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文檔簡介

質(zhì)譜

(MassSpectra)

質(zhì)譜定義把帶電荷的分子或經(jīng)一定方式裂解形成的碎片離子按照質(zhì)核比(m/z)大小排列而成的圖譜。質(zhì)譜不屬于光譜概述1919年AstonFW制成第一臺質(zhì)譜儀開始用于同位素的研究,40年代用于石油檢測,60年代開始用于有機(jī)化學(xué)聯(lián)用技術(shù)的發(fā)展,高頻電感耦合等離子源的引入,二次離子質(zhì)譜儀的出現(xiàn),使得該方向發(fā)展迅速同位素質(zhì)譜儀;無機(jī)質(zhì)譜儀;有機(jī)質(zhì)譜儀特點(diǎn)高靈敏度、高專屬性

可測定分子量、分子式(高分辨質(zhì)譜)主要作用:①確定化合物準(zhǔn)確的分子式(分子量)②提供某些一級結(jié)構(gòu)信息一級→構(gòu)造二級→構(gòu)型三級→構(gòu)象第一節(jié)質(zhì)譜的基本知識1.儀器簡介進(jìn)樣系統(tǒng)電離和加速系統(tǒng)質(zhì)量分析器檢測器數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)器1.間歇式進(jìn)樣系統(tǒng)

2.直接探針進(jìn)樣3.色譜進(jìn)樣系統(tǒng)

1.電子轟擊2.化學(xué)電離3.場致電離4.激光5.電噴霧電離

1.單聚焦2.雙聚焦3.飛行時間4.四極桿

真空系統(tǒng)單聚焦質(zhì)譜儀2.質(zhì)譜儀的基本原理zeV=mv2/2zeV=mv2/reBzev=mv2/rmm/z=B2re/2v

這種靜電分析器和磁分析器配合使用,同時實現(xiàn)方向和能量聚焦的分析器,稱為雙聚焦分析器。3.質(zhì)譜的表示方法下圖是丙酮的質(zhì)譜。圖中的豎線稱為質(zhì)譜峰,不同的質(zhì)譜峰代表有不同質(zhì)荷比的離子,峰的高低表示產(chǎn)生該峰的離子數(shù)量的多少。質(zhì)譜圖的質(zhì)荷比(m/z)為橫坐標(biāo),以離子峰的相對豐度為縱坐標(biāo)。圖中最高的峰稱為基峰。基峰的相對豐度常定為100%,其它離子峰的強(qiáng)度按基峰的百分比表示。在文獻(xiàn)中,質(zhì)譜數(shù)據(jù)也可以用列表的方法表示4.質(zhì)譜儀的分辨率(1)分辨率(Resolution)分辨率是指儀器對質(zhì)量非常接近的兩種離子的分辨能力。一般定義是:對兩個相等強(qiáng)度的相鄰峰,當(dāng)兩峰間的峰谷不大于其峰高10%時,則認(rèn)為兩峰已經(jīng)分開,其分辨率:

其中m1、m2為質(zhì)量數(shù),且m1<m2,故在兩峰質(zhì)量數(shù)較小時,要求儀器分辨率越大。C2H3O(m/z=43.0184)、C3H7+(m/z=43.0547)C2H5N+(m/z=43.0421)、CH3N2+(m/z=43.0297)第二節(jié)質(zhì)譜的電離過程電子轟擊電離(ElectronImpactIonization,EI)使分子電離的手段很多。最常用的離子源是電子轟擊(electronimpact,EI)離子源,被分析的氣體或蒸汽首先進(jìn)入儀器的離子源,轉(zhuǎn)化為離子。其構(gòu)造原理如圖電子轟擊離子源1.電子轟擊電離

ElectronIonization(EI)++++:R1:R2:R3:R4:e+M+(M-R2)+(M-R3)+MassSpectrum(M-R1)+

在電離室內(nèi),氣態(tài)的樣品分子受到高速電子的轟擊后,該分子就失去電子成為正離子(分子離子):EI的特點(diǎn):電離效率高,靈敏度高;應(yīng)用最廣,標(biāo)準(zhǔn)質(zhì)譜圖基本都是采用EI源得到的;穩(wěn)定,操作方便,電子流強(qiáng)度可精密控制;結(jié)構(gòu)簡單,控溫方便;分子離子峰不容易發(fā)現(xiàn)

2.化學(xué)電離源(CI)有些化合物穩(wěn)定性差,用EI方式不易得到分子離子,因而也就得不到分子量。為了得到分子量可以采用化學(xué)電離源(chemicalionization)。

