《環(huán)境光傳感器芯片參數(shù)測(cè)試方法（征求意見稿）》

1T/ZJBDTXXXXX—XXXX環(huán)境光傳感器芯片參數(shù)測(cè)試方法本文件規(guī)定了環(huán)境光傳感器芯片的開路_短路測(cè)試、輸入漏電測(cè)試、IIC_讀寫測(cè)試、輸入高低電平測(cè)試、輸出高低電平測(cè)試、Efuse判斷測(cè)試、基準(zhǔn)頻率測(cè)試、待機(jī)功耗測(cè)試、靜態(tài)功耗測(cè)試、動(dòng)態(tài)功耗測(cè)試、暗光校準(zhǔn)測(cè)試、Efuse燒寫測(cè)試、基準(zhǔn)頻率檢查測(cè)試、暗光校準(zhǔn)檢查測(cè)試、固定光強(qiáng)校準(zhǔn)檢查測(cè)試等測(cè)試方法。本文件適用于環(huán)境光傳感器芯片參數(shù)測(cè)試。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T34069-2017《物聯(lián)網(wǎng)總體技術(shù)智能傳感器特性與分類》GB/T30269.801-2017《信息技術(shù)傳感器網(wǎng)絡(luò)第801部分：測(cè)試：通用要求》GB/T7665-2005《傳感器通用術(shù)語》3術(shù)語和定義下列術(shù)語和定義適用于本文件。SPEC：芯片規(guī)格表。PIN：芯片管腳。VDD：器件電源管腳。IIC：Inter-IntegratedCircuit，集成電路總線。Efuse：electronicfuse，電子熔絲。燒寫：對(duì)一次性可編程存儲(chǔ)器對(duì)應(yīng)位進(jìn)行熔斷，達(dá)到配置芯片非易失性存儲(chǔ)單元數(shù)據(jù)的目的。暗光：芯片處于完全無光的環(huán)境下。Lux：勒克斯（法定符號(hào)lx），是照度的單位。ATE：自動(dòng)測(cè)試設(shè)備，用于半導(dǎo)體芯片測(cè)試。DPS：ATE測(cè)試機(jī)臺(tái)中的器件電源供給板卡。PE：ATE測(cè)試機(jī)臺(tái)中的數(shù)字測(cè)試板卡。3.1開路_短路Open_Short測(cè)試芯片內(nèi)部相關(guān)引腳對(duì)地和對(duì)電源的二極管壓降，判斷值是否符合標(biāo)準(zhǔn)。3.2輸入漏電測(cè)試IIH/IIL芯片上電，對(duì)芯片輸入管腳分別配置高低電平，測(cè)量輸入電流，判斷值是否符合標(biāo)準(zhǔn)。3.3IIC_讀寫測(cè)試2T/ZJBDTXXXXX—XXXX芯片上電，通過IIC接口對(duì)芯片可讀寄存器進(jìn)行指定寄存器回讀，判斷回讀內(nèi)容是否與預(yù)期默認(rèn)值一致。對(duì)芯片可讀寫寄存器進(jìn)行0x00、0x55、0xAA、0xFF內(nèi)容寫讀測(cè)試，判斷讀內(nèi)容是否與寫內(nèi)容一致。3.4輸入高低電平VIH/VIL芯片上電，針對(duì)輸入管腳，通過功能向量，進(jìn)行輸入高低電平加嚴(yán)，觀測(cè)向量是否通過。3.5輸出高低電平測(cè)試芯片上電，針對(duì)輸出和輸入/輸出管腳，在功能向量中的指定周期中施加電流負(fù)載，并測(cè)試電壓，判斷值是否符合標(biāo)準(zhǔn)。3.6Efuse判斷測(cè)試芯片上電，讀取Efuse相關(guān)寄存器的值，判斷芯片是否已經(jīng)進(jìn)行過燒寫動(dòng)作。3.7基準(zhǔn)頻率測(cè)試芯片上電，配置芯片后，在基準(zhǔn)頻率輸出管腳上進(jìn)行頻率測(cè)試，根據(jù)基準(zhǔn)目標(biāo)計(jì)算差值，記錄對(duì)應(yīng)的碼字。3.8待機(jī)功耗測(cè)試芯片上電，配置芯片進(jìn)入待機(jī)模式，測(cè)試電源管腳的電流，判斷值是否符合標(biāo)準(zhǔn)。3.9靜態(tài)功耗測(cè)試芯片上電，配置芯片進(jìn)入靜態(tài)模式，測(cè)試電源管腳的電流，判斷值是否符合標(biāo)準(zhǔn)。