氮化硅陶瓷基片 編制說明

等產(chǎn)品，以及交通軌道、航天航空等領域廣泛應用并逐步替代Al2O3國內(nèi)氮化硅陶瓷基片研究開發(fā)較晚，日本在氮化硅陶瓷基片技中材高新氮化物陶瓷有限公司開展了高導熱氮化硅陶瓷基片的中材高新氮化物陶瓷有限公山東工業(yè)陶瓷研究設計院有限負責標準總體方案制定、性能指標確江蘇富樂華半導體科技股份有浙江德匯電子陶瓷有限公司、中國建材檢驗認證集團有限公司提高氮化硅陶瓷基片的各項性能指標。有助于提高產(chǎn)品質(zhì)量和可靠1mm需定制。為了實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)氮化硅陶瓷基片材料，通常選用流標準中的外觀要求、內(nèi)容與GB/T14619《厚膜集成電路用氧化的電場會發(fā)生較嚴重畸變，電場強度是同界面無缺陷時的1.50倍左陶瓷基片凹坑深度的不一致可能導致覆銅層與陶瓷基片之間的瓷和羅杰斯等少數(shù)公司。商用氮化硅陶瓷基片的導熱率一般在在不損失力學性能的前提下，氮化硅陶瓷基片熱導率可以達到彎曲強度是指材料在彎曲負荷作用下破裂或達到規(guī)定彎矩時能目前測量一般基于標準DINEN843-1進行，該標準描述了樣品的最小易程度的指標，它反映了氮化硅陶瓷基片抵抗彈性變出材料在燒結過程是否致密，致密度一定程度上影響優(yōu)異的熱穩(wěn)定常數(shù)和介電損耗是氮化硅陶瓷基片材料的一個重要參數(shù),不同用途的體積電阻率是在絕緣材料里面的直流電場強度與穩(wěn)態(tài)電流密度否均勻,或者用來檢測能影響氮化硅陶瓷基片材料質(zhì)量而又不能用其按導熱性能分為4類（見表3）。用兩組符號標識，中間用空格隔開，應使用如下表達方式：基片的導熱系數(shù)數(shù)值基片材質(zhì)代號5.1外觀質(zhì)量基片外觀質(zhì)量應符合表1的規(guī)定。表1外觀質(zhì)量a01111101//a每5cm2面積上氣泡、毛刺、凹坑三項缺陷不能同時存在。5.2尺寸偏差和形位公差5.2.1基片工作面的粗糙度≤0.7μm。5.2.2基片的長寬尺寸偏差最小值為0.05mm，厚度偏差最小值為0.025mm。尺寸偏差和形位公差應符合表2的規(guī)定。表2尺寸偏差和形位公差-±1%L±9%±10%->0.2%，≤0.3%>0.3%，≤0.4%用戶另有要求時，以雙方確認的要求為準。5.3性能指標基片的性能指標應符合表3的規(guī)定。表3性能指標1234≥3.10>10≥6080≥80100≥1001202.43×10-6~2.97×10-6>1014≤5*10-3>201.1外觀質(zhì)量按GB/T14619-2013中6.5.8規(guī)定的方法進行。1.2尺寸偏差和形位公差長、寬、厚度按GB/T39975-2021中5.2.1、5.2.2規(guī)定的方法進行。翹曲度測量方法見1.3表面粗糙度應使用符合GB/T6062的規(guī)定及準確度要求的接觸式輪廓儀進行測量。1.4Si3N4含量按GB/T16555規(guī)定的方法進行。1.5體積密度每一測試試樣體積不小于0.4cm3且質(zhì)量不小于2g，按GB/T25995規(guī)定的方法進行。1.6彎曲強度1.6.1樣品截面尺寸為長（40mm）×寬（20-25mm），三點抗彎、跨距30mm。1.6.2加工面向上，下降速度5mm/min，使用卡尺測量樣品斷裂位置邊緣的寬度和厚度。其它按GB/T6569規(guī)定的方法進行。1.6.3用10個有效樣品的算術平均值作為該樣品的抗彎強度值，數(shù)據(jù)修約到0.1MPa。