光學(xué)曝光技術(shù)

關(guān)于光學(xué)曝光技術(shù)光刻工藝的基本要素光源(lightsources)曝光系統(tǒng)(exposuresystem)光刻膠(photoresist)能量(光源):引起光刻膠化學(xué)反應(yīng)，改變光刻膠溶解速率；掩膜版(mask):對(duì)光進(jìn)行掩膜，在光刻膠上制造掩膜版的圖形；對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)(Aligner):在硅片上把掩膜版和以前的圖形對(duì)準(zhǔn)；光刻膠(Resist):把圖形從掩膜版轉(zhuǎn)移到硅片；襯底(substrate)：具有以前的掩膜版圖形。第2頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天光刻工藝的基本流程第3頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天第二章光學(xué)曝光技術(shù)光學(xué)曝光的工藝過(guò)程光學(xué)曝光的方式和原理光刻膠的特性光學(xué)掩膜的設(shè)計(jì)與制造短波長(zhǎng)曝光技術(shù)大數(shù)值孔徑與浸沒(méi)式曝光技術(shù)光學(xué)曝光分辨率增強(qiáng)技術(shù)光學(xué)曝光的計(jì)算機(jī)模擬技術(shù)其它光學(xué)曝光技術(shù)厚膠曝光技術(shù)LIGA技術(shù)東南大學(xué)·南京

MEMS教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室第4頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天（1）接觸式光學(xué)曝光技術(shù)東南大學(xué)·南京

MEMS教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

優(yōu)點(diǎn)：設(shè)備簡(jiǎn)單，分辨率高（約1μm）。缺點(diǎn)：掩模壽命短（10~20次），硅片上圖形缺陷多，光刻成品率低。第5頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天（2）接近式光學(xué)曝光技術(shù)東南大學(xué)·南京

MEMS教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室優(yōu)點(diǎn)：掩模壽命長(zhǎng)（可提高10倍以上），圖形缺陷少。缺點(diǎn)：衍射效應(yīng)使分辨率下降。第6頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天（3）投影式光學(xué)曝光技術(shù)投影式曝光的優(yōu)點(diǎn)：掩模壽命長(zhǎng)?？梢栽诓皇制秸拇缶汐@得高分辨率的圖形。掩模尺寸遠(yuǎn)大于芯片尺寸，使掩模制造簡(jiǎn)單，可減少掩模上的缺陷對(duì)芯片成品率的影響。投影式曝光的缺點(diǎn)：設(shè)備復(fù)雜、昂貴，曝光效率低。步進(jìn)式投影光刻投影式光刻第7頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天光刻工藝的相關(guān)光學(xué)基礎(chǔ)光在空間中以電磁波的形式傳播當(dāng)物體的尺寸遠(yuǎn)大于波長(zhǎng)時(shí)，把光作為粒子來(lái)處理當(dāng)物體的尺寸和波長(zhǎng)可比擬時(shí)，要考慮光的波動(dòng)性－衍射光的衍射效應(yīng)光的衍射影響分辨率，決定分辨率極限：第8頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天如果想在像平面(如光刻膠）對(duì)小孔進(jìn)行成像，可以用透鏡收集光并聚焦到像平面第9頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天數(shù)值孔徑(NumericalApertureNA)光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑描述透鏡收集光的能力

n是透鏡到硅片間介質(zhì)的折射率，對(duì)空氣而言為1分辨率第10頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天分辨率-Resolution

K1是一個(gè)獨(dú)立于光學(xué)成像的因子，取決于光刻系統(tǒng)和光刻膠的性質(zhì)等其它因素一般來(lái)說(shuō)，最小線寬K1＝0.6~0.8第11頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天

然而采用高數(shù)值孔徑的光學(xué)系統(tǒng)(大透鏡），會(huì)使景深變差第12頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天

