軸向磁通電機(jī)控制方法

潘忠亮等縮略語：結(jié)構(gòu)和多盤式結(jié)構(gòu)5類。盡管AFFSPM電通電機(jī)相同，所以AFFSPM與徑向磁通電方法進(jìn)行闡述。在基于AFFSPM數(shù)學(xué)模型中相應(yīng)的控制效果。在不依靠軸向磁通電機(jī)數(shù)學(xué)模型的控制方法中，2基于AFFSPM數(shù)學(xué)模型的控制方法基于AFFSPM數(shù)學(xué)模型的控制方法即應(yīng)方法，達(dá)到定子電流轉(zhuǎn)矩分量和磁鏈分量的解耦控制，將交機(jī)轉(zhuǎn)化為直流電機(jī)控制，實(shí)現(xiàn)大轉(zhuǎn)矩、高轉(zhuǎn)速且高控制精度。在電壓區(qū)，以電壓幅值與直流母線電容電壓差值為依據(jù)退弱磁的控制時刻，實(shí)現(xiàn)了弱磁控制。該弱磁控制策略流母線電壓利用率，增大電機(jī)轉(zhuǎn)速工作區(qū)間，相同轉(zhuǎn)速進(jìn)行比較。圖2為軸向磁通電機(jī)電感補(bǔ)償控制框圖。在電壓區(qū)，基于電感補(bǔ)償且保持q軸反電勢不變的弱磁控制方銅耗，提高了電機(jī)系統(tǒng)效率?；陔姼醒a(bǔ)償?shù)娜醮趴刂瓶稍龃箅姍C(jī)在電壓區(qū)工作的轉(zhuǎn)速范圍。不同負(fù)載工況下調(diào)節(jié)不同功率因數(shù)，流。結(jié)果表明單位功率因數(shù)控制方案可將AF是指靠數(shù)據(jù)來調(diào)節(jié)模糊系統(tǒng)的參數(shù)。單個自適應(yīng)模糊控制器可由與傳統(tǒng)的自適應(yīng)控制相比，模糊自適應(yīng)控制的優(yōu)系統(tǒng)提供的模糊性語言，而傳統(tǒng)的自適應(yīng)控制則不能。此高度不確定因素的系統(tǒng)尤其關(guān)鍵，針對AFF模糊控制器參數(shù)，將模糊控制器應(yīng)用在轉(zhuǎn)速環(huán)調(diào)節(jié)至q軸泛的是拉格朗日乘數(shù)法求多元函數(shù)極值。景夢蝶將變量與約件的最優(yōu)問題轉(zhuǎn)換為方程組極值問題，其變量不受任后，將擴(kuò)展拉格朗日乘子法計算電機(jī)在工作區(qū)域的銅耗最小值，基于總損耗的效率優(yōu)化控制方法，構(gòu)建HEAFF保證總的損耗最小，最終實(shí)現(xiàn)控制系統(tǒng)的最小損耗運(yùn)行，提機(jī)帯負(fù)載能力，增大電機(jī)恒功率轉(zhuǎn)速運(yùn)行范圍，提高系統(tǒng)運(yùn)3非AFFSPM數(shù)學(xué)模型的控制方式于AFFSPM電機(jī)數(shù)學(xué)模型的控制方式較低的優(yōu)點(diǎn)，但也存在轉(zhuǎn)矩輸出波動不平穩(wěn)和電流較大的情轉(zhuǎn)速較低時，此時反電勢較小，電流變化較大，電流上升速度快，很可能破壞功率器件，為保證電流峰值在安全值范圍之內(nèi)案的優(yōu)點(diǎn)適用于電機(jī)在低速運(yùn)行時，對電流峰值的增長起角度位置斬波控制是指在電機(jī)高速運(yùn)行時，電流的上升速率較低，電流幅值與電流變化率比低速運(yùn)行時小，此時可通過可以通過改變開通角和關(guān)斷角來調(diào)整。目前，提出了一種基于電機(jī)定子磁鏈跟隨的控制策略。使電機(jī)在低和高轉(zhuǎn)速都有較好的轉(zhuǎn)矩表現(xiàn)。針對傳統(tǒng)的AFF-SPM存在矩計算模塊得到磁鏈估計值和轉(zhuǎn)矩估計值，并分別以參考轉(zhuǎn)用矢量控制對模塊式AFFSPM電機(jī)的靜態(tài)、性能進(jìn)行了仿真研究。仿真結(jié)果表明，相比直接轉(zhuǎn)矩控制，采用低速性能優(yōu)越的特點(diǎn)，更適合用在該新型電機(jī)的變頻調(diào)速控制系模型基礎(chǔ)上，針對三相四橋臂容錯逆變器拓?fù)?，基于恒磁銅耗最小原則，分別對模型預(yù)測轉(zhuǎn)矩控制和直接轉(zhuǎn)矩控制仿真結(jié)果表明，電機(jī)單相開路故障容錯后，2種控制降低銅耗的情況下維持電機(jī)轉(zhuǎn)矩、磁鏈基本不變，保運(yùn)行。相比于直接轉(zhuǎn)矩控制，采用模型預(yù)測轉(zhuǎn)矩控制控制方式，預(yù)測每個采樣周期的轉(zhuǎn)矩和磁鏈，應(yīng)用價擇最優(yōu)電壓矢量，即應(yīng)用價值函數(shù)值最小對應(yīng)的電壓鏈波動，提高電機(jī)的響應(yīng)性能，更適合用在電動汽車4結(jié)論及啟示芯片內(nèi)存較多，優(yōu)點(diǎn)在