(chēng)PPO，是一種線型的、非結(jié)晶性的耐高溫的熱塑性樹(shù)脂，聚苯醚工業(yè)化生產(chǎn)包括單體2,6-二甲基苯酚合成和聚苯醚合成兩部分。在金屬氧化物催化劑的作用下，苯酚與甲醇在高溫下發(fā)生甲基化反應(yīng)生產(chǎn)出2,6-二甲基苯酚，再通過(guò)2,6-二甲基苯酚為單體進(jìn)行氧化偶合縮聚反應(yīng)，得到聚苯醚。PPO具備優(yōu)良的力學(xué)性能、耐熱耐水性、電氣絕緣性及良好的耐化學(xué)藥品性，因此被認(rèn)為是覆銅板類(lèi)電子電氣領(lǐng)域最有應(yīng)用潛力的基體樹(shù)脂之一。低分子量PPO無(wú)法滿足電子產(chǎn)品輕薄化、多功能化需求，必須經(jīng)熱固性改性后才能滿足覆銅板的使用要求。由于PPO是一種熱塑性樹(shù)脂，其具有耐芳香烴及鹵代烴等溶劑性差；在熔融狀態(tài)下黏度較高，加工成型較為困難等缺點(diǎn)。這些缺點(diǎn)限制了PPO在電子電氣、汽車(chē)工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用，因此需要對(duì)其進(jìn)行改性使其能形成交聯(lián)固化的熱固性樹(shù)脂，來(lái)改善其耐溶劑性和加工難度等性能。改性PPO主要包括共混改性PPO和結(jié)構(gòu)官能化法改性PPO。其中，共混改性PPO是指常采用合金化或加入活性稀釋劑等方法對(duì)PPO進(jìn)行改性。結(jié)構(gòu)官能化法是PPO改性中最有前景的一種，它是指在PPO結(jié)構(gòu)中引入一些可參與反應(yīng)或極性較大的官能團(tuán)，通過(guò)這些基團(tuán)的引入，改善PPO與其它共混樹(shù)脂或塑料的相容性和反應(yīng)性，得到性能優(yōu)異的改性體系。PPO改性研究工作經(jīng)歷了數(shù)十年演進(jìn)，覆銅板用PPO改性技術(shù)逐漸成熟。1957年，GE公司首次通過(guò)氧化偶合法，由2，6-二甲基苯酚聚合得到PPO，并于1965年實(shí)現(xiàn)了工業(yè)化生產(chǎn)。20世紀(jì)80年代開(kāi)始，公司首次用“Noryl”的塑料片材覆上銅箔壓制成覆銅板，但沒(méi)有改變PPO熱塑性材料的本質(zhì)，無(wú)法滿足覆銅板的性能要求。隨后，住友、松下、GE等公司針對(duì)PPO熱固性不足、浸漬性差等問(wèn)題展開(kāi)研究，合成了熱固性良好的PPO樹(shù)脂用于覆銅板制造。目前，覆銅板用聚苯醚改性技術(shù)可通過(guò)PPO分子量再分配技術(shù)和直接合成低分子量改性聚苯醚兩種方法實(shí)現(xiàn)。PPO分子量再分配是通過(guò)高分子量的PPO和二酚單體在催化劑的作用下進(jìn)行反應(yīng)，使高分子量PPO的主鏈斷裂，生成低分子量的PPO。直接合成低分子量改性PPO指通過(guò)氧化偶合法由2，6-二甲基苯酚聚合到一定程度時(shí)，加入耦合劑或終止反應(yīng)，即可得到所需分子量的雙官能或單官能的PPO。AI浪潮催動(dòng)PPO需求的快速提升。由于PPO性能優(yōu)異，廣泛應(yīng)用于高端AI服務(wù)器用覆銅板基材。隨著AI發(fā)展帶動(dòng)的服務(wù)器數(shù)量增長(zhǎng)、單機(jī)PCB面積與層數(shù)提升以及對(duì)高頻高速覆銅板需求提升，PPO市場(chǎng)發(fā)展前景廣闊。據(jù)TrendForce預(yù)測(cè)，23-26年AI服務(wù)器出貨量為1183、1504、1895、2369千臺(tái)，同比增長(zhǎng)38.4%、27.1%、26.0%、25.0%。據(jù)財(cái)聯(lián)社，目前PPO行業(yè)規(guī)模約1000噸，而每100萬(wàn)臺(tái)AI服務(wù)器對(duì)PPO的新增需求就超1000噸。因此，未來(lái)三年內(nèi)，僅AI服務(wù)器領(lǐng)域帶來(lái)的PPO新增需求或?qū)⒊^(guò)1500噸。