3.10動(dòng)態(tài)功耗測(cè)試芯片上電，配置芯片進(jìn)入動(dòng)態(tài)模式，測(cè)試電源管腳的電流，判斷值是否符合標(biāo)準(zhǔn)。3.11暗光校準(zhǔn)測(cè)試芯片上電，將芯片置于暗光環(huán)境下，配置芯片后，測(cè)量芯片光感讀值，根據(jù)基準(zhǔn)目標(biāo)計(jì)算差值，記錄對(duì)應(yīng)的碼字，對(duì)芯片感光能力進(jìn)行校準(zhǔn)與補(bǔ)償。3.12Efuse燒寫測(cè)試芯片上電,根據(jù)基準(zhǔn)頻率和暗光校準(zhǔn)測(cè)試項(xiàng)得到的偏差碼字，進(jìn)行對(duì)應(yīng)燒寫。3.13基準(zhǔn)頻率檢查測(cè)試芯片上電，配置芯片后，在基準(zhǔn)頻率輸出管腳上進(jìn)行頻率測(cè)試，判斷值是否符合標(biāo)準(zhǔn)。3T/ZJBDTXXXXX—XXXX3.14暗光校準(zhǔn)檢查測(cè)試芯片上電，配置芯片后，測(cè)量芯片在暗光環(huán)境下進(jìn)行校準(zhǔn)和補(bǔ)償后的光感讀值，即傳感器的零點(diǎn)輸出，判斷值是否符合標(biāo)準(zhǔn)。3.15固定光強(qiáng)校準(zhǔn)檢查測(cè)試芯片上電，配置芯片后，測(cè)量芯片在固定光強(qiáng)環(huán)境下光感讀值，判斷值是否符合標(biāo)準(zhǔn)。4總則4.1環(huán)境要求4.1.1除另有規(guī)定外，電測(cè)試環(huán)境條件如下：a)環(huán)境溫度：15℃~35℃;b)環(huán)境氣壓：86kPa～106kPa。4.1.2如果環(huán)境濕度對(duì)試驗(yàn)有影響，應(yīng)在詳細(xì)規(guī)范中規(guī)定。4.2注意事項(xiàng)4.2.1環(huán)境或參考點(diǎn)溫度偏離規(guī)定值的范圍應(yīng)符合器件詳細(xì)規(guī)范的規(guī)定。4.2.2在測(cè)試需要配置IIC參數(shù)的測(cè)試項(xiàng)時(shí)，電源供電電壓和IIC配置的具體參數(shù)應(yīng)按照生產(chǎn)廠家詳細(xì)規(guī)范規(guī)定。4.2.3在測(cè)試暗光校準(zhǔn)檢查測(cè)試項(xiàng)時(shí)，判斷芯片感應(yīng)暗光功能(傳感器零點(diǎn)輸出)是否正常的標(biāo)準(zhǔn)由生產(chǎn)廠家詳細(xì)規(guī)范規(guī)定。4.2.4在測(cè)試固定光強(qiáng)校準(zhǔn)檢查測(cè)試項(xiàng)時(shí)，判斷芯片感應(yīng)光強(qiáng)功能是否正常的標(biāo)準(zhǔn)由生產(chǎn)廠家詳細(xì)規(guī)范規(guī)定。4.2.5測(cè)試期間應(yīng)避免震動(dòng)等外界干擾對(duì)測(cè)試精度的影響，測(cè)試設(shè)備引起的測(cè)試誤差應(yīng)滿足器件詳細(xì)規(guī)范的要求。4.2.6測(cè)試期間，加到被測(cè)器件的電參量的精度應(yīng)符合器件詳細(xì)規(guī)范的規(guī)定。4.2.7被測(cè)器件與測(cè)試系統(tǒng)連接或斷開時(shí)，不應(yīng)超過器件的使用極限條件。4.2.8測(cè)試用例的測(cè)量結(jié)果準(zhǔn)確度，與所用ATE測(cè)試機(jī)的對(duì)應(yīng)儀器資源的測(cè)試精度強(qiáng)相關(guān)。4.3電參數(shù)符號(hào)本規(guī)范采用的電參數(shù)文字符號(hào)按表1的規(guī)定。表1電參數(shù)文字符號(hào)4T/ZJBDTXXXXX—XXXX5參數(shù)測(cè)試5.1開路_短路5.1.1目的測(cè)試芯片引腳的內(nèi)部連接關(guān)系。