化合物半導(dǎo)體行業(yè)市場分析報告2024年

2024年化合物半導(dǎo)體行業(yè)市場分析報告匯報人：XXX日期：XXX1contents目錄行業(yè)發(fā)展概述行業(yè)環(huán)境分析行業(yè)現(xiàn)狀分析行業(yè)格局及趨勢12342Part01行業(yè)發(fā)展概述行業(yè)定義行業(yè)發(fā)展歷程行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈3行業(yè)定義半導(dǎo)體是指在常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。常用的半導(dǎo)體材料分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體是由單一元素制成的半導(dǎo)體材料。主要有硅、鍺、硒等，以硅、鍺應(yīng)用最廣?；衔锇雽?dǎo)體分為二元系、三元系、多元系、有機化合物半導(dǎo)體和寬禁帶半導(dǎo)體。二元系化合物半導(dǎo)體有Ⅲ-Ⅴ族主要包括砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP），具有電子遷移率高、光電性能好等特點，是當前僅次于硅之外最成熟的半導(dǎo)體材料，在5G通信、數(shù)據(jù)中心、光纖通信、新一代顯示、人工智能、無人駕駛、可穿戴設(shè)備、航天方面有廣闊的應(yīng)用前景。寬禁帶半導(dǎo)體，以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等為代表，具有高禁帶寬度、耐高壓和大功率等特點，在通信、新能源汽車等領(lǐng)域前景廣闊，但目前成本較高。（注:本文主要討論的化合物半導(dǎo)體為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體）半導(dǎo)體材料的對比情況半導(dǎo)體是指在常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。常用的半導(dǎo)體材料分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體是由單一元素制成的半導(dǎo)體材料。主要有硅、鍺、硒等，以硅、鍺應(yīng)用最廣?；衔锇雽?dǎo)體分為二元系、三元系、多元系、有機化合物半導(dǎo)體和寬禁帶半導(dǎo)體。二元系化合物半導(dǎo)體有Ⅲ-Ⅴ族主要包括砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP），具有電子遷移率高、光電性能好等特點，是當前僅次于硅之外最成熟的半導(dǎo)體材料，在5G通信、數(shù)據(jù)中心、光纖通信、新一代顯示、人工智能、無人駕駛、可穿戴設(shè)備、航天方面有廣闊的應(yīng)用前景。寬禁帶半導(dǎo)體，以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等為代表，具有高禁帶寬度、耐高壓和大功率等特點，在通信、新能源汽車等領(lǐng)域前景廣闊，但目前成本較高。（注:本文主要討論的化合物半導(dǎo)體為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體）半導(dǎo)體材料的對比情況4行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈化合物半導(dǎo)體行業(yè)具有技術(shù)難度高、投資規(guī)模大、產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)長、產(chǎn)品種類多、更新迭代快、下游應(yīng)用廣泛的特點，產(chǎn)業(yè)鏈呈現(xiàn)垂直分工格局。半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游中的重要組成部分，在集成電路、分立器件等半導(dǎo)體產(chǎn)品生產(chǎn)制造中起到關(guān)鍵性的作用，其對于我國產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)升級及國民經(jīng)濟發(fā)展具有重要意義。