PPO樹(shù)脂行業(yè)壁壘較高，供給緊缺將帶動(dòng)PPO價(jià)格上漲。高頻高速PCB的PPO樹(shù)脂需要改性，并非所有的PPO廠家都可以用作高頻高速PCB基材樹(shù)脂。且PPO需要通過(guò)下游CCL、PCB和終端服務(wù)器廠商的三重認(rèn)證，供應(yīng)商資質(zhì)極難拿到，整個(gè)認(rèn)證周期在1年以上甚至2年，進(jìn)入壁壘較高。目前全球PPO產(chǎn)能高度集中在少數(shù)發(fā)達(dá)國(guó)家的相關(guān)企業(yè)。據(jù)財(cái)聯(lián)社報(bào)道，目前全球僅有沙比克、旭化成、日本三菱瓦斯化學(xué)等少數(shù)幾家企業(yè)掌握了工業(yè)化生產(chǎn)PPO的能力，其中沙比克作為全球唯一的PCB用PPO樹(shù)脂供應(yīng)商，PPO產(chǎn)能為13.5萬(wàn)噸/年，2022年銷(xiāo)量?jī)H有1000余噸。國(guó)內(nèi)僅有圣泉集團(tuán)、南通星辰和鑫寶新材等幾家公司有PPO的產(chǎn)能布局。據(jù)財(cái)聯(lián)社，目前PPO的市場(chǎng)價(jià)格大概70萬(wàn)-80萬(wàn)/噸，考慮到曾經(jīng)行業(yè)高點(diǎn)的100萬(wàn)元/噸，如果供需格局持續(xù)偏緊，未來(lái)PPO價(jià)格仍有較大的上漲空間。國(guó)內(nèi)企業(yè)加速技術(shù)瓶頸突破，相關(guān)PPO布局企業(yè)受益。目前中國(guó)藍(lán)星集團(tuán)是聚苯醚最大的生產(chǎn)企業(yè)，2020年自主研發(fā)技術(shù)新建產(chǎn)能3萬(wàn)噸，目前總產(chǎn)能達(dá)5萬(wàn)噸。2017年，邯鄲市峰峰鑫寶新材料有限公司收條溶液法聚苯醚原粉生產(chǎn)線試車(chē)成功，年產(chǎn)1萬(wàn)噸；其唐山工廠內(nèi)建設(shè)有10條全自動(dòng)改性生產(chǎn)線其裝置產(chǎn)能12萬(wàn)噸/年，是國(guó)內(nèi)較大產(chǎn)能的PPO項(xiàng)目。鑒于PPO在電子領(lǐng)域的應(yīng)用前景，我國(guó)企業(yè)加速PPO技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)能布局，有望突破國(guó)外壟斷局面。目前，圣泉集團(tuán)5G/6G通訊用PPO產(chǎn)品于2023年成功實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)，并率先通過(guò)終端客戶認(rèn)證；同宇新材自主研發(fā)羥基化聚苯醚樹(shù)脂以及官能化改性聚苯醚樹(shù)脂已完成研發(fā)工作，處于中試階段；宏昌電子開(kāi)發(fā)的PPO已通過(guò)應(yīng)用于無(wú)錫宏仁的部分高頻高速板，因此已間接進(jìn)入Intel高頻高速板選材參考平臺(tái)；此外，東材科技等企業(yè)均有PPO相關(guān)的產(chǎn)能布局及擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。隨著人工智能產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展，PPO相關(guān)布局企業(yè)有望迎來(lái)新的利潤(rùn)增長(zhǎng)點(diǎn)。2.封裝材料：環(huán)氧樹(shù)脂是應(yīng)用最廣泛的封裝材料2.1.環(huán)氧模塑料是應(yīng)用最廣泛的封裝材料集成電路封裝是將通過(guò)測(cè)試的晶圓按照產(chǎn)品型號(hào)及功能需求加工得到獨(dú)立芯片的過(guò)程。其是半導(dǎo)體芯片制造的后道工序，是實(shí)現(xiàn)芯片功能、保障器件系統(tǒng)正常運(yùn)行的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。