《電子工業(yè)水污染防治可行技術(shù)指南》HJ 1298-2023

i ⅱ1適用范圍 2規(guī)范性引用文件 3術(shù)語和定義 4行業(yè)生產(chǎn)與水污染物的產(chǎn)生 25污染預(yù)防技術(shù) 66污染治理技術(shù) 77環(huán)境與安全管理措施 8污染防治可行技術(shù) 附錄A（資料性附錄）典型電子產(chǎn)品生產(chǎn)工藝流程及廢水產(chǎn)污環(huán)節(jié) 為貫徹《中華人民共和國環(huán)境保護法》《中華人民共和國水污染防治法》等法律，防治環(huán)境污染，改善生態(tài)環(huán)境質(zhì)量，推動電子工業(yè)水污染防治技術(shù)進步，制定本標準。本標準提出了電子工業(yè)水污染防治可行技術(shù)。除本標準所列的水污染防治可行技術(shù)外，其他可實現(xiàn)電子工業(yè)水污染物穩(wěn)定達標排放的水污染防治技術(shù)，也可作為企業(yè)技術(shù)選擇的參考。本標準的附錄A為資料性附錄。本標準為首次發(fā)布。本標準由生態(tài)環(huán)境部水生態(tài)環(huán)境司、法規(guī)與標準司組織制訂。本標準主要起草單位：中國環(huán)境科學(xué)研究院、中國電子工程設(shè)計院有限公司、中國電子元件行業(yè)協(xié)會、中國電子電路行業(yè)協(xié)會、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會。本標準生態(tài)環(huán)境部2023年6月7日批準。本標準自2023年7月1日起實施。本標準由生態(tài)環(huán)境部解釋。1電子工業(yè)水污染防治可行技術(shù)指南1適用范圍本標準提出了電子工業(yè)水污染防治可行技術(shù)。本標準可作為電子工業(yè)企業(yè)或生產(chǎn)設(shè)施建設(shè)項目及電子工業(yè)污水集中處理設(shè)施的環(huán)境影響評價、國家污染物排放標準制修訂、排污許可管理和水污染防治技術(shù)選擇的參考。2規(guī)范性引用文件本標準引用了下列文件或其中的條款。凡是注明日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本標準。凡是未注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本標準。GB/T4754—2017國民經(jīng)濟行業(yè)分類GB39731電子工業(yè)水污染物排放標準GB50814電子工程環(huán)境保護設(shè)計規(guī)范HJ576厭氧-缺氧-好氧活性污泥法污水處理工程技術(shù)規(guī)范HJ577序批式活性污泥法污水處理工程技術(shù)規(guī)范HJ579膜分離法污水處理工程技術(shù)規(guī)范HJ1031排污許可證申請與核發(fā)技術(shù)規(guī)范電子工業(yè)HJ1095芬頓氧化法廢水處理工程技術(shù)規(guī)范HJ1253排污單位自行監(jiān)測技術(shù)指南電子工業(yè)HJ2002電鍍廢水治理工程技術(shù)規(guī)范HJ2006污水混凝與絮凝處理工程技術(shù)規(guī)范HJ2007污水氣浮處理工程技術(shù)規(guī)范HJ2009生物接觸氧化法污水處理工程技術(shù)規(guī)范HJ2010膜生物法污水處理工程技術(shù)規(guī)范HJ2013升流式厭氧污泥床反應(yīng)器污水處理工程技術(shù)規(guī)范HJ2014生物濾池法污水處理工程技術(shù)規(guī)范HJ2047水解酸化反應(yīng)器污水處理工程技術(shù)規(guī)范HJ2058印制電路板廢水治理工程技術(shù)規(guī)范3術(shù)語和定義下列術(shù)語和定義適用于本標準。3.1電子工業(yè)electronicindustry包括電子專用材料、電子元件、印制電路板、半導(dǎo)體器件、顯示器件及光電子器件、電子終端產(chǎn)品、其他電子設(shè)備等電子產(chǎn)品制造業(yè)，分別對應(yīng)GB/T4754—2017中的計算機制造（C391）、電子器件制2造（C397）、電子元件及電子專用材料制造（C398）和其他電子設(shè)備制造（C399）。3.2水污染防治可行技術(shù)availabletechniquesofwaterpollutionpreventionandcontrol根據(jù)我國一定時期內(nèi)環(huán)境需求和經(jīng)濟水平，在水污染防治過程中綜合采用污染預(yù)防技術(shù)、污染治理技術(shù)和環(huán)境管理措施，使水污染物排放穩(wěn)定達到國家污染物排放標準、規(guī)模應(yīng)用的技術(shù)。4行業(yè)生產(chǎn)與水污染物的產(chǎn)生4.1電子專用材料4.1.1生產(chǎn)工藝電子專用材料包括電子功能材料、互聯(lián)與封裝材料和工藝與輔助材料。生產(chǎn)工藝包括前處理、刻蝕、電蝕、拋光、清洗、溶銅、表面處理、涂覆、粉碎、研磨等，其典型生產(chǎn)工藝流程及產(chǎn)污環(huán)節(jié)示意圖見附錄A的圖A.1和圖A.2，主要廢水產(chǎn)污環(huán)節(jié)如表1所示。4.1.2水污染物水污染物主要來源于前處理、刻蝕、電蝕、拋光、清洗、溶銅、表面處理、涂覆、粉碎、研磨等生產(chǎn)單元的工藝廢水和輔助生產(chǎn)系統(tǒng)產(chǎn)生的廢水，主要污染物項目有pH值、懸浮物、石油類、化學(xué)需氧量（CODCr）、總有機碳（TOC）、氨氮、總氮、總磷、陰離子表面活性劑（LAS）、總氰化物、氟化物、總銅、總鋅、總鉛、總鎘、總鉻、六價鉻、總砷、總鎳、總銀。