《硅光電倍增管可靠性評估方法》編制說明

1、標準范圍。

標準規(guī)定了符合性試驗（光電特性、外形尺寸、外部目檢）、機械完整性試驗（機

械沖擊、變頻振動）、環(huán)境試驗（溫度循環(huán)、強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗、鹽霧、穩(wěn)態(tài)工作壽

命、高溫壽命）及物理特性試驗（密封性、引線鍵合強度）四種可靠性評估試驗類型的

具體要求，主要適用于所有的SiPM，不受器件技術(shù)和尺寸的限制

2、工作簡況。

（一）任務(wù)來源

為落實《國家中長期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要（2006-2020年）》《國家創(chuàng)

新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略》等規(guī)劃，由北京郵電大學(xué)牽頭，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究

所、無錫中微晶園電子有限公司、上海聯(lián)影醫(yī)療科技股份有限公司等單位

參與，制定《硅光電倍增管可靠性評估方法》團體標準。

（二）目的和意義

硅光電倍增管（SiliconPhotomultiplier,SiPM），作為一種新興的光電探測

器件，具有單光子靈敏度、探測效率高、光子數(shù)分辨能力強、對磁場不敏

感等優(yōu)點，是醫(yī)療影像設(shè)備、激光雷達等系統(tǒng)中的核心傳感器，決定了相

關(guān)設(shè)備的成像質(zhì)量和探測距離。盡管國際上SiPM及相關(guān)產(chǎn)品形成了一定

的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，但目前國內(nèi)依賴進口，也缺乏涉及該器件可靠性試驗方法的

標準。該標準規(guī)定了SiPM的相關(guān)術(shù)語定義及可靠性試驗方法。該標準的

制定有利于指導(dǎo)SiPM產(chǎn)品的檢測和使用，填補國內(nèi)該器件可靠性試驗方

法的空白，完善半導(dǎo)體光電子器件標準體系，為推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供技術(shù)支

持。

（三）主要工作過程

本標準和編制工作從2023年10月開始，北京郵電大學(xué)成立標準預(yù)立項工

作小組，提出《硅光電倍增管可靠性評估方法》的團體標準立項建議。2023

年12月26日召開團體標準專家論證會，對標準草案進行修改和完善，形

成征求意見稿，于2024年1月開始向全體委員和全社會進行廣泛征求意

見。截止時間為2024年6月。

3、標準編制原則和確定標準主要內(nèi)容的依據(jù)：

1、標準編制原則

本標準按照GB/T1.1—2020《標準化工作導(dǎo)則第1部分：標準化文件的結(jié)構(gòu)

和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。堅持實用性和有效性為準則，并結(jié)合當(dāng)前發(fā)展現(xiàn)狀

與特點，提高標準貫徹實施的實用性和可操作性。

2、確定標準內(nèi)容的依據(jù)

考慮到現(xiàn)階段國際上該技術(shù)已相對穩(wěn)定，我們參考《GB/T21194-2007通信設(shè)

備用的光電子器件的可靠性通用要求》、《GBT33768-2017通信用光電子器件

可靠性試驗方法》等國家標準制定了本標準草案。

4、主要試驗（或驗證）的分析、綜述報告。

本文件的技術(shù)內(nèi)容在廣泛調(diào)研國內(nèi)外研究現(xiàn)狀的基礎(chǔ)上，根據(jù)我國硅光電倍增管發(fā)

展的現(xiàn)狀和特點，加入自身的理解和要求，制定出符合發(fā)展需求的標準，提升硅光

電倍增管的可靠性。

5、標準在起草過程中遇到的問題及解決辦法：重大分歧意見的處理

經(jīng)過和依據(jù)：有無重要技術(shù)問題需要說明。

無。

6、與國外標準的關(guān)系：包括：采用國際標準和國外先進標準的程度，

與國外標準主要技術(shù)內(nèi)容的差異（可引用標準前言的內(nèi)容）：

無。

7、修訂標準時，說明與標準前一版本的重大技術(shù)變化，并列出所涉

及的新、舊版本的有關(guān)章條（可引用標準前言的內(nèi)容）：廢止/代

替現(xiàn)行有關(guān)標準的建議：

無。

8、說明標準與其他標準或文件的關(guān)系（可引用標準前言的內(nèi)容），特

別是與有關(guān)的現(xiàn)行法律、法規(guī)和強制性國家標準的關(guān)系：

對國家標準和行業(yè)標準進行搜索，以及對AFDS外文特種文獻集成系統(tǒng)