半導(dǎo)體材料可細分為襯底、靶材、化學機械拋光材料、光刻膠、電子濕化學品、電子特種氣體、封裝材料等材料，其中襯底是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域最核心的材料。襯底由單元素半導(dǎo)體及化合物半導(dǎo)體組成，前者如硅（Si）、鍺(Ge）等所形成的半導(dǎo)體，后者為砷化鎵（GaAs）、磷化銦（lnP）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等化合物形成的半導(dǎo)體?；衔锇雽?dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)鏈包含芯片設(shè)計、制造和封裝測試環(huán)節(jié)，半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體設(shè)備屬于芯片制造、封測的支撐性產(chǎn)業(yè)。半導(dǎo)體產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)控制、消費電子、汽車電子、軌道交通、電力系統(tǒng)等領(lǐng)域。產(chǎn)業(yè)鏈概述5Part02行業(yè)環(huán)境分析行業(yè)政治環(huán)境行業(yè)經(jīng)濟環(huán)境行業(yè)社會環(huán)境行業(yè)驅(qū)動因素6行業(yè)政治環(huán)境近年來，國家不斷提升半導(dǎo)體行業(yè)的戰(zhàn)略地位，通過各種政策持續(xù)大力扶持國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。2021年，全國兩會發(fā)布《中華人民共和國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》，提出加強在人工智能、量子計算、集成電路前沿領(lǐng)域的前瞻性布局；2022年《“十四五”國家信息化規(guī)劃》提出加快集成電路；2023年《關(guān)于鞏固回升向好趨勢加力振作工業(yè)經(jīng)濟的通知》提出加強半導(dǎo)體材料提升工作等。綜合來看，國家持續(xù)對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)推出各項鼓勵政策，站在國家戰(zhàn)略高度對產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提出頂層規(guī)劃，自上而下地進行多角度、全方位的扶持，加速產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，具體措施包括財稅政策、研發(fā)項目支持、產(chǎn)業(yè)投資、人才補貼等。7Part03行業(yè)現(xiàn)狀分析行業(yè)現(xiàn)狀行業(yè)痛點8行業(yè)現(xiàn)狀磷化銦是磷和銦的化合物，磷化銦作為半導(dǎo)體材料具有優(yōu)良特性。使用磷化銦襯底制造的半導(dǎo)體器件，具備飽和電子漂移速度高、發(fā)光波長適宜光纖低損通信、抗輻射能力強、導(dǎo)熱性好、光電轉(zhuǎn)換效率高、禁帶寬度較高等特性，因此磷化銦襯底可被廣泛應(yīng)用于制造光模塊器件、傳感器件、高端射頻器件等。20世紀90年代以來，磷化銦技術(shù)得以迅速發(fā)展，并逐漸成為主流半導(dǎo)體材料之一。2026年全球磷化銦襯底（折合二英寸）預(yù)計銷量為1219萬片，2019-2026年復(fù)合增長率為140%；2026年全球磷化銦襯底市場規(guī)模為02億美元，2019-2026年復(fù)合增長率為142%。砷化鎵是砷與鎵的化合物，砷化鎵作為半導(dǎo)體材料具有優(yōu)良的特性。使用砷化鎵襯底制造的半導(dǎo)體器件，具備高功率密度、低能耗、抗高溫、高發(fā)光效率、抗輻射、高擊穿電壓等特性，因此砷化鎵襯底被廣泛用于生產(chǎn)LED、射頻器件、激光器等器件產(chǎn)品。20世紀90年代以來，砷化鎵技術(shù)得以迅速發(fā)展，并逐漸成為最成熟的半導(dǎo)體材料之一。