1.6.4按GB/T40005規(guī)定的方法對數(shù)據(jù)進行統(tǒng)計分析。注：選用的樣品具備代表性（在同一基片上均勻位置選擇樣品），1.7彈性模量按GB/T10700規(guī)定的方法進行。1.8維氏硬度、斷裂韌性1.8.1樣品制備方法見附錄B。1.8.2根據(jù)GB/T16534的標準進行試驗。表4厚度的樣品采用對應的試驗力值。表4試驗力值1.8.3壓痕測量、裂紋尺寸的測量及有效性，維氏硬度公式按GB/T16534規(guī)定的方法進行。1.8.4對于每個壓痕，按照公式（1）計算壓痕斷裂韌性值。C2C2KC=0.018()2=0.026………………C2C2KC——斷裂韌性，單位為帕米的二分之一次方）；）；1.9導熱系數(shù)按GB/T22588-2008規(guī)定的方法檢測。樣品使用基片原片，特別需滿足附錄A的要求。導熱系數(shù)也可按GB/T32064規(guī)定的方法進行。產(chǎn)生仲裁時以GB/T22588規(guī)定測量的結果為準。1.10線熱膨脹系數(shù)樣品尺寸為長（25mm±0.2mm）×寬（5mm±0.2mm）×厚（基片原片），按GB/T16535規(guī)定的方法進行。1.11體積電阻率按GB/T5594.5規(guī)定的方法進行。1.12介電常數(shù)、介電損耗正切值按GB/T5594.4規(guī)定的方法進行。1.13耐電壓樣品使用基片原片。按GB/T1408.1-2016中10.6規(guī)定的方法進行。1.14擊穿強度樣品尺寸為長（40mm±0.2mm）×寬（24mm±0.2mm）×厚（基片原片），上下電極直徑20mm，漏電流3ma，按GB/T1408.1規(guī)定的方法進行。1.15抗熱震性使用能保證同時放入的樣品之間溫差不大于5℃,控溫精度±2℃,樣品能快速（小于等于5s）浸入冷卻介質(zhì)的試驗裝置。加熱溫度600℃,保溫10min。讓樣品在5s內(nèi)放入水槽中冷卻，水溫始終能保持在（20±2）℃。樣品在水槽中停留不小于10s。稍干后，采用4倍或更大放大倍數(shù)的放大鏡對樣品進行目檢。采用相同的材料、工藝，在相同的生產(chǎn)線生產(chǎn)的一次交付的所有基片為一個檢驗批，簡稱批。7.2檢驗分類產(chǎn)品的檢驗分為出廠檢驗和型式檢驗。7.3檢驗條件除另有規(guī)定外，應在下列條件下進行檢驗。a）溫度：15℃~35℃;b）相對濕度：45%~80%。7.4檢驗項目及抽樣方案7.4.1出廠檢驗出廠檢驗項目包括外觀質(zhì)量、體積密度及5.2規(guī)定的全部檢驗項目。每批產(chǎn)品按照GB/T2828.1中一次抽樣方案進行出廠檢驗，其檢驗方案見表5和表6。如有必要，接收質(zhì)量限也可由供需雙方協(xié)商規(guī)定。表5外觀質(zhì)量、尺寸公差和形位公差出廠檢驗方案號ⅡⅡⅡⅡ表6出廠檢驗方案號500303000207.4.2型式檢驗型式檢驗的檢驗項目包括第5章規(guī)定的全部檢驗項目。型式檢驗的樣品直接從出廠檢驗合格的產(chǎn)品中抽取或根據(jù)檢驗要求進行制作，按照表7的規(guī)定進行。有下列情況之一時應做型式檢驗：a）首批生產(chǎn)時；b）正常生產(chǎn)時每年檢驗一次；c）原料或生產(chǎn)工藝改變可能影響產(chǎn)品質(zhì)量時；d）停產(chǎn)半年或以上，恢復生產(chǎn)時；e）出廠檢驗結果與上次型式檢驗結果存在較大差異時。