區(qū)熔用硅多晶材料編制說明

行業(yè)標準《區(qū)熔用硅多晶材料》編制說明（送審稿）工作簡況立項目的和意義區(qū)熔用硅多晶材料（以下簡稱“區(qū)熔硅”）屬于超高純硅材料，在《重點新材料首批次應用示范指導目錄（2021年版）》“三、先進半導體材料和新型顯示材料”中明確提及區(qū)熔硅，區(qū)熔硅是區(qū)熔硅單晶和6英寸及8英寸功率器件和分立器件的原材料，是國家戰(zhàn)略新興產業(yè)中的新能源和新一代信息產業(yè)的基礎原材料，屬于《國家重點支持的高新技術領域》中新材料技術領域的半導體新材料。符合國家發(fā)布的《國家集成電路產業(yè)發(fā)展推進綱要》、《新時期促進集成電路產業(yè)和軟件產業(yè)高質量發(fā)展若干政策》、《中國制造2025》等政策的精神。近年來，我國電子信息產業(yè)快速發(fā)展，特別是高科技領域對區(qū)熔硅的需求量有所增加，目前陜西有色天宏瑞科硅材料有限責任公司產能約200噸，洛陽中硅高科技有限公司產能約1000噸，青海黃河上游水電開發(fā)有限責任公司新能源分公司電產能約500噸，但是我國區(qū)熔硅主要依賴進口，去年從國外進口約400噸，并且逐年以30%的需求量在增長，而從美國進口量約過70%，歸咎原因是國產化速度慢，目前陜西有色天宏瑞科硅材料有限責任公司正在批量供應國內客戶。隨著中美大國博弈，美國對中國貿易戰(zhàn)逐步升級，中美貿易摩擦不斷，我國尖端電子科技產業(yè)發(fā)展將受到極大制約，半導體整個產業(yè)鏈的自主可控是唯一出路。區(qū)熔硅如有斷供風險，必將嚴重影響我國集成電路、高壓輸電、高鐵、新能源汽車以及國防安全等。在當前國際環(huán)境下，本標準的起草具有重要的戰(zhàn)略意義，標志著我國區(qū)熔硅取得重大突破，可以促進國內區(qū)熔硅的推廣使用和半導體產業(yè)的蓬勃發(fā)展，推進先進半導體材料的國產替代，突破“卡脖子”關鍵技術發(fā)展，實現(xiàn)制造業(yè)由大變強的歷史跨越。任務來源2.1計劃來源及要求根據(jù)2023年5月15日《工業(yè)和信息化部辦公廳關于印發(fā)2023年第一批行業(yè)標準制修訂和外文版項目計劃的通知》（工信廳科〔2023〕18號）的要求，行業(yè)標準《區(qū)熔用硅多晶材料》（制訂YS/TXXXX-2023）項目由陜西有色天宏瑞科硅材料有限責任公司牽頭起草，計劃編號為2023-0083T-YS，項目周期為24個月。主要參加單位和工作成員及其所做的工作3.1主要參加單位情況牽頭單位陜西有色天宏瑞科硅材料有限責任公司，是一家集超純硅材料制造、銷售、服務和研發(fā)于一體的中外合資高新技術企業(yè)。公司由陜西有色金屬控股集團有限責任公司的全資子公司陜西有色天宏新能源有限責任公司和全球領先的硅材料制造公司美國RECSilicon共同出資組建，于2014年7月正式成立，注冊資本4.98億美元，陜西有色天宏新能源有限公司和美國RECSilicon分別持有公司84.94%和15.06%的股份。公司位于陜西省榆林市榆佳工業(yè)園區(qū)，充分利用榆林當?shù)貎?yōu)勢資源，以貫徹落實中央關于科學發(fā)展和省委省政府加快陜北能源化工基地建設精神為指導，以“煤-電-硅”產業(yè)鏈為依托，引進美國RECSilicon全球領先的電子級硅多晶、電子級硅烷氣和粒狀硅多晶生產技術，建設年產2000噸高純硅烷氣、1000噸電子級硅多晶、18000噸粒狀硅多晶的硅材料生產線。