《車身域控制器場效應管負載能力試驗方法》及編制說明書

1車身域控制器場效應管負載能力試驗方法本標準規(guī)定了乘用車及電動車車身域控制器場效應管的選型使用、技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)范；本標準適用于比亞迪品牌及其所屬品牌所有乘用車及電動車及其對應車身域控制器選型使用、技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)范，其他品牌的的乘用及電動車對應車身域控制器場效應管可參照此標準。2規(guī)范性引用文件下列文件對于本文件的應用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單一）適用于本文件。GB/T191—2008包裝儲運圖示標志GB/T5465.2—2008電氣設備用圖形符號第2部分：圖形符號GB/T30512-2014汽車禁用物質要求GB/T2900.32-1994電工術語電力半導體器件GJB3164-1998半導體分立器件包裝規(guī)范IEC60191-6-2009半導體器件的機械標準化-第6部分表面安裝的半導體器件封裝外形圖紙制備的一般規(guī)則(MechanicalStandardizationofSemiconductorDevices-Part6:GeneralRulesForthePreparationofOutlineDrawingsofSurfaceMountedSemiconductorDevicePackages)IEC60747-82021半導體器件-分立器件-第8部分：場效應晶體管(Semiconductordevices–Discretedevices–Part8:Field-effecttransistors)JESD51-1集成電路的熱測試方法(IntegratedCircuitsThermalMeasurementMethod)JESD51-14一維傳熱路徑下半導體器件結殼熱阻瞬態(tài)雙界面測試法(TransientDualInterfaceTestMethodfortheMeasurementoftheThermalResistanceJunctiontoCaseofSemiconductorDeviceswithHeatFlowThroughaSinglePath)AEC-Q101-Rev–E基于分立半導體應力測試認證的失效機理(FailureMechanismBasedStressTestQualificationForDiscreteSemiconductorsinAutomotiveApplications)3術語和定義功率MOSFETMOSFET是Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor的縮寫，中文名為金屬-氧化物半導體場效應晶體管，是一種單極型器件，具有柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source），簡稱金氧半場效晶體管或MOS管。3.2NMOSN型金屬-氧化物-半導體（N-typemetaloxidesemiconductor），N型功率MOSFET導電溝道為N2型，通過電子移動導電，主回路電流方向為漏極指向源極，導通條件為VGS有一定的壓差（G電位比S電位高），Source端一般接地（低邊驅動）。3.3PMOSP型金屬-氧化物-半導體（P-typemetaloxidesemiconductorP型功率MOSFET導電溝道為P型，通過空穴進行導電，主回路電流方向為源極指向漏極，導通條件為VGS有一定的壓差（S電位比G電位高），Source端一般接VDD（高邊驅動）。3.4柵極Gate，簡稱G極。MOS管的控制端。在G極施加驅動電壓可控制MOS管開啟、關閉。3.5源極Source，簡稱S極。源極是控制柵極電場的參考點。改變柵極和源極之間的電壓，可控制源極和漏極之間的電流流動。3.6漏極Drain，簡稱D極。相對于源極，是電流流經(jīng)的另一個端口。對于N型功率MOSFET，電流方向為漏極指向源極，對于P型功率MOSFET，電流方向為源極指向漏極。3.7TCTemperatureCycling，高溫與低溫循環(huán)交替作用下測試器件機械應力。3.8絕對最大限值-VDS耐壓VGS=0V時，漏源兩極未發(fā)生擊穿前所能施加的最大電壓。