材料科學(xué)中的信息技術(shù)應(yīng)用基礎(chǔ) 課件 第6講 Origin繪圖功能(上機(jī))_第1頁
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計(jì)算機(jī)在材料科學(xué)中的應(yīng)用第6講本節(jié)內(nèi)容:(信息技術(shù)在材料科學(xué)數(shù)據(jù)與圖形處理中的應(yīng)用)Origin繪圖功能(上機(jī))例2-16.采用Excel軟件模擬了不同厚度下材料的計(jì)算反射率,請繪制反射率隨頻率和厚度變化的三維地形圖。ReζReζ2423.2112794.312653.3215034.334793.4117994.515023.6519894.627003.7822014.829883.9925234.8910774.0327894.9112304.22

例2-17.在等離子噴涂制備涂層中,飛行粒子經(jīng)過熔化、飛行、撞擊基板、扁平和堆垛一系列微觀過程形成最終的涂層。大量學(xué)者研究了粒子扁平率與雷諾數(shù)之間的對應(yīng)關(guān)系,并得到了相應(yīng)的模型,其中應(yīng)用較多的有ξ=1.04Re^0.2、ξ=0.83Re^0.21和ξ=1.2941Re^0.2三種模型。本次實(shí)驗(yàn)采用狹縫收集法獲得了一系列飛行粒子扁平率和雷諾數(shù)之間的對應(yīng)關(guān)系如表2-18所示。請將實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)與文獻(xiàn)模型繪制到一張圖中,并進(jìn)行對比。表2-18粒子扁平率與雷諾數(shù)間的測試數(shù)據(jù)摻雜量Nba(?)Tia(?)Ya(?)Nbb(?)Tib(?)Yb(?)Nbc(?)Tic(?)Yc(?)Nbβ(°)Tiβ(°)Yβ(°)0.115.71115.6415.6119.1129.0859.0329.2349.2339.221123.82123.82123.530.215.74515.68815.5779.1529.0789.0289.2549.2489.201124.12123.85123.310.315.78815.72115.5449.1589.0999.0279.2899.2579.199124.23124.07123.180.415.75415.67815.7719.1549.1019.0149.2669.2229.203124.21124.02123.11例2-18.采用Jade軟件計(jì)算了不同含量Nb5+、Ti4+和Y3+四種離子摻雜NASICON陶瓷的點(diǎn)陣常數(shù),具體參數(shù)如表2-19所示。請將點(diǎn)陣常數(shù)和體積隨摻雜量變化的曲線繪制出來,并在Origin軟件中融合四圖。表2-19不同含量Nb5+、Ti4+和Y3+四種離子摻雜NASICON陶瓷的點(diǎn)陣常數(shù)練習(xí)1

實(shí)驗(yàn)測試了不同溫度下四個(gè)樣品的電導(dǎo)率如下表所示。其中激活能和溫度與電導(dǎo)率的公式如下所示。請繪制如下的圖,并擬合四個(gè)樣品的激活能。

3.852.993.94.4(k=0.001)練習(xí)2

根據(jù)所給數(shù)據(jù)繪制如下所示的介電常數(shù)圖,注意數(shù)據(jù)斷開。練習(xí)3

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