焦深（DoF）焦深就是聚焦深度（DepthofFocus），它是指沿著光通路，圓片可以移動(dòng)而依然保持圖形聚焦清晰的移動(dòng)距離。對(duì)于投影系統(tǒng)，焦深由下式給出：k2+-光刻膠膜焦深焦平面透鏡焦點(diǎn)是沿透鏡中心出現(xiàn)最佳圖像的點(diǎn)，焦深是焦點(diǎn)上面和下面的一個(gè)范圍。焦點(diǎn)可能不是正好在光刻膠層的中心，但是焦深應(yīng)該穿越光刻膠層上下表面。第13頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天NGL:X射線(5?)，電子束(0.62?)，離子束(0.12?)光源波長(zhǎng)

(nm)術(shù)語(yǔ)技術(shù)節(jié)點(diǎn)汞燈436g線>0.5mm汞燈365i線0.5/0.35mmKrF(激光)248DUV0.25/0.13mmArF(激光)193193DUV90/65…32nmF2(激光)157VUVCaF2lenses激光激發(fā)Xe等離子體13.5EUVReflectivemirrors光源第14頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天第二章光學(xué)曝光技術(shù)光學(xué)曝光的工藝過(guò)程光學(xué)曝光的方式和原理光刻膠的特性光學(xué)掩膜的設(shè)計(jì)與制造短波長(zhǎng)曝光技術(shù)大數(shù)值孔徑與浸沒(méi)式曝光技術(shù)光學(xué)曝光分辨率增強(qiáng)技術(shù)光學(xué)曝光的計(jì)算機(jī)模擬技術(shù)其它光學(xué)曝光技術(shù)厚膠曝光技術(shù)LIGA技術(shù)東南大學(xué)·南京

MEMS教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室第15頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天光刻膠基本成分

光學(xué)曝光過(guò)程中，為了將掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到圓片上，輻照必須作用在光敏物質(zhì)上，該光敏物質(zhì)必須通過(guò)光照，改變材料性質(zhì)，使在完成光刻工藝后，達(dá)到轉(zhuǎn)移圖形的目的。該光敏物質(zhì)稱為光刻膠。東南大學(xué)·南京