為確保MOS管的功能正常，在漏源兩極施加的電壓，應控制在此電壓值范圍內。3.9絕對最大限值-VGS耐壓柵源兩級間可以施加的正負最大電壓。為確保MOS管的功能正常，在柵源兩極施加的電壓，應控制在此電壓值范圍內。3.10絕對最大限值-持續(xù)帶載ID指在MOS管殼溫為25℃或者更高溫度，保證MOSFET不超過其最大額定結溫的條件下，可通過的最大持續(xù)直流電流。如果流過的電流超過該值，會有MOS管擊穿的風險。3.11絕對最大限值-脈沖帶載IDM在一定脈沖條件下（規(guī)格書標識），MOS管的漏極能承受的最大脈沖電流值，并在此沖擊后MOS的功能和性能正常。此參數(shù)會受脈沖寬度和占空比等的制約，反映了器件可處理的脈沖電流的高低，脈沖電流要遠高于連續(xù)的直流電流，超過此值，管子面臨損壞。絕對最大限值-雪崩電流IAS在MOS管關斷時，由于系統(tǒng)電路中存在寄生電感，寄生電感中所存儲的能量需要通過MOS管以雪崩擊穿的形式進行泄放，其可承受的最大電流，超過此值，MOS管面臨損壞。3.13絕對最大限值-雪崩能量EASEAS表示MOS管可承受的最大單次脈沖雪崩擊穿能量值。雪崩擊穿能量決定了MOS可以容忍瞬間3承受雪崩電流的安全值。絕對最大限值-結溫TJTJ(結溫)(JunctionTemperature)，指MOSFET芯片內部PN結的溫度。其受MOSFET工作時所能承受的最高溫度限制，超過這個溫度可能會導致器件性能下降、損壞甚至失效。3.15絕對最大限值-結溫TSTGTSTG是指存儲或運輸MOSFET的溫度范圍，是存儲的限定溫度值。MOS管在此溫度范圍內儲藏后對MOS的功能、性能不受影響。3.16絕對最大限值-耗散功率PDPD表示最大耗散功率，是指MOS管的功能和性能正常時所能承受的最大漏源耗散功率。其計算公式為：PD=，其中RθJC代表結-殼熱阻。3.17電氣特性-擊穿電壓V(BR)DSS指在規(guī)定的溫度和柵源短接情況下，在漏源兩極施加電壓，當漏源電流達到規(guī)定值時的漏源電壓值。3.18電氣特性-漏源漏電流IDSS指在規(guī)定的溫度和柵源短接情況下，在漏源兩極施加電壓所產(chǎn)生的漏源電流。3.19電氣特性-柵極漏電流IGSS指在規(guī)定的溫度和漏源短接情況下，在柵源兩極施加電壓所產(chǎn)生的柵源電流。3.20電氣特性-閾值電壓VGS(th)指在規(guī)定的溫度和柵漏短接情況下，在柵源兩極施加電壓，當漏源電流達到一定值時的柵源電壓值。VGsth是負溫度系數(shù)，當溫度上升時，MOS的柵源閾值電壓會降低。3.21電氣特性-導通內阻RDS(ON)指在規(guī)定的溫度和柵極驅動電壓下，當漏源電流達到特定值時，所測得的漏源電阻。3.22電氣特性-跨導GFSGFS表示正向跨導，漏極電流變化量與柵源電壓變化量的比值，反映的是柵極電壓對漏源電流控制的能力。3.23電氣特性-體二極管導通壓降VSD指在規(guī)定的溫度和柵源短接的情況下，在源漏兩端施加電壓，當源漏電流達到一定值時，所測得的源漏兩極的壓降。3.24電氣特性-體二極管帶載電流IS指在規(guī)定的溫度和柵源短接的情況下，流經(jīng)源漏兩端的最大可承受電流。超過該規(guī)定值時，MOS管功能、性能會下降。3.25結電容43.25.1輸入電容Ciss漏極對源極交流短路時，柵極與源極之間的電容。3.25.2輸出電容Coss柵極對源極交流短路時，漏極和源極之間的電容。3.25.3反向傳輸電容Crss漏極和柵極之間的電容。3.26柵極電阻Rg柵極和源極之間的內部電阻值。3.27柵極電荷3.27.1柵極總電荷量Qg使柵極電壓從0V上升到指定電壓所需要的柵極電荷量。3.27.2柵極-源極電荷量Qgs使柵極電壓從0V上升到柵極穩(wěn)定電壓(米勒平臺)所需要的電荷量。3.27.3柵極-漏極電荷量Qgd米勒平臺開始到結束所需的電荷量。3.28開關時間3.28.1導通延遲時間td(on)柵極電壓上升到設定電壓的10%后，到漏極電壓下降到設定電壓的90%之間的時間。3.28.2關斷延時td(off)柵極電壓下降到設定電壓的90%后，到漏極電壓上升到設定電壓的10%之間的時間。3.28.3上升時間tr漏極電壓從設定電壓的90%下降到10%所需要的時間。3.28.4下降時間tf漏極電壓從設定電壓的10%上升到90%所需要的時間。3.29反向恢復時間trr指定測量條件下，內部二極管的反向恢復電流消失所需要的時間。