2024道路車輛電氣電子部件對窄帶輻射電磁能的抗擾性試驗方法第2部分：電波暗室法

/2——第1部分：一般規(guī)定和術(shù)語；——第2部分：電波暗室法；——第3部分：橫電磁波（TEM）小室法；——第4部分：線束激勵法；——第5部分：帶狀線法；——第7部分：射頻功率直接注入法；——第8部分：磁場抗擾法；——第9部分：便攜式發(fā)射機法；——第10部分：擴展音頻范圍的傳導抗擾法；——第11部分：混響室法。PAGEPAGE30道路車輛電氣/電子部件對窄帶輻射電磁能的抗擾性試驗方法第2部分：電波暗室法范圍GB/T33014的本部分規(guī)定了電氣／電子部件對連續(xù)窄帶輻射電騷擾的抗擾試驗方法—電波暗室法。本部分適用于M、N、O、L類車輛（不限定車輛動力系統(tǒng)，例如火花點火發(fā)動機、柴油發(fā)動機、電動機）用電氣／電子部件。規(guī)范性引用文件（包括所有的修改單適用于本文件。GB/T33014.1-XXXX道路車輛電氣/電子部件對窄帶輻射電磁能的抗擾性試驗方法第1部分:一般規(guī)定和術(shù)語術(shù)語和定義GB/T33014.1-XXXX中界定的術(shù)語和定義適用于本文件。試驗條件電波暗室法的適用頻率為80MHz~18GHz。用戶應(yīng)指定頻率范圍內(nèi)的試驗嚴酷等級。推薦的試驗等級參見附錄B。下列標準試驗條件應(yīng)符合GB/T33014.1的規(guī)定：——試驗溫度；——試驗電壓；——調(diào)制方式；——駐留時間；——頻率步長；——試驗嚴酷等級的定義；——試驗信號質(zhì)量。試驗地點試驗應(yīng)在電波暗室（ALSE）中進行。ALSEALSE是一個內(nèi)部反射面都25mm的平整的鐵氧體磚。被測裝置（DUT）試驗和標定應(yīng)使用相同配置的ALSE。要保證在試驗區(qū)域內(nèi)反射能量比入射能量至少低10dB。注：為了實現(xiàn)這一目標，在使用頻率范圍內(nèi)，墻壁和天花板的吸波材料性能可以大于或等于6dB。IEEESTD1128-1998[1]中描述了評估吸波材料的試驗方法。試驗儀器設(shè)備概述使用天線及可產(chǎn)生所需要場強的射頻（RF）能量源來形成輻射電磁場?？赡苄枰唤M天線和多個射頻功率放大器來覆蓋試驗頻率范圍。試驗設(shè)備DUT（如適用，可能包括大功率的平衡-不平衡變換器）。場發(fā)生裝置的結(jié)構(gòu)和方向應(yīng)能保證產(chǎn)生試驗計劃中規(guī)定的極化方向的場強。場強探頭：與波長相比是電小尺寸，具有各向同性的三個正交軸。探頭的傳輸線應(yīng)為光纖。人工網(wǎng)絡(luò)（AN）、高壓人工網(wǎng)絡(luò)（HV-AN）、人工電源網(wǎng)絡(luò)（AMN）和不對稱人工網(wǎng)絡(luò)（AAN）：7.2GB/T33014.1：XXXXB。射頻（RF）信號發(fā)生器：具有內(nèi)部或外部調(diào)制能力。大功率放大器。功率計和/或功率探頭（或等效的測量儀器）和雙向耦合器：測量前向功率和反向功率。DUT應(yīng)按試驗計劃要求使用執(zhí)行器操作DUT。該執(zhí)行器具有最盡可能小的電磁效應(yīng)，例如塑料按鈕、氣動執(zhí)行器（供氣管使用塑料管）等。監(jiān)測DUT對電磁干擾響應(yīng)的監(jiān)控設(shè)備應(yīng)使用光纖或高阻抗導線。如使用其他類型的導線連接，應(yīng)盡量減小線間的相互作用，并記錄導線的布置方向、長度和位置，以確保試驗結(jié)果的可復現(xiàn)性。應(yīng)避免監(jiān)測設(shè)備與DUT之間的任何電連接可能引起的DUT誤動作。DUT接地平板接地平板應(yīng)采用至少0.5mm厚的紫銅、黃銅、青銅或鍍鋅鋼板。接地平面最小寬度應(yīng)為1000mm，最小長度應(yīng)為2000mm，或者比整個試驗布置（DUT和相關(guān)設(shè)備（如包含電源線的被測線束，位于試驗臺上的模擬負載和AN），不包括蓄電池和/或電源）在水平面上的投影各邊大200mm，尺寸取較大者。