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石

日

石石日日指導(dǎo)教授：王文峰學(xué)生：林俊榮學(xué)號(hào)：49514014班級(jí)：奈米四甲Outline磊晶之目的磊晶之製程磊晶之設(shè)備磊晶之目的何謂磊晶磊晶生長(zhǎng)(Epitaxy)同質(zhì)磊晶異質(zhì)磊晶磊晶成長(zhǎng)是為了提升元件性能，導(dǎo)引出晶圓單晶無法達(dá)到的新功能。半導(dǎo)體能隙晶格常數(shù)磊晶生長(zhǎng)速率磊晶生長(zhǎng)速率與原料氣體的種類、溫度、壓力及濃度等因素有關(guān)氣相磊晶桶型反應(yīng)器常壓系統(tǒng)(一大氣壓)Si晶圓是放置於渡SiC的石墨感測(cè)器上。晶圓朝反應(yīng)器底部方向突出，以增加反應(yīng)氣體流於晶圓表面的均勻度氣相磊晶CVD原理氣相磊晶反應(yīng)氣體傳送到反應(yīng)器磊晶生長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)↓

反應(yīng)產(chǎn)物傳送到晶片表面

↓

反應(yīng)產(chǎn)物被晶面表面吸收↓

在晶面表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)

表面擴(kuò)散、晶格崁入↓

由晶面表面釋出殘留氣體及副產(chǎn)物↓

將殘留氣體及副產(chǎn)物傳送到主氣流中↓

將殘留氣體及副產(chǎn)物傳送到反應(yīng)器外液相磊晶分子束磊晶磊晶之設(shè)備氣相MOCVD磊晶之設(shè)備分子束MBE是六十年代末在真空蒸發(fā)的基礎(chǔ)上發(fā)展起

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