3.30反向恢復時間Qrr指定測量條件下，內部二極管的反向恢復電流消失所需要的電荷量。3.31FR4材質FR4材質是一種火焰阻燃級別為4的玻璃纖維增強環(huán)氧樹脂材料的簡稱，具有較高阻燃性能。此種材料是由玻璃纖維布浸漬環(huán)氧樹脂后，再覆上銅箔加工而成，常被用作PCB基板材料。其中FR4全稱為FlameRetardantGrade4，是一種阻燃型環(huán)氧玻璃布基覆銅板的等級標準，根據(jù)國際電工委員會（IEC）標準，F(xiàn)R-4級別為4表示材料的垂直燃燒速率小于或等于30毫米/分鐘。3.32可靠性項目術語及定義（AEC-Q101）應符合表1的規(guī)定。5表1可靠性項目術語及定義序號縮略語全稱中文說明1ACAutoclave高溫蒸煮試驗2WBPWireBondPullStrength鍵合拉力強度3WBSWireBondshearstrength鍵合剪切力強度4DPADestructivePhysicalAnalysis破壞性物理分析5DSDieShear芯片剪切力強度6DIDielectricIntegrity電介質完整性7ESDElectrostaticDischarge靜電放電8HASTHighlyAcceleratedTemperatureandhumidityStressTest高加速溫度和濕度應力試驗9H3TRBHighHumidityHighTemp.ReverseBias高溫高濕反偏試驗HTGBHighTemperatureGateBias高溫柵極偏置試驗HTRBHighTemperatureReverseBias高溫反偏試驗IOLIntermittentOperationalLife間斷性工作壽命MSMechanicalShock機械沖擊PCPreconditioning預處理PDPhysicalDimension物理尺寸PVParametricVerification參數(shù)認定RSHResistancetoSolderHeat耐焊性RTSResistancetoSolvents耐溶解性Solderability可焊性20TCTemperatureCycling溫度循環(huán)21TCDTTcDelaminationTest溫度循環(huán)分層測試22TCHTTemperatureCyclingHottest溫度循環(huán)熱測試23TSTerminalStrength端子強度24TRThermalResistance熱阻25UISUnclampedinductiveSwitching非鉗位電感開關26WBSWireBondShear鍵合剪切力4分類、參數(shù)要求及封裝4.1產(chǎn)品分類4.1.1按導電溝道類型分類產(chǎn)品導電溝道類型可分成如下兩類：6車身域使用的控制器場效應管按照導電溝道類型分類一般分為以下兩類：a）N溝道場效應管b）P溝道場效應管相關定義參考3.2，3.3相關內容。4.2產(chǎn)品標記封裝信息在此封裝信息中，MOS的各項物理參數(shù)都可以找到對應值，包括長、寬、高、引腳尺寸、引腳間距、焊盤尺寸等具體數(shù)值及公差，封裝絲印信息，應顯現(xiàn)廠家、型號、生產(chǎn)批次、極性或方向，絲印內容應清晰，完整，無模糊，缺劃，重影等現(xiàn)象。4.3參數(shù)要求不同品牌提供產(chǎn)品規(guī)格書參數(shù)部分應包含：絕對最大限制，電氣特性，熱阻特性及封裝信息。格式允許不同。5技術要求5.1參數(shù)描述符號描述要求應符合表2，關鍵參數(shù)選用要求應符合表3。表2符號描述要求符號描述(3)S4GGateDDrainSSource表3關鍵參數(shù)選用要求項目標號范圍單位Drain-SourceVoltage漏VDSV壓VGSVGateThresholdVoltVGS(th)V7DrainCurrent-ContinuousAAPulsedDrainCurrent流IDMADrain-SourceOn-StateResRDS(ON)MaximumPowerDissipatioPDWSinglepulseavalanchEASTJ,TSTG℃RθJCThermalResistance,Junctambient(Note2)結到環(huán)境的熱阻RθJA4.VDS=VGS,ID=250μA5.1.1電氣特性-動態(tài)特性一般規(guī)格書中涉及的動態(tài)特性參數(shù)包括結電容、柵極電荷、開關時間等，具體如下：結電容(Ciss、Coss、Crss)：(1)輸入電容Ciss：在漏、源兩極施加一定電壓，柵、源兩極施加一定幅值的交流信號時，測出的柵、源兩極的內部電容，即Ciss=Cgs+Cgd,且Cgs>>Cgd,當Ciss(主要指Cgs)兩端電壓差達到閾值電壓VGS(th)時，MOS管才會趨向導通，即MOS管的開啟、關斷時間是由Ciss充電、放電時間決定的。