公司秉承綠色低碳，合作共贏、回饋社會的生產經營理念，生產粒狀硅所采用的硅烷流化床(FBR)技術，在大幅降低硅多晶生產成本，為下游企業(yè)提供優(yōu)質、低價原材料的同時，還可實現(xiàn)下游企業(yè)單晶連續(xù)拉制并有效增加鑄錠單爐產量，提高生產率，增強市場競爭優(yōu)勢，實現(xiàn)互惠共贏，公司生產的電子級硅多晶、電子級硅烷氣和粒狀硅多晶質量達到國際領先水平，品質完全滿足主流市場硅多晶料需求，并已通過下游客戶的實際驗證。面對激烈的市場競爭環(huán)境和經濟發(fā)展新常態(tài)，公司將依托中外合資新平臺，打造科學管理新模式，做到高起點、高標準、高質量、高效益，突出創(chuàng)新驅動，優(yōu)化生產經營，實現(xiàn)企業(yè)健康可持續(xù)發(fā)展，建立、提升和鞏固公司在中國硅材料行業(yè)的領先地位，打造具有國際競爭力的大型硅材料公司。陜西有色天宏瑞科硅材料有限責任公司作為牽頭單位開展大量的現(xiàn)場調研、資料查閱、取樣、各項試驗和數(shù)據(jù)的收集工作，為標準編寫提供了真實有效的實測數(shù)據(jù)，并組織標準編寫，最終帶領編制組完成標準編制工作。xxx限公司，xxx股份有限公司，xxx積極參加標準調研工作和意見反饋工作，針對標準的討論稿的技術指標提出反饋意見。3.2主要工作成員負責的工作情況標準主要起草人及工作職責見表1。表1主要起草人及工作職責起草人工作職責XX負責標準制訂工作整體的統(tǒng)籌安排，跟進標準制訂進度，推進標準穩(wěn)步進行。XX提供理論支撐和指導，協(xié)助標準編寫。XX負責標準實驗安排，試驗方案確定和數(shù)據(jù)積累，相關企業(yè)意見的征集和反饋，以及標準的編寫。XX負責標準編制說明的編寫。XX提供產品生產、使用情況，參與標準編寫及意見反饋。主要工作過程4.1起草階段2023年5月15日，工業(yè)和信息化部辦公廳下達了制訂《區(qū)熔用硅多晶材料》行業(yè)標準的任務。在下達計劃之日起，標準編制組內部召開了關于標準起草的工作會議，布置了標準起草的相關工作，2023年9月完成了標準討論稿及編制說明。2023年11月，由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會組織，在浙江麗水市召開《區(qū)熔用硅多晶材料》第一次標準工作會議（討論會），共有有色金屬技術經濟研究院有限責任公司、有研半導體材料有限公司、青海芯測科技有限公司、河南硅烷科技發(fā)展股份有限公司、天津中環(huán)領先材料技術有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司等58家單位的60名專家參加了會議，與會專家對標準的討論稿認真地進行了逐字逐句的討論，對本標準的技術要點內容和文本質量進行了充分的討論，會議對本標準的范圍、規(guī)范性引用文件、術語和定義、要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標志包裝、運輸、貯存及訂貨單內容等提出了相應修改意見。根據(jù)會議的要求，編制組對討論稿進行了修改和補充，于2024年3月完成了標準預審稿及編制說明。