離子室內(nèi)的反應(yīng)氣(甲烷等;10~100Pa,樣品的103~105倍),電子(100~240eV)轟擊,產(chǎn)生離子,再與試樣分離碰撞,產(chǎn)生準(zhǔn)分子離子。

CH4+eCH4+●+2e

CH4+●+CH4CH5++CH3●CH5++MCH4+MH+通常形成一系列準(zhǔn)分子離子峰優(yōu)點(diǎn):QM+穩(wěn)定、壽命長,所得質(zhì)譜離子峰強(qiáng)度很大(是EI中M+的100倍);靈敏度高缺點(diǎn):譜簡單,碎片峰少Q(mào)M+:M+1,M-1,M+17,M+29等m/zm/z3912792611491132791671491137157EICI3)場解吸(FielddesorptionFD)機(jī)理:把少量的試樣溶液置于金屬絲上,對其進(jìn)行加熱,其尖端的場強(qiáng)可高達(dá)108Vcm-1,可使樣品中的一個電子進(jìn)入金屬絲原子的空軌道,并在金屬絲上形成正離子(M+?),M+?在庫侖斥力下被解吸,拋入氣相中而不發(fā)生分解優(yōu)點(diǎn):解析溫度低,適用于受熱分解或難以氣化的樣品4)粒子或輻射致解析電離激光解吸(LaserdesorptionLD)快原子轟擊(FastatombombardmentFAB)二次離子質(zhì)譜(SecondaryionmassspectrometrySIMS)5)大氣壓電離(atmosphericpressureionization

API)

電噴霧電離(ElectrosprayionizationESI)大氣壓化學(xué)電離(atmosphericpressurechemicalionization

APCI)第三節(jié)質(zhì)量分析器1.雙聚焦質(zhì)量分析器2.四級質(zhì)量分析器3.離子阱4.傅立葉變換質(zhì)譜5.飛行時間質(zhì)譜第四節(jié)質(zhì)譜中的主要離子

1分子離子(1)分子離子形成樣品分子失去一個電子而形成的離子稱為分子離子。所產(chǎn)生的峰稱為分子離子峰或稱母峰,一般用符號表示。其中“+”代表正離子,“·”代表不成對電子。如:分子離子峰的m/z就是該分子的分子量。(2)形成分子離子時電子失去的難易程度及表示方法有機(jī)化合物中原子的價電子一般可以形成σ鍵、π鍵,還可以是未成鍵電子n(即獨(dú)對電子),這些類型的電子在電子流的撞擊下失去的難易程度是不同的。一般來說,含有雜原子的有機(jī)分子,其雜原子的未成鍵電子最易失去;其次π鍵;再次是碳-碳相連的σ鍵;而后是碳-氫相連的σ鍵。即失去電子的難易順序為:

雜原子>C=C>C—C>C—H

易難CH3CH2CH2OH+

R+

[R+1]+(3)分子離子峰的強(qiáng)度與結(jié)構(gòu)的關(guān)系分子離子峰的強(qiáng)度與結(jié)構(gòu)的關(guān)系有如下規(guī)律:

a碳鏈越長,分子離子峰越弱;

b存在支鏈有利于分子離子裂解,故分子離子峰很弱;

c飽和醇類及胺類化合物的分子離子弱;

d有共振系統(tǒng)的分子離子穩(wěn)定,分子離子峰強(qiáng);

e環(huán)狀分子一般有較強(qiáng)的分子離子峰

綜合上述規(guī)律,有機(jī)化合物在質(zhì)譜中的分子離子的穩(wěn)定性(即分子離子峰的強(qiáng)度)有如下順序

芳香環(huán)>共軛烯>烯>環(huán)狀化合物>羰基化合物>醚>酯>胺>酸>醇>高度分支的烴類。

(4)分子離子峰的識別方法(i)注意m/z值的奇偶規(guī)律只有C.H.O組成的有機(jī)化合物,其分子離子峰的m/z一定是偶數(shù)。在含氮的有機(jī)化合物(N的化合價為奇數(shù))中,N原子個數(shù)為奇數(shù)時,其分子離子峰m/z一定是奇數(shù);N原子個數(shù)為偶數(shù)時,則分子離子峰m/z一定是偶數(shù)。(ii)注意該峰與其它碎片離子峰之間的質(zhì)量差是否有意義通常在分子離子峰的左側(cè)3~13個質(zhì)量單位處,不應(yīng)有其他碎片離子峰出現(xiàn)。如有其它峰(出現(xiàn)),則該峰不是分子離子峰。因為不可能從分子離子上失去相當(dāng)于3~13個質(zhì)量單位的結(jié)構(gòu)碎片。(iii)降低電壓、溫度,分子離子峰強(qiáng)度相對增加?;虿捎密涬婋x的手段。N規(guī)律