（試驗臺（900±100）mm2.5mΩ300mm7:1。電源和人工網(wǎng)絡(luò)（AN）DUT的每根電源線都應(yīng)通過AN與供電電源相連。DUT5μH/50ΩAN（見GB/TBDUTANT遠端接地20：要用兩個AN源回線?！狣UT近端接地20mmAN，用于電源正極。ANAN之間的接地平板。每個AN的測量端口應(yīng)接50Ω的負載。DUT除非試驗計劃中另有規(guī)定，DUT應(yīng)放置在非導電、低相對介電常數(shù)（εr≤1.4）的材料上，位于接地平板上方（50±5）mm的位置。DUT（模擬實際車輛結(jié)構(gòu)的除外DUT（200±10）mm。DUT距離暗室吸波材料的距離應(yīng)不小于1000mm。試驗線束的位置試驗線束與接地平板前邊沿平行部分的長度應(yīng)為（1500±75）mm。0在DUT和模擬負載（或射頻界面）之間的試驗線束的總長度應(yīng)為(1700+300)mm。線束類型應(yīng)根據(jù)0實際系統(tǒng)使用和要求確定。接地平板前邊沿和DUT連接器之間線束的詳細布置應(yīng)在試驗計劃中描述。試驗線束應(yīng)放置在非導電、低相對介電常數(shù)的材料上（εr≤1.4），位于接地平板（50±5）mm上方的位置。試驗線束與接地平板前邊沿平行的部分距離接地平板前邊沿保持（100±10）mm。模擬負載的位置DUT引出的試驗線束穿過射頻邊界與接地平板搭接，模擬負載可置于接地平板附近（外殼與接地平板搭接）或試驗室外。連接到模擬負載的試驗線束的布置應(yīng)在試驗計劃中定義，并記錄在試驗報告中。如模擬負載放在接地平板上，模擬負載的直流電源線應(yīng)通過AN進行連接。場發(fā)生裝置（天線）的位置250mm。天線輻射振子（不包括喇叭天線的后部）500mm。線束和天線之間的距離應(yīng)為。這個距離從以下位置測量：——雙錐天線的相位中心（中點）；——對數(shù)周期天線最近的部分；——喇叭天線最近的部分。頻率在80MHz~1000MHz的天線，其相位中心應(yīng)與線束縱向部分（1500mm）的中心成一條直線。頻率在1000MHz以上的天線，其相位中心應(yīng)與DUT的中心成一條直線。試驗布置示例見圖1~圖3所示。單位為毫米標引序號說明：1——DUT（如果試驗計劃要求，則就近接地） 8——雙錐天線2——線束 9——激勵和監(jiān)測統(tǒng)——模擬負載（按75的規(guī)定放置和接地） 1——優(yōu)質(zhì)同軸電纜（5Ω，如雙層屏蔽線4——（位置可選） 11——壁板連接器5——人工（AN） 12——射頻信號器和放大器6——接地平板（與屏蔽外殼搭接） 13——射頻吸波材料7——低相對介電常數(shù)支撐物(εr≤1.4) 14——接地帶a俯視圖（水平極化）b正視圖c側(cè)視圖d見7.1e垂直極化圖1雙錐天線試驗布置示例單位為毫米標引序號說明：1——DUT（如果試驗計劃有求，則就近接地） 8——對數(shù)周期天線2——試驗線束 9——激勵和監(jiān)測統(tǒng)——模擬負載（按75的放置和接地） 1——優(yōu)質(zhì)同軸電纜（5Ω，如雙層屏蔽線4——（位置可選） 11——壁板連接器5——人工（AN） 12——射頻信號器和放大器6——接地平板（與屏蔽外殼搭接） 13——射頻吸波材料7——低相對介電常數(shù)支撐物（εr≤1.4） 14——接地帶a俯視圖（水平極化）bcd7.1e垂直極化圖2對數(shù)周期天線的試驗布置示例單位為毫米標引序號說明：1——DUT（如果試驗計劃有求，則就近接地） 8——喇叭天線2——試驗線束 9——激勵和監(jiān)測系統(tǒng)——模擬負載（按75規(guī)定放置和接地） 1——優(yōu)質(zhì)同軸電纜（5Ω，如雙層屏蔽線4——（位置可選） 11——壁板連接器5——人工（AN） 12——射頻信號器和放大器6——接地平板（與屏蔽外殼搭接） 13——射頻吸波材料7——低相對介電常數(shù)支撐物（εr≤1.4） 14——接地帶a俯視圖（水平極化）bcd7.1e垂直極化圖3頻率1GHz以上的喇叭天線的試驗布置示例DUT接地平板接地平板條件見7.1定義。