2024年4月，由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會組織，在山東濟南市召開《區(qū)熔用硅多晶材料》標準工作會議（預審會），共有有色金屬技術經濟研究院有限責任公司、青海芯測科技有限公司、河南硅烷科技發(fā)展股份有限公司、天津中環(huán)領先材料技術有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司等22家單位的30名專家參加了會議，與會專家對標準的預審稿認真地進行了逐字逐句的討論，對本標準的技術要點內容和文本質量進行了充分的討論，會議對本標準的范圍、規(guī)范性引用文件、術語和定義、要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標志包裝、運輸、貯存及訂貨單內容等提出了相應修改意見。根據(jù)會議的要求，編制組對預審稿進行了修改、補充和完善，于2024年5月完成了標準審定稿及編制說明。標準編制原則本標準起草單位自接受起草任務后，成立了標準編制組負責收集生產統(tǒng)計、檢驗數(shù)據(jù)、市場需求及客戶要求等信息，確定了《區(qū)熔用硅多晶材料》標準起草所遵循的基本原則和編制依據(jù)：確定區(qū)熔硅產品牌號和類別、技術要求。結合相關生產企業(yè)和客戶使用需求，明確區(qū)熔硅產品試驗方法、檢驗規(guī)則、標志、包裝、運輸、貯存及隨行文件和訂貨單內容。更好的指導區(qū)熔硅的生產、銷售和使用。（3）為促進區(qū)熔硅的發(fā)展，結合我國實際生產水平，同時根據(jù)產品用戶的意見反饋，正確兼顧好彼此之間的關系，追求技術的先進性、指標的合理性和嚴謹性的統(tǒng)一，規(guī)范產品的質量標準，便于生產和用戶的應用。（4）標準制訂的程序和格式嚴格按GB/T1.1、GB/T1.2、GB/T20001.4和《有色金屬冶煉產品、加工產品、化學分析方法國家標準、行業(yè)標準編寫示例》的要求進行。標準主要內容的確定依據(jù)本標準結合我國區(qū)熔硅的實際生產和使用情況，考慮區(qū)熔硅的發(fā)展和行業(yè)現(xiàn)狀制定而成。主要內容的確定依據(jù)詳述如下：1、范圍為有利于激活區(qū)熔硅廠家對標生產，促進產品在下游企業(yè)進行推廣使用，加速先進半導體材料的國產替代。本標準結合相關企業(yè)的生產和使用需求對區(qū)熔硅技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及標志、包裝、運輸、貯存及隨行文件和訂貨單內容做出了規(guī)定。為明確本標準的適用范圍，規(guī)定了本標準適用于以三氯氫硅或硅烷為原料生長的區(qū)熔硅。2、規(guī)范性引用文件區(qū)熔硅與電子級硅多晶對于硅多晶材料的質量要求有所區(qū)別，但是對于部分技術指標對應的檢測方法都可引用單晶硅和硅多晶相關檢測標準的條款和內容。本標準中的術語與定義都符合GB/T14264半導體材料術語。本標準引用相關文件如下：GB/T1031產品幾何技術規(guī)范（GPS）表面結構輪廓法表面粗糙度參數(shù)及其數(shù)值GB/T1550非本征半導體材料導電類型測試方法GB/T1551硅單晶電阻率的測定直排四探針法和直流兩探針法GB/T1553硅和鍺體內少數(shù)載流子壽命測定光電導衰減法GB/T4061硅多晶斷面夾層化學腐蝕檢驗方法GB/T13389摻硼摻磷砷硅單晶電阻率與摻雜劑含量換算規(guī)程GB/T14264半導體材料術語GB/T14844半導體材料牌號表示方法GB