5.1.2測(cè)試原理圖圖1開路_短路測(cè)試圖5.1.3測(cè)試程序測(cè)試程序如下：a)將器件接入系統(tǒng)中；b)器件電源腳輸入電壓0V；c)在芯片涉及內(nèi)部二極管的PIN上分別施加Iforce-100uA；d)讀取這些PIN的電壓Vmeasure，記為測(cè)量結(jié)果OS_VSS(內(nèi)部VSS端的二極管)；e)在芯片涉及內(nèi)部二極管的PIN上分別施加Iforce100uA；f)讀取這些PIN的電壓Vmeasure，記為測(cè)量結(jié)果OS_VDD(內(nèi)部VDD端的二極管)；g)根據(jù)SPEC進(jìn)行測(cè)試判決,判斷測(cè)試值是否滿足要求，落在門限范圍內(nèi)，結(jié)果為通過。5.1.4測(cè)試條件詳細(xì)規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：a)環(huán)境或參考點(diǎn)溫度；b)管腳輸入電流。5.1.5注意事項(xiàng)5.1.5.1電源輸入電壓為0V。5.1.5.2管腳輸入電流可根據(jù)不同器件和工藝要求做調(diào)整。5T/ZJBDTXXXXX—XXXX5.1.5.3二極管壓價(jià)值與門限值，遵從器件SPEC。5.1.5.4需要在測(cè)試PIN施加電流延遲毫秒級(jí)時(shí)間后，再去讀取測(cè)試PIN的電壓。5.1.5.5各個(gè)PIN間串行測(cè)試，可檢測(cè)被測(cè)PIN間是否有短路問題。5.2輸入漏電測(cè)試IIH/IIL5.2.1目的測(cè)試芯片輸入管腳在輸入高低電平時(shí)的漏電流是否正常。5.2.2測(cè)試原理圖圖2輸入漏電測(cè)試圖測(cè)試程序如下：a)將器件接入系統(tǒng)中；b)器件電源腳輸入電壓VDDtyp；c)在芯片輸入PIN/雙向PIN上施加邏輯高電平電壓；d)讀取輸入PIN的電流Imeasure，記為測(cè)量結(jié)果IIH；e)在芯片輸入PIN/雙向PIN上施加邏輯低電平電壓；f)讀取輸入PIN的電流Imeasure，記為測(cè)量結(jié)果IIL；g)器件電源管腳下電；h)根據(jù)SPEC進(jìn)行測(cè)試判決,判斷測(cè)試值是否滿足要求，落在門限范圍內(nèi)，結(jié)果為通過。5.2.3測(cè)試條件詳細(xì)規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：a)環(huán)境或參考點(diǎn)溫度；b)電源輸入電壓使用VDDmax；c)邏輯高電平和邏輯低電平值。5.2.4注意事項(xiàng)5.2.4.1電源輸入電壓，及被測(cè)管腳邏輯高/低電平值，以及門限值遵從器件SPEC。5.2.4.2電源上電后，等待合適延時(shí)后再進(jìn)行測(cè)試，延時(shí)長度取決于器件VDDPIN外圍電容值。6T/ZJBDTXXXXX—XXXX5.2.4.3測(cè)試完畢后，器件是否下電，取決于測(cè)試需求，驗(yàn)證測(cè)試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測(cè)試優(yōu)先選擇。不下電。5.3IIC_讀寫測(cè)試5.3.1目的測(cè)試芯片IIC讀寫功能是否正常。5.3.2測(cè)試原理圖圖3IIC_讀寫測(cè)試圖5.3.3測(cè)試程序測(cè)試程序如下：a)將器件接入系統(tǒng)中；b)器件電源腳輸入電壓VDDtyp；c)IIC數(shù)據(jù)管腳施加動(dòng)態(tài)負(fù)載電流，上拉數(shù)據(jù)管腳輸出電平至所需電壓d)通過IIC接口(SCL和SDAPIN)讀取指定寄存器值，判斷回讀內(nèi)容是否與預(yù)期默認(rèn)值一致；e)通過IIC接口對(duì)芯片可讀寫寄存器進(jìn)行0x00內(nèi)容寫讀測(cè)試，判斷讀內(nèi)容是否與寫內(nèi)容一致；f)通過IIC接口對(duì)芯片可讀寫寄存器進(jìn)行0x55內(nèi)容寫讀測(cè)試，判斷讀內(nèi)容是否與寫內(nèi)容一致；g)通過IIC接口對(duì)芯片可讀寫寄存器進(jìn)行0xAA內(nèi)容寫讀測(cè)試，判斷讀內(nèi)容是否與寫內(nèi)容一致；h)通過IIC接口對(duì)芯片可讀寫寄存器進(jìn)行0xFF內(nèi)容寫讀測(cè)試，判斷讀內(nèi)容是否與寫內(nèi)容一致；i)e-h的四條測(cè)試判決,測(cè)量結(jié)果均為真后，測(cè)試結(jié)果才為通過；j)器件電源管腳下電；5.3.4測(cè)試條件詳細(xì)規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：a)環(huán)境或參考點(diǎn)溫度；b)電源輸入電壓使用VDDtyp；c)IIC數(shù)據(jù)管腳上拉電壓；d)IIC數(shù)據(jù)管腳動(dòng)態(tài)負(fù)載電流。7T/ZJBDTXXXXX—XXXX5.3.5注意事項(xiàng)5.3.5.1電源輸入電壓遵從器件SPEC。5.3.5.2IIC數(shù)據(jù)上拉電壓，遵從器件SPEC。5.3.5.3IIC動(dòng)態(tài)負(fù)載電流，需要根據(jù)器件IIC上拉電阻及上拉電壓計(jì)算。5.3.5.4電源上電后，等待合適延時(shí)后再進(jìn)行測(cè)試，延時(shí)長度取決于器件VDDPIN外圍電容值。5.3.5.5測(cè)試完畢后，器件是否下電，取決于測(cè)試需求，驗(yàn)證測(cè)試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測(cè)試優(yōu)先選擇。5.4輸入高低電平5.4.1目的測(cè)試器件識(shí)別輸入高低電平的能力。5.4.2測(cè)試原理圖圖4輸入高低電平測(cè)試圖5.4.3測(cè)試程序測(cè)試程序如下：a)將器件接入系統(tǒng)中；b)器件電源腳輸入額定的電壓VDDtyp；c)加嚴(yán)輸入管腳的高低電平值；d)運(yùn)行功能向量；e)觀測(cè)測(cè)量結(jié)果(向量運(yùn)行結(jié)果)是否通過來進(jìn)行測(cè)試判決，結(jié)果為真時(shí)，測(cè)試結(jié)果為通過；f)器件斷電。5.4.4測(cè)試條件詳細(xì)規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：a)環(huán)境或參考點(diǎn)溫度；b)電源輸入電壓VDDtyp；c)輸入管腳高低電平VIH，VIL。5.4.5注意事項(xiàng)8T/ZJBDTXXXXX—XXXX5.4.5.1電源輸入電壓，遵從器件SPEC。5.4.5.2輸入高低電平，遵從器件SPEC。5.4.5.3功能向量通常是IIC對(duì)于特定寄存器的讀寫，隨器件定制。5.4.5.4電源上電后，等待合適延時(shí)后再進(jìn)行測(cè)試，延時(shí)長度取決于器件VDDPIN外圍電容值。5.4.5.5測(cè)試完畢后，器件是否下電，取決于測(cè)試需求，驗(yàn)證測(cè)試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測(cè)試優(yōu)先選擇。5.5輸出高低電平測(cè)試5.5.1目的測(cè)試器件輸出管腳的驅(qū)動(dòng)能力是否達(dá)標(biāo)。5.5.2測(cè)試原理圖圖5輸出高低電平測(cè)試圖5.5.3測(cè)試程序測(cè)試程序如下：a)將器件接入系統(tǒng)中；b)器件電源腳輸入額定的電壓VDDtyp；c)在芯片輸出管腳上施加動(dòng)態(tài)負(fù)載電流；d)設(shè)置輸出儀器數(shù)字通道的高低比較電平VOH和VOL；e)運(yùn)行功能向量；f)觀測(cè)測(cè)量結(jié)果(向量運(yùn)行結(jié)果)是否通過來進(jìn)行測(cè)試判決，結(jié)果為真時(shí)，測(cè)試結(jié)果為通過；g)器件斷電。5.5.4測(cè)試條件詳細(xì)規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：a)環(huán)境或參考點(diǎn)溫度；b)電源輸入電壓VDDtyp；c)動(dòng)態(tài)負(fù)載電流ActiveLoad；d)輸出高低電平VOH和VOL。