—含有偶數(shù)個N原子,分子量為偶數(shù);含奇數(shù)個N原子,分子量為奇數(shù)。

有機(jī)化合物通常由C、H、O、N、S、鹵素等原子組成,分子量符合含N規(guī)律:由C,H,O組成的有機(jī)化合物,M一定是偶數(shù);由C,H,O,N組成的有機(jī)化合物,N奇數(shù),M奇數(shù);由C,H,O,N組成的有機(jī)化合物,N偶數(shù),M偶數(shù)離子失去的碎片可能存在的結(jié)構(gòu)M-1H醛,某些醚及胺M-15CH3甲基M-18H2O醇類,包括糖類M-28C2H4,CO,N2C2H4,麥?zhǔn)现嘏?,COM-29CHO,C2H5醛類,乙基M-34H2S硫醇M-35CIM-36HCI氯化物M-43CH3CO,C3H7甲基酮,丙基M-45COOH

羧酸類M-60CH3COOH醋酸酯(1)降低電離電壓,增加進(jìn)樣量(2)降低氣化溫度84848598988570ev12evm/zm/zM206206T=160

CT=250

C2.同位素離子(isotopicion)由于元素存在同位素而增加的質(zhì)譜碎片。1615m/zRA13.1121.0133.9149.2158516100171.1例如:CH4

M=1612C+1H×4=16M13C+1H×4=17M+112C+2H+1H×3=17M+113C+2H+1H×3=18M+21H1.00782599.9852H2.0141020.01512C12.00000098.913C13.0033541.114N14.00307499.6415N15.0001080.3616O15.99491599.817O16.9991330.0418O17.9991600.2同位素豐度

一些同位素豐度

TableAtomicWeightsandapproximatenaturalabundanceofsomeisotopes

IsotopeAtomicweightNaturalabundance(12C=12.000000)(%)

IsotopeAtomicweightNaturalabundance

(12C=12.000000)(%)19F18.99840510028Si27.97697792.229Si28.9764914.730Si29.9737613.131P30.97376310032S31.97207495.033S32.9714610.7634S33.9678654.235Cl34.96885575.837Cl36.96589624.279Br78.91834850.5

81Br80.91634449.5127I126.904352100分子或碎片離子強(qiáng)度與同位素強(qiáng)度關(guān)系整理M/(M+1)/(M+2)/(M+3)=100:1.1:32.5:0.36

M+3的豐度=0.011×32.5=0.36M峰12CH335ClM+1峰13CH335ClM+2峰12CH337ClM+3峰13CH337ClM/(M+1)=100:1.1

①M(fèi)/(M+2)=100:32.5②(M+2)/(M+3)=100:1.1③如CH3Cl例題:某化合物分子離子峰和同位素峰的強(qiáng)度比為:M(150)100%,M+1,9.9%;M+2,0.9%,計算可能的分子式。

nc=100(M+1)/1.1M=9.9/1.1=9no=[100(M+2)/M-(1.1*9)2/200]/0.2=2nH=150-12nc-16no=10故該化合物分子式為C9H10O23.亞穩(wěn)離子質(zhì)譜中的離子峰,不論強(qiáng)弱,絕大多數(shù)都是尖銳的,但也存在少量較寬(一般要跨2~5個質(zhì)量單位),強(qiáng)度較低,且m/z不是整數(shù)值的離子峰,這類峰稱為亞穩(wěn)離子(metastableion)峰。(1)亞穩(wěn)離子的產(chǎn)生正常的裂解都是在電離室中進(jìn)行的,如質(zhì)量為m1的母離子在電離室中裂解:

m1+

m2+

+中性碎片

生成的碎片離子就會在質(zhì)荷比為m2的地方被檢測出來。但如上述的裂解是在m1+離開了加速電場,進(jìn)入磁場時才發(fā)生,則生成的碎片離子的能量要小于正常的m2+。因它在加速電場中是以m1的質(zhì)量被加速,而在磁場中是以m2的質(zhì)量被偏轉(zhuǎn),故它將不在m2處被檢出,而是出現(xiàn)在質(zhì)荷比小于m2的地方,這就是產(chǎn)生亞穩(wěn)離子的原因。一般亞穩(wěn)離子用m*來表示。