/T24574硅單晶中Ⅲ-Ⅴ族雜質的光致發(fā)光測試方法GB/T24581硅單晶中Ⅲ、Ⅴ族雜質含量的測定低溫傅立葉變換紅外光譜法GB/T29057用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的規(guī)程GB/T35306硅單晶中碳、氧含量的測定低溫傅立葉變換紅外光譜法GB/T37049電子級多晶硅中基體金屬雜質含量的測定電感耦合等離子體質譜法3、術語和定義GB/T14264界定的以及下列術語和定義適用于本文件。3.1原生硅棒指的是區(qū)熔硅收獲后，僅切割兩端并使兩端保持平整，未進行其他機械加工的硅棒。3.2精磨硅棒指的是將原生硅棒經表面磨削等機械加工處理后的硅棒。4、牌號和類別區(qū)熔硅的產品牌號根據(jù)《GB/T14844半導體材料牌號表示方法》中的要求分為五部分，第一部分PSi是為了表明產品為硅多晶；第二部分表明區(qū)熔硅的生產方法，T表示為三氯氫硅法生產，S表示為硅烷法生產；第三部分表明區(qū)熔硅的形態(tài)，AI表示區(qū)熔硅為原生未精磨的原生棒，MI表示區(qū)熔硅為原生棒精磨后的精磨棒；第四部分根據(jù)區(qū)熔硅技術指標要求分為4級，T表示區(qū)熔硅滿足特級的全部技術指標要求，1表示區(qū)熔硅滿足1級的全部技術指標要求，2表示區(qū)熔硅滿足2級的全部技術指標要求，3表示區(qū)熔硅滿足3級的全部技術指標要求；第五部分用FZ表示用途為用于區(qū)熔。例：產品牌號為“PSi-S-MI-1-FZ”的區(qū)熔硅表示為“使用硅烷法生產用于區(qū)熔的區(qū)熔1級精磨硅多晶棒”。區(qū)熔硅的導電類型，主要分為n型。5.技術要求5.1技術指標隨著區(qū)熔硅生產企業(yè)大量資金、技術、設備以及人才的投入，目前國內區(qū)熔硅質量有了穩(wěn)步提升。我們調研國內國外區(qū)熔硅的技術指標情況，其中表2為國內調研情況，如山東有研半導體、天津中環(huán)領先科技、杭州盾源聚芯、河南硅烷科技、洛陽中硅、黃河水電、江蘇鑫華半導體等生產企業(yè)和客戶調研反饋，表3主要為德國瓦克和美國RECSilicon技術指標情況。從收集到的技術指標綜合來看，國內區(qū)熔硅技術指標均滿足國外區(qū)熔硅的規(guī)格書，甚至在部分指標上達到國外區(qū)熔硅的實際產品質量。綜合考慮部分企業(yè)技術指標在基體金屬雜質含量方面具有獨特優(yōu)勢，但是在施主及受主雜質含量不具備明顯突出特點，且大多數(shù)企業(yè)剛好具備相反的情況，一方面，區(qū)熔硅在下游應用中，客戶更加注重的是施主及受主雜質含量和電阻率，其中電阻率的大小受施主及受主雜質含量決定，另外區(qū)熔硅的直徑也是下游客戶應用不同尺寸單晶生長的重要技術指標。另一方面，從實際應用反饋出發(fā)，在滿足體金屬雜質含量≤1ppbw的情況下，在考慮其他的指標情況下，完全可以應用于不同尺寸功率器件和分立器件的生長。