9T/ZJBDTXXXXX—XXXX5.5.5注意事項(xiàng)5.5.5.1電源輸入電壓，遵從器件SPEC。5.5.5.2動(dòng)態(tài)負(fù)載電流，遵從器件SPEC。5.5.5.3輸出高低電平，遵從器件SPEC。5.5.5.4功能向量通常是IIC對(duì)于特定寄存器的讀寫，隨器件定制。5.5.5.5電源上電后，等待合適延時(shí)后再進(jìn)行測(cè)試，延時(shí)長度取決于器件VDDPIN外圍電容值。5.5.5.6測(cè)試完畢后，器件是否下電，取決于測(cè)試需求，驗(yàn)證測(cè)試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測(cè)試優(yōu)先選擇。5.6Efuse判斷測(cè)試5.6.1目的測(cè)試芯片是否進(jìn)行過燒寫動(dòng)作。5.6.2測(cè)試原理圖圖6Efuse判斷測(cè)試圖5.6.3測(cè)試程序測(cè)試程序如下：a)將器件接入系統(tǒng)中；b)器件電源腳輸入額定的電壓VDDtyp；c)IIC數(shù)據(jù)管腳施加動(dòng)態(tài)負(fù)載電流，上拉數(shù)據(jù)管腳輸出電平至所需電壓；d)通過IIC接口(SCL和SDAPIN)讀取燒寫狀態(tài)寄存器值，判斷芯片是否被燒寫過；e)若芯片燒寫寄存器回讀值為未燒寫狀態(tài)，則芯片為未燒寫芯片。若芯片燒寫寄存器回讀值為已燒寫狀態(tài)，則芯片為已燒寫芯片；f)程序中記錄芯片燒寫標(biāo)志位，并通過燒寫標(biāo)志位的回讀狀態(tài)；g)器件電源管腳下電；5.6.4測(cè)試條件詳細(xì)規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：a)環(huán)境或參考點(diǎn)溫度；T/ZJBDTXXXXX—XXXXb)電源輸入電壓使用VDDtyp；c)IIC數(shù)據(jù)管腳上拉電壓；d)IIC數(shù)據(jù)管腳動(dòng)態(tài)負(fù)載電流。5.6.5注意事項(xiàng)5.6.5.1電源輸入電壓，遵從器件SPEC。5.6.5.2IIC數(shù)據(jù)上拉電壓，遵從器件SPEC。5.6.5.3IIC動(dòng)態(tài)負(fù)載電流，需要根據(jù)器件IIC上拉電阻及上拉電壓計(jì)算。5.6.5.4燒寫狀態(tài)寄存器的讀取流程及值的意義，遵從器件SPEC。5.6.5.5電源上電后，等待合適延時(shí)后再進(jìn)行測(cè)試，延時(shí)長度取決于器件VDDPIN外圍電容值。5.6.5.6測(cè)試完畢后，器件是否下電，取決于測(cè)試需求，驗(yàn)證測(cè)試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測(cè)試優(yōu)先選擇。5.7基準(zhǔn)頻率測(cè)試5.7.1目的測(cè)試芯片的內(nèi)部基準(zhǔn)頻率是否正常。5.7.2測(cè)試原理圖圖7基準(zhǔn)頻率測(cè)試圖5.7.3測(cè)試程序測(cè)試程序如下：a)將器件接入系統(tǒng)中；b)器件電源腳輸入額定的電壓VDDtyp；c)配置芯片進(jìn)入基準(zhǔn)頻率輸出狀態(tài)；d)在TEST管腳測(cè)量頻率值，計(jì)算并記錄與目標(biāo)基準(zhǔn)頻率的偏差，記為測(cè)量結(jié)果；e)將測(cè)量結(jié)果進(jìn)行測(cè)試判決，落在門限范圍內(nèi)，結(jié)果為通過；f)器件斷電。5.7.4測(cè)試條件詳細(xì)規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：T/ZJBDTXXXXX—XXXXa)環(huán)境或參考點(diǎn)溫度；b)電源輸入電壓VDDtyp；c)基準(zhǔn)頻率輸出狀態(tài)的配置向量。5.7.5注意事項(xiàng)5.7.5.1僅當(dāng)芯片燒寫標(biāo)志位狀態(tài)為未燒寫時(shí)，執(zhí)行此測(cè)試項(xiàng)。