整個(gè)封裝流程需要用到的材料主要有芯片粘結(jié)材料、陶瓷封裝材料、鍵合絲、引線框架、封裝基板、切割材料等。環(huán)氧塑封料是最主流封裝材料，環(huán)氧樹(shù)脂為其基體樹(shù)脂。按照封裝材料種類(lèi)的不同，電子器件封裝可以分為金屬封裝、陶瓷封裝和塑料封裝三種。環(huán)氧塑封料（EpoxyMoldingCompound，簡(jiǎn)稱(chēng)EMC）全稱(chēng)為環(huán)氧樹(shù)脂模塑料，是用于半導(dǎo)體封裝的一種熱固性化學(xué)材料，是由環(huán)氧樹(shù)脂為基體樹(shù)脂，以高性能酚醛樹(shù)脂為固化劑，加入硅微粉等填料，以及添加多種助劑加工而成，主要功能為保護(hù)半導(dǎo)體芯片不受外界環(huán)境（水汽、溫度、污染等）的影響，并實(shí)現(xiàn)導(dǎo)熱、絕緣、耐濕、耐壓、支撐等復(fù)合功能。(環(huán)氧)塑封具有成本低、尺寸小、質(zhì)量小、可批量生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)，根據(jù)中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所SIMIT戰(zhàn)略研究室公布的《我國(guó)集成電路材料專(zhuān)題系列報(bào)告》，90%以上的集成電路均采用環(huán)氧塑封料作為包封材料。世界半導(dǎo)體封裝技術(shù)經(jīng)歷了五個(gè)發(fā)展階段。目前，全球半導(dǎo)體封裝的主流正處在第三階段的成熟期與快速發(fā)展期，以CSP和BGA等主要封裝形式進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)階段，同時(shí)也在向第四、第五階段發(fā)展。封裝市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)將帶動(dòng)環(huán)氧塑封料的需求，同時(shí)先進(jìn)封裝市場(chǎng)增速將顯著快于傳統(tǒng)封裝市場(chǎng)增速將帶動(dòng)不同環(huán)氧塑封料產(chǎn)品需求結(jié)構(gòu)的變化。近年來(lái)，全球半導(dǎo)體封裝測(cè)試市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)明顯，在摩爾定律不斷逼近物理極限大背景下，半導(dǎo)體前道和后道工序加速融合，先進(jìn)封裝成為行業(yè)關(guān)注焦點(diǎn)，并將重塑半導(dǎo)體行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局。2022年先進(jìn)封裝市場(chǎng)在整個(gè)集成電路封裝市場(chǎng)中占比約為47%。隨著晶圓代工廠、IDM（集成器件制造商）涉足先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)，Chiplet（芯粒）技術(shù)引領(lǐng)先進(jìn)封裝發(fā)展，多片異構(gòu)成未來(lái)主流。根據(jù)Yole預(yù)測(cè)，在先進(jìn)封裝市場(chǎng)內(nèi)部，包括FCBGA（倒裝芯片球柵格陣列）和FCCSP（倒裝芯片芯片尺寸封裝）在內(nèi)的倒裝芯片平臺(tái)在2022年占51%的市場(chǎng)份額。從2022年至2028年期間，收益復(fù)合年均增長(zhǎng)率最高的細(xì)分市場(chǎng)預(yù)期會(huì)是嵌入式晶片、2.5D/3D，以及倒裝芯片，其增長(zhǎng)率分別為30%、19%和8.5%。先進(jìn)封裝市場(chǎng)將在2022年至2028年以10.6%的復(fù)合年均增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，達(dá)到786億美元；相比之下，傳統(tǒng)封裝市場(chǎng)預(yù)計(jì)2022年到2028年的復(fù)合年均增長(zhǎng)率較緩慢，為3.2%，期末市場(chǎng)價(jià)值將達(dá)到575億美元。