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GB/T20725-202x/ISO17470：20141本文件給出了用電子探針或者掃描電鏡中的波譜儀獲得試樣特定體積內(μm3尺度）的X射線譜，進對應于n=2,3,4……的衍射角出現(xiàn)的譜峰。n為整數(shù)。高階衍射是n=2,3,4……的衍射角度出現(xiàn)的譜峰。注：本方法也包括入射電子束對試樣表面一個很小區(qū)域進行快速掃描的分析。最大電子束尺寸或者電子束掃描范圍，宜通EPMA：電子探針顯微分析（electronprobemicroanWDS：波譜儀（wavelengthdispersiveX-rayspectromGB/T20725-202x/ISO17470：20142應確保儀器狀態(tài)良好，特別是電子束正確合軸、束流穩(wěn)定、選擇適合于所分析試樣的束流和加速電注1：峰位、峰的相對高度和峰的分辨率（FWHM）等對不同試樣和不同儀器可能會注2：如果試樣表面不平、未拋光或者不垂直于電子束，應考慮這些因素會影響到入射電子束能量應高于所分析元素的X射線電離能，但要盡量減小試樣損傷、試樣污染和避免XI=C×i[(E0-Ec)/Ec]1.7=C×i(U–1)1.7………（1）C─常數(shù)；I─入射束流，單位為安培(A)；U─過壓比：E0/Ec。別大的試樣，例如Be~F的超輕元素，推薦入射電子能量用15keV或者更低，以減少GB/T20725-202x/ISO17470：20143分地分辨檢測的峰形和峰高，一個測量的譜峰在識別的譜峰強度與背底強度接近時，該譜峰存在式中:文獻[2]中給出了X線表的示例。GB/T20725-202x/ISO17470：20144試樣定性分析時即使沒有檢測到某元素，也不能推斷該元素不存在，只能說明在特定的分析條件式中:Ip─參考物質的峰強度（CPSIB─參考物質的背底強度（CPSI’B─試樣背底強度（CPS 表示，近似等于。對痕量元素，假定X射線強度和濃度的關系是線性關系，可以GB/T20725-202x/ISO17470：2014）；GB/T20725-202x/ISO17470：2014b)客戶名稱和地址j)入射電子束照射面積2k)脈沖高度分析器的使用狀況及其閾值和4GB/T20725-202x/ISO17470：20148[3]GoldsteinJ.I,et

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