（AAN）DUT的每根電源線應(yīng)通過HV-AN（DCHV供電的DUT）和/或AMN（AC供電的DUT）連接到電源上?！狣CHV5μH/50ΩHV-ANDUT（見GB/TB.X?！狝C50μH/50ΩAMNDUT（見GB/TB。HV-AN的外殼應(yīng)與接地平板搭接。宜使用車輛高壓電池；若使用外部高壓電源則應(yīng)通過饋通濾波器連接。高壓直流電源線正極（HV+、高壓直流電源線負極（HV-）和交流三相電源線等屏蔽供電線，可采用單獨的同軸電纜屏蔽，也可采用共同屏蔽，具體取決于所使用的連接器系統(tǒng)。本試驗中使用的屏蔽線束的線束結(jié)構(gòu)和連接器端接應(yīng)符合試驗計劃規(guī)定的車輛典型應(yīng)用情況。當在高壓電源線上使用電源濾波器（圖4至圖12中標引序號說明16）時，應(yīng)注意濾波器會增加HV+和接地或HV-和接地之間的共模電容，這可能導致額外的諧振產(chǎn)生。對于充電設(shè)施，AMN應(yīng)直接安裝在試驗場地的地平面上。AMN的外殼應(yīng)搭接到試驗場地的地平面上。充電設(shè)施的PE（保護地）線應(yīng)搭接到試驗布置接地平板并與AMN的PE連接。每個HV-AN/AMN的測量端子應(yīng)端接50Ω負載。對于帶有信號端口的充電機//逆變器和信號接口之間的線路可以插入的示意圖見GB/T33014.1）。所有AAN的測量端口應(yīng)端接50Ω負載。DUT除非試驗計劃另有規(guī)定，DUT應(yīng)直接放在接地平板上，DUT外殼直接或通過規(guī)定的阻抗與接地DUTDUT1000mm。如果是充電機，充電機外殼應(yīng)與接地平板搭接。試驗線束的位置除非試驗計劃另有規(guī)定，線束的長度應(yīng)如下：0——低壓線束為(1700+300)mm；00——高壓線束為(1700+300)mm，平行于接地平板前的高壓試驗線束的長度為(1500±75)mm；0——DUT和電機之間的三相線小于1000mm；如果高壓試驗線束超過2000mm，其長度宜在試驗計劃中定義，并在試驗報告中描述。360°環(huán)接。試驗線束應(yīng)放置在非導電、低相對介電常數(shù)的材料上（εr≤1.4，位于接地平板上方（50±5）mm的位置。接地平板前邊沿和DUT連接器之間線束的詳細布置應(yīng)在試驗計劃中規(guī)定。0；高壓試驗線束距離與其平行的低壓試驗線束（100+100）mm（4~。0除非試驗計劃另有規(guī)定，這種配置也應(yīng)測試：高壓試驗線束與接地平板前邊沿平行的部分距離（1000±10）mm；低壓試驗線束與高壓線束的距離（100+100）mm。0對于逆變器/充電機（例如帶信號連接的車載充電機，圖6、圖9和圖12給出了其連接高壓模擬負載、低壓模擬負載和ACAC（LVHV）之間的距離應(yīng)為0（100+100）mm?？筛鶕?jù)高壓部件的實際應(yīng)用進行各種組合布置。0/（69AC（在低壓和高壓線束后面。模擬負載的位置除非試驗計劃另有規(guī)定，模擬負載應(yīng)直接放在接地平板上。若模擬負載為金屬外殼，外殼應(yīng)與接地平板直接搭接。DUT引出的試驗線束穿過與接地平板搭接的射頻邊界，模擬負載可置于接地平板附近（外殼與接地平板搭接）或試驗室外。連接到模擬負載的試驗線束的布置應(yīng)在試驗計劃中定義，并記錄在試驗報告中。模擬負載放在接地平板上時，模擬負載的直流電源線應(yīng)通過AN連接。ALSEDUT場發(fā)生裝置（天線）的位置（100±10）mm250mm（不包括喇叭天線的后部500mm——雙錐天線的相位中心（中點）；或——對數(shù)周期天線的最近部分；或——喇叭天線的最近部分。頻率在80MHz~1000MHz（1500mm長的中心成一條直線。頻率在1000MHz以上的天線，其相位中心應(yīng)與DUT的中心成一條直線。試驗布置示例如圖4（HVDUT）、圖7（HVDUT）、圖10（HVDUT），圖5（電機）、圖8（電機）、圖11（電機），圖6（逆變器/充電機）、圖9（逆變器/充電機）、圖12（逆變器/充電機）所示。標引序號說明：