表7型式檢驗數(shù)50505050105001030300102050值502020307.5判定規(guī)則7.5.1出廠檢驗如果出廠檢驗的所有項目符合表4和表5的規(guī)定，則該批陶瓷基片產(chǎn)品合格，如有一項不合格，應從同批產(chǎn)品中抽取雙倍數(shù)量的基片對不合格項目進行復驗。復驗合格時，判該批產(chǎn)品合格；復驗仍不合格時，則該批產(chǎn)品不合格。7.5.2型式檢驗型式檢驗中，如果所有項目符合表6的規(guī)定，則認為本周期生產(chǎn)的陶瓷基片合格。如果有一項或一項以上不合格，取雙倍數(shù)量的樣品對不合格項目進行復驗，若復驗合格，則型式檢驗合格，若復驗仍不合格，則型式檢驗不合格。8.1.1內(nèi)包裝上應注明:a.供貨單位商標；b.產(chǎn)品名稱和代號；C.產(chǎn)品數(shù)量；d.包裝日期。8.1.2外包裝內(nèi)應有裝箱單，其上注明:a.供貨單位商標；b.產(chǎn)品名稱和代號；c.產(chǎn)品數(shù)量；d.包裝日期；e．毛重。8.1.3每個外包裝箱上應標出“小心輕放”，“向上”，“易碎”，“防濕”等，并有相應的圖示標志，圖示標志應符合GB191《包裝儲運指示圖示》的規(guī)定。8.2包裝8.2.1產(chǎn)品的包裝應保證產(chǎn)品經(jīng)正常運輸，搬運后完好無損。8.2.2產(chǎn)品應先進行內(nèi)包裝，然后再用填料將內(nèi)包裝固緊在外包裝箱內(nèi)，最后完成外包裝。8.2.3按8.2.1條要求，根據(jù)產(chǎn)品的結構、大小等因素在下列材料中選取內(nèi)、外包裝材料和填料。a.內(nèi)包裝材料:紙、瓦楞紙、塑料袋、泡沫塑料、紙盒等；b.外包裝材料:紙箱、木箱、塑料箱等；c.填充料:紙屑、木屑、谷殼等。8.2.4包裝箱(盒)內(nèi)應有產(chǎn)品合格證。8.3運輸包裝完整的產(chǎn)品在運輸過程中，應避免雨雪直接淋襲和劇烈碰撞。8.4貯存產(chǎn)品應貯存在無雨雪淋襲，周圍無酸、堿及其他腐蝕性氣體的庫房里。翹曲度的試驗方法A.1范圍本測試方法規(guī)定了氮化硅陶瓷基片翹曲度的測定程序。本方法適用于功率半導體模塊用氮化硅陶瓷基片，其它材質(zhì)陶瓷基片也可參照使用。A.2定義翹曲度warpage由基片的3個角點確定一個平面，第四角點偏離該平面的距離。A.3儀器設備帶可追溯校準片的非接觸式激光測量儀。A.4樣品被測樣品至少應符合以下要求:a)測試前與測試過程中,不應對樣品施加影響其翹曲程度的處理;b)必要時，可對樣品進行清洗。A.5測試程序?qū)⒒糜诖罄硎_面使用激光測試裝置，按設置的掃描路線非接觸掃描雙面。A.6翹曲率X=D/L*100%…………………A.1用機器鑲嵌研磨樣品A.7概述試驗樣品表面光潔度的狀況影響斷裂韌性測試裂紋長度測量的A.8切割和研磨A.8.1推薦使用激光切割機切割成直徑大于10mm的基片原片樣品。邊緣不應有大于0.5mm的裂紋。A.8.2使用透明料、熱鑲嵌方法鑲嵌樣品。鑲嵌樣平行度小于等于0.15mm。超差時，使用平面磨床研磨找正。平面磨床砂輪目數(shù)120目，單次進刀量0.01mm，累計進刀不超過0.05mm，至表面均出現(xiàn)研磨痕跡。A.8.3拋磨轉(zhuǎn)輪轉(zhuǎn)速1024rpm，磨盤涂抹金剛石研磨膏型號W0.5。拋磨3次，每次研磨前調(diào)整試驗樣品至有研磨膏位置。10倍目鏡明場模式下，無劃痕、裂紋損傷，粗糙度Ra小于0.1μm則制樣合格。（二）本標準指標的技術先進性以及本標準的發(fā)布對行業(yè)及社會發(fā)發(fā)布與實施氮化硅陶瓷基片標準有以下幾個技術先進性及對行4、社會效益：氮化硅陶瓷基片應用于電子、能