表1電子專用材料制造主要廢水產(chǎn)污環(huán)節(jié)-4.2電子元件4.2.1生產(chǎn)工藝3電子元件包括電容器、電阻器、電感器、電子變壓器和敏感元器件等。生產(chǎn)工藝包括混合、研磨、清洗、端面處理、圖形制作和涂覆等，其典型生產(chǎn)工藝流程及產(chǎn)污環(huán)節(jié)示意圖見附錄A的圖A.3和圖A.4，主要廢水產(chǎn)污環(huán)節(jié)如表2所示。4.2.2水污染物水污染物主要來源于混合、研磨和清洗、端面處理、圖形制作和涂覆等生產(chǎn)單元的工藝廢水和輔助生產(chǎn)系統(tǒng)產(chǎn)生的廢水，主要水污染物項目有pH值、懸浮物、石油類、CODCr、TOC、氨氮、總氮、總磷、LAS、總氰化物、氟化物、總銅、總鋅、總鉛、總鎘、總鉻、六價鉻、總砷、總鎳、總銀。表2電子元件制造主要廢水產(chǎn)污環(huán)節(jié)4.3印制電路板4.3.1生產(chǎn)工藝印制電路板包括剛性板與撓性板，單面印制電路板、雙面印制電路板、多層印制電路板，以及剛撓結(jié)合印制電路板、高密度互連印制電路板和集成電路封裝載板等。生產(chǎn)工藝包括線路制作、化學(xué)沉銅、電鍍、阻焊制作、表面處理和成型等，其典型生產(chǎn)工藝流程及產(chǎn)污環(huán)節(jié)示意圖見附錄A的圖A.5，主要廢水產(chǎn)污環(huán)節(jié)如表3所示。4.3.2水污染物水污染物主要來源于內(nèi)層外層線路制作、化學(xué)沉銅、電鍍、阻焊制作、表面處理和成型等生產(chǎn)單元的工藝廢水和輔助生產(chǎn)系統(tǒng)產(chǎn)生的廢水，主要污染物項目有pH值、懸浮物、石油類、CODCr、TOC、氨氮、總氮、總磷、LAS、總氰化物、硫化物、氟化物、總銅、總鉛、總鎳、總銀。表3印制電路板制造主要廢水產(chǎn)污環(huán)節(jié)44.4半導(dǎo)體器件4.4.1生產(chǎn)工藝半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體分立器件、集成電路和半導(dǎo)體照明器件等。生產(chǎn)工藝包括前處理、清洗、外延、光刻、刻蝕、去膠、金屬沉積、研磨、封裝和電鍍等，其典型生產(chǎn)工藝流程及產(chǎn)污環(huán)節(jié)示意圖見附錄A的圖A.6，主要廢水產(chǎn)污環(huán)節(jié)如表4所示。4.4.2水污染物水污染物主要來源于前處理、清洗、外延、光刻、刻蝕、去膠、金屬沉積、研磨、封裝和電鍍等生產(chǎn)單元的工藝廢水和輔助生產(chǎn)系統(tǒng)產(chǎn)生的廢水，主要污染物項目有pH值、懸浮物、石油類、CODCr、TOC、氨氮、總氮、總磷、LAS、總氰化物、硫化物、氟化物、總銅、總鋅、總鉛、總鎘、總鉻、六價鉻、總砷、總鎳、總銀。表4半導(dǎo)體器件制造主要廢水產(chǎn)污環(huán)節(jié)54.5顯示器件及光電子器件4.5.1生產(chǎn)工藝顯示器件包括薄膜晶體管液晶顯示器件、低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器件、有機發(fā)光二極管顯示器件、真空熒光顯示器件、場發(fā)射顯示器件、等離子顯示器件、曲面顯示器件以及柔性顯示器件等。光電子器件包括電子束光電器件、電真空光電子器件、激光器件、紅外器件、通信有源光器件與子系統(tǒng)和光無源器件等。顯示器件生產(chǎn)工藝包括陣列、彩膜、成盒和模組等，其典型生產(chǎn)工藝流程及產(chǎn)污環(huán)節(jié)示意圖見附錄A的圖A.7～圖A.10，主要廢水產(chǎn)污環(huán)節(jié)如表5所示。光電子器件生產(chǎn)工藝包括基片處理、外延、光刻、刻蝕、減薄等，其典型生產(chǎn)工藝流程及產(chǎn)污環(huán)節(jié)示意圖見附錄A的圖A.11，主要廢水產(chǎn)污環(huán)節(jié)如表5所示。4.5.2水污染物水污染物主要來源于顯示器件的陣列、彩膜、成盒和模組等生產(chǎn)單元，光電子器件的基片處理、外延、光刻、刻蝕、減薄等生產(chǎn)單元的工藝廢水和輔助生產(chǎn)系統(tǒng)產(chǎn)生的廢水，主要污染物項目有pH值、懸浮物、石油類、CODCr、TOC、氨氮、總氮、總磷、LAS、總氰化物、氟化物、總銅、總鋅、總鉛、總砷、總鎳、總銀。表5顯示器件及光電子器件制造主要廢水產(chǎn)污環(huán)節(jié)-4.6電子終端產(chǎn)品4.6.1生產(chǎn)工藝6電子終端產(chǎn)品包括計算機整機、計算機零部件、計算機外圍設(shè)備、工業(yè)控制計算機及系統(tǒng)、信息安全設(shè)備和其他計算機應(yīng)用電子設(shè)備等。生產(chǎn)工藝包括電鍍、清洗、機械拋光等，其典型生產(chǎn)工藝流程及產(chǎn)污環(huán)節(jié)示意圖見附錄A的圖A.12，主要廢水產(chǎn)污環(huán)節(jié)如表6所示。4.6.2水污染物水污染物主要來源于電鍍、清洗、機械拋光等生產(chǎn)單元的工藝廢水和輔助生產(chǎn)系統(tǒng)產(chǎn)生的廢水，主要污染物項目有pH值、懸浮物、石油類、CODCr、TOC、氨氮、總氮、總磷、LAS、總氰化物、總銅、總鋅、總鉛、總鎘、總鉻、六價鉻、總鎳、總銀。表6電子終端產(chǎn)品制造主要廢水產(chǎn)污環(huán)節(jié)4.7其他電子設(shè)備制造4.7.1生產(chǎn)工藝其他電子設(shè)備包括電子記事本、電子詞典、電子白板等。