單位為毫米1——DUT2——接地平板3——低相對介電常數(shù)支撐物AN10——HVAN11——LV電源線17——光纖饋通18——壁板連接器19——激勵和監(jiān)控系統(tǒng)(εr≤1.4)4——接地帶12——HV電源線20——射頻信號發(fā)生器和放大器5——LV線束13——LV電源12V/24V/48V2——優(yōu)質(zhì)同軸電纜（5Ω，6——HV線（HV+，HV-）(位置可選)14——外加屏蔽箱如雙層屏蔽線22——光纖7——LV模擬負載15——HV電源（若放在ALSE內(nèi)23——雙錐天線應(yīng)屏蔽）可選(/T33014.1)16——電源濾波器24——射頻吸波材料25——50Ω負載a俯視圖（水平極化）d見8.1b正視圖e垂直極化c側(cè)視圖圖4雙錐天線的試驗布置示例—具有屏蔽電源系統(tǒng)的DUT單位為毫米標引序號說明1——DUT 15——HV（若放在ALSE）2——接地平板 16——電源濾波器3——低相對介電常數(shù)支撐物（εr≤1.4） 17——光纖通（可支撐電機） 18——壁板連接器4——接地帶 19——激勵和監(jiān)測系統(tǒng)5——LV線束 20——射頻信號發(fā)生器和放大器——HV線（H，） 2——優(yōu)質(zhì)同軸電纜（5Ω，如雙層屏蔽線7——LV模擬負載 22——光纖——阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)（可選（G/T304）2——雙錐天線AN 24——射頻吸波材料10——HVAN 25——電機11——LV電源線 26——電機三相供電線12——HV電源線 27——機械連接（例如，不導電連接）13——LV電源12V/24V/48V 28——帶濾波的機械軸承（位置可選） 29——或驅(qū)動電機14——外加屏蔽箱 30——50Ω負載a俯視圖（水平極化）b正視圖cd8.1e垂直極化注1：連接到暗室外部的機械功率傳輸可能需要不止一個接口，并且可以通過不同的拓撲解決方案實現(xiàn)（例如，使用兩個機械軸對拖加載，或采用其它的物理裝置）；注2：請注意連接到DUT的軸的幾何形狀對測量結(jié)果可能有重大影響。任何用于部件測試的機械解決方案都盡可能呈現(xiàn)車輛使用情況和幾何結(jié)構(gòu)。例如，驅(qū)動軸的長度，驅(qū)動軸的RF端接，包括它們是否與暗室的機械貫穿件進行了電連接。圖5雙錐天線試驗布置示例—具有屏蔽電源系統(tǒng)、電機安裝在臺架上的DUT單位為毫米標引序號說明：1——DUT 15——HV/HV（ALSE）2——板 16——電源濾波器3——低相對介電常數(shù)支撐物（εr≤1.4） 17——光纖饋通4——帶 18——壁板連接器5——LV線束 19——激勵和監(jiān)測統(tǒng)6——HV線（HV+，HV-） 20——射頻信號器和放大器——LV模擬負載 2——優(yōu)質(zhì)同軸電纜（5Ω，如雙層屏蔽線8——阻抗匹配（可選） 22——纖(見GB/T33014.1) 23——雙錐天線AN 24——射頻吸波材料10——HVAN 25——AC11——LV電源線 26——AMN，于AC線12——HV線 27——AC充電模擬負載13——LV源12V/24V/48V 28——50Ω負載(位置可選) 29——AC線14——外加屏蔽箱a俯視圖（水平極化）bcd8.1e垂直極化圖6雙錐天線試驗布置示例—帶有屏蔽電源系統(tǒng)和逆變器/充電機裝置的DUT單位為毫米標引序號說明：1——DUT14——外加屏蔽箱2——接地平板15——HV電源（若放在ALSE內(nèi)應(yīng)屏蔽）3——低相對介電常數(shù)支撐物（εr≤1；16——電源濾波器4——接地帶17——光纖饋通5——LV線束18——壁板連接器6——HV線（HV+，HV-）19——激勵和監(jiān)控系統(tǒng)7——LV模擬負載20——射頻信號發(fā)生器和放大器8——阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)（可選）2——優(yōu)質(zhì)同軸電纜（5Ω，如雙層屏蔽線(見GB/T33014.1)22——光纖9——LVAN23——對數(shù)周期天線10——HVAN24——射頻吸波材料11——LV電源線25——50Ω負載12——HV電源線13——LV電源12V/24V/48V(位置可選)a俯視圖（水平極化）bcd見8.1e垂直極化圖7對數(shù)周期天線試驗布置示例—具有屏蔽電源系統(tǒng)的DUT單位為毫米標引序號說明：1——DUT 