MEMS教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室光刻膠基本成分組成：（1）樹脂（Resin）（2）感光劑（PAC）（3）溶劑（Solvent）（4）添加劑（Additive）第16頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天樹脂（Resin）：光刻膠中的基體材料，是一種對(duì)光敏感的高分子化合物，當(dāng)它受適當(dāng)波長(zhǎng)的光照射后，就能吸收一定波長(zhǎng)的光能量，發(fā)生交聯(lián)、聚合或分解等光化學(xué)反應(yīng)，使光刻膠改變性質(zhì)。感光劑（PAC，photoactivecompound)：在曝光前作為抑制劑（inhibitor），降低光刻膠在顯影液中的溶解速度，而在暴露于光線時(shí)有化學(xué)反應(yīng)發(fā)生，使抑制劑變成了感光劑，增加了膠的溶解性（正膠），或產(chǎn)生交聯(lián)催化劑，使樹脂交聯(lián)，降低膠的溶解性（負(fù)膠）。溶劑（solvent）：使光刻膠保持液體狀態(tài)。絕大多數(shù)的溶劑在曝光前揮發(fā)除去，對(duì)光刻膠的化學(xué)性質(zhì)幾乎沒(méi)有什么影響。添加劑（additive）：用來(lái)控制和改變光刻膠材料的特定化學(xué)性質(zhì)或光刻膠材料的光響應(yīng)特性，也包括控制光刻膠反射率的染色劑。第17頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天凡是在能量束（光束、電子束、離子束等）的照射下，以交聯(lián)反應(yīng)為主的光刻膠稱為負(fù)性光刻膠，簡(jiǎn)稱負(fù)膠。凡是在能量束（光束、電子束、離子束等）的照射下，以降解反應(yīng)為主的光刻膠稱為正性光刻膠，簡(jiǎn)稱正膠。光刻膠是長(zhǎng)鏈聚合物正膠在感光時(shí)，曝光對(duì)聚合物起斷鏈作用，使長(zhǎng)鏈變短，使聚合物更容易在顯影液中溶解。負(fù)膠在曝光后，使聚合物發(fā)生交聯(lián)，在顯影液中溶解變慢。光刻膠類型第18頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天正膠IC主導(dǎo)負(fù)膠第19頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天1、靈敏度:光刻膠通過(guò)顯影完全被清除所需要的曝光劑量（正膠）；光刻膠在顯影后有50%以上的膠厚得以保留時(shí)所需要的曝光劑量（負(fù)膠）。是衡量曝光速度的指標(biāo)，靈敏度越高，所需曝光劑量越小，曝光時(shí)間越短。靈敏度太低會(huì)影響生產(chǎn)效率，所以通常希望光刻膠有較高的靈敏度。但靈敏度太高會(huì)影響分辨率。通常負(fù)膠的靈敏度高于正膠。光刻膠的一些特性正膠負(fù)膠的靈敏度和對(duì)比度定義第20頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天二.對(duì)比度（反差比）：指的是光刻膠上從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過(guò)渡的陡度。對(duì)比度代表著只適于在掩膜版透光區(qū)規(guī)定范圍內(nèi)曝光的光刻膠的能力。差的光刻膠對(duì)比度斜側(cè)壁膨脹差的反差光刻膠膜好的光刻膠對(duì)比度陡直側(cè)壁沒(méi)有膨脹好的反差光刻膠膜靈敏度曲線越陡，光刻膠的對(duì)比度就越大，這樣有助于得到清晰的圖形輪廓和高的分辨率。一般光刻膠的對(duì)比度在0.9~2.0之間。對(duì)于亞微米圖形，要求對(duì)比度大于1。通常正膠的對(duì)比度要高于負(fù)膠。第21頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天光進(jìn)入光刻膠后，其強(qiáng)度按下式衰減式中，α為光刻膠的光吸收系數(shù)。設(shè)TR

為光刻膠的厚度，則可定義光刻膠的光吸收率

為可以證明，對(duì)比度γ與光吸收系數(shù)α及光刻膠厚度

TR

之間有如下關(guān)系

減小光吸收系數(shù)與膠膜厚度有利于提高對(duì)比度。

第22頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天三、分辨率：指光刻時(shí)所能得到的光刻圖形的最小尺寸。通常以每毫米最多可分辨的線條數(shù)來(lái)表示。光刻工藝中影響分辨率的因素有：光源、曝光方式

和光刻膠本身（包括靈敏度、對(duì)比度、顆粒的大小、顯影時(shí)的溶脹、電子散射等）、硅片表面狀況等。通常正膠的分辨率要高于負(fù)膠。分辨率與靈敏度的關(guān)系:當(dāng)入射電子數(shù)為N

時(shí)，由于隨機(jī)漲落，實(shí)際入射的電子數(shù)在范圍內(nèi)。為保證出現(xiàn)最低劑量時(shí)不少于規(guī)定劑量的90%，也即。由此可得。因此對(duì)于小尺寸曝光區(qū)，必須滿足式中，Wmin

為最小尺寸，即分辨率?？梢?，若靈敏度越高（即S越小），則Wmin

就越大，分辨率就越差。第23頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天五.粘度：是影響涂敷膠膜厚度的重要因素。光刻膠越濃，它的粘度就越大，在相同的涂膠條件下，所得的膠膜就越厚；反之，則粘度小，膠膜薄。四.感光度：感光度是一個(gè)表征光刻膠對(duì)光敏感度的性能指標(biāo)。定義為曝光時(shí)使光刻膠發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)所需的最小曝光量(E)的倒數(shù)，即