整體而言，封裝市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以6.9%的復(fù)合年均增長(zhǎng)率增長(zhǎng)至1,360億美元。封裝技術(shù)的持續(xù)演進(jìn)對(duì)環(huán)氧塑封料提出了更多、更嚴(yán)苛的性能要求，。隨著半導(dǎo)體芯片進(jìn)一步朝向高集成度與多功能化的方向發(fā)展，環(huán)氧塑封料廠商需要針對(duì)性地開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品以匹配下游客戶日益復(fù)雜的性能需求，因而應(yīng)用于歷代封裝形式的各類(lèi)產(chǎn)品的配方開(kāi)發(fā)（主要涉及原材料選擇與配比）、生產(chǎn)中的加料順序、混煉溫度、混煉時(shí)間、攪拌速度等工藝參數(shù)均存有所不同，即各類(lèi)產(chǎn)品在理化性能、工藝性能以及應(yīng)用性能等方面均存在差異，故業(yè)界稱(chēng)為“一代封裝、一代材料”。2.2.環(huán)氧模塑料：我國(guó)現(xiàn)已成為世界環(huán)氧塑封料的最大生產(chǎn)基地，但中高端產(chǎn)品仍然依賴(lài)進(jìn)口我國(guó)現(xiàn)已成為世界環(huán)氧塑封料的最大生產(chǎn)基地。目前我國(guó)環(huán)氧塑封料的產(chǎn)能超過(guò)14萬(wàn)噸，約為全球產(chǎn)能的35%，現(xiàn)已成為世界上最大的環(huán)氧塑封材料以及封裝填料生產(chǎn)基地，根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，中國(guó)半導(dǎo)體用環(huán)氧塑封料產(chǎn)量約為17.16萬(wàn)噸，需求年約為11.13萬(wàn)噸。我國(guó)集成電路封裝測(cè)試業(yè)整體水平和全球主流技術(shù)還存在較大的差距，中高端產(chǎn)品仍然依賴(lài)進(jìn)口或是外企設(shè)在中國(guó)的制造基地供給。國(guó)內(nèi)內(nèi)資企業(yè)以一代、二代封裝技術(shù)為主（如DIP、SOP），產(chǎn)品多屬于中低端類(lèi)。隨著我國(guó)集成電路封測(cè)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新步伐加快，附加值較高的第三代、第四代高端封裝產(chǎn)品，如高速寬帶網(wǎng)絡(luò)芯片、多種數(shù)模混合芯片、專(zhuān)用電路芯片、信息安全芯片等一批系統(tǒng)級(jí)芯片產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn)，QFN、BGA、WLP、SiP、TSV、3D等先進(jìn)集成電路封裝測(cè)試應(yīng)運(yùn)而生并實(shí)現(xiàn)了批量化生產(chǎn)，但是生產(chǎn)規(guī)模很小，尚不能滿足國(guó)內(nèi)高端市場(chǎng)日益增長(zhǎng)的需求。此外，在環(huán)氧塑封料方面，根據(jù)集成電路材料產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟發(fā)布的《2021年專(zhuān)用封裝材料產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)報(bào)告》，我國(guó)環(huán)氧模塑料在中低端封裝產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)，在OFP、QFN、模組類(lèi)封裝領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)小批量供貨:應(yīng)用于FC-CSP、FOWLP、WLCSP、FOPLP等先進(jìn)封裝的產(chǎn)品成熟度較低。