2019年全球折合二英寸砷化鎵襯底市場銷量約為2,000萬片，預(yù)計到2025年全球折合二英寸砷化鎵襯底市場銷量將超過3,500萬片；2019年全球砷化鎵襯底市場規(guī)模約為2億美元，預(yù)計到2025年全球砷化鎵襯底市場規(guī)模將達到48億美元，2019-2025年復(fù)合增長率67%。2019-2026年全球磷化銦和砷化鎵襯底預(yù)計銷量和市場規(guī)模砷化鎵是砷與鎵的化合物，砷化鎵作為半導(dǎo)體材料具有優(yōu)良的特性。使用砷化鎵襯底制造的半導(dǎo)體器件，具備高功率密度、低能耗、抗高溫、高發(fā)光效率、抗輻射、高擊穿電壓等特性，因此砷化鎵襯底被廣泛用于生產(chǎn)LED、射頻器件、激光器等器件產(chǎn)品。20世紀90年代以來，砷化鎵技術(shù)得以迅速發(fā)展，并逐漸成為最成熟的半導(dǎo)體材料之一。2019年全球折合二英寸砷化鎵襯底市場銷量約為2,000萬片，預(yù)計到2025年全球折合二英寸砷化鎵襯底市場銷量將超過3,500萬片；2019年全球砷化鎵襯底市場規(guī)模約為2億美元，預(yù)計到2025年全球砷化鎵襯底市場規(guī)模將達到48億美元，2019-2025年復(fù)合增長率67%。2019-2026年全球磷化銦和砷化鎵襯底預(yù)計銷量和市場規(guī)模全球產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來重要機遇:全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈歷史上曾經(jīng)歷過兩次地域上的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，第一次為20世紀70年代從美國向日本轉(zhuǎn)移，第二次是20世紀80年代從日本向韓國和中國臺灣地區(qū)轉(zhuǎn)移。目前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于向中國大陸地區(qū)轉(zhuǎn)移的進程之中。目前，半導(dǎo)體材料仍是我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)較為薄弱的環(huán)節(jié)，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向中國大陸轉(zhuǎn)移的背景下，中國大陸作為全球最大的半導(dǎo)體終端應(yīng)用市場，將有望吸引更多國內(nèi)外半導(dǎo)體企業(yè)在中國大陸建廠，將進一步提升國內(nèi)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的整體發(fā)展水平，預(yù)計未來中國大陸化合物半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)鏈配套環(huán)境將顯著改善，市場份額占比也將持續(xù)擴大。新應(yīng)用產(chǎn)生的新需求帶來的新機遇:化合物半導(dǎo)體襯底材料具有優(yōu)異的性能，但長期受限于下游應(yīng)用領(lǐng)域市場規(guī)模較小并且自身成本較高，因此其市場規(guī)模遠低于硅襯底材料。然而，近年來，化合物半導(dǎo)體出現(xiàn)了多個新的應(yīng)用領(lǐng)域，為襯底企業(yè)帶來了增量市場，例如MiniLED、MicroLED、可穿戴設(shè)備傳感器、車載激光雷達、生物識別激光器等。該等需求均處于產(chǎn)業(yè)化進程之中，由于化合物襯底市場規(guī)模基數(shù)很低，上述每一個市場的放量均會對整個半導(dǎo)體襯底市場帶來顯著的拉動作用。此外，在化合物半導(dǎo)體的固有應(yīng)用領(lǐng)域：基站及數(shù)據(jù)中心的光模塊、智能手機及基站射頻器件等市場，5G通信、大數(shù)據(jù)及云計算的快速發(fā)展也帶來了5G基站建設(shè)、數(shù)據(jù)中心建設(shè)、5G智能手機更新?lián)Q代的機遇，體現(xiàn)在半導(dǎo)體襯底市場均是很大的增長點。