m1、m2、和m*之間存在下列關(guān)系:

m*=m22/m1

(2)亞穩(wěn)離子的識別a一般的碎片離子峰都很尖銳,但亞穩(wěn)離子峰鈍而??;b亞穩(wěn)離子峰一般要跨2~5個質(zhì)量單位;c亞穩(wěn)離子的質(zhì)荷比一般都不是整數(shù)。(3)亞穩(wěn)離子峰在解析質(zhì)譜中的意義亞穩(wěn)離子峰的出現(xiàn),可以確定m1+

m2+

的開裂過程的存在。但須注意,并不是所有的開裂都會產(chǎn)生亞穩(wěn)離子。所以,沒有亞穩(wěn)離子峰的出現(xiàn)并不能否定某種開裂過程的存在

4.碎片離子

碎片離子是由于分子離子進(jìn)一步裂解產(chǎn)生的。生成的碎片離子可能再次裂解,生成質(zhì)量更小的碎片離子,另外在裂解的同時也可能發(fā)生重排,所以在化合物的質(zhì)譜中,??吹皆S多碎片離子峰。碎片離子的形成與分子結(jié)構(gòu)有著密切的關(guān)系,一般可根據(jù)反應(yīng)中形成的幾種主要碎片離子,推測原來化合物的結(jié)構(gòu)注意分子離子有何重要碎片脫去m/e離子可能的結(jié)構(gòu)類型29CHO、C2H5

醛類、乙基30CH2NH2

伯胺43CH3COCH3COC3H7

丙基29、43、57、71等C2H5、C3H7

直鏈烷烴39、50、71芳香化合物芳香化合物52、65、7760CH3COOH羧酸類、醋酸類91C6H5CH2

芐基105C6H5CO苯甲?;?)離子正電荷位置的表示CH3CH2CH2OH;+

R+

2)電子轉(zhuǎn)移的表示:一個電子的轉(zhuǎn)移;:一對電子的轉(zhuǎn)移。(1)均勻斷裂(均裂:homolytic

cleavage):

(2)非均勻斷裂(異裂:heterolytic

cleavage):(3)半非均勻斷裂(半異裂:hemiheterolytic

cleavage):3)有機(jī)質(zhì)譜主要涉及單分子反應(yīng)除少數(shù)特殊情況(如化學(xué)電離、碰撞活化等)之外,有機(jī)質(zhì)譜的主要反映為單分子反應(yīng)。4)初級碎裂與次級碎裂分子被電離的同時,具有過剩的能量,分子離子會自行碎裂,這就是初級碎裂。碎裂可粗分為簡單斷裂和重排。由簡單斷裂和重排產(chǎn)生的離子(統(tǒng)稱為廣義的碎片離子)可進(jìn)一步碎裂(再次斷裂、重排),這就是次級碎裂。6.2.2簡單斷裂發(fā)生簡單斷裂時僅一根化學(xué)鍵斷開。簡單斷裂反應(yīng)的產(chǎn)物系分子中原已存在的結(jié)構(gòu)單元。分子離子是奇電子離子,它經(jīng)簡單斷裂產(chǎn)生一個自由基和一個正離子,該正離子為偶電子離子。當(dāng)化合物含一個氮原子時,分子離子為奇質(zhì)量數(shù),分子離子經(jīng)簡單斷裂所產(chǎn)生的自由基和偶電子離子之中,含氮原子的具有偶質(zhì)量數(shù),不含氮原子的,仍為奇質(zhì)量數(shù)。1)簡單斷裂的引發(fā)機(jī)制(1)自由基引發(fā)(

斷裂)反應(yīng)的動力來自自由基強(qiáng)烈的電子配對傾向。例含飽和雜原子的化合物:

含不飽和雜原子的化合物:

含碳-碳不飽和鍵的化合物:+?(2)電荷引發(fā)(誘導(dǎo)效應(yīng),i斷裂)進(jìn)行i斷裂時,一對電子發(fā)生轉(zhuǎn)移。

i斷裂和斷裂是相互競爭的反應(yīng)。一般講,i斷裂的重要性小于斷裂。

斷裂的大致順序:NS、O、、RClBrIi斷裂的大致順序:鹵素S、ON、C(3)當(dāng)化合物不含O、N等雜原子,也沒有

鍵時,只能發(fā)生

斷裂:+?

當(dāng)化合物含有第三周期以后的雜原子如Si、P、S等,C-Y

鍵的電離可以和Y上未成鍵電子對的電離競爭時,C-Y鍵之間也可以發(fā)生

斷