表2區(qū)熔硅等級及技術要求（國內廠家和客戶）項目技術指標ABCD施主雜質含量（P、As、Sb）ppba≤0.10≤0.05≤0.08≤0.10受主雜質含量（B、Al）ppba≤0.03≤0.03≤0.025≤0.03碳含量atoms/cm3≤5.0×1014≤2.5×1015≤3.5×1015≤5.0×1015氧含量atoms/cm3≤5.0×1014≤4.0×1015≤4.5×1015≤5.0×1015硅芯樣芯碳含量atoms/cm3≤2.0×1015≤2.0×1016≤2.0×1016≤2.0×1016硅芯樣芯氧含量atoms/cm3≤2.0×1015≤3.0×1016≤3.0×1016≤3.0×1016電阻率（ohm-cm）≥4000≥4000≥3000≥2000基體金屬雜質含量ppbw（Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Na）≤0.1≤0.5≤0.8≤1.0表3區(qū)熔硅等級及技術要求（國外廠家）項目技術指標A（規(guī)格書和實測參數(shù)）B（規(guī)格書和實測參數(shù)）施主雜質含量（P、As）ppba≤0.1213≤0.10≤0.10受主雜質含量（B、Al）ppba≤0.040.001≤0.03≤0.03碳含量atoms/cm3≤3.0×10153.0×1014≤5.0×1015≤5.0×1015氧含量atoms/cm3--≤5.0×1015≤5.0×1015硅芯樣芯碳含量atoms/cm3--≤2.0×1016≤2.0×1016硅芯樣芯氧含量atoms/cm3--≤3.0×1016≤3.0×1016電阻率（ohm-cm）≥5000≥5000≥1000,4000,8000,10000≥4000基體金屬雜質含量ppbw（Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Na）--≤1.0-注：畫“-”的單元格表示CoA中未體現(xiàn)此項本著制定標準，服務行業(yè)的宗旨，我們將技術指標劃分4個等級，如表4所示，其中特級對標美國、德國等世界先進的區(qū)熔硅生產廠商，1級對標國內所能達到的先進產品水平，2級對標國內主流產品水平，3級為國外生產廠商的規(guī)格書及國內區(qū)熔硅入門所能達到的產品水平，其中1級產品及以上可用于大尺寸8寸及以上功率器件或分立器件使用需求，2級及以下則可滿足8寸以下功率器件或分立器件的使用需求。電子級硅多晶和區(qū)熔硅在元素組成上都是一樣的，但是應用在不同領域，本質上生產工藝、致密度、晶粒堆積等內在性質上截然相反，因此與GB/T12963相比較而言，我們結合區(qū)熔硅生產工藝，增加氧含量、硅芯樣芯碳含量、硅芯樣芯氧含量和直徑。一方面，全球約15%的硅片由區(qū)熔法制備，是制作整流器、IGBT等大功率器件的主流技術，在區(qū)熔法制備單晶的過程中不會使用坩堝，由于其具有純度高、含氧量低、污染度低、電阻率高（雜質分凝和蒸發(fā)效應）、耐高壓的特性，要求硅多晶的原料的氧含量較低，因此對區(qū)熔硅的氧含量和硅芯樣氧含量應具有明確要求。另一方面，區(qū)熔硅在生產過程中，硅芯的質量扮演非常重要的作用，在沉積過程中直接影響區(qū)熔硅晶粒生長，其中硅芯表面氧化層未完全腐蝕、反應器開爐異常導致的氧含量超標、硅芯擊穿時硅芯表面產生的氧化夾層、硅芯與硅烷氣初期反應不良易形成氧化夾層和溫度夾層，以上因素均會導致硅芯層碳氧異常，間接影響下游客戶拉晶成晶率和器件電學等性能下降。因此硅芯樣芯的技術要求是不可忽視，且需要嚴格監(jiān)控其技術指標。另外區(qū)熔硅棒直徑偏細可能導致化料過程不均勻，熔區(qū)不穩(wěn)定；小于150mm直徑的區(qū)熔硅拉制大尺寸單晶時，多晶下降速度大于單晶下降速度，影響成晶效果，且收率偏低甚至沒有收率，所以最終的技術指標如表4所示。