S=h/ES為感光度，h為比例常數(shù)，E為最小曝光量。

光刻膠對(duì)于不同波長(zhǎng)的光源其敏感程度是不同的，因此它的感光度總是對(duì)某一特定波長(zhǎng)的光來(lái)講的。針孔密度：?jiǎn)挝幻娣e的光刻膠膜上的針孔數(shù)目稱為針孔密度。七.粘附性：指光刻膠薄膜與襯底的粘附能力，主要衡量光刻膠抗?jié)穹ǜg能力。它不僅與光刻膠本身的性質(zhì)有關(guān)，而且與襯底的性質(zhì)和其表面情況等有密切關(guān)系。八.抗蝕性：光刻膠膠膜必須保持它的粘附性，并在后續(xù)的濕刻和干刻中保護(hù)襯底表面。這種性質(zhì)被稱為抗蝕性。第24頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天九.表面張力：光刻膠具有產(chǎn)生相對(duì)大的表面張力的分子間力，所以在不同工藝步驟中光刻膠分子會(huì)聚在一起。同時(shí)光刻膠的表面張力必須足夠小，從而在應(yīng)用時(shí)能提供良好的流動(dòng)性和硅的覆蓋。第25頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天第二章光學(xué)曝光技術(shù)光學(xué)曝光的工藝過(guò)程光學(xué)曝光的方式和原理光刻膠的特性光學(xué)掩膜的設(shè)計(jì)與制造短波長(zhǎng)曝光技術(shù)大數(shù)值孔徑與浸沒(méi)式曝光技術(shù)光學(xué)曝光分辨率增強(qiáng)技術(shù)光學(xué)曝光的計(jì)算機(jī)模擬技術(shù)其它光學(xué)曝光技術(shù)厚膠曝光技術(shù)LIGA技術(shù)東南大學(xué)·南京

MEMS教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室第26頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天

掩膜版的材料襯底材料：最主要的用于亞微米光刻的投影掩膜版襯底材料是熔融石英（fusedsilica）。它在深紫外光譜部（248nm和193nm）有著很高的光學(xué)透射。熔融石英相對(duì)昂貴，但性能優(yōu)越。它具有很低的熱膨脹系數(shù)。圖形材料：用于掩膜版上不透明的圖形材料通常是薄層的鉻（Chrome，Cr）。厚度通常小于1000A，通過(guò)濺射淀積。有時(shí)候會(huì)在鉻上形成一層氧化鉻（200A）的抗反射涂層。掩模版（Photomask）：一種透明的平板，上面有要轉(zhuǎn)印到硅片上光刻膠層的圖形。

第27頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天

光學(xué)工程師將用戶數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為寫入系統(tǒng)所能接受的格式。包括數(shù)據(jù)分割，尺寸標(biāo)記，圖形旋轉(zhuǎn)，增加套刻標(biāo)記，內(nèi)部參照標(biāo)記，以及一個(gè)jobdeck（掩膜上不同圖形的位置的說(shuō)明）。第28頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天

掩膜版上用于Stepper對(duì)準(zhǔn)的套刻標(biāo)記第29頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天掩膜版上的參照標(biāo)記第30頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天掩膜版的制備通常采用電子束直寫的方式把高分辨率的圖形轉(zhuǎn)印到掩膜版表面。電子源產(chǎn)生的電子被加速并聚焦成形射到投影掩膜版上。電子束可以通過(guò)光柵掃描或矢量掃描的方式在掩膜版上形成圖形。掩膜版上的電子束膠在曝光顯影后，通過(guò)濕法或干法刻蝕去掉不需要的鉻層。第31頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天CAD設(shè)計(jì)、模擬、驗(yàn)證后由圖形發(fā)生器產(chǎn)生數(shù)字圖形數(shù)字圖形×4或×5投影光刻版（reticle）投影式光刻×1掩膜版（mask）制作接觸式、接近式光刻掩膜版制作第32頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天掩模版制作過(guò)程：是一個(gè)微納加工過(guò)程12.Finished第33頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天掩膜版缺陷掩膜版上的缺陷會(huì)被復(fù)制到光刻膠層中，從而進(jìn)一步復(fù)制到硅片上。制造好的掩膜版要進(jìn)行大量測(cè)試來(lái)檢查缺陷和顆粒。掩膜版缺陷的來(lái)源可能是掉鉻，表面擦傷，靜電放電或灰塵顆粒。第34頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天第二講光學(xué)曝光技術(shù)光學(xué)曝光的工藝過(guò)程光學(xué)曝光的方式和原理光刻膠的特性光學(xué)掩膜的設(shè)計(jì)與制造短波長(zhǎng)曝光技術(shù)大數(shù)值孔徑與浸沒(méi)式曝光技術(shù)光學(xué)曝光分辨率增強(qiáng)技術(shù)光學(xué)曝光的計(jì)算機(jī)模擬技術(shù)其它光學(xué)曝光技術(shù)厚膠曝光技術(shù)LIGA技術(shù)東南大學(xué)·南京