15——HV（若放在ALSE）2——板 16——電源濾波器3——50mm低相對介電常數(shù)支撐物（εr≤1.4） 17——光纖通4——帶 18——壁板連接器5——LV線束 19——激勵和監(jiān)測統(tǒng)6——HV線束（HV+，HV-） 20——射頻信號器和放大器——V模擬負載 2——優(yōu)質(zhì)同軸電纜（5Ω，如雙層屏蔽線8——阻抗匹配（可選） 22——纖(見GB/T33014.1) 23——對數(shù)周期性天線AN 24——射頻吸波材料10——HVAN 25——電機11——LV電源線 26——電機三相供電線12——HV電源線 27——機械連接（例如，不導電連接）13——LV源12V/24V/48V 28——帶濾波的機械軸承（位置可選） 29——或驅(qū)動電機14——外加屏蔽箱 30——50Ω負載a俯視圖（水平極化）b正視圖cd8.1e垂直極化注1：連接到暗室外部的機械功率傳輸可能需要不止一個接口，并且可以通過不同的拓撲解決方案實現(xiàn)（例如，使用兩個機械軸對拖加載，或采用其它的物理裝置）；注2：請注意連接到DUT呈現(xiàn)車輛使用情況和幾何結(jié)構(gòu)。例如，驅(qū)動軸的長度，驅(qū)動軸的RF端接，包括它們是否與暗室的機械貫穿件進行了電連接。圖8對數(shù)周期天線試驗布置示例—具有屏蔽電源系統(tǒng)、電機安裝在臺架上的DUT單位為毫米標引序號說明：1——DUT15——HV/HV（ALSE）2——接地平板16——電源濾波器3——低相對介電常數(shù)支撐物（εr≤1.4）17——光纖饋通4——接地帶18——壁板連接器5——LV線束19——激勵和監(jiān)測系統(tǒng)6——HV線（HV+，HV-）20——射頻信號發(fā)生器和放大器7——LV模擬負載2——優(yōu)質(zhì)同軸電纜（5Ω，如雙層屏蔽線8——阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)（可選）22——光纖(見GB/T33014.1)23——對數(shù)周期天線9——LVAN24——射頻吸波材料10——HVAN25——AC電源11——LV電源線26——AMN，用于AC電源線12——HV電源線27——AC充電模擬負載13——LV電源12V/24V/48V28——50Ω負載(位置可選)29——AC線14——外加屏蔽箱（可選）a俯視圖（水平極化）bcd8.1e垂直極化圖9對數(shù)周期天線試驗布置示例—具有屏蔽電源系統(tǒng)和逆變器/充電機裝置的DUT單位為毫米標引序號說明1——DUT 14——外加屏蔽箱2——接地平板 15——HV源（若放在ALSE內(nèi)應(yīng)屏蔽）3——低相對介電常數(shù)支撐物（εr≤1.4） 16——電源濾波器4——帶 17——光纖饋通5——LV線束 18——壁板連接器6——HV線束（HV+，HV-） 19——激勵和監(jiān)測統(tǒng)7——LV模擬負載 20——射頻信號器和放大器——阻抗匹配（可選） 2——優(yōu)質(zhì)同軸電纜（5Ω，如雙層屏蔽線AN 22——10——HVAN 23——喇叭天線11——LV電源線 24——射頻吸波材料12——HV線 25——50Ω負載13——LV電源12V/24V/48V(位置可選)a俯視圖（水平極化）bcd見8.1e垂直極化圖10喇叭天線試驗布置示例—具有屏蔽電源系統(tǒng)的DUT單位為毫米標引序號說明：1——DUT 15——HV（ALSE）2——板 16——電源濾波器——低相對介電常數(shù)支撐物（r1； 1——光纖通（可用于支撐電機） 18——壁板連接器4——接地帶 19——激勵和監(jiān)測系統(tǒng)5——LV線束 