生產(chǎn)工藝以組裝為主，部分產(chǎn)品含有電鍍、清洗等工藝，其典型生產(chǎn)工藝流程及產(chǎn)污環(huán)節(jié)示意圖、主要廢水產(chǎn)污環(huán)節(jié)與電子終端產(chǎn)品相似。4.7.2水污染物水污染物主要來源于電鍍工藝廢水，主要污染物項目有pH值、懸浮物、石油類、CODCr、TOC、氨氮、總氮、總磷、LAS、總氰化物、總銅、總鋅、總鉛、總鎘、總鉻、六價鉻、總鎳、總銀。5污染預(yù)防技術(shù)5.1一般原則鼓勵電子工業(yè)企業(yè)推行清潔生產(chǎn)，采取本標準提出的污染預(yù)防措施，提高物料利用率、清洗效率，減少水污染物和廢水產(chǎn)生量。5.2原輔材料替代技術(shù)5.2.1環(huán)保型退鍍液替代技術(shù)適用于印制電路板生產(chǎn)的電鍍工序。用硫酸、雙氧水體系的環(huán)保型退鍍液替代電鍍工序常規(guī)的硝酸退鍍液，可減少廢水中總氮的產(chǎn)生量，從而減少總氮的排放量。該技術(shù)需同時使用硫酸亞鐵或亞硫酸氫鈉作為還原劑，前者易增加污泥產(chǎn)生量，后者成本較高。5.2.2非金屬樹脂材料替代技術(shù)7適用于顯示器件及光電子器件生產(chǎn)的彩色濾光片制備。在彩色濾光片的制備過程中，BM（黑色矩陣）膜采用環(huán)保性能相對較好的非金屬黑色樹脂替代金屬鉻/氧化鉻，可消除使用鉻帶來的污染問題。5.3設(shè)備或工藝革新技術(shù)5.3.1逆流清洗廢水回用技術(shù)適用于電子工業(yè)清洗工序產(chǎn)生的清洗廢水回用處理。清洗過程有單級清洗、二級和三級逆流清洗，由末級槽進水、第一級槽排出清洗廢水，其水流方向與工件清洗移動方向相反，生產(chǎn)線配套在線回用水裝置，對多級逆流水洗的最后一道水洗廢水進行在線回收，回用至上一級清洗環(huán)節(jié)，進而提高水重復(fù)利用率，節(jié)約廠區(qū)新鮮水使用量。與全部采用新鮮水清洗相比，可減少廢水產(chǎn)生量約30%以上。5.3.2噴射水洗技術(shù)適用于印制電路板水平生產(chǎn)線的清洗工序。噴射水洗技術(shù)分為噴淋水洗和噴霧水洗，工件可集中到2～3處水洗槽中進行清洗，清洗水一般為上一級水洗的排出水。由于噴嘴可調(diào)到任意需要的角度，可有效清除工件表面的臟物，清洗效率得到提高，清洗廢水經(jīng)收集和針對性處理后循環(huán)利用。與全部采用新鮮水清洗相比，可減少廢水產(chǎn)生量約50%以上。6污染治理技術(shù)6.1物化處理技術(shù)6.1.1混凝適用于電子工業(yè)廢水中油脂、懸浮物等水污染物處理。該技術(shù)通過對懸浮顆粒或荷電膠粒的脫穩(wěn)、聚集和凝聚，實現(xiàn)污染物與水的分離。混凝處理過程常用的混凝劑有鐵鹽、鋁鹽和聚合鹽類，絮凝劑常用聚丙烯酰胺（PAM）。該技術(shù)對懸浮顆粒、膠體顆粒、疏水性污染物等具有良好的去除效果。工藝設(shè)計和管理參見HJ2006。6.1.2氣浮適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的比重較小、懸浮物濃度為5000mg/L～10000mg/L的懸浮顆粒處理。氣浮工藝主要有電解氣浮法、葉輪氣浮法、加壓溶氣氣浮法和淺層氣浮法等。電子工業(yè)常用電解氣浮法處理含六價鉻廢水、含氰廢水。該技術(shù)對含鹽量大、電導(dǎo)率高、含有毒有害污染物廢水的處理具有優(yōu)勢。工藝設(shè)計和管理參見HJ2007。6.1.3化學(xué)沉淀法適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的含重金屬廢水、含氟廢水、高濃度含磷廢水、顯示器件產(chǎn)生的彩膜廢水處理。該技術(shù)向廢水中投加堿性藥劑調(diào)節(jié)pH值至堿性，投加石灰、硫化物、鈣鹽等沉淀劑后充分攪拌，使金屬離子、氟離子、磷等與沉淀劑反應(yīng)生成沉淀。沉淀后，常添加鐵鹽、鋁鹽、聚合鹽類、PAM等混凝劑或絮凝劑，提高處理效果。處理含重金屬絡(luò)合廢水時，需在投加沉淀劑之前，加入芬頓試劑、次氯酸鈉、硫化物、鐵鹽、重捕劑等破絡(luò)劑先進行破絡(luò)反應(yīng)。廢水中磷的去除率為95%以上，上清液需進入有機廢水處理系統(tǒng)進一步處理。該技術(shù)操作簡便、技術(shù)成熟、可同時去除廢水中的多種污染物，但污泥產(chǎn)生量大。工藝設(shè)計和管理參見HJ2058、HJ2006。86.1.4吸附法適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的含重金屬非絡(luò)合廢水處理。利用吸附材料具有比表面積大、吸附能力強、活性基團多等特性，使液相中的物質(zhì)傳遞至固相表面。常用的吸附劑有活性炭、硅藻土、沸石、殼聚糖、納米材料等。吸附劑的選擇、預(yù)處理和用量、廢水pH值、停留時間、運行條件等可通過試驗確定。廢水中重金屬的去除率為90%以上。該技術(shù)操作簡便、工藝簡單，但存在吸附劑的再生和金屬的回收問題。6.1.5堿性氯化法適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的總氰化物濃度小于100mg/L（絡(luò)合氰離子除外）的含氰廢水處理。利用次氯酸根的氧化性，將氰化物氧化為低毒的氰酸鹽，氰酸鹽繼續(xù)被氧化成無毒的碳酸鹽和氮氣。反應(yīng)時間與廢水中的氰化物含量有關(guān)，一般為1h～1.5h，有效氯與氰化物的質(zhì)量比為6～10。處理后廢水中的總氰化物濃度不大于0.5mg/L。該技術(shù)操作簡便、反應(yīng)完全，但破氰處理后，廢水需進入含重金屬廢水處理系統(tǒng)進一步處理。工藝設(shè)計和管理參見HJ2058。