5.7.5.2電源輸入電壓，及門限值遵從器件SPEC。5.7.5.3測(cè)量管腳，隨器件定制。5.7.5.4基準(zhǔn)頻率輸出狀態(tài)的配置向量，隨器件定制。5.7.5.5與目標(biāo)基準(zhǔn)頻率的差值，在后續(xù)測(cè)試項(xiàng)內(nèi)作為補(bǔ)償值會(huì)燒寫入芯片，保證芯片基準(zhǔn)頻率精確。5.7.5.6電源上電后，等待合適延時(shí)后再進(jìn)行測(cè)試，延時(shí)長度取決于器件VDDPIN外圍電容值。5.7.5.7測(cè)試完畢后，器件是否下電，取決于測(cè)試需求，驗(yàn)證測(cè)試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測(cè)試優(yōu)先選擇。5.8待機(jī)功耗測(cè)試5.8.1目的測(cè)試芯片在待機(jī)模式下功耗是否正常。5.8.2測(cè)試原理圖圖8待機(jī)功耗測(cè)試圖5.8.3測(cè)試程序測(cè)試程序如下：a)將器件接入系統(tǒng)中；b)器件電源腳輸入額定的電壓VDDtyp；c)配置芯片進(jìn)入待機(jī)模式；d)在電源管腳測(cè)量電流，記為測(cè)量結(jié)果；e)進(jìn)行測(cè)試判決，落在門限范圍內(nèi)，結(jié)果為通過；f)器件斷電。5.8.4測(cè)試條件T/ZJBDTXXXXX—XXXX詳細(xì)規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：a)環(huán)境或參考點(diǎn)溫度；b)電源輸入電壓VDDtyp；c)芯片待機(jī)模式的配置向量。5.8.5注意事項(xiàng)5.8.5.1電源輸入電壓，及門限值遵從器件SPEC。5.8.5.2芯片待機(jī)模式的配置向量，隨器件定制。5.8.5.3電源上電后，等待合適延時(shí)后再進(jìn)行測(cè)試，延時(shí)長度取決于器件VDDPIN外圍電容值。5.8.5.4測(cè)試完畢后，器件是否下電，取決于測(cè)試需求，驗(yàn)證測(cè)試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測(cè)試優(yōu)先選擇。5.9靜態(tài)功耗測(cè)試5.9.1目的測(cè)試芯片在靜態(tài)模式下功耗是否正常。5.9.2測(cè)試原理圖圖9靜態(tài)功耗測(cè)試圖5.9.3測(cè)試程序測(cè)試程序如下：a)將器件接入系統(tǒng)中；b)器件電源腳輸入額定的電壓VDDtyp；c)配置芯片進(jìn)入靜態(tài)模式；d)在電源管腳測(cè)量電流，記為測(cè)量結(jié)果；e)進(jìn)行測(cè)試判決，落在門限范圍內(nèi)，結(jié)果為通過；f)器件斷電。5.9.4測(cè)試條件詳細(xì)規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：a)環(huán)境或參考點(diǎn)溫度；T/ZJBDTXXXXX—XXXXb)電源輸入電壓VDDtyp；c)芯片靜態(tài)模式的配置向量。5.9.5注意事項(xiàng)5.9.5.1電源輸入電壓，及門限值遵從器件SPEC。5.9.5.2芯片靜態(tài)模式的配置向量，隨器件定制。5.9.5.3電源上電后，等待合適延時(shí)后再進(jìn)行測(cè)試，延時(shí)長度取決于器件VDDPIN外圍電容值。5.9.5.4測(cè)試完畢后，器件是否下電，取決于測(cè)試需求，驗(yàn)證測(cè)試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測(cè)試優(yōu)先選擇。5.10動(dòng)態(tài)功耗測(cè)試5.10.1目的測(cè)試芯片在動(dòng)態(tài)模式下功耗是否正常。