MEMS教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室第35頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天深紫外曝光技術(shù)

一般，436nm為G線，356nm的為I線，…。采用準(zhǔn)分子激光器的深紫外曝光技術(shù)。極紫外曝光技術(shù)

極紫外是波長(zhǎng)為13nm的光輻射。而其本質(zhì)是一種軟X射線。極紫外波長(zhǎng)可被幾乎所有材料吸收，故所有的光學(xué)系統(tǒng)包括掩模都必須是反射式的。組成：①極紫外光源—等離子體激發(fā)和同步輻射源；②極紫外光學(xué)系統(tǒng)—利用多層膜反射鏡，可提高反射率；③極紫外掩模—掩?；搴徒饘賹?；④極紫外光刻膠—更高靈敏度和分辨率。X射線曝光技術(shù)

X射線是指波長(zhǎng)在0.01~10nm間的電磁波譜，又可分為軟硬兩種。X射線不能被折射，故只能做成1∶1鄰近式曝光，不可做成縮小式曝光，這樣就加大了掩模的制造難度和成本。第36頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天第二章光學(xué)曝光技術(shù)光學(xué)曝光的工藝過(guò)程光學(xué)曝光的方式和原理光刻膠的特性光學(xué)掩膜的設(shè)計(jì)與制造短波長(zhǎng)曝光技術(shù)大數(shù)值孔徑與浸沒(méi)式曝光技術(shù)光學(xué)曝光分辨率增強(qiáng)技術(shù)光學(xué)曝光的計(jì)算機(jī)模擬技術(shù)其它光學(xué)曝光技術(shù)厚膠曝光技術(shù)LIGA技術(shù)東南大學(xué)·南京

MEMS教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室第37頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天⒈大數(shù)值孔徑是高分辨率成像的必要條件⒉但增加數(shù)值孔徑會(huì)受到焦深的影響和限制，過(guò)大的數(shù)值孔徑會(huì)使焦深過(guò)小。⒊進(jìn)一步增加數(shù)值孔徑還受到光極化效應(yīng)的影響——當(dāng)數(shù)值孔徑達(dá)到0.8以上時(shí)，光波通過(guò)透鏡會(huì)被極化成s極和p極分量，在大入射角的情況下，s極分量會(huì)被反射，使得入射光的能量損失以及成像對(duì)比度下降。k2投影物鏡的設(shè)計(jì)和加工難度增大單軸和多軸設(shè)計(jì)方案第38頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天浸沒(méi)式曝光ln=1.0,DNA=0.93,lm60nm

n=1.44,DNA=1.34,lm42nm增加數(shù)值孔徑:193nm浸沒(méi)式光刻技術(shù)已在2006年投入使用第39頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天東南大學(xué)·南京

