半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)和半導(dǎo)體器件工藝

導(dǎo)電流，如：金屬類(lèi)，銅、銀、鋁、金等；電解液類(lèi)：NaCl*Si200℃時(shí)電阻率比室溫時(shí)的電阻率低幾千倍?？梢岳冒雽?dǎo)體的這個(gè)N4N單個(gè)N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體是沒(méi)有什麼用途的但使一塊完整的半導(dǎo)體的一部分是N型，另一部分爲(wèi)P型，?在兩端加上電壓，我們會(huì)發(fā)現(xiàn)有很奇怪的現(xiàn)象。當(dāng)電壓很小時(shí)，一般小於0.7V時(shí)基本沒(méi)有電流流過(guò)，但大於0.7V以後，隨電壓方法爲(wèi)正向連接，所加的電壓稱(chēng)爲(wèi)正向電壓。將N型半導(dǎo)體接電源的正極，P型壓。這是由於載子（電子和電洞）的擴(kuò)散作用，在P型和N型半導(dǎo)體的交界面附近，由於電子和電洞的擴(kuò)散形成了一個(gè)薄層（阻擋層，這個(gè)薄層稱(chēng)作PN接面。在沒(méi)有外加電壓時(shí)，PN接面本身建立起一個(gè)電場(chǎng)，電場(chǎng)的方向是由N區(qū)指向PPN接面中的電場(chǎng)，在外加電場(chǎng)的作用下，N 區(qū)的電子不斷地走向P區(qū)，P區(qū)的電洞不斷地走向N區(qū)，使電流流通。當(dāng)外加反向電壓時(shí)，加強(qiáng)了電場(chǎng)阻止電子和電洞流通的作用，因此電流很難通過(guò)。這就是PN接面的單向?qū)щ娦?。PN第二章半導(dǎo)體器件和工藝第一節(jié)半導(dǎo)體器件的發(fā)展過(guò)程1947PN（又稱(chēng)晶閘（JFET（MESFET（MOSFET第三節(jié)管、臺(tái)面管等。1960年左右矽平面工藝和外延技術(shù)的誕生，半導(dǎo)體器件的製造(一)由于平面管在整個(gè)製造過(guò)程中硅片表面及最後的管芯表面都覆蓋有一層二P—N：1.噪音低。電晶體的低頻噪音與P—N第四 矽外延平面管製造工NPN（8）蒸鋁（11）鋁反刻（12）合金化（13）CVD（14）壓點(diǎn)光刻（15）烘焙（16）(7)磷擴(kuò)散（磷再擴(kuò)：形成發(fā)射區(qū)的過(guò)程。改變?cè)贁U(kuò)條件來(lái)改變參數(shù)β值和BVCEOβ（1）(2)(3)45)67)(8)(9)基區(qū)氧化(10)(11)(12)發(fā)射區(qū)光刻(13)磷擴(kuò)散(磷再擴(kuò))(14)低氧(15)刻引線孔(16)蒸鋁(17)鋁反刻(18)合金化(19)CVD(20)壓點(diǎn)光刻(21)烘培(22)中測(cè)。N+擴(kuò)散區(qū)。這是由於積體電路是各散的目的是形成穿透外延層的P+隔離槽，把外延層分割成若干個(gè)彼此獨(dú)立的隔 98%。工業(yè)用矽經(jīng)過(guò)加工變成在拉制的過(guò)程中根據(jù)需要摻入微量的雜質(zhì)，形成一定電阻率的P型單晶棒或N6812是〈100NP一 化工藝的種氣體種 反應(yīng) 速O2（乾 H2O或 二、（1）（3）MOS1、厚度均勻性問(wèn)題。造成不均勻的主要原因是氧化反應(yīng)管中的氧氣和雜質(zhì)的掩蔽作用和絕緣作用，而且在光刻腐蝕時(shí)容易造成局部鑽蝕。2、（1）（2）氧3、氧化膜針孔。當(dāng)矽片存在位錯(cuò)和層錯(cuò)時(shí)就會(huì)形成針孔，它能使擴(kuò)散 如鈉離子、氫離子、氧空位等使P型矽一側(cè)感應(yīng)出負(fù)電荷，從而出現(xiàn)了反型。 （1）顔 氧化膜厚度（埃 （1）RS（Ω/；(2)Xj（um。RsR□，它表示表面爲(wèi)正方形的擴(kuò)散薄層在電流方向(電質(zhì)在這些缺陷處的擴(kuò)散速度特別快，造成結(jié)平面不平坦，PN接面低擊穿或分段第九 光刻工（1）TR\SCR\TRIAC\JEFT（片，也可能對(duì)應(yīng)多個(gè)版圖晶片（如9012對(duì)應(yīng)9611—0.44*0.44和0.4*0.49611N)。晶片名稱(chēng)爲(wèi)我們自己起的名稱(chēng)，多與此品種光刻板的名稱(chēng)對(duì)應(yīng)，，B90128050，X601NPX1225PCR40631放大倍數(shù)HFETRHFE*2，120-240、150-300、200-400、500-1000，檔位過(guò)窄則生産有困難，而現(xiàn)在市HFE9901