6.1.6離子交換法適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的中低濃度含氰廢水、銅氨廢水、含重金屬廢水或要求回收金屬離子的廢水處理。通過離子交換樹脂與廢水中的相應(yīng)離子進行選擇性交換，離子可被樹脂吸附，達到去除廢水中相應(yīng)污染物的目的。處理后廢水中的總氰化物濃度小于0.1mg/L，但廢水中的鐵、亞鐵氰化物等雜質(zhì)對樹脂的洗脫再生有影響。該技術(shù)設(shè)備簡單、樹脂無毒且可反復(fù)再生使用，但成本較高。工藝設(shè)計和管理參見HJ2058。6.1.7酸析法適用于印制電路板產(chǎn)生的CODCr濃度為5000mg/L～15000mg/L的有機廢水處理。該技術(shù)加入酸性藥劑將pH值調(diào)為2～4，廢水中的高濃度有機物在酸性條件下會析出固體，通過固液分離可去除大部分有機物和部分重金屬，然后再加入混凝劑聚合氯化鋁和絮凝劑PAM等混凝沉淀，去除沉淀物。廢水中CODCr的去除率為80%。該技術(shù)操作簡便、工藝運行穩(wěn)定、反應(yīng)快速，但藥劑用量較大。工藝設(shè)計和管理參見HJ2058。6.1.8吹脫法適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的氨氮濃度大于500mg/L的含氨廢水處理。該技術(shù)通過加堿性藥劑調(diào)節(jié)pH值至堿性，經(jīng)脫氣塔吹脫走廢水中的氨氣，使氨氮濃度降至50mg/L以下，排入含氟廢水處理系統(tǒng)進一步除氟；未達到要求的出水將回流再處理。吹脫出的氨氣在吸收塔中加酸吸收成硫酸銨，處理后的氣體循環(huán)回脫氣塔，硫酸銨收集后委托外運處理。該技術(shù)工藝簡單、處理效果穩(wěn)定，但能耗高，吹脫塔易結(jié)垢。6.1.9折點加氯法適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的氨氮濃度不大于50mg/L的銅氨廢水處理。當廢水水量、氨氮濃度隨時間變化不大時可采用此技術(shù)。該技術(shù)通過加入次氯酸鈉氧化破壞銅氨絡(luò)合物，同時沉淀出銅。pH值為9.5左右，投加次氯酸鈉中的有效氯與氨氮摩爾比為1.6:1時，廢水中氨氮的去除率為80%以上，銅的去除率為99.8%。該技術(shù)反應(yīng)快速、脫氮效果穩(wěn)定，但處理后的廢水中含有殘留氯，易與水中有機物生成可吸附有機鹵化物（AOX），可采用活性炭吸附去除。工藝設(shè)計和管理參見HJ2058。96.1.10磷酸銨鎂脫氨氮法（MAP）適用于印制電路板產(chǎn)生的銅氨廢水處理。該技術(shù)通過加入磷酸鹽（Na2HPO4·12H2O）和鎂鹽（MgCl2·6H2O或MgSO4·7H2O與廢水中的銨根和磷酸根發(fā)生反應(yīng)生成白色磷酸銨鎂（MgNH4PO4·6H2O）沉淀進而去除氨氮，再加入堿性藥劑和混凝劑去除廢水中的銅，廢水中氨氮的去除率為80%以上。該技術(shù)工藝簡單、能充分回收氨實現(xiàn)廢水資源化，但藥劑用量較大，管道易結(jié)垢堵塞。工藝設(shè)計和管理參見HJ2058。6.1.11酸堿中和法適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的酸堿廢水處理。處理酸性廢水可采用堿性藥劑中和。中和反應(yīng)產(chǎn)生大量沉渣可通過沉淀予以去除，中和處理技術(shù)宜采取pH自動控制儀自動控制加藥，經(jīng)處理后pH值為6～9。6.1.12電解法適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的總氰化物濃度為500mg/L～40000mg/L的含氰廢水處理。該技術(shù)利用電化學(xué)反應(yīng)破壞廢水中的氰化物。在電解電壓下，廢水中的氰離子在陽極上失去電子被氧化成二氧化碳、氮氣或氨。電解槽凈極距宜采用20cm～30cm，陽極電流密度宜控制在0.3A/dm2～0.5A/dm2，槽電壓宜為6V～8.5V。該技術(shù)操作簡便、處理高濃度含氰廢水較經(jīng)濟，但處理后廢水中的氰化物濃度小于50mg/L，還需采用其他方法處理至達標排放。工藝設(shè)計和管理參見HJ2002。6.1.13微電解（Fe-C）法適用于印制電路板產(chǎn)生的CODCr濃度為200mg/L～600mg/L的油墨廢水處理。該技術(shù)將含碳鐵屑浸于電解質(zhì)溶液中，形成微小的Fe-C原電池，與污染物發(fā)生氧化、還原、吸附、絮凝等作用，去除廢水中的有機物。pH值宜為3～5，空氣攪拌氣量不小于3m3/m2·h～5m3/m2·h，填料接觸時間不小于30min。廢水中CODCr的去除率為50%～80%。該技術(shù)設(shè)備小、占地少、工藝運行穩(wěn)定、反應(yīng)快速，但電極表面極易污染失去活性。工藝設(shè)計和管理參見HJ2058。6.1.14芬頓氧化適用于提高電子工業(yè)廢水的可生化性，CODCr濃度為200mg/L～600mg/L的有機廢水、含重金屬絡(luò)合廢水處理。該技術(shù)利用亞鐵離子作為催化劑，在酸性條件下利用羥基自由基的氧化作用，將難生物降解有機物分解成小分子有機物或者礦化。反應(yīng)時間為1h～2h，pH值為2～4。該技術(shù)氧化能力強、反應(yīng)快速，但成本較高，污泥產(chǎn)生量較大。工藝設(shè)計和管理參見HJ1095。6.1.15臭氧氧化適用于提高電子工業(yè)廢水的可生化性和含氰廢水處理。利用臭氧及其中間產(chǎn)物羥基自由基的強氧化性，使難降解有機物開環(huán)破鏈，降解大分子，從而降低廢水中的CODCr。