5.10.2測(cè)試原理圖圖10動(dòng)態(tài)功耗測(cè)試圖5.10.3測(cè)試程序測(cè)試程序如下：a)將器件接入系統(tǒng)中；b)器件電源腳輸入額定的電壓VDDtyp；c)配置芯片進(jìn)入動(dòng)態(tài)模式；d)在電源管腳測(cè)量電流，記為測(cè)量結(jié)果；e)進(jìn)行測(cè)試判決，落在門限范圍內(nèi)，結(jié)果為通過；f)器件斷電。5.10.4測(cè)試條件詳細(xì)規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：a)環(huán)境或參考點(diǎn)溫度；b)電源輸入電壓VDDtyp；c)芯片動(dòng)態(tài)模式的配置向量。T/ZJBDTXXXXX—XXXX5.10.5注意事項(xiàng)5.10.5.1電源輸入電壓，及門限值遵從器件SPEC。5.10.5.2芯片動(dòng)態(tài)模式的配置向量，隨器件定制。5.10.5.3電源上電后，等待合適延時(shí)后再進(jìn)行測(cè)試，延時(shí)長度取決于器件VDDPIN外圍電容值。5.10.5.4測(cè)試完畢后，器件是否下電，取決于測(cè)試需求，驗(yàn)證測(cè)試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測(cè)試優(yōu)先選擇。5.11暗光校準(zhǔn)測(cè)試5.11.1目的測(cè)試芯片在暗光環(huán)境下，感光輸出值是否正常。5.11.2測(cè)試原理圖圖11暗光校準(zhǔn)檢查測(cè)試圖5.11.3測(cè)試程序測(cè)試程序如下：a)將器件接入系統(tǒng)中；b)器件電源腳輸入額定的電壓VDDtyp；c)IIC數(shù)據(jù)管腳施加動(dòng)態(tài)負(fù)載電流，上拉數(shù)據(jù)管腳輸出電平至所需電壓；d)配置芯片進(jìn)入感光模式；e)通過指定寄存器值回讀，計(jì)算芯片感光值，計(jì)算并記錄與目標(biāo)基準(zhǔn)值的偏差，記為測(cè)量結(jié)果；f)進(jìn)行測(cè)試判決，符合器件門限值規(guī)定的，結(jié)果為通過；g)器件斷電。5.11.4測(cè)試條件詳細(xì)規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：a)環(huán)境或參考點(diǎn)溫度；b)電源輸入電壓VDDtyp；c)芯片感光模式的配置向量。5.11.5注意事項(xiàng)T/ZJBDTXXXXX—XXXX5.11.5.1電源輸入電壓，及門限值遵從器件SPEC。5.11.5.2芯片感光模式的配置向量，隨器件定制。5.11.5.3IIC數(shù)據(jù)上拉電壓，遵從器件SPEC。5.11.5.4IIC動(dòng)態(tài)負(fù)載電流，需要根據(jù)器件IIC上拉電阻及上拉電壓計(jì)算。5.11.5.5本測(cè)試項(xiàng)芯片傳感器需要置于完全無環(huán)境光影響的密閉暗場(chǎng)環(huán)境內(nèi)。5.11.5.6與目標(biāo)基準(zhǔn)值的差值，在后續(xù)測(cè)試項(xiàng)內(nèi)會(huì)作為補(bǔ)償值燒寫入芯片，保證芯片暗光感光值精確。5.11.5.7電源上電后，等待合適延時(shí)后再進(jìn)行測(cè)試，延時(shí)長度取決于器件VDDPIN外圍電容值。5.11.5.8測(cè)試完畢后，器件是否下電，取決于測(cè)試需求，驗(yàn)證測(cè)試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測(cè)試優(yōu)先選擇。5.12Efuse燒寫測(cè)試5.12.1目的將基準(zhǔn)偏差燒寫入芯片，補(bǔ)償芯片的基準(zhǔn)頻率、暗光感光數(shù)值保證對(duì)應(yīng)輸出的精確性。5.12.2測(cè)試原理圖圖12Efuse燒寫測(cè)試圖5.12.3測(cè)試程序測(cè)試程序如下：a)將器件接入系統(tǒng)中；b)器件電源腳輸入額定的電壓VDDtyp；c)IIC數(shù)據(jù)管腳施加動(dòng)態(tài)負(fù)載電流，上拉數(shù)據(jù)管腳輸出電平至所需電壓；d)根據(jù)燒寫流程，將基準(zhǔn)頻率偏差與暗光光感偏差的碼字，寫入對(duì)應(yīng)寄存器，并將燒寫標(biāo)志位置為真；e)回讀燒寫標(biāo)志位記為測(cè)量結(jié)果；f)進(jìn)行測(cè)試判決，標(biāo)志位為真時(shí)，測(cè)試通過；g)器件斷電。