而外資封裝測(cè)試企業(yè)則已經(jīng)實(shí)現(xiàn)在全球進(jìn)行生產(chǎn)資源配置，多采用主流BGA、CSP、MCM、MEMS等封裝形式，技術(shù)水平高于內(nèi)資企業(yè)。半導(dǎo)體封裝材料行業(yè)屬于技術(shù)密集性行業(yè)，配方技術(shù)與生產(chǎn)工藝技術(shù)的創(chuàng)新性是產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的關(guān)鍵基礎(chǔ)。在配方開(kāi)發(fā)過(guò)程中，需在眾多化合物中篩選出數(shù)十種原材料（包括主料及添加劑）進(jìn)行復(fù)配，確定合適的添加比例，并充分考慮成本等因素以滿足量產(chǎn)的需求。由于配方中任一原材料的種類(lèi)或比例變動(dòng)都可能導(dǎo)致在優(yōu)化某一性能指標(biāo)時(shí)，對(duì)其它性能指標(biāo)產(chǎn)生不利影響，因此，產(chǎn)品配方需要充分考慮各原材料由于種類(lèi)或比例不同對(duì)各項(xiàng)性能造成的相互影響，并在多項(xiàng)性能需求間實(shí)現(xiàn)有效平衡，以保證產(chǎn)品的可靠性。同時(shí)，由于不同客戶或同一客戶不同產(chǎn)品的封裝形式、生產(chǎn)設(shè)備選型、工藝控制、前道材料選用、可靠性考核要求及終端應(yīng)用場(chǎng)景等方面存在差異，對(duì)環(huán)氧塑封料的各項(xiàng)性能指標(biāo)都有獨(dú)特的要求，因此對(duì)環(huán)氧塑封料的需求呈現(xiàn)定制化特征。國(guó)內(nèi)環(huán)氧塑封料生產(chǎn)的集中度高。目前我國(guó)電子封裝材料規(guī)模生產(chǎn)的企業(yè)不多，產(chǎn)線并無(wú)統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)，需企業(yè)自行設(shè)計(jì)進(jìn)行定制，較傳統(tǒng)設(shè)備投資金額更大，且電子封裝材料中的環(huán)氧封裝材料生產(chǎn)的主要技術(shù)掌握在幾家規(guī)模生產(chǎn)企業(yè)手上，行業(yè)集中度高。目前行業(yè)內(nèi)主要企業(yè)為衡所華威電子、北京科化新材料、長(zhǎng)興昆電和華海誠(chéng)科。2.3.環(huán)氧樹(shù)脂：國(guó)產(chǎn)化高端樹(shù)脂產(chǎn)品仍需突破環(huán)氧樹(shù)脂是指分子中含有兩個(gè)或兩個(gè)以上環(huán)氧基團(tuán)的一類(lèi)高分子化合物，可與胺、咪唑、酸酐、酚醛樹(shù)脂等各類(lèi)固化劑配合使用形成三維網(wǎng)狀固化物。具有力學(xué)性能高、內(nèi)聚力強(qiáng)、分子結(jié)構(gòu)致密，粘接性能優(yōu)異，固化收縮率?。óa(chǎn)品尺寸穩(wěn)定、內(nèi)應(yīng)力小、不易開(kāi)裂），絕緣性好，防腐性好，穩(wěn)定性好，耐熱性好（可達(dá)200℃或更高）的特點(diǎn)，因此被廣泛應(yīng)用于涂料、電子電器、復(fù)合材料、膠黏劑等各個(gè)領(lǐng)域。我國(guó)環(huán)氧樹(shù)脂需求量平緩增長(zhǎng)，普通級(jí)環(huán)氧樹(shù)脂處于供給充分的狀態(tài)。2017至2021年，我國(guó)環(huán)氧樹(shù)脂的表觀需求量從141萬(wàn)噸增長(zhǎng)至161萬(wàn)噸，CAGR為3.25%，而后2022年有所回落。同時(shí)，截止2023H1，我國(guó)酚醛樹(shù)脂產(chǎn)能達(dá)319萬(wàn)噸/年，整體23H1開(kāi)工率不足50%，供給較為充分。我國(guó)環(huán)氧樹(shù)脂行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈，但電子級(jí)等高端產(chǎn)品依賴(lài)進(jìn)口。