半導(dǎo)體行業(yè)投資過熱可能產(chǎn)生供需錯配以及人才流失:在我國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的過程中，隨著大量資本涌入，出現(xiàn)了一定程度的投資過熱，部分企業(yè)的規(guī)模與其技術(shù)水平并不匹配，預(yù)計未來低端產(chǎn)品領(lǐng)域可能面臨惡性競爭，同時行業(yè)人才也可能會因競爭對手高薪聘請而流失。國家對于環(huán)保、安全生產(chǎn)的要求不斷提高:2015年，砷化鎵被國家安監(jiān)局列入了危險化學品清單，行業(yè)監(jiān)管政策地不斷趨嚴要求砷化鎵襯底企業(yè)不斷加強對原材料、半成品及產(chǎn)成品運輸、使用、生產(chǎn)等環(huán)節(jié)的管理，行業(yè)安全生產(chǎn)投入將不斷提高，以確保生產(chǎn)經(jīng)營的合法、合規(guī)性?；衔锇雽?dǎo)體襯底企業(yè)的生產(chǎn)工藝涉及化學合成工藝、高溫高壓合成工藝、物理切割拋光清洗工藝、提純工藝等，會產(chǎn)生一定的“三廢”排放。隨著國家對于環(huán)境治理標準的不斷提高，以及客戶對供應(yīng)商產(chǎn)品品質(zhì)的提高，化合物半導(dǎo)體襯底企業(yè)的環(huán)保治理成本也將不斷增長。9行業(yè)壁壘行業(yè)壁壘技術(shù)壁壘:化合物半導(dǎo)體的研發(fā)生產(chǎn)過程涉及微電子、半導(dǎo)體物理、材料學、電子線路、機械力學、熱力學等諸多學科，需多種學科的交叉融合，行業(yè)內(nèi)企業(yè)需要綜合掌握外延、微細加工、封裝測試等多領(lǐng)域技術(shù)或工藝，并加以整合集成。因此，化合物半導(dǎo)體行業(yè)屬于技術(shù)密集型行業(yè)，技術(shù)門檻較高。下游產(chǎn)品呈現(xiàn)多功能化、低能耗、體積輕薄等發(fā)展趨勢以及新技術(shù)、新應(yīng)用領(lǐng)域的大量涌現(xiàn)，對化合物半導(dǎo)體的研發(fā)生產(chǎn)提出了非常高的技術(shù)要求。行業(yè)內(nèi)企業(yè)需要擁有豐厚的技術(shù)、工藝經(jīng)驗儲備并持續(xù)技術(shù)革新和創(chuàng)新，而且能夠在短期內(nèi)成功開發(fā)出多品類、適宜量產(chǎn)的產(chǎn)品，才能在市場上站穩(wěn)腳步。新進企業(yè)很難在短時間內(nèi)掌握先進技術(shù)，亦難以持續(xù)保持技術(shù)的先進性，這些均構(gòu)成了較高的技術(shù)壁壘。人才壁壘:化合物半導(dǎo)體行業(yè)是技術(shù)密集型行業(yè)，行業(yè)的高技術(shù)門檻同時也造就了該行業(yè)的高人才門檻，企業(yè)的高素質(zhì)的經(jīng)營管理團隊和具備持續(xù)創(chuàng)新力的研發(fā)團隊的實力決定了企業(yè)的核心競爭力。雖然國內(nèi)半導(dǎo)體的研究人員較多，但相當一部分人員往往缺乏對半化合物半導(dǎo)體尤其是先進產(chǎn)品的長期實踐和經(jīng)驗積累，缺乏成功的實戰(zhàn)開發(fā)經(jīng)驗，從理論研究到實踐操作仍有很大的跨度。而且，行業(yè)內(nèi)企業(yè)在產(chǎn)品技術(shù)升級、新產(chǎn)品推出、產(chǎn)品的售后服務(wù)上，對生產(chǎn)技術(shù)工人、研發(fā)技術(shù)人才和專業(yè)的營銷人才有一定的依賴性，新進入企業(yè)很難在短時間內(nèi)招募到足夠的上述人才，這會對公司的生產(chǎn)效率、產(chǎn)品成本、交貨期等產(chǎn)生重大不利影響。因此，化合物半導(dǎo)體行業(yè)需要既懂芯片設(shè)計同時又懂生產(chǎn)制造工藝、器件可靠性及應(yīng)用的高素質(zhì)人才，這在很大程度上也提高了該行業(yè)企業(yè)的準入門檻。資金壁壘:化合物半導(dǎo)體行業(yè)亦屬于資本密集型行業(yè)。從行業(yè)投入設(shè)備看，外延、光刻、蝕刻、離子注入、擴散等工序所必須的高技術(shù)研發(fā)、生產(chǎn)加工和測試設(shè)備主要依靠向歐美、日韓等進口，價格昂貴。