GB∕ T 4937.23-2023 半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第23部分：高溫工作壽命（正式版）

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法國家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)I ——第27部分：靜電放電(ESD)敏感度測(cè)試機(jī)器模型( ⅡGB/T4937.23—2023/IEC6 Ⅲ——第26部分：靜電放電(ESD)敏感度測(cè)試人體模型(HBM)。目的在于規(guī)定可靠、可重復(fù)的——第27部分：靜電放電(ESD)敏感度測(cè)試機(jī)器模型(MM)。目的在于規(guī)定可靠、可重復(fù)的—第28部分：靜電放電(ESD)敏感度測(cè)試帶電器件模型(CDM)器件級(jí)。目的在于規(guī)定可 GB/T4937(所有部分)均為一一對(duì)應(yīng)采用IEC60749(所有部分),以保證半導(dǎo)體器件試驗(yàn)方法與國1本文件描述了隨時(shí)間的推移，偏置條件和溫度對(duì)固態(tài)器件影響的試驗(yàn)方法。該試驗(yàn)以加速壽命模2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文IEC60747(所有部分)半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路(Semiconductordevices—Discretede-vicesandintegratedcirIEC60749-34半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第34部分：功率循環(huán)(Semiconductor符合器件規(guī)范或數(shù)據(jù)手冊(cè)中規(guī)定的器件工作時(shí)的最大電源電壓。23GB/T4937.23—2023/IEC6流水平的靜態(tài)工作模式。宜確定具體的偏置條件，使器件中最多數(shù)目的固態(tài)結(jié)處于偏置狀態(tài)。4GB/T4937.23—2023/IEC6超出96h的時(shí)間(t)h電測(cè)試之前附加應(yīng)力時(shí)間h5與第2章中規(guī)范性引用的IEC60747(所有部分)有對(duì)應(yīng)關(guān)系的國家標(biāo)準(zhǔn)見表NA.1。引用的國際標(biāo)準(zhǔn)與國際標(biāo)準(zhǔn)的對(duì)應(yīng)關(guān)系1(所有部分)GB/T17573—1998半導(dǎo)體器件分立2GB/T4023—2015半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第3GB/T6351—1998半導(dǎo)體器件分立器(包括雪崩整流二極管)空白詳細(xì)規(guī)范4GB/T16894—1997大于100A,環(huán)境和管極管(包括雪崩整流二極管)空白詳細(xì)規(guī)范5GB/T6571—1995半導(dǎo)體器件分立器件號(hào)(包括開關(guān))和調(diào)整二極管6GB/T6588—2000半導(dǎo)體器件分立器件第極管和可控雪崩二極管空白詳細(xì)規(guī)范7GB/T6589—2002半導(dǎo)體器件分立器件第3-2部分：準(zhǔn)二極管(不包括溫度補(bǔ)償精密基準(zhǔn)二極管)空白詳細(xì)規(guī)范8GB/T20516—2006半導(dǎo)體器件分立器9GB/T21039.1—2007半導(dǎo)體器件分立器件第4-1部GB/T15651.2—2003半導(dǎo)體分立器件和集成GB/T15651.3—2003半導(dǎo)體分立器件和集GB/T15651.4—2017半導(dǎo)體器件分立器件第5-4部GB/T15291—2015半導(dǎo)體器件第6表NA.1與IEC60747(所有部分)有對(duì)應(yīng)關(guān)系的國家標(biāo)準(zhǔn)(續(xù))引用的國際標(biāo)準(zhǔn)與國際標(biāo)準(zhǔn)的對(duì)應(yīng)關(guān)系(所有部分)GB/T6352—1998半導(dǎo)體器件分立器件第6部分：閘流晶體管第一篇100A以下環(huán)境或管殼額定反向阻斷三極閘流晶體管空白詳細(xì)規(guī)范GB/T6590—1998半導(dǎo)體器件分立器件第6部分：閘流晶體管第二篇100A以下環(huán)境或管殼額定的雙向三極閘流晶體管空白詳細(xì)規(guī)范GB/T13151—2005半導(dǎo)體器件分立器閘管第三篇電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的反向阻斷三極晶閘管空白詳細(xì)規(guī)范GB/T4587—1994半導(dǎo)體分立器件和集分：雙極型晶體管GB/T6217—1998半導(dǎo)體器件分立器件第管空白詳細(xì)規(guī)范GB/T7577—1996低頻放大管殼額定的雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范GB/T6218—1996開關(guān)用雙極型晶體GB/T7576—1998半導(dǎo)體器件分立器件極型晶體管第四篇高頻放大管殼額定雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范GB/T4586—1994半導(dǎo)體器件分立器件效應(yīng)晶體管GB/T6219—1998半導(dǎo)體器件分立器件第效應(yīng)晶體管第一篇1GHz、5W以下的單柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范GB/T29332—2012半導(dǎo)體器件分立器緣柵雙極晶體管(IGBT)GB/T4589.1—2006半導(dǎo)體器件第10