根據(jù)中國(guó)海關(guān)數(shù)據(jù)，國(guó)內(nèi)環(huán)氧樹(shù)脂平均進(jìn)口價(jià)格遠(yuǎn)高于出口價(jià)格，2023年H1，我國(guó)初級(jí)形狀的酚醛樹(shù)脂出口量為9.12萬(wàn)噸，進(jìn)口量為8.14萬(wàn)噸，但平均出口單價(jià)為2510美元/噸，僅為平均進(jìn)口單價(jià)4333美元/噸的58%。我國(guó)環(huán)氧樹(shù)脂產(chǎn)品的進(jìn)出口結(jié)構(gòu)不平衡，特種環(huán)氧樹(shù)脂生產(chǎn)企業(yè)較少，大量產(chǎn)品依賴(lài)進(jìn)口。隨電子電氣類(lèi)等特種環(huán)氧樹(shù)脂的國(guó)產(chǎn)廠商持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，國(guó)產(chǎn)化進(jìn)度有望不斷提升。目前國(guó)內(nèi)普通環(huán)氧樹(shù)脂市場(chǎng)增速放緩，而高端環(huán)氧樹(shù)脂需求量大，且大量依賴(lài)進(jìn)口。電子電氣類(lèi)的特種環(huán)氧樹(shù)脂方面，日本企業(yè)總體處于領(lǐng)先位置，代表企業(yè)包括日本化藥、日本DIC、三菱化學(xué)、新日鐵等。國(guó)內(nèi)企業(yè)中，圣泉集團(tuán)、宏昌電子、同宇新材、東材科技等公司已經(jīng)在覆銅板和電子封裝用環(huán)氧樹(shù)脂有一定基礎(chǔ)，并供應(yīng)給生益科技、南亞新材、華正新材等廠商。3.光刻膠樹(shù)脂：高端制程所用樹(shù)脂仍需突破3.1.半導(dǎo)體行業(yè)的持續(xù)發(fā)展帶動(dòng)光刻膠需求的持續(xù)提升光刻技術(shù)是大規(guī)模集成電路制造的過(guò)程中最重要的工藝之一。光刻就是借助光致抗蝕劑(又名光刻膠)，在特定光源照射下進(jìn)行曝光，再通過(guò)顯影、刻蝕等步驟，將掩膜上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上的技術(shù)。光刻和刻蝕決定了芯片的最小特征尺寸，是大規(guī)模集成電路制造的過(guò)程中最重要的工藝。光刻和刻蝕工藝占芯片制造時(shí)間的40%-50%，占制造成本的30%。在圖形轉(zhuǎn)移過(guò)程中，一般要對(duì)硅片進(jìn)行十多次光刻。光刻膠是光刻過(guò)程中最關(guān)鍵的功能材料。光刻技術(shù)包含光源、光刻膠、光刻工藝等三個(gè)要素，其中光刻膠是光刻過(guò)程中最關(guān)鍵的功能材料。光刻膠處于集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的上游，具有用量少、純度高等特點(diǎn)，其成本最高能占到最終產(chǎn)品的20%，但其質(zhì)量的高低對(duì)產(chǎn)品的性能至關(guān)重要。光刻膠的發(fā)展水平代表整個(gè)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平。光刻膠是指經(jīng)過(guò)不同波長(zhǎng)的曝光光源進(jìn)行曝光后，在曝光區(qū)域能夠發(fā)生交聯(lián)或光解，使其在顯影液中的物理性能，特別是溶解性或親疏水性發(fā)生變化的混合液體。曝光后，曝光區(qū)域的光刻膠在顯影液中溶解性發(fā)生變化，經(jīng)顯影液顯影后得到特定光刻圖形。正性光刻膠占總量的80%以上。根據(jù)曝光后在顯影液中溶解度的差異，將光刻膠分為正性光刻膠（光解性）和負(fù)性光刻膠（交聯(lián)型）。其中，正性光刻膠在顯影液中的溶解度增加，得到的圖案與掩膜版相同；負(fù)性光刻膠則相反，即經(jīng)顯影液后溶解度降低甚至不溶，得到的圖案與掩膜版相反。