宜在pH值為8～9的弱堿條件下進行，反應(yīng)時間為0.5h～2h，廢水中CODCr的去除率為40%～90%。處理后廢水中的總氰化物濃度小于0.3mg/L。該技術(shù)氧化能力強、反應(yīng)快速、無二次污染問題，但成本較高，接觸的容器和管路需采用耐腐蝕材料。工藝設(shè)計和管理參見HJ2002。6.1.16雙氧水氧化適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的含氰廢水處理。在pH值為9～11的反應(yīng)條件下，以雙氧水為氧化劑將廢水中的氰化物氧化為氰酸鹽，氰酸鹽再水解為碳酸鹽和氨。雙氧水與氰化物的質(zhì)量比為5:1，接觸時間不少于15min時，廢水中總氰化物的去除率為97%以上，接觸時間不少于20min時，廢水中總氰化物的去除率為99%以上。處理后廢水中的總氰化物濃度不大于0.5mg/L。該技術(shù)工藝簡單、無二次污染問題，但成本較高，原料運輸存在一定危險性。工藝設(shè)計和管理參見HJ2058。6.1.17膜分離適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的綜合廢水、低濃度含離子態(tài)金屬廢水處理或要求回收金屬離子的廢水再生回用。利用選擇性膜的半透性，通過外界提供能量使選擇性膜兩側(cè)出現(xiàn)壓差，以此為動力對金屬離子進行分離，通常包括電滲析、反滲透等。廢水進入膜系統(tǒng)前一般需進行砂濾和精密過濾等預(yù)處理。該技術(shù)工藝簡單、能耗低、選擇性好，但成本較高，膜易受污染使性能降低。工藝設(shè)計和管理參見HJ579、HJ2058。6.2生化處理技術(shù)6.2.1厭氧處理技術(shù)6.2.1.1水解酸化適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的CODCr濃度不大于1500mg/L的有機廢水、綜合廢水處理。在厭氧條件下，使結(jié)構(gòu)復(fù)雜的高分子有機物經(jīng)過水解和產(chǎn)酸，轉(zhuǎn)化為簡單小分子有機物。常用的水解酸化反應(yīng)器類型包括升流式水解酸化反應(yīng)器、復(fù)合式水解酸化反應(yīng)器及完全混合式水解酸化反應(yīng)器，可根據(jù)廢水水質(zhì)、水量等情況選用。pH值宜為5～9，廢水可生化性較差的情況下，水解酸化的水力停留時間宜大于24h，廢水中CODCr的去除率為10%～20%，廢水的可生化性可提高20%～40%。該技術(shù)處理水量大、出水無臭味，但反應(yīng)器啟動時間較長，需設(shè)置后續(xù)好氧工藝處理設(shè)施。工藝設(shè)計和管理參見HJ2047。6.2.1.2厭氧生物反應(yīng)器法適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的CODCr濃度大于1500mg/L、氨氮濃度小于2000mg/L、懸浮物濃度小于1500mg/L、硫酸鹽濃度小于1000mg/L的有機廢水、綜合廢水處理。常用的厭氧反應(yīng)器形式有升流式厭氧污泥床反應(yīng)器（UASB）、厭氧折流板反應(yīng)器（ABR）和內(nèi)循環(huán)厭氧反應(yīng)器（IC）。電子工業(yè)廢水厭氧生物反應(yīng)器的水力停留時間宜大于12h，廢水中CODCr的去除率為40%～60%。該技術(shù)污泥產(chǎn)生量少、能耗小、可產(chǎn)生清潔能源沼氣，但對有毒物質(zhì)較敏感，有硫化氫二次污染問題。UASB工藝設(shè)計和管理參見HJ2013。6.2.1.3厭氧氨氧化法（ANAMMOX）適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的氨氮濃度為200mg/L～800mg/L的含氨廢水處理。該技術(shù)在厭氧條件下，以氨為電子供體，以硝酸鹽或亞硝酸鹽為電子受體，將氨氧化成氮氣。該技術(shù)包含的前置短程硝化可比全程硝化節(jié)省63%的供氧量和50%的耗堿量，與常規(guī)A/O脫氮工藝相比可節(jié)約100%的碳源，但工藝控制及管理要求比較高。6.2.2好氧處理技術(shù)6.2.2.1序批式活性污泥法（SBR）適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的BOD5/CODCr值大于0.3的有機廢水、綜合廢水處理。主要工藝包括循環(huán)式活性污泥工藝、連續(xù)和間歇曝氣工藝、交替式內(nèi)循環(huán)活性污泥工藝等。工藝過程一般由進水、曝氣、沉淀、排水和待機五部分組成。廢水中CODCr、懸浮物、氨氮的去除率分別為80%、80%、90%以上。該技術(shù)成本較低、占地少、耐沖擊負荷能力強，但自動化控制要求高，不設(shè)初沉池易產(chǎn)生浮渣。工藝設(shè)計和管理參見HJ577。6.2.2.2生物接觸氧化法適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的CODCr濃度不大于2000mg/L的有機廢水、綜合廢水處理。進水CODCr濃度超過2000mg/L時，需增加厭氧法預(yù)處理。該技術(shù)由接觸氧化池和沉淀池兩部分組成，可根據(jù)進水水質(zhì)和處理效果選用一級或多級接觸氧化池。優(yōu)先選用高效填料，種類包括懸掛式、懸浮式和固定氣水比參數(shù)宜通過試驗確定。廢水中CODCr的去除率為60%～90%。該技術(shù)耐沖擊負荷能力強、污泥產(chǎn)生量少，但濾料更換和維修困難。工藝設(shè)計和管理參見HJ2009。6.2.2.3膜生物法（MBR）適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的CODCr濃度小于500mg/L，懸浮物濃度小于150mg/L，氨氮濃度小于50mg/L的有機廢水、綜合廢水處理。膜生物處理系統(tǒng)宜設(shè)置超細格柵。按照污水的性質(zhì)和污染物濃度選擇膜生物法的工藝類型，常用的有浸沒式和外（分）置式。廢水中CODCr、懸浮物、氨氮的去除率分別為90%、99%、90%以上。該技術(shù)操作簡便、處理效率高，但成本高，能耗高，易出現(xiàn)膜污染問題。工藝設(shè)計和管理參見HJ2010。6.2.2.4曝氣生物濾池（BAF）適用于電子工業(yè)好氧生物處理系統(tǒng)出水的深度處理。曝氣生物濾池的容積負荷和水力負荷宜根據(jù)試驗資料確定，進水懸浮物濃度不大于60mg/L。宜采用氣水聯(lián)合反沖洗，反沖洗空氣強度10L/m2·s~15L/m2·s，反沖洗水強度4L/m2·s～6L/m2·s。廢水中CODCr的去除率為70%～85%，懸浮物的去除率為75%～98%。該技術(shù)工藝運行穩(wěn)定、耐沖擊負荷能力強、耐低溫、自動化程度高，但對進水懸浮物要求較高，反沖洗會出現(xiàn)結(jié)團現(xiàn)象。工藝設(shè)計和管理參見HJ2014。6.2.3厭氧處理+好氧處理組合技術(shù)6.2.3.1缺氧-好氧法（A/O）適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的經(jīng)預(yù)處理后的有機廢水、綜合廢水處理。該技術(shù)具有良好的脫氮效果，在好氧池實現(xiàn)硝化，在缺氧池實現(xiàn)反硝化脫氮。水力停留時間為10h～16h。廢水中氨氮的去除率為85%～95%，總氮的去除率為60%～85%。該技術(shù)操作簡便、工藝運行穩(wěn)定、污泥產(chǎn)生量少、成本低，但對高氨氮高磷廢水處理不徹底。工藝設(shè)計和管理參見HJ576。6.2.3.2厭氧-缺氧-好氧法（A2/O）適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的經(jīng)預(yù)處理后的有機廢水、綜合廢水處理。該技術(shù)可用于二級或三級污水處理以及中水回用，具有良好的脫氮除磷效果。廢水中CODCr、懸浮物的去除率為70%～90%，氨氮、總磷的去除率為90%，總氮的去除率為80%。污泥中磷含量較高，一般在2.5%以上。該技術(shù)工藝運行穩(wěn)定、耐沖擊負荷能力強、污泥肥效高，但難以同時取得好的脫氮除磷效果。工藝設(shè)計和管理參見HJ576。7環(huán)境與安全管理措施7.1環(huán)境與安全管理制度電子工業(yè)企業(yè)需按以下要求建立相應(yīng)環(huán)境與安全管理制度：a）根據(jù)HJ1031和HJ1253的要求嚴格執(zhí)行環(huán)境管理臺賬制度和自行監(jiān)測制度。b）開展環(huán)境與安全風(fēng)險分析，制定突發(fā)環(huán)境事件和生產(chǎn)安全事故應(yīng)急預(yù)案，及時修訂應(yīng)急預(yù)案，定期開展應(yīng)急預(yù)案演習(xí)，完善風(fēng)險防控措施。c）按要求安裝在線監(jiān)控設(shè)備，與生態(tài)環(huán)境主管部門的監(jiān)控設(shè)備聯(lián)網(wǎng)，并對在線監(jiān)控設(shè)備定期進行保養(yǎng)、維護和校正，保證設(shè)備正常運行。d）建立健全安全風(fēng)險分級管控和隱患排查治理制度，制定安全生產(chǎn)規(guī)章制度和操作規(guī)程，如實記錄并形成檔案，檔案至少留存五年。定期對員工進行隱患排查治理相關(guān)知識的宣傳和培訓(xùn)。7.2污染治理設(shè)施管理措施電子工業(yè)企業(yè)需采取以下污染治理設(shè)施管理措施：a）生產(chǎn)過程中無跑冒滴漏現(xiàn)象，車間內(nèi)實施干濕區(qū)分離，濕區(qū)地面敷設(shè)網(wǎng)格板，濕鍍件上下掛作業(yè)在濕區(qū)進行，濕區(qū)設(shè)一定傾斜角度，確保廢水廢液不停留，有效收集。b）廢水宜按不同水質(zhì)分類收集、專管專送和分質(zhì)集中預(yù)處理，分質(zhì)分流管道設(shè)置需滿足GB50814的要求。c）電鍍廢水處理設(shè)施根據(jù)廢水pH值、氧化還原電位（ORP）自動調(diào)節(jié)控制加藥；設(shè)施的運行通過功能完善的中央控制平臺控制，以全面記錄并實時反映運行狀況。d）廠區(qū)清污分流、雨污分流，化學(xué)品儲罐區(qū)采取防泄漏措施。印制電路板企業(yè)廠區(qū)內(nèi)需設(shè)置容積滿足要求的初期雨水池。其他電子工業(yè)企業(yè)鼓勵設(shè)置初期雨水池。e）需設(shè)置應(yīng)急事故池，相關(guān)要求參考GB50814的規(guī)定。f）各污水處理池需嚴格按照防腐、防滲、防沉降的要求進行設(shè)計、施工。g）鼓勵園區(qū)外的電子工業(yè)企業(yè)有序入園，廢水實施集中處理，促進廢水循環(huán)利用和污泥綜合利用，推動產(chǎn)業(yè)集聚發(fā)展。7.3電子工業(yè)污水集中處理設(shè)施管理措施電子工業(yè)污水集中處理設(shè)施需采取以下管理措施：a）園區(qū)入駐企業(yè)廢水需按照電子工業(yè)污水集中處理設(shè)施的廢水處理工藝設(shè)計要求進行分質(zhì)分流，含鉛、鎘、鉻、砷、鎳、銀中一項或多項重金屬的廢水應(yīng)單獨收集，含氰廢水、其他含重金屬廢水等宜單獨收集。