5.12.4測(cè)試條件詳細(xì)規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：a)環(huán)境或參考點(diǎn)溫度；T/ZJBDTXXXXX—XXXXb)電源輸入電壓VDDtyp；c)芯片燒寫流程。5.12.5注意事項(xiàng)5.12.5.1電源輸入電壓，遵從器件SPEC。5.12.5.2芯片燒寫流程，隨器件定制。5.12.5.3燒寫狀態(tài)寄存器的讀取流程及值的意義，遵從器件SPEC。5.12.5.4IIC數(shù)據(jù)上拉電壓，遵從器件SPEC。5.12.5.5IIC動(dòng)態(tài)負(fù)載電流，需要根據(jù)器件IIC上拉電阻及上拉電壓計(jì)算。5.12.5.6電源上電后，等待合適延時(shí)后再進(jìn)行測(cè)試，延時(shí)長度取決于器件VDDPIN外圍電容值。5.12.5.7測(cè)試完畢后，器件是否下電，取決于測(cè)試需求，驗(yàn)證測(cè)試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測(cè)試優(yōu)先選擇。5.13基準(zhǔn)頻率檢查測(cè)試5.13.1目的測(cè)試燒寫后，芯片的基準(zhǔn)頻率輸出值是否正常。5.13.2測(cè)試原理圖圖13基準(zhǔn)頻率檢查測(cè)試圖5.13.3測(cè)試程序測(cè)試程序如下：a)將器件接入系統(tǒng)中；b)器件電源腳輸入額定的電壓VDDtyp；c)配置芯片進(jìn)入基準(zhǔn)頻率輸出狀態(tài)；d)在TEST管腳測(cè)量頻率值，記為測(cè)量結(jié)果；e)進(jìn)行測(cè)試判決，符合器件門限值規(guī)定的，結(jié)果為通過；f)器件斷電。5.13.4測(cè)試條件詳細(xì)規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：T/ZJBDTXXXXX—XXXXa)環(huán)境或參考點(diǎn)溫度；b)電源輸入電壓VDDtyp；c)基準(zhǔn)頻率輸出狀態(tài)的配置向量。5.13.5注意事項(xiàng)5.13.5.1電源輸入電壓，及門限值遵從器件SPEC。5.13.5.2測(cè)量管腳，隨器件定制。5.13.5.3基準(zhǔn)頻率輸出狀態(tài)的配置向量，隨器件定制。5.13.5.4電源上電后，等待合適延時(shí)后再進(jìn)行測(cè)試，延時(shí)長度取決于器件VDDPIN外圍電容值。5.13.5.5測(cè)試完畢后，器件是否下電，取決于測(cè)試需求，驗(yàn)證測(cè)試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測(cè)試優(yōu)先選擇。5.14暗光校準(zhǔn)檢查測(cè)試5.14.1目的測(cè)試燒寫后，芯片在暗光環(huán)境下，感光輸出值是否正常。5.14.2測(cè)試原理圖圖14暗光校準(zhǔn)檢查測(cè)試圖5.14.3測(cè)試程序測(cè)試程序如下：a)將器件接入系統(tǒng)中；b)器件電源腳輸入額定的電壓VDDtyp；c)IIC數(shù)據(jù)管腳施加動(dòng)態(tài)負(fù)載電流，上拉數(shù)據(jù)管腳輸出電平至所需電壓；d)配置芯片進(jìn)入感光模式；e)通過指定寄存器值回讀，計(jì)算芯片感光值，記為測(cè)量結(jié)果；f)進(jìn)行測(cè)試判決，符合器件門限值規(guī)定的，結(jié)果為通過；g)器件斷電。5.14.4測(cè)試條件詳細(xì)規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：T/ZJBDTXXXXX—XXXXa)