在實際電路應用中，降低驅動電路的輸出阻抗，提高驅動電流，提高Ciss的充放電速度，才能加快MOS的導通、關斷時間。(2)輸出電容Coss:柵、源兩極電壓為零，漏、源兩極施加一定幅值的交流信號時，測出的漏、源兩極的內部電容，即Coss=Cds+Cgd。在實際電路應用中，Coss可能會引起電路的諧振。(3)反向傳輸電容Crss:在源極接地時，漏、柵兩極施加一定幅值的交流信號時，測出的漏、柵之間的電容，也稱為米勒電容，即Crss=Cgd。此參數(shù)影響MOS的開啟、關斷延時以及上升、下降時間。8(4)柵極電阻Rg：MOS管柵極內部寄生電阻。SiO2Source·CgsRgGate·SourceRwp+Cgdp+dn-s-nn+n+DrainD S圖1MOS內部結構示意圖圖2符號示意圖柵極電荷(Qg、Qgs、Qgd)(1)柵極總電荷量Qg：指對Ciss充電，柵極電壓由0V達到一定驅動電壓VGS所需的總電荷量；(2)柵-源電荷量Qgs：指對Ciss充電，柵極電壓由0V達到米勒平臺所需的電荷量；(3)柵-漏電荷量Qgd：指對Crss充電，米勒平臺開始到結束所需的電荷量；Qg的大小與柵極電壓有關，Qgs的大小與漏極電流有關，Qgd的大小與漏源電壓有關。通常MOS規(guī)格書中此值的測試條件為：Vgs=10V,Vds=耐壓的50%，Id與Rdson電流一致。開關特性一般規(guī)格書中涉及的開關特性參數(shù)有如下：(1)導通延時td(on):是指從VGS電壓上升到設定電壓的10%時到VDS電壓下降到設定電壓的90%時經(jīng)歷的時間，或者指從VGS電壓上升到設定電壓的10%時到ID電流上升到設定電流的10%時經(jīng)歷的時間。(不同廠商判斷條件不同)(2)關斷延時td(off):是指從VGS電壓下降到設定電壓的90%時到VDS電壓上升到設定電壓的10%時經(jīng)歷的時間，或者指從VGS電壓下降到設定電壓的90%時到ID下降到設定電流的90%時經(jīng)歷的時間。(不同廠商判斷條件不同)(3)上升時間tr:是指VDS電壓從設定電壓的90%下降到10%時經(jīng)歷的時間，或者指ID電流從設定電流的10%上升到90%時經(jīng)歷的時間。(不同廠商判斷條件不同)(4)下降時間tf:是指VDS電壓從設定電壓的10%上升到90%時經(jīng)歷的時間，或者指ID電流從設定電流的90%下升到10%時經(jīng)歷的時間。(不同廠商判斷條件不同)(5)trr、Qrr:表示體二極管的反向恢復時間，反向恢復電荷量。是指在規(guī)定的測試條件下，內部寄生二極管的反向恢復電流消失所需要的時間、電荷 Q QgsQgdQQgttttttttttttd圖3電荷量與Vgs的示意圖圖4Vds與Vgs的示意圖d95.1.2熱阻特性一般規(guī)格書中涉及的熱阻特性有兩種，如下：(1)RθJA：表示MOS管內部結到外部工作環(huán)境的熱阻，指(結溫TJ-工作環(huán)境溫度TA)與功率之比。(2)RθJC：表示MOS管內部結到外殼的熱阻，指(結溫TJ-殼溫Tc)與功率之比。θjtθjc圖5MOS熱阻測試原理圖5.1.3封裝信息在此封裝信息中，MOS的各項物理參數(shù)都可以找到對應值，包括長、寬、高、引腳尺寸、引腳間距、焊盤尺寸等具體數(shù)值及公差。5.1.4散熱性能要求表4散熱性能要求參數(shù)符號單位注釋結-殼熱阻R?JC°C/W結-環(huán)境熱阻R?JA°C/W注釋(表中熱阻限值適用于封裝尺寸不大于5mm*6mm)：結-殼熱阻(R?JC)R?JC結-殼熱阻是由芯片至漏極的殼面焊錫封固面層的熱阻所決定。結-環(huán)境熱阻(R?JA)R?JA結-環(huán)境熱阻是由芯片至漏極的殼面焊錫封固面層的熱阻再至環(huán)境所決定的。R?JA一般基于1平方英寸、2盎司敷銅的FR4板上測得，不同的板材和測試環(huán)境對R?JA測試結果有較大的影響。