表4區(qū)熔硅技術要求項目技術指標特級1級2級3級施主雜質含量（P、As、Sb總含量，以原子數(shù)計）cm-3≤1.5×1012≤2.5×1012≤3.5×1012≤5.0×1012受主雜質含量（B、Al總含量，以原子數(shù)計）cm-3≤5.0×1011≤1.5×1012≤1.5×1012≤1.5×1012碳含量atoms/cm3≤1.0×1015≤2.5×1015≤3.5×1015≤5.0×1015氧含量atoms/cm3≤3.0×1015≤4.0×1015≤4.5×1015≤5.0×1015硅芯樣芯碳含量atoms/cm3≤1.0×1016≤2.0×1016≤3.0×1016≤5.0×1016硅芯樣芯氧含量atoms/cm3≤3.0×1016≤4.0×1016≤4.5×1016≤5.0×1016直徑/mm≥150≥90基體金屬雜質含量ppbw（Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Na）≤0.3≤0.5≤0.8≤1.0注：電阻率和少子壽命由供需雙方協(xié)商確定。5.2尺寸及偏差區(qū)熔硅在使用時，因各使用方區(qū)熔設備情況和拉制硅單晶成品的尺寸需求各有不同，因此結合目前我國區(qū)熔硅的實際生產和使用情況對區(qū)熔硅的長度和偏差也提出了相應的要求：項目區(qū)熔硅原生硅棒精磨硅棒長度mm≥1000≥1000直徑mm≥90≥90直徑偏差mm-≤1彎曲度mm≤7≤1橢圓度mm≤5≤1注：原生區(qū)熔硅的直徑及長度也可由供需雙方協(xié)商確定。5.3結構GB/T4061-2009《硅多晶斷面夾層化學腐蝕檢驗方法》中定義了氧化夾層和溫度夾層的概念。氧化夾層是硅多晶橫斷面上呈同心圓狀結構的氧化硅夾層；溫度夾層是由于溫度起伏，在硅多晶的橫斷面上引起結晶致密度、晶粒大小或顏色的差異，晶粒呈現(xiàn)出以硅芯為中心的年輪狀結構，也叫溫度圈。這是兩種不同的硅多晶的缺陷，氧化夾層的出現(xiàn)將會嚴重影響硅料的純度，造成產品質量下降，導致下游客戶無法使用；溫度夾層對用作區(qū)熔硅產品質量影響較大，可能導致區(qū)熔過程中因硅料致密度不同而應力集中產生“硅跳”，因此確保區(qū)熔硅應無氧化夾層和溫度夾層。5.4表面質量原生區(qū)熔硅可用精磨等方法除去表面污漬與污染，因此對區(qū)熔硅的原生表面允許出現(xiàn)機加過程中產生的污漬，但是精磨后應潔凈無碎渣。對于區(qū)熔硅的端面應垂直于硅棒軸線。5.5粗糙度精磨硅棒是可以直接用于區(qū)熔拉制，對于蝕刻過程表面可能會殘留酸漬，對區(qū)熔過程可能產生負面影響，因此其對精磨硅棒表面的粗糙度要求不大于0.6μm。試驗方法為滿足本文件中“5、技術要求”中規(guī)定的技術指標、尺寸及偏差、結構、表面質量項目的測試，對測試項目進行了多方試驗與探討，最終確定了如下國家檢測標準可適用于區(qū)熔硅的測試，也可由供需雙方協(xié)商確定更為合適的檢測方法。施主雜質含量、受主雜質含量、碳含量、氧含量、導電類型、電阻率、少數(shù)載流子壽命、檢驗前按照GB/T29057的方法制成單晶試樣。施主雜質含量、受主雜質含量的測試按GB/T24574或GB/T24581規(guī)定進行。仲裁檢驗按照GB/T24581的規(guī)定進行。碳含量、硅芯樣芯碳測試按GB/T35306的規(guī)定進行。氧含量、硅芯樣芯氧含量測試按GB/T35306的規(guī)定進行?；w金屬雜質含量測試的方法按GB/T37049的規(guī)定進行。