b）電子工業(yè)污水集中處理設(shè)施運營單位宜對入駐企業(yè)分類收集的廢水設(shè)置廢水緩存罐，并采取pH計、電導(dǎo)率儀、流量計、液位計等監(jiān)控設(shè)施，及時發(fā)現(xiàn)和杜絕園區(qū)入駐企業(yè)超進水要求排放廢水。c）鼓勵電子工業(yè)污水集中處理設(shè)施運營單位建設(shè)污水再生利用設(shè)施和中水回用管網(wǎng)，鼓勵園區(qū)入駐企業(yè)開展中水回用。d）電子工業(yè)污水集中處理設(shè)施運營單位需建設(shè)應(yīng)急事故池。應(yīng)急事故池的容積需綜合考慮發(fā)生事故時車間當班設(shè)備的最大排水量、事故時消防用水量及可能進入應(yīng)急事故池的降雨量。事故水需檢測分類后，進入相應(yīng)處理單元。e）電子工業(yè)污水集中處理設(shè)施運營單位宜建設(shè)集中的化工原材料供應(yīng)體系，并做好分類存儲、安全管理及供應(yīng)、銷售記錄。f）電子工業(yè)污水集中處理設(shè)施運營單位需根據(jù)相關(guān)政策、標準規(guī)定，通過簽訂具備法律效力的合同等形式，基于確保水污染物穩(wěn)定達標排放的需要，明確與園區(qū)入駐企業(yè)的污染治理責(zé)任劃分。g）鼓勵園區(qū)入駐企業(yè)實施“一企一管”改造，并針對污染排放、污染治理設(shè)施運行等情況建立“一企一檔”。8污染防治可行技術(shù)8.1一般原則電子工業(yè)企業(yè)和電子工業(yè)污水集中處理設(shè)施可根據(jù)廢水種類、污染物類型、水質(zhì)特點，綜合考慮選用各類技術(shù)組合，達到GB39731的排放要求。具體水污染防治可行技術(shù)分別見表7和表8。8.2分質(zhì)預(yù)處理電子工業(yè)各子行業(yè)生產(chǎn)工序的水污染物種類和濃度差異明顯，宜采用下列方法對不同類型的廢水進行單獨收集，經(jīng)分質(zhì)預(yù)處理后再混合處理。電子工業(yè)污水集中處理設(shè)施接納的電子工業(yè)企業(yè)廢水類型較多，分質(zhì)預(yù)處理技術(shù)為各類廢水治理技術(shù)的組合。a）電鍍工序產(chǎn)生的含氰廢水宜單獨分流后采用堿性氯化法、雙氧水氧化法、臭氧氧化法、電解法、離子交換法等預(yù)處理，并避免含鐵廢水、含鎳廢水混入。含氰廢水含有鎳等重金屬污染物時，需通過破氰處理、使游離氰達到后端工藝進水控制要求后，再進入含重金屬廢水處理系統(tǒng)。b）電鍍、化學(xué)鍍銅等工序產(chǎn)生的含重金屬廢水、絡(luò)合銅廢水可分別采用化學(xué)沉淀法、芬頓氧化法預(yù)處理。c）堿性刻蝕工序產(chǎn)生的銅氨廢水宜單獨分流后采用折點加氯法、MAP法預(yù)處理。d）濕法刻蝕工序產(chǎn)生的含氟廢水、含磷廢水宜單獨分流，采用化學(xué)沉淀法預(yù)處理。e）顯影、剝離、清洗等工序產(chǎn)生的含氨廢水、有機廢水宜單獨分流，含氨廢水采用吹脫法預(yù)處理，有機廢水采用酸析法、芬頓氧化法、微電解（Fe-C）法等預(yù)處理。f）顯示器件產(chǎn)生的彩膜廢水宜單獨分流后采用化學(xué)沉淀法處理。g）清洗工序產(chǎn)生的酸堿廢水采用酸堿中和法處理。8.3綜合廢水處理電子工業(yè)廢水經(jīng)分質(zhì)預(yù)處理后，與輔助生產(chǎn)系統(tǒng)廢水和日常維護工序廢水混合為綜合廢水，綜合廢水采用物化處理技術(shù)和生化處理技術(shù)的組合技術(shù)進行處理，根據(jù)廢水組分情況采取相應(yīng)的處理技術(shù)，并確保處理過程安全。a）在確保出水達標排放和經(jīng)濟技術(shù)可行的前提下，企業(yè)宜最大限度提高廢水的重復(fù)利用率和回用率。b）電子工業(yè)廢水經(jīng)過厭氧生物處理后，后續(xù)需采用好氧生物工藝處理。c）難生化降解的低濃度電子工業(yè)廢水可采用芬頓氧化、臭氧氧化等物化處理技術(shù)進行深度處理，提高廢水的可生化性。d）若有重金屬回收或廢水回用要求，宜選用膜分離工藝。e）廢水直接排入環(huán)境水體的，需增加BAF技術(shù)、芬頓氧化、臭氧氧化、MBR技術(shù)等深度處理單元；廢水排入公共污水處理系統(tǒng)的，是否增加深度處理單元需根據(jù)廢水預(yù)處理和生化處理的效果以及納管要求確定。f）生活污水單獨處理并排入公共污水處理系統(tǒng)的，可采取隔油池和化糞池進行處理。直接排入環(huán)境水體的，后續(xù)可增加生化處理單元進行處理。8.4綜合毒性處理電子工業(yè)污水集中處理設(shè)施可采取以下措施降低廢水的綜合毒性：a）持續(xù)實施清潔生產(chǎn)，嚴格物料管理，節(jié)約原輔材料用量，盡量使用無毒或低毒藥劑，對采用新化學(xué)物質(zhì)的藥劑加強環(huán)境風(fēng)險評估管理，降低產(chǎn)污環(huán)節(jié)的廢水綜合毒性。b）宜采用電解、芬頓氧化等物化處理技術(shù)，將難降解物質(zhì)分解為易生化處理的物質(zhì)，提高廢水的可生化性，后續(xù)再采用生化處理技術(shù)處理，可降低出水的綜合毒性。c）對于監(jiān)測結(jié)果顯示綜合毒性不達標的廢水，將其回流至原處理工藝流程進行二次處理，可降低其綜合毒性。d）鼓勵電子工業(yè)污水集中處理設(shè)施運營單位盡早開展廢水綜合毒性的監(jiān)測，將監(jiān)測結(jié)果報送當?shù)厣鷳B(tài)環(huán)境主管部門，并根據(jù)監(jiān)測結(jié)果積極采取相應(yīng)的控制措施。