20——射頻信號發(fā)生器和放大器——HV線（H，H-） 2——優(yōu)質(zhì)同軸電纜（5Ω，如雙層屏蔽線7——LV模擬負載 22——光纖8——阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)（可選） 23——喇叭天線(見GB/T33014.1) 24——射頻吸波材料9——LVAN 25——電機10——HVAN 26——三相電機供電線11——LV電源線 27——機械連接（例如，不導電連接）12——HV電源線 28——帶濾波的機械軸承13——LV電源12V/24V/48V 29——或驅(qū)動電機（位置可選） 30——50Ω負載14——外加屏蔽箱a俯視圖（水平極化）bcd8.1e垂直極化注1：連接到暗室外部的機械功率傳輸可能需要不止一個接口，并且可以通過不同的拓撲解決方案實現(xiàn)（例如，使用兩個機械軸對拖加載，或采用其它的物理裝置）。注2：請注意連接到DUT呈現(xiàn)車輛使用情況和幾何結(jié)構(gòu)。例如，驅(qū)動軸的長度，驅(qū)動軸的RF端接，包括它們是否與暗室的機械貫穿件進行了電連接。圖11喇叭天線試驗布置示例—具有屏蔽電源系統(tǒng)、電機安裝在臺架上的DUT單位為毫米標引序號說明：1——DUT15——HV/HV（ALSE）2——接地平板16——電源濾波器3——低相對介電常數(shù)支撐物（εr≤1；17——光纖饋通4——接地帶18——壁板連接器5——LV線束19——激勵和監(jiān)測系統(tǒng)6——HV線束（HV+，HV-）20——射頻信號發(fā)生器和放大器7——LV模擬負載2——優(yōu)質(zhì)同軸電纜（5Ω，如雙層屏蔽線8——阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)（可選）22——光纖(見GB/T33014.1)23——喇叭天線9——LVAN24——射頻吸波材料10——HVAN25——AC電源11——LV電源線26——AMN，用于AC電源線12——HV電源線27——AC充電模擬負載13——LV電源12V/24V/48V28——50Ω負載(位置可選)29——AC線14——外加屏蔽箱a俯視圖（水平極化）bcd8.1e垂直極化圖12喇叭天線試驗布置示例—具有屏蔽電源系統(tǒng)和逆變器/充電機的DUT試驗方法騷擾源和連接線束等的整體布局作為規(guī)范的試驗條件。對規(guī)范試驗條件的任何偏差，如試驗線束長度等的情況都應(yīng)在試驗前商定，并記錄在試驗報告中。DUT應(yīng)端接典型負載，其它工作條件應(yīng)與其在車輛上的條件一致。這些工作條件應(yīng)在試驗計劃中規(guī)定，以確保供應(yīng)商和客戶進行相同的試驗。輻射抗擾度試驗中DUT的方向應(yīng)在試驗計劃中定義。400MHz~18GHz80MHz~18GHz之間應(yīng)進行天線垂直極化測試。試驗計劃試驗之前應(yīng)制定試驗計劃，包括以下內(nèi)容：——試驗布置；——頻率范圍；——DUT——DUT——試驗嚴酷等級；——DUT的監(jiān)測條件；——模擬負載的細節(jié)；——DUT附近試驗線束的詳細布置；——信號線與AAN的詳細布置（如使用）；——天線的位置；——試驗報告的內(nèi)容；——其他特別說明及與標準試驗的差異。每個DUT都應(yīng)在9.1中詳述的工作模式下進行試驗，并在試驗計劃中詳細記錄。試驗規(guī)程概述警告：試驗區(qū)域內(nèi)可能存在危險的電壓和電磁場；應(yīng)確保滿足人體暴露于RF能量的限值要求。替代法試驗應(yīng)采用替代法，使用前向功率作為基準參數(shù)用于場強標定和測試。這種方法分兩個階段進行：（不放置DUT見9.33；（模擬負載、）DUT9.3.4）。在場強標定階段確定獲得預(yù)定場強所需的射頻功率。場強標定規(guī)定的試驗等級（場強）應(yīng)定期進行標定，標定時記錄每個試驗頻率下產(chǎn)生規(guī)定場強(使用場強探GB/T33014.1標定的場強值應(yīng)是場強探頭三個軸向結(jié)果的均方根值。場強