從研發(fā)設(shè)計看，行業(yè)內(nèi)企業(yè)從購買仿真軟件和版圖繪制軟件到光刻版制作、成品封裝測試、應(yīng)用評估、可靠性考核都需要大量資金支持。從日常運營看，行業(yè)內(nèi)企業(yè)一方面需要龐大的流動資金來用于芯片代工及芯片封裝測試；另一方面，需要有非常齊全的產(chǎn)品品類來滿足下游各領(lǐng)域的需求，保持足夠的市場占有率和品牌影響力，這就要求企業(yè)保持較高的營運資金水平。另外，行業(yè)技術(shù)更新?lián)Q代快，產(chǎn)品競爭激烈，對企業(yè)的研發(fā)投入和人才投入等也有較高的要求。綜上，如果行業(yè)內(nèi)新進企業(yè)沒有持續(xù)性高水平的資金投入，將很難與化合物半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)的現(xiàn)有企業(yè)進行競爭。質(zhì)量管控壁壘:化合物半導(dǎo)體作為內(nèi)嵌于電子整機產(chǎn)品中的關(guān)鍵零部件之一，在電流、電場、濕度以及溫度等外界應(yīng)力激活的影響下，存在潛在的失效風險，進而影響電子整機產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。如果電子整機產(chǎn)品質(zhì)量和性能未達到要求，將直接影響下游應(yīng)用領(lǐng)域中高價值產(chǎn)品的質(zhì)量和性能，從而造成大量損失。因此，在化合物半導(dǎo)體大批量生產(chǎn)過程當中，對產(chǎn)品良率、失效率及一致性水平等方面提出了較高要求。實現(xiàn)精益化生產(chǎn)、擁有先進的生產(chǎn)設(shè)備、精細的現(xiàn)場管理以及長期的技術(shù)經(jīng)驗沉積是行業(yè)內(nèi)企業(yè)確保產(chǎn)品質(zhì)量、性能和可靠性的基本保障。行業(yè)新進入者由于缺少長期的生產(chǎn)實踐經(jīng)驗積累以及成熟的質(zhì)量管理體系，短期內(nèi)較難達到相關(guān)質(zhì)量控制要求?？蛻粽J證壁壘:化合物半導(dǎo)體很大程度上影響下游產(chǎn)品的質(zhì)量和性能，因此通過客戶嚴格的認證是進入本行業(yè)開展競爭的必要條件。化合物半導(dǎo)體作為電子信息產(chǎn)業(yè)中的一種基礎(chǔ)性元器件，最終應(yīng)用于規(guī)模化的下游廠商，包括消費電子、汽車電子、工業(yè)電子等。為了保證產(chǎn)品品質(zhì)及性能的穩(wěn)定性，下游客戶通常對供應(yīng)商有較嚴格的認證條件，要求供應(yīng)商除了具備行業(yè)內(nèi)較領(lǐng)先的技術(shù)、產(chǎn)品、服務(wù)以及穩(wěn)定的量產(chǎn)能力外，還須通過行業(yè)內(nèi)質(zhì)量管理體系認證或下游客戶嚴格的采購認證程序，一旦通過則能與客戶建立起長期、穩(wěn)定的合作關(guān)系。行業(yè)新進入者通過下游客戶的認證需要一定的周期以及較高的條件，這對新進入者形成了較高的壁壘。行業(yè)壁壘化合物半導(dǎo)體行業(yè)亦屬于資本密集型行業(yè)。從行業(yè)投入設(shè)備看，外延、光刻、蝕刻、離子注入、擴散等工序所必須的高技術(shù)研發(fā)、生產(chǎn)加工和測試設(shè)備主要依靠向歐美、日韓等進口，價格昂貴。從研發(fā)設(shè)計看，行業(yè)內(nèi)企業(yè)從購買仿真軟件和版圖繪制軟件到光刻版制作、成品封裝測試、應(yīng)用評估、可靠性考核都需要大量資金支持。從日常運營看，行業(yè)內(nèi)企業(yè)一方面需要龐大的流動資金來用于芯片代工及芯片封裝測試；另一方面，需要有非常齊全的產(chǎn)品品類來滿足下游各領(lǐng)域的需求，保持足夠的市場占有率和品牌影響力，這就要求企業(yè)保持較高的營運資金水平。另外，行業(yè)技術(shù)更新?lián)Q代快，產(chǎn)品競爭激烈，對企業(yè)的研發(fā)投入和人才投入等也有較高的要求。綜上，如果行業(yè)內(nèi)新進企業(yè)沒有持續(xù)性高水平的資金投入，將很難與化合物半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)的現(xiàn)有企業(yè)進行競爭?