5.2外觀要求5.2.1外觀質量要求車身域控制器用場效應管外觀質量要求應符合表5規(guī)定。表5外觀質量要求5.2.2尺寸規(guī)格及偏差車身域控制器用場效應管一般選用PDFN5×6-8L封裝，選用時提供尺寸允許偏差應符合表6規(guī)定，相關內容不少于以下信息。表6尺寸允許偏差表E1EE1EeΦ1Φ1TopViewEFTopViewEFLE3E2E4DE3E2E4——2xD2D1 A1AFbVIEW"A"Max10°BottomAFbVIEW"A"Max10°SideViewSymbolCommonDimensions（參數(shù)描述）Millimeters（公制）Inches（英制）Min.最小Nom.正常Max.最大Min.最小Nom.正常Max.最大A0.9000.0350.0390.045A10.000---0.0500.000---0.002b0.2460.2540.3500.0100.0100.014C0.3100.4100.5100.0120.0160.020d1.27BSC0.050BSCD4.9505.0505.1500.1950.1990.203D14.0004.1004.2000.1570.1610.165D20.125REF0.005REFe0.62BSC0.024BSCE5.5005.6005.7000.2170.2200.224E16.0506.1506.2500.2380.2420.246E23.4253.5253.6250.1350.1390.143E30.250REF0.010REFE40.275REF0.011REFF--0.100--0.004L0.5000.6000.7000.020.020.03L10.6000.7000.8000.020.030.03K1.225REF0.05REF注：TopView：俯視圖(電路正面)；BottomView：底視圖(電路反面)；SideView：側視圖(電路側面)。6檢測方法6.1通用性能檢測6.1.1檢測環(huán)境檢測環(huán)境條件分為基準條件和一般條件，具體參數(shù)應滿足表7的要求。一般情況下，基準條件下的試驗結果更具備代表性。50～10650～106/6.1.2試樣處理試樣處理應滿足以下要求：a)按車規(guī)標準驗證：驗證數(shù)量3個批次，每個批次77顆；不同項目具體參考表8。b)應對試樣進行靜電防護，避免損壞器件影響檢測結果。c)無特殊要求樣品應貼裝于FR4材質，1平方英寸2oZ銅皮的印刷電路板上進行實驗。6.1.3實驗框圖DNMOSGSDNMOSGSPMOSGDPMOSGDS圖6晶體管特性測試儀DSGS直流可調電源示波器電流探頭直流可調電源SPMOS電壓探頭GD電子負載圖7內阻測試布局圖G電子負載數(shù)字多用表點溫計PMOS點溫計直流可調電源 G D圖8VSD測試LHSWIDIDIDDUTRGV(BR)eff圖9雪崩測試電路圖6.1.4驗證流程應符合圖10的規(guī)定。6.1.5通用測試應符合表8規(guī)定。表8通用測試參數(shù)序號項目測試方法要求備注1V(BR)DSS極間電壓即為VBRDSS2IDSS3VGS(th)開啟電壓極間電壓即為VGS(th)4IGSS），5BVGSSBVGSS6部分MOSFET受限封裝限制，標稱電流小于理論計算值7RDS(on)8VSD9參考圖9，雪崩測試電路圖供參考，開通MOS后，電源給電感L充電到規(guī)定的電流Io后，關斷MOS，同時HSW高速開關斷開電源，電感L的電流不能突變，使MOS強制通過電流，MOSD、S產(chǎn)生遠超耐壓值的電壓。EAS=0.5*Io2L一致，所以驗證時需要按照規(guī)格IDMIDM脈沖電流，MOSFET能正常開關，功能正常。6.1.6可靠性試驗參考AEC-Q101標準，應按照表9的實驗方法進行試驗。表9可靠性項目、試驗方法及要求預處理PCA11G,S適用于A2、A3、A4、SMD部件零缺陷JEDEC/IPCJSTD-020JESD22-A-113僅在測試A2、A3、A4、A5和C8之前對表面貼裝器件進行測試。PC前后均需要測試，任何零件的更換都需要有報告。高加速應力HASTA21D,G,U,773附注B零缺陷JEDECJESD22-A-110TA=130°C/85%RH下96小時，或TA=110°C/85%RH下264小時，反向偏壓在80%額定電壓下達到腔內發(fā)生電弧的電壓，典型為42V)。