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晶體中電子的波函數(shù)和能量

晶體中電子的波函數(shù)和能量晶體中電子的波函數(shù)和能量E-k關(guān)系晶體中電子處在不同的k狀態(tài),具有不同的能量E(k)

由于周期勢(shì)場(chǎng)的微擾,在布里淵區(qū)邊界處,能量出現(xiàn)不連續(xù),形成能帶.晶體中電子的能量E和波失k的關(guān)系曲線基本和自由電子的關(guān)系曲線一樣，但在時(shí)，能量出現(xiàn)不連續(xù)，形成了一系列的允帶和禁帶。每一個(gè)布里淵區(qū)對(duì)應(yīng)于一個(gè)允帶禁帶出現(xiàn)在處，即出現(xiàn)在布里淵區(qū)邊界上E(k)=E(k+n2π/a)E(k)=E(-k)(a)E(k)和k的關(guān)系;(b)能帶;(c)簡(jiǎn)約布里淵區(qū)圖E(k)與k的關(guān)系半導(dǎo)體中的電子分布能帶允帶禁帶允帶允帶禁帶（1）當(dāng)磁場(chǎng)沿[111]方向，B與6個(gè)<100>方向的夾角均給出：故只有一個(gè)吸收峰。因此，只有一個(gè)有效質(zhì)量值，即：N型硅的回旋共振實(shí)驗(yàn)結(jié)果解釋10故有兩個(gè)吸收峰。N型硅的回旋共振實(shí)驗(yàn)結(jié)果解釋11和故有兩個(gè)吸收峰。N型硅的回旋共振實(shí)驗(yàn)結(jié)果解釋12（4）當(dāng)磁感應(yīng)沿任意方向時(shí)，B與6個(gè)<100>方向的夾角可以給出三種不同的cosθ的值，對(duì)應(yīng)三個(gè)有效質(zhì)量，因此可以觀察到三個(gè)吸收峰。磁感應(yīng)強(qiáng)度方向[100][111][110]mn*/m00.43±0.020.19±0.010.27±0.020.43±0.020.24±0.014K時(shí)n型硅對(duì)23GH

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