表7電子工業(yè)企業(yè)水污染防治可行技術(shù)序號適用范圍污染預(yù)防技術(shù)污染治理技術(shù)水污染物排放水平（mg/L）適用條件分質(zhì)預(yù)處理技術(shù)綜合廢水治理技術(shù)懸浮物（SS）石油類化學(xué)需氧量（CODCr）總有機碳（TOC）氨氮總氮總磷陰離子表面活性劑（LAS）總氰化物硫化物氟化物總銅總鋅總鉛總鎘總鉻六價鉻總砷總鎳總銀1專用材料、電子元件逆流清洗廢水回用技術(shù)①含重金屬廢水：化學(xué)沉淀法②含氟廢水：化學(xué)沉淀法③含氨廢水：吹脫法/厭氧氨氧化法（ANAMMOX）/折點加氯法/磷酸銨鎂脫氨氮法（MAP）④酸堿廢水：酸堿中和法①混凝-沉淀/氣浮+②生化處理/酸堿中和+③芬頓氧化/電解704.03025300.5—0.50.20.050.20.50.50.3直接排放2①混凝-沉淀/氣浮+②生化處理/酸堿中和4002050020045708.020 202.00.20.050.20.50.50.3間接排放3印制板①環(huán)保型退鍍液替代技術(shù)+②逆流清洗廢水回用技術(shù)+③噴射①含重金屬廢水：化學(xué)沉淀法②含氟廢水：化學(xué)沉淀法③含氨廢水：吹脫法/厭氧氨氧化法（ANAMMOX）/折點加氯法/磷酸銨鎂脫氨氮法（MAP）④含氰廢水：堿性氯化法/雙氧水氧化法/臭氧氧化法/電解法/離子交換法/“電解法+離子交①混凝-沉淀/氣浮+②生化處理/酸堿中和+③芬頓氧化/臭氧氧化/電解/曝氣生物濾池/膜分離705.02025353.00.50.60.5—0.2————0.50.3直接排放①混凝-沉間4水洗技術(shù)換法”/“堿性氯化法/雙氧水氧化法/臭氧氧化法/+離子交換法”⑤有機廢水：酸析法/微電解（Fe-C）法/“酸析法+芬頓氧化法”淀/氣浮+②生化處理/酸堿中和4005005045708.00.80.6202.0 0.2 0.50.3接排放序號適用范圍污染預(yù)防技術(shù)污染治理技術(shù)水污染物排放水平（mg/L）適用條件分質(zhì)預(yù)處理技術(shù)綜合廢水治理技術(shù)懸浮物（SS）石油類化學(xué)需氧量（CODCr）總有機碳（TOC）氨氮總氮總磷陰離子表面活性劑（LAS）總氰化物硫化物氟化物總銅總鋅總鉛總鎘總鉻六價鉻總砷總鎳總銀5①含重金屬廢水：化學(xué)沉淀法②含氟廢水：化學(xué)沉淀法③含氨廢水：吹脫法/厭氧氨氧化法（ANAMMOX）/折點加氯法/磷酸銨鎂脫氨氮法（MAP）①混凝-沉淀/氣浮+②生化處理/酸堿中和+③芬頓氧化/曝氣生物濾池/膜分離603.03020302.00.30.30.50.20.050.50.50.3直接排放6半導(dǎo)體器件逆流清洗廢水回用技術(shù)④酸堿廢水：酸堿中和法⑤含磷廢水：化學(xué)沉淀法⑥含氰廢水：堿性氯化法/雙氧水氧化法/臭氧氧化法/電解法/離子交換法/“電解法+離子交換法”/“堿性氯化法/雙氧水氧化法/臭氧氧化法/+離子交換法”①混凝-沉淀/氣浮+②生化處理/酸堿中和40050045708.0200.60.32.00.20.050.50.50.3間接排放7顯示器件及光電子器件①非金屬樹脂材料替代技術(shù)+②逆流清洗廢水回用技術(shù)①含重金屬廢水：化學(xué)沉淀法②含氟廢水：化學(xué)沉淀法③酸堿廢水：酸堿中和法④含磷廢水：化學(xué)沉淀法⑤彩膜廢水：化學(xué)沉淀法①混凝-沉淀/氣浮+②生化處理/酸堿中和+③芬頓氧化/膜分離502.03025352.00.3—0.50.2———0.50.50.3直接排放8①混凝-沉淀/氣浮+②生化處理/酸堿中和40050020045708.00.5—202.00.2———0.50.50.3間接排放序號適用范圍污染預(yù)防技術(shù)污染治理技術(shù)水污染物排放水平（mg/L）適用條件分質(zhì)預(yù)處理技術(shù)綜合廢水治理技術(shù)懸浮物（SS）石油類化學(xué)需氧量（CODCr）總有機碳（TOC）氨氮總氮總磷陰離子表面活性劑（LAS）總氰化物硫化物氟化物總銅總鋅總鉛總鎘總鉻六價鉻總砷總鎳總銀9終端產(chǎn)品逆流清洗廢水回用技術(shù)①含重金屬廢水：化學(xué)沉淀法①混凝-沉淀/氣浮+②生化處理/酸堿中和+③芬頓氧化/電解702.0903025300.2——0.30.20.030.5—0.50.3直接排放①混凝-沉淀/氣浮+②生化處理/酸堿中和4002050020045708.05.00.5——0.20.030.5—0.50.3間接排放其他電子設(shè)備制造逆流清洗廢水回用技術(shù)①含重金屬廢水：化學(xué)沉淀法①混凝-沉淀/氣浮+②生化處理/酸堿中和+③芬頓氧化/電解70—25—50.5——0.52.00.5—0.5直接排放①混凝-沉淀/氣浮+②生化處理/酸堿中和40030500————20——2.05.00.5—0.5間接排放表8電子工業(yè)污水集中處理設(shè)施水污染防治可行技術(shù)序號適用范圍污染治理技術(shù)水污染物排放水平（mg/L）適用條件分質(zhì)預(yù)處理技術(shù)綜合廢水治理技術(shù)懸浮物（SS）石油類化學(xué)需氧量（CODCr）總有機碳（TOC）氨氮總氮總磷陰離子表面活性劑（LAS）總氰化物硫化物氟化物總銅總鋅總鉛總鎘總鉻六價鉻總砷總鎳總銀1電子工業(yè)污水集中處理設(shè)施①含重金屬廢水：化學(xué)沉淀法②含氟廢水：化學(xué)沉淀法③含氨廢水：吹脫法/厭氧氨氧化法（ANAMMOX）/折點加氯法/磷酸銨鎂脫氨氮法（MAP）④酸堿廢水：酸堿中和法⑤含磷廢水：化學(xué)沉淀法⑥含氰廢水：堿性氯化法/雙氧水氧化法/臭氧氧化法/電解法/離子交換法/“電解法+離子交換法”/“堿性氯化法/雙氧水氧化法/臭氧氧化法/+離子交換法”⑦有機廢水：酸析法/芬頓氧化法/微電解（Fe-C）法/“酸析法+芬頓氧化法”/化學(xué)沉淀法①混凝-沉淀/氣浮+②生化處理/酸堿中和+③芬頓氧化/臭氧氧化/電解/曝氣生物濾池/膜分