HAST前后需測試。高溫高濕反偏老化H3TRBA2alt1D,G,U,773附注B零缺陷JEDECJESD22-A-101TA=85°C/85%RH下1000小時，反向偏壓在80%額定電壓下最大值為100V或腔室限定）。H3TRB前后需測試。不加電高速應力UHASTA31D,G,U773附注B零缺陷JEDECJESD22-A-118,orA101TA=130°C/85%RH下96小時，或TA=110°C/85%RH下264小時。UHAST前后需測試。高溫蒸煮ACA3alt1D,G,U773附注B零缺陷JEDECJESD22-A-10296小時，TA=121°C，RH=100%，15psig。AC前后需測試溫度循環(huán)TCA41D,G,U,3773附注B零缺陷JEDECJESD22-A-104AEC-Q101附錄61000次循環(huán)(TA=最低結溫-55°C至最高額定結溫，不超過150°C)。使用TA(max)=25°C，超過部分最大結溫或在最大結溫高于150°C時使用TA(max)=175°C，可以將試驗縮短至400個周期。TC前后需測試。如果產(chǎn)品RDSon≤2.5mΩ。試驗后允許≤0.5mΩ的變化量；間歇壽命IOLA51D,G,P,T,U,W,3773附注B零缺陷MIL-STD-750Method1037參照表A所示的每個時間周期進行測試，TA=25℃,部件加電確保△TJ≥100℃（不超過最大額定結溫）。IOL前后需測試。表A:△TJ≥100℃△TJ≥125℃15000cycles7500cycles如果產(chǎn)品RDSon≤2.5mΩ。IOL試驗后允許≤0.5mΩ的變化功率溫度循環(huán)PTCA5alt1D,G,T,U,W773附注B零缺陷JEDECJESD22-A-105如果IOL加電后△TJ無法達到100℃,則采用PTC試驗參照表A中的時間要求，按指定時間周期進行試驗，部件供電和腔內溫度循環(huán)確?！鱐J≥100℃（不超過最大額定結溫）。PTC前后需測試。如果產(chǎn)品RDSon≤2.5mΩ。PTC試驗后允許≤0.5mΩ的變化。注：“alt”表示選擇執(zhí)行同一個測試的一個或多個。高溫反偏B11D,G,K,P,U,3773附注B零缺陷MIL-STD-750-1在額定最大直流反向DC電壓下工作1000H，同時調節(jié)結溫以避免熱失控（Ta要根據(jù)漏電損耗做調整）。HTRB前后需測試。高溫柵偏HTGBB21D,G,M,773附注B零缺陷JEDECJESD22-A-108在指定TJ下1000小時，柵極偏置在元件開關時最大額定電壓的100%，將TJ提高25℃可以縮短時間至500H，HTGB前后需測試。破壞性物理分析C11D,G21附注B零缺陷AEC-Q101-004第4節(jié)在已完成的H3TRB或者HAST，和TC后樣品中隨機抽樣部件物理尺寸PDC22G,N301零缺陷JEDECJESD22-B-100驗證實際物理尺寸是否符合用戶的零件包裝公差尺寸和公差規(guī)范鍵合線推拉力WBPC33D,G,E最少5個部件10根線零缺陷MIL-STD-750-2Method2037適用于Au/Al線AEC-Q006適用于銅線條件C或D，對于Au線直徑>1mil的，滿足最小拉力TC=3克，對于Au線直徑<1mil的，參照MIL-STD-750-2中方法2037，且應拉力點在球鍵上方而不是在線中間鍵合線剪切力WBSC43D,G,E零缺陷AEC-Q101-003JESD22B116有關驗收標準和如何進行測試的詳細信息，對于銅線，參照JESD22-B116芯片剪切力C53D,G51零缺陷MIL-STD-750-2Method2017還需進行工藝變更前后的比較，以便根據(jù)AEC-Q101-表3中C5測試項目評估工藝變更穩(wěn)定性端子強度TSC62D,G,L301零缺陷MIL-STD-750-2Method2036僅評估通孔引線部件的引線完整性耐溶解性RTSC72D,G301零缺陷JEDECJESD22-B-107驗證標記的持久性（激光達標或無標的部件不適用）耐焊接熱RSHC82D,G301零缺陷JEDECJESD22-A-111(SMD)orB-106(PTH)在測試期間，SMD部件應完全浸沒在焊錫中，按MSL等級進行預處理。RSH前后需測試熱阻TRC93D,G1零缺陷JEDECJESD24-3,24-4,24-6視情況而定需要進行工藝變更前后的比較，以評估工藝變更的穩(wěn)健性。