兩種光刻膠的應(yīng)用領(lǐng)域是不同的，對(duì)于正性光刻膠來(lái)說(shuō)，一般在曝光過(guò)程中產(chǎn)生酸性物質(zhì)，用堿性顯影液顯影過(guò)程中，曝光的光刻膠會(huì)逐漸溶解，而顯影液對(duì)未曝光區(qū)域沒(méi)有影響，使得光刻膠能較好地保持圖形化和圖形尺寸。對(duì)于負(fù)性光刻膠而言，顯影液可以滲進(jìn)曝光區(qū)域?qū)е缕毓鈪^(qū)域的光刻膠溶脹變形，分辨率降低。相對(duì)而言，使用正性光刻膠可以獲得更高的圖形分辨率?？傮w而言，正性光刻膠使用更為普遍，占到總量的80%以上。目前，全球芯片工藝水平已跨入微納米級(jí)別，根據(jù)光源及其曝光方式的不同，可將半導(dǎo)體光刻膠分為“G/I線膠”、“KrF膠”、“ArF膠”、“浸沒(méi)式ArF膠”、“EUV膠”，其分別對(duì)應(yīng)350nm、110nm、65nm、35nm、7nm的極限芯片制程。光刻膠市場(chǎng)將不斷擴(kuò)大，高端光刻膠占比將持續(xù)提升。TECHCET預(yù)計(jì)市場(chǎng)將保持強(qiáng)勁發(fā)展，2022-2027年的復(fù)合年增長(zhǎng)率為4.1%。從全球光刻膠分類(lèi)市場(chǎng)份額占比來(lái)看，高端光刻膠占據(jù)最大的市場(chǎng)份額。根據(jù)TECHCET數(shù)據(jù)披露，2020年全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)份額：ArFi（38%）、KrF（34%）、G/I線（16%）、ArF（10%）、EUV（1%）。未來(lái)，用于引入先進(jìn)邏輯和存儲(chǔ)器等新技術(shù)的EUV和KrF將是增長(zhǎng)最快的光刻膠產(chǎn)品，隨著三星、臺(tái)積電、英特爾等公司將一些工藝從ArF和ArFi(193nm和193nm浸沒(méi)式193i)轉(zhuǎn)向EUV和193i的組合，EUV的產(chǎn)量迅猛增長(zhǎng)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐漸向大陸轉(zhuǎn)移，光刻膠行業(yè)有望受益。根據(jù)晶瑞電材披露，全球范圍看，只有中國(guó)大陸半導(dǎo)體材料市場(chǎng)處于長(zhǎng)期增長(zhǎng)狀態(tài)，2016-2018年連續(xù)三年增速超過(guò)10%。2007年至2021年，中國(guó)大陸半導(dǎo)體材料銷(xiāo)售額從全球占7.7%大幅提升至18.8%。同時(shí)，中國(guó)大陸晶圓廠建設(shè)將迎來(lái)高速增長(zhǎng)期。2020年至2022年是中國(guó)大陸晶圓廠投產(chǎn)高峰期，以長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等新興晶圓廠和以中芯國(guó)際、華虹為代表的老牌晶圓廠正處于產(chǎn)能擴(kuò)張期。預(yù)計(jì)從2020年到2024年至少新增38個(gè)12英寸晶圓廠，其中中國(guó)將新建19座(中國(guó)臺(tái)灣11座，中國(guó)大陸8座)。8英寸晶圓的月產(chǎn)能至2024年將達(dá)660萬(wàn)片規(guī)模。光刻膠等半導(dǎo)體材料供應(yīng)商將有望受益于擴(kuò)產(chǎn)浪潮。我國(guó)高端半導(dǎo)體光刻膠的國(guó)產(chǎn)化率低。據(jù)《先進(jìn)光刻材料》，6英寸硅片的g線、i線光刻膠的國(guó)內(nèi)自給率約為20%。適用于8英寸硅片的KrF光刻膠只有少數(shù)幾家公司能生產(chǎn)，如北京科華KrF光刻膠（分辨率在0.18~0.25μm），上海新陽(yáng)KrF厚膜光刻膠（分辨率≥0.15μm，膜厚0.3~15μm），晶瑞KrF光刻膠（分辨率在0.15~0.25μm）。應(yīng)用于12英寸硅片的ArF光刻膠基本靠進(jìn)口，國(guó)內(nèi)只有極個(gè)別廠商的ArF干式光刻膠得到客戶驗(yàn)證。3.2.成膜樹(shù)脂是光刻膠最核心的組成部分成膜樹(shù)脂是光刻膠的主要成分，不同光刻膠的成膜樹(shù)脂有差異。