導電類型檢驗按GB/T1550的規(guī)定進行。電阻率檢驗按GB/T1551的規(guī)定進行或者按照GB/T13389的規(guī)定進行，仲裁檢驗按照GB/T13389的規(guī)定進行。區(qū)熔硅少數(shù)載流子壽命測試按GB/T1553的規(guī)定進行。尺寸及偏差、橢圓度和彎曲度的檢驗用相應精度的量具測量。結構（氧化夾層、溫度夾層）的檢驗按GB/T4061的規(guī)定進行。粗糙度檢驗可參照GB/T2523的規(guī)定執(zhí)行，其他表面質量目視檢查。檢驗規(guī)則為更好的指導區(qū)熔硅的生產和使用，對供方和需方做出如下明確要求：產品應由供方或第三方進行檢驗，保證產品質量符合本文件及合同的規(guī)定，并填寫產品隨行文件。需方可對收到的產品進行檢驗。若檢驗結果與本文件或合同的規(guī)定不符時，應在收到產品之日起3個月內向供方提出，由供需雙方協(xié)商解決。產品應成批提交驗收，每批應有同一牌號、具有相同等級和特性，并可追溯的區(qū)熔硅組成。每批產品應對施主雜質含量、受主雜質含量、碳含量、氧含量、硅芯樣芯碳含量、硅芯樣芯氧含量、基體金屬雜質含量、尺寸及偏差、結構、表面質量和粗糙度進行檢驗。導電類型、少數(shù)載流子壽命和電阻率的檢驗由供需雙方協(xié)商確定。施主雜質含量、受主雜質含量、碳含量、氧含量、硅芯樣芯碳含量和硅芯樣芯氧含量的取樣及制樣按照GB/T29057進行，其中硅芯樣芯在原生硅棒的截取料上取樣?；w金屬雜質含量、導電類型少數(shù)載流子壽命和表面質量的取樣由供需雙方協(xié)商確定。粗糙度的取樣及制樣按照GB/T1031進行。電阻率的取樣及制樣按照GB/T29057進行。仲裁時取樣及制樣由供需雙方協(xié)商確定。區(qū)熔硅的施主雜質含量、受主雜質含量、碳含量、氧含量、硅芯樣芯碳含量、硅芯樣芯氧含量、直徑、基體金屬雜質含量的檢驗結果中任一檢驗項目不合格時，則加倍取樣對該不合格的項目進行重復試驗。重復試驗結果仍不合格，則判該批產品不合格。導電類型、少數(shù)載流子壽命、電阻率、尺寸及偏差、結構、表面質量和粗糙度的檢驗結果的判定由供需雙方協(xié)商確定。標志、包裝、運輸、貯存及隨行文件產品的標志、包裝、運輸、儲存及隨行文件對于產品至關重要，結合國內區(qū)熔硅的生產和使用情況，為更好的指導國內區(qū)熔硅行業(yè)的發(fā)展，對供方和需方做出如下明確要求：區(qū)熔硅在發(fā)貨時應在包裝箱外應有“易碎物品，小心輕放”及防潮或標志、并注明：產品名稱、牌號、數(shù)量、凈重、產品批次號、供方名稱、包裝日期。包裝箱內每根硅棒的包裝應有可追溯性的標識，并注明：牌號、批次號、直徑、長度、凈重、硅棒底端應刻有硅棒編號。每箱產品都應有產品報表，包括生產商名稱和地址、硅棒的編號、質量及數(shù)量。區(qū)熔硅為超高純材料，應用高純潔凈的聚乙烯膜包裝，硅棒之間用泡沫間隔，防止硅棒破損，并提供良好的保護，裝入外包裝箱。區(qū)熔硅的包裝也可由供需雙方協(xié)商確定。區(qū)熔硅易受外力破損，產品在運輸過程中應輕裝輕卸，勿壓勿擠，并采取防震措施。在貯存時應選擇清潔、干燥的環(huán)境。每批產品的隨行文件應注明供方名稱、產品名稱及牌號、批號、凈重、生產日期、檢驗日期及產品獲得質量認證或供方技術監(jiān)督部門檢驗的各項分析結果等必要信息，產品質量控制過程中的檢驗報告及成品檢驗報告。9、訂貨單內容在需方向供方訂貨時，應在訂貨單中明確產品名稱、牌號、產品技術要