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理想情況CV特性理想情況CV特性CV特性概念堆積平帶耗盡反型下的概念堆積平帶耗盡反型下的計(jì)算頻率特性高低頻情況圖形及解釋理想情況CV特性

C-V特性平帶狀態(tài)所加負(fù)柵壓正好等于平帶電壓VFB，使半導(dǎo)體表面能帶無彎曲平帶本征柵壓趨近于平帶電壓時(shí)，總電容隨表面德拜長度LD的增加而減少。C-V特性耗盡狀態(tài)加小的正柵壓，表面耗盡層電荷隨柵壓的變化而變化，出現(xiàn)耗盡層電容平帶本征C’相當(dāng)與Cox與Csd’串聯(lián)C-V特性強(qiáng)反型狀態(tài)(低頻)加大的正柵壓且柵壓變化較慢，反型層電荷跟得上柵壓的變化平帶本征C-V特性n型與p型的比較p型襯底MOS結(jié)構(gòu)n型襯底MOS結(jié)構(gòu)C-V特性反型狀態(tài)(高頻)加較大的正柵壓，使反型層電荷出現(xiàn)，但柵壓變化較快，反型層電荷跟不上柵壓的變化，只有耗盡層電容對(duì)C有貢獻(xiàn)。此時(shí)，耗盡層寬度乃至耗盡層電容基本不隨柵壓變化而變化。柵壓頻率的影響C-V特性氧化層電荷的影響例圖:因?yàn)镼ss均為正電荷,需要額外犧牲負(fù)電荷來中和界面的正電,所以平帶電壓更負(fù)-----++C-V特性界面陷阱的分類被電子占據(jù)（在EFS之下）帶負(fù)電，不被電子占據(jù)（在EFS之上）為中性被電子占據(jù)（在EFS之下）為中性，不被電子占據(jù)（在EFS之上）帶正電（界面陷阱）受主態(tài)容易接受電子帶負(fù)電正常情況熱平衡不帶電施主態(tài)容易放出電子帶正電圖11.32氧化層界面處界面態(tài)示意圖C-V特性界面陷阱的影響:堆積狀態(tài)堆積狀態(tài)：界面陷阱帶正電，C-V曲線左移，平帶電壓更負(fù)例圖:需要額外犧牲三個(gè)負(fù)電荷來中和界面態(tài)的正電,所以平帶電壓更負(fù)------+++施主態(tài)容易放出電子帶正電禁帶中央：界面陷阱不帶電，對(duì)C-V曲線無影響C-V特性界面陷阱的影響:本征狀態(tài)反型狀態(tài)：界面陷阱帶負(fù)電，C-V曲線右移，閾值電壓更正。C-V特性界面陷阱的影響:反型狀態(tài)例圖:需要額外犧牲三個(gè)正電荷來中和界面態(tài)的負(fù)電,所以閾值電壓升高_(dá)__++++++受主態(tài)容易接受電子帶負(fù)電小節(jié)內(nèi)容氧化層電荷及界面態(tài)

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