光刻膠一般主要由四個(gè)部分組成：成膜樹(shù)脂、光敏物質(zhì)、溶劑、適當(dāng)?shù)闹鷦?。其中，成膜?shù)脂是光刻膠的主要成分，對(duì)整個(gè)光刻膠起到支撐作用，使光刻膠具有耐刻蝕性能，對(duì)光刻膠的性能有重要影響。隨著集成電路向大規(guī)?；踔脸笠?guī)模的發(fā)展，所需的加工線寬也越來(lái)越細(xì)，對(duì)光刻膠分辨率的要求也越來(lái)越高。同時(shí)，不同光刻工藝對(duì)成膜樹(shù)脂的要求也隨之提高，且相應(yīng)光刻膠所需的成膜樹(shù)脂也不斷更新?lián)Q代。目前所經(jīng)歷的感光樹(shù)脂有酚醛樹(shù)脂、聚對(duì)羥基苯乙烯、環(huán)烯烴衍生物類(lèi)及分子玻璃體系。成膜樹(shù)脂與對(duì)應(yīng)的光刻膠體系：1、紫外光刻材料負(fù)性光刻膠：紫外光刻材料是被研究最廣泛且最深入的體系。早期的紫外光刻負(fù)膠是基于聚乙烯醇肉桂酸酯體系。但是，這種光刻膠與基體的粘附性較差導(dǎo)致涂膜不均勻，應(yīng)用范圍受限。隨后針對(duì)光刻膠粘附性問(wèn)題，柯達(dá)開(kāi)發(fā)出了環(huán)化橡膠-雙疊氮系負(fù)性光刻膠，但基于柯達(dá)KTFR的光刻膠一般采用重氮萘醌為感光劑，感光劑曝光后失去氮產(chǎn)生硝酸，引發(fā)副反應(yīng)，曝光部分在顯影液中不溶，由于易發(fā)生膨脹導(dǎo)致周邊出現(xiàn)毛刺，使其分辨率受到限制，因此該類(lèi)光刻膠的分辨率極限在2μm。正性光刻膠：目前，商品化的G線/I線光刻膠主要為酚醛樹(shù)脂-重氮萘醌體系。為了提高分辨率，單波長(zhǎng)紫外光源（如g線和i線）先后應(yīng)用于芯片制造，而應(yīng)用于此類(lèi)光源的光刻材料是基于酚醛樹(shù)脂-鄰重氮萘醌體系，其中酚醛樹(shù)脂是作為成膜樹(shù)脂，鄰重氮萘醌作為感光劑。G線光刻膠主要適用于0.5~0.6μm集成電路的制作，而I線光刻膠主要適用于0.35~0.5μm集成電路的制作?，F(xiàn)今在High-NA技術(shù)的I線光源支撐下，其支持的分辨率極限已經(jīng)可以達(dá)到0.25μm。2、深紫外光刻材料KrF（248nm光刻膠）：由于酚醛樹(shù)脂在248nm的曝光光源處不透明，與產(chǎn)酸劑存在競(jìng)爭(zhēng)吸收關(guān)系，光敏性較差，因此無(wú)法應(yīng)用于248nm光刻工藝中。而聚對(duì)羥基苯乙烯及其衍生物在248nm處有很好的透過(guò)性，通常被用作光刻膠成膜樹(shù)脂。同時(shí)，通過(guò)提高曝光機(jī)的NA(NumericalAperture)值及改進(jìn)相配套的光刻技術(shù)，擴(kuò)展了248nm光刻膠應(yīng)用的范圍，目前已成功用于線寬0.18~0.13μm相關(guān)器件的制作。此外，通過(guò)采用移相掩模、離軸照明、鄰近效應(yīng)校正等分辨率增強(qiáng)技術(shù)，248nm光刻膠能制作出小于0.1μm的圖形。ArF（193nm光刻膠）：當(dāng)集成電路制造工藝發(fā)展到90nm節(jié)點(diǎn)時(shí)，原本用于KrF光刻體系的PBOCST光刻膠在193nm的波長(zhǎng)下會(huì)表現(xiàn)出強(qiáng)烈的吸收，不能滿足新的光刻要求。ArF（193nm）光刻膠逐步發(fā)展為主流光刻膠，發(fā)展前后主要分為兩個(gè)方向：干法ArF光刻膠和沉浸式ArF光刻膠。對(duì)于193nm波長(zhǎng)，常用的為丙烯酸酯類(lèi)樹(shù)脂，并且通過(guò)不同單體的共聚可以實(shí)現(xiàn)對(duì)樹(shù)脂性能的控制?，F(xiàn)階段沉浸式ArF光刻膠在雙重圖形/多重圖形曝光技術(shù)的支持下，工藝節(jié)點(diǎn)分辨率已經(jīng)可以達(dá)到至7~10nm。3、極紫外光刻材料EUV：EUV光刻技術(shù)所使用的光源波長(zhǎng)極短，只有約13.5nm，其能量