MEMS教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室當(dāng)今高精度的浸沒(méi)式步進(jìn)掃描投影光刻機(jī)對(duì)浸沒(méi)液體的選擇相當(dāng)苛刻，高折射率和高透射系數(shù)是最基本的要求。一般地，使用水作為193nm光刻的浸沒(méi)液體。在曝光過(guò)程中，由于水中溶解的物質(zhì)有可能沉積到投影物鏡最后一個(gè)透鏡的下表面或者光刻膠上，引起成像缺陷，而水中溶解的氣體也有可能形成氣泡，使光線發(fā)生散射和折射。因此，目前業(yè)界普遍使用價(jià)格便宜、簡(jiǎn)單易得的去離子和去氣體的純水作為第一代浸沒(méi)式光刻機(jī)的浸沒(méi)液體。另外，還要考慮水層的厚度對(duì)掃描速度的影響。在500mm/s的掃描速度下，水層的厚度應(yīng)該控制在1~2mm。第40頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天第二章光學(xué)曝光技術(shù)光學(xué)曝光的工藝過(guò)程光學(xué)曝光的方式和原理光刻膠的特性光學(xué)掩膜的設(shè)計(jì)與制造短波長(zhǎng)曝光技術(shù)大數(shù)值孔徑與浸沒(méi)式曝光技術(shù)光學(xué)曝光分辨率增強(qiáng)技術(shù)光學(xué)曝光的計(jì)算機(jī)模擬技術(shù)其它光學(xué)曝光技術(shù)厚膠曝光技術(shù)LIGA技術(shù)東南大學(xué)·南京

MEMS教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室第41頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天除了λ和NA外，提高分辨率的另一個(gè)方法就是改變??因子。??因子包含了透鏡光學(xué)以外的因素，它的理論極限值是0.25。這些技術(shù)統(tǒng)稱為光學(xué)曝光分辨率增強(qiáng)技術(shù)。（7種）（1）離軸照明技術(shù)—有意將中心軸部分的光遮住，這有利于衍射光波的高次諧波分量通過(guò)透鏡成像到硅片表面上。主要有兩種方式：環(huán)形離軸照明和四級(jí)離軸照明。該技術(shù)是一種最易實(shí)現(xiàn)，成本最低的分辨率增強(qiáng)技術(shù)第42頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天（2）移相掩模技術(shù)(PSM,PhaseShiftingMask)——調(diào)制光波的相位來(lái)改善成像的對(duì)比度和焦深。常見形式有：輔助式，交替式，周邊式，無(wú)鉻式，衰減式。各種移相掩模的目的都是通過(guò)引進(jìn)相反的相位光波，在相的邊緣部分產(chǎn)生抵消作用。選擇一種具有一定厚度和折射率的材料，使得相位移動(dòng)180°,形成相消干涉。普通鉻掩模移相掩模第43頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天（3）光學(xué)鄰近效應(yīng)校正技術(shù)——有意的改變掩模的設(shè)計(jì)尺寸和形狀來(lái)補(bǔ)償圖形局部曝光過(guò)強(qiáng)或過(guò)弱。另外一種校正技術(shù)不是修改設(shè)計(jì)圖形本身，而是在設(shè)計(jì)圖形附近加一些圖形（亞分辨率輔助圖形）或散射條。這些輔助圖形的尺寸很小，不會(huì)在光刻膠上成像，但其會(huì)影響光強(qiáng)分布，從而影響設(shè)計(jì)圖形的成像質(zhì)量。第44頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天第45頁(yè),共50頁(yè)，2024年2月25日，星期天（4）消除表面反射和駐波效應(yīng)——抗反射層和表面平坦化技術(shù)駐波：由于入射光和反射光間的相長(zhǎng)與相消干涉造成。駐波造成光刻膠中的光強(qiáng)隨厚度變化，由于曝光的變化產(chǎn)生光刻膠溶解率的變化，則表現(xiàn)為光刻膠側(cè)壁出現(xiàn)螺旋狀條紋。表面反射：來(lái)自曝光區(qū)的光被圓片表面圖形不同的