；衔锇雽?dǎo)體行業(yè)是技術(shù)密集型行業(yè)，行業(yè)的高技術(shù)門檻同時也造就了該行業(yè)的高人才門檻，企業(yè)的高素質(zhì)的經(jīng)營管理團隊和具備持續(xù)創(chuàng)新力的研發(fā)團隊的實力決定了企業(yè)的核心競爭力。雖然國內(nèi)半導(dǎo)體的研究人員較多，但相當一部分人員往往缺乏對半化合物半導(dǎo)體尤其是先進產(chǎn)品的長期實踐和經(jīng)驗積累，缺乏成功的實戰(zhàn)開發(fā)經(jīng)驗，從理論研究到實踐操作仍有很大的跨度。而且，行業(yè)內(nèi)企業(yè)在產(chǎn)品技術(shù)升級、新產(chǎn)品推出、產(chǎn)品的售后服務(wù)上，對生產(chǎn)技術(shù)工人、研發(fā)技術(shù)人才和專業(yè)的營銷人才有一定的依賴性，新進入企業(yè)很難在短時間內(nèi)招募到足夠的上述人才，這會對公司的生產(chǎn)效率、產(chǎn)品成本、交貨期等產(chǎn)生重大不利影響。因此，化合物半導(dǎo)體行業(yè)需要既懂芯片設(shè)計同時又懂生產(chǎn)制造工藝、器件可靠性及應(yīng)用的高素質(zhì)人才，這在很大程度上也提高了該行業(yè)企業(yè)的準入門檻。資金壁壘人才壁壘技術(shù)壁壘化合物半導(dǎo)體的研發(fā)生產(chǎn)過程涉及微電子、半導(dǎo)體物理、材料學、電子線路、機械力學、熱力學等諸多學科，需多種學科的交叉融合，行業(yè)內(nèi)企業(yè)需要綜合掌握外延、微細加工、封裝測試等多領(lǐng)域技術(shù)或工藝，并加以整合集成。因此，化合物半導(dǎo)體行業(yè)屬于技術(shù)密集型行業(yè)，技術(shù)門檻較高。下游產(chǎn)品呈現(xiàn)多功能化、低能耗、體積輕薄等發(fā)展趨勢以及新技術(shù)、新應(yīng)用領(lǐng)域的大量涌現(xiàn)，對化合物半導(dǎo)體的研發(fā)生產(chǎn)提出了非常高的技術(shù)要求。行業(yè)內(nèi)企業(yè)需要擁有豐厚的技術(shù)、工藝經(jīng)驗儲備并持續(xù)技術(shù)革新和創(chuàng)新，而且能夠在短期內(nèi)成功開發(fā)出多品類、適宜量產(chǎn)的產(chǎn)品，才能在市場上站穩(wěn)腳步。新進企業(yè)很難在短時間內(nèi)掌握先進技術(shù)，亦難以持續(xù)保持技術(shù)的先進性，這些均構(gòu)成了較高的技術(shù)壁壘。流通環(huán)節(jié)有待完善化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品種類繁多，消費數(shù)量較大，質(zhì)量參差不齊，試劑流通管理難以完善，導(dǎo)致化合物半導(dǎo)體行業(yè)目前在流通領(lǐng)域還面臨許多問題。（1）在產(chǎn)品的流通中，許多環(huán)節(jié)缺少安全的冷鏈和冷庫設(shè)施供應(yīng)。在目前運輸多為汽車和鐵路運輸?shù)那闆r下，化合物半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)企業(yè)普遍采用運輸箱內(nèi)置冰凍袋的冷藏方式，在高溫天氣或長距離運輸?shù)那闆r下無法確保運輸溫度的穩(wěn)定，影響試劑的安全性。（2）監(jiān)管人員技術(shù)水平有待提高。化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品是一種高技術(shù)含量的產(chǎn)品，產(chǎn)品研發(fā)涉及生物學、信息技術(shù)、電子技術(shù)、工程學等多項學科，而目前從事化合物半導(dǎo)體行業(yè)的人員50%以上是工商、質(zhì)檢管理等專業(yè)背景的人員，缺少必要的專業(yè)技術(shù)知識。知識背景的不匹配使得管理流程漏洞頻發(fā)，化合物半導(dǎo)體行業(yè)整體監(jiān)管水平有待提高。（3）中間環(huán)節(jié)加價嚴重。