測量TR以確保符合規(guī)范，并提供工藝變更比較數(shù)據(jù)易焊性C102D,G1附注B零缺陷JEDECJ-STD-002放大倍率50X，參考焊料條件見AEC-Q101-表2B，對于通孔部件應用測試方法A，對SMD部件應用測試方法B或者D。外觀檢驗E01G,N所有合格部件零缺陷JEDECJESD22-B101檢查部件結構、標記和外觀工藝應力試驗前后測試TESTE11G,N所有合格部件均按相應零件規(guī)范要求進行測試零缺陷AEC-Q005在室溫按照適用的應力參考標準規(guī)范進行測試參數(shù)認定E21N253附注A-MIL-STD-750-2Method2006根據(jù)用戶規(guī)格在器件溫度范圍內測試所有參數(shù)，以確保符合規(guī)格ESDHBMESDHE31D301-AEC-Q101-001ESD前后需測試。ESDCDMESDCE42D301-AEC-Q101-005如果封裝不能保持足夠的電荷來進行此實驗，供應商必須文件說明。ESD前后需測試。非鉗位電感開關UISE53D51零缺陷AEC-Q101-004第2節(jié)根據(jù)測試AECQ101-表3的E5測試項目，還需要進行工藝變更前后的比較，以評估工藝變更的穩(wěn)健性。(僅限功率MOS和內部箝位IGBTs)。短路特性SCE63D,P3附注B零缺陷AEC-Q101-006僅適用于帶保護功能的電源部件。注：“備注”列字母和數(shù)字所代表的含義見如下：ABDEGKLMNST對于參數(shù)驗證數(shù)據(jù)，有時可能用戶只要求進行一批LOT的驗證，如果后續(xù)用戶絕對使用前一個用戶的資格認證數(shù)據(jù)，后續(xù)用戶將負責驗證所使用的批次數(shù)量是否可接受。如果提供的是通用（產(chǎn)品族）數(shù)據(jù)而不是專項器件的數(shù)據(jù)，則需要3批通用或專項器件的數(shù)據(jù)。破壞性試驗，試驗零件不得重復用于鑒定或者生產(chǎn)。確保每個線材的尺寸都在樣本中體現(xiàn)出來。允許通用數(shù)據(jù)，參考AEC-Q101第2.3節(jié)。不適用于穩(wěn)壓器。僅適用于MOS/IGBT部件。無損檢測，試驗零件可以重復用于鑒定或者生產(chǎn)。僅適用于電壓穩(wěn)壓器。僅適用于表面貼裝器件。當測試二極管在間歇OP壽命條件下時，100℃結溫可能無法實現(xiàn)，如果這種情況存在，應使用功率溫度循環(huán)(A5alt)測試代替間歇工作壽命(A5)，以確保適當結溫變化。對于如下測試，可以使用未成形的含鉛封裝(如IPAK)來驗證等效封裝中的新模具(如DPAK)，只要模具尺寸在等U效封裝的合格尺寸范圍內。1內部鍵合線直徑≤5mil的MSOFET部件。2試驗A4A和A4Aalt不在銅絲焊產(chǎn)品上執(zhí)行，相反其應遵循AEC-Q006中的要求。3按照AEC-Q006對銅線合格零件的要求。6.1.7有害物質限量按GB/T30512-2014汽車禁用物質要求。7包裝、貯存、標識要求7.1防靜電按有關約定進行，包裝內應有產(chǎn)品的合格證及標簽。7.2包裝標簽上至少應有以下標識：a)產(chǎn)品名稱；b)生產(chǎn)廠商；c)產(chǎn)品數(shù)量；d)執(zhí)行標準；e)產(chǎn)品性能等級；f)生產(chǎn)批號規(guī)格及檢驗號代號；g)環(huán)保標記RoHS、Pd；h)濕敏等級；i)ESD敏感標識。7.3產(chǎn)品在運輸過程中，應避免磨損、日光曝曬及雨淋受潮。7.4產(chǎn)品應貯存于避光、干燥、陰涼的環(huán)境。8標準實施的過渡期要求本標準無過渡期要求，自實施之日起執(zhí)行。項目名稱：車身域控制器場效應管負載能力試驗方法計劃項目代號：深自動化函〔2024〕1號主要起草單位：比亞迪汽車工業(yè)有限公司《車身域控制器場效應管負載能力試驗方法》1.任務來源根據(jù)深自動化函〔2024〕1號文“關于《車身域控制器場效應管負載能力試驗方法》等兩項團體標準立項及征集參編單位的通知”，《車身域控制器場效應管負載能力試驗方法》團體標準于2024年7月25日立項，并在全國團體標準信息平臺()進行了公示。2.工作組情況《車身域控制器場效應管負載能力試驗方法》由比亞迪汽車工業(yè)有限公司牽頭編寫。