（:8080/search?all=&config=）以“SiPM”、“MPPC”、“APD”、“可

靠性”、“二極管可靠性”、“APD可靠性”、“半導(dǎo)體可靠性”等作為關(guān)鍵詞對軍事標準進

行搜索，未找到與SiPM可靠性試驗方法直接相關(guān)的標準。其中，《GB/T21194-2007通

信設(shè)備用的光電子器件的可靠性通用要求》、《GBT33768-2017通信用光電子器件可靠

性試驗方法》等國家標準可以作為參考。

9、標準作為強制性標準或推薦性標準的建議：

無。

10、貫徹國家標準的要求和措施建議（包括組織措施、技術(shù)措施、過

渡辦法等內(nèi)容）：標準發(fā)布后，對國內(nèi)外業(yè)界可能產(chǎn)生的影響。

無。

11、標準是否涉及知識產(chǎn)權(quán)的情況說明；如標準中含有自主知識產(chǎn)權(quán)，

說明產(chǎn)品研發(fā)程度、產(chǎn)業(yè)化基礎(chǔ)及進程。

無。

12、其他應(yīng)予說明的事項。

無。

《硅光電倍增管可靠性評估方法》

標準編制說明

北京郵電大學(xué)

2023年10月

1、標準范圍。

標準規(guī)定了符合性試驗（光電特性、外形尺寸、外部目檢）、機械完整性試驗（機

械沖擊、變頻振動）、環(huán)境試驗（溫度循環(huán)、強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗、鹽霧、穩(wěn)態(tài)工作壽

命、高溫壽命）及物理特性試驗（密封性、引線鍵合強度）四種可靠性評估試驗類型的

具體要求，主要適用于所有的SiPM，不受器件技術(shù)和尺寸的限制

2、工作簡況。

（一）任務(wù)來源

為落實《國家中長期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要（2006-2020年）》《國家創(chuàng)

新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略》等規(guī)劃，由北京郵電大學(xué)牽頭，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究

所、無錫中微晶園電子有限公司、上海聯(lián)影醫(yī)療科技股份有限公司等單位

參與，制定《硅光電倍增管可靠性評估方法》團體標準。

（二）目的和意義

硅光電倍增管（SiliconPhotomultiplier,SiPM），作為一種新興的光電探測

器件，具有單光子靈敏度、探測效率高、光子數(shù)分辨能力強、對磁場不敏

感等優(yōu)點，是醫(yī)療影像設(shè)備、激光雷達等系統(tǒng)中的核心傳感器，決定了相

關(guān)設(shè)備的成像質(zhì)量和探測距離。盡管國際上SiPM及相關(guān)產(chǎn)品形成了一定

的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，但目前國內(nèi)依賴進口，也缺乏涉及該器件可靠性試驗方法的

標準。該標準規(guī)定了SiPM的相關(guān)術(shù)語定義及可靠性試驗方法。該標準的

制定有利于指導(dǎo)SiPM產(chǎn)品的檢測和使用，填補國內(nèi)該器件可靠性試驗方

法的空白，完善半導(dǎo)體光電子器件標準體系，為推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供技術(shù)支

持。

（三）主要工作過程

本標準和編制工作從2023年10月開始，北京郵電大學(xué)成立標準預(yù)立項工

作小組，提出《硅光電倍增管可靠性評估方法》的團體標準立項建議。2023

年12月26日召開團體標準專家論證會，對標準草案進行修改和完善，形

成征求意見稿，于2024年1月開始向全體委員和全社會進行廣泛征求意

見。截止時間為2024年6月。

3、標準編制原則和確定標準主要內(nèi)容的依據(jù)：

1、標準編制原則

本標準按照GB/T1.1—2020《標準化工作導(dǎo)則第1部分：標準化文件的結(jié)構(gòu)

和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。堅持實用性和有效性為準則，并結(jié)合當(dāng)前發(fā)展現(xiàn)狀

與