出于安全的考慮，國家對化合物半導(dǎo)體行業(yè)進出口標準與流程嚴格把控，環(huán)節(jié)復(fù)雜，中間環(huán)節(jié)加價嚴重，代理公司的介入可能使產(chǎn)品出廠價格上漲至少一倍以上，導(dǎo)致產(chǎn)品市場競爭力下降，阻礙本土化合物半導(dǎo)體行業(yè)企業(yè)的國際化進程。流通環(huán)節(jié)問題中間環(huán)節(jié)加價嚴重供應(yīng)鏈質(zhì)量監(jiān)管Part04行業(yè)競爭格局及趨勢行業(yè)發(fā)展趨勢行業(yè)競爭格局行業(yè)代表企業(yè)13&&&行業(yè)競爭格局概述行業(yè)競爭格局概述中國政府正大力推動社會資本進入化合物半導(dǎo)體行業(yè)，對化合物半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)品需求被迅速拉動，需求量呈現(xiàn)上升趨勢，化合物半導(dǎo)體行業(yè)企業(yè)進軍國民經(jīng)濟大產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略窗口期已經(jīng)來臨?；衔锇雽?dǎo)體行業(yè)各業(yè)態(tài)企業(yè)競爭激烈，當前，市場上50%以上的化合物半導(dǎo)體行業(yè)企業(yè)有外資介入，包括中外獨（合）資、臺港澳與境內(nèi)合資、外商獨資等，純內(nèi)資本土化合物半導(dǎo)體行業(yè)企業(yè)數(shù)目較少，約占化合物半導(dǎo)體行業(yè)企業(yè)總數(shù)的25%。此外，商業(yè)銀行逐步進入化合物半導(dǎo)體行業(yè)，興業(yè)銀行、中心銀行、民生銀行等先后成立金融公司，涉足設(shè)備融資租賃業(yè)務(wù)。中國本土化合物半導(dǎo)體行業(yè)企業(yè)根據(jù)租賃公司股東背景及運營機制的不同又可以劃分為廠商系、獨立系和銀行系三類三類化合物半導(dǎo)體行業(yè)企業(yè)各有優(yōu)劣勢：（1）化合物半導(dǎo)體行業(yè)企業(yè)具有設(shè)備技術(shù)優(yōu)勢，主要與母公司設(shè)備銷售聯(lián)動，以設(shè)備、耗材的銷售利潤覆蓋融資租賃成本；（2）獨立系化合物半導(dǎo)體行業(yè)企業(yè)產(chǎn)業(yè)化程度高，易形成差異化商業(yè)模式，提供專業(yè)化的融資租賃服務(wù)；（3）銀行系化合物半導(dǎo)體行業(yè)企業(yè)背靠銀行股東，能夠以較低成本獲取資金，且在渠道體系等方面具備一定優(yōu)勢。行業(yè)競爭格局化合物半導(dǎo)體行業(yè)市場集中度較高，主要供應(yīng)商包括Sumitomo、北京通美、日本JX、Umicore等。磷化銦單晶批量生長的技術(shù)主要包括LEC法、VGF法和VB法。北京通美和Sumitomo分別使用VGF和VB技術(shù)可以生長出直徑6英寸磷化銦單晶，日本JX使用LEC技術(shù)可以生長出直徑4英寸的磷化銦單晶。砷化鎵晶體主流生長工藝包括LEC法、HB法、VB法以及VGF法等，其中Sumitomo砷化鎵單晶生產(chǎn)以VB法為主，F(xiàn)reiberger以VGF和LEC法為主，而北京通美則以VGF法為主。目前國內(nèi)涉及砷化鎵襯底業(yè)務(wù)的公司較少，除北京通美外，廣東先導(dǎo)先進材料股份有限公司等公司在生產(chǎn)LED的砷化鎵襯底方面已具備一定規(guī)模。15行業(yè)發(fā)展趨勢化合物半導(dǎo)體襯底尺寸不斷增大:與硅襯底類似，化合物半導(dǎo)體襯底也在不斷向更大尺寸演進化合物半導(dǎo)體襯底的直徑越大，在單片襯底上可制造的芯片數(shù)量越多，制造單位芯片的成本也越低。同時，在圓形的襯底上制造矩形的芯片會使襯底邊緣處的一些區(qū)域無法被利用，而襯底的直徑越大，相對而言襯底邊緣的損失會越小，有利于進一步降低芯片的成本。降低芯片制造成本對下游芯片和器件企業(yè)而言，也是擴大在新興應(yīng)用領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化規(guī)模的關(guān)鍵因素之一。對化合物半導(dǎo)體襯底企業(yè)而言，下游客戶降低制造芯片成本的需求對擴大化合物半導(dǎo)體襯底直徑提出了更高的要求。當前，全球