邀請?zhí)K州納芯微電子股份有限公司、拓爾微電子股份有限公司、杭州士蘭微電子股份有限公司等共同參加。工作組具體分工如下。節(jié)序主要內容標準編制任務分工1范圍（兩至四行）比亞迪，長晶2規(guī)范性引用文件（引用國標、地標、行標及ISO,ITU,IEC,IEEE等）長晶3術語和定義新潔能4分類、參數(shù)要求及封裝揚杰5技術要求士蘭微，捷捷微6檢測方法士蘭微7包裝、貯存、標識要求（約十行）長晶8標準實施的過渡期要求（一行）9前言（一頁）比亞迪，長晶3.國內外情況國內汽車電子行業(yè)迫切需要建立和完善相關的標準化體系，以規(guī)范產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和質量控制過程。本標準面臨著推動國內汽車電子行業(yè)標準化、滿足國內外市場對高性能電子元件需求、與國際標準接軌以及支持國家新能源汽車和智能網(wǎng)聯(lián)汽車發(fā)展戰(zhàn)略等多重任務。（1）國內情況：國內汽車行業(yè)正在快速發(fā)展，對于車身域控制器中使用的場效應管的可靠性和性能要求越來國內尚缺乏統(tǒng)一的測試標準和規(guī)范，特別是針對車身域控制器場效應管負載能力的試驗方隨著電動汽車和智能網(wǎng)聯(lián)汽車技術的發(fā)展，對于高性能電子元件的需求日益增長，迫切需要建立相應的標準來指導產(chǎn)品研發(fā)和質量控制。（2）國際情況：國際上，汽車電子領域已經(jīng)有了一系列成熟的標準，如AEC-Q101，這些標準對汽車電子元件的可靠性和性能提出了明確要求。國際市場對汽車電子元件的質量要求嚴格，國內企業(yè)要進入國際市場，需要符合這些國際標隨著全球供應鏈的整合，國內企業(yè)在研發(fā)和生產(chǎn)過程中需要與國際標準接軌，以滿足不同市場的需求。（3）市場需求：國內外市場對高性能、高可靠性的車身域控制器場效應管的需求不斷增長，尤其是在新能源汽車和智能駕駛技術領域。市場對電子元件的質量和性能要求日益嚴格，需要通過標準化的測試方法來確保產(chǎn)品滿足這（4）政策支持：國家對新能源汽車和智能網(wǎng)聯(lián)汽車的發(fā)展給予了政策支持，這為相關電子元件的研發(fā)和標準化提供了良好的環(huán)境。4.制訂的基本原則本標準的制定工作遵循“科學實用、引導規(guī)范”的原則。1.標準主要內容本標準為車身域控制器場效應管的設計、制造、測試和使用提供了一套完整的技術規(guī)范和測試方法，以確保產(chǎn)品的質量和可靠性。計劃周期為2024年7月至12月。標準編制內容包括：（1）標準范圍：規(guī)定了乘用車及電動車車身域控制器場效應管的選型使用、技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)（2）規(guī)范性引用文件：列出了本標準應用時必不可少的相關文件，包括國家和國際標準。（3）術語和定義：明確了功率MOSFET、NMOS、PMOS、柵極、源極、漏極等術語的定義。（4）分類、參數(shù)要求及封裝：根據(jù)導電溝道類型將產(chǎn)品分為N溝道場效應管和P溝道場效應管。提供了產(chǎn)品標記、封裝信息和參數(shù)要求。（5）技術要求：描述了場效應管的參數(shù)描述、電氣特性、熱阻特性和封裝信息。包括了對動態(tài)特性（如結電容、柵極電荷、開關時間）、熱阻特性和散熱性能的具體要求。（6）檢測方法：規(guī)定了通用性能檢測的檢測環(huán)境、試樣處理、實驗框圖和驗證流程。提供了通用測試和可靠性試驗的具體測試方法和要求。（7）包裝、貯存、標識要求：規(guī)定了產(chǎn)品的包裝、貯存和標識要求，包括防靜電措施、包裝標簽內容、運輸和儲存條件。（8）標準實施的過渡期要求：說明本標準無過渡期要求，自實施之日起執(zhí)行。2.標準制訂的基本過程2024年2-6月，比亞迪汽車工業(yè)有限公司收集有關技術和標準情況，依據(jù)自主技術，提出團體標準項目申請。2024年7月15-25日，深圳自動化學會標準工作委員會經(jīng)過提前醞釀，召開《車身域控制器場效應管負載能力試驗方法》團體標準立項評審會，經(jīng)與會專家認真的評議和討論，認為：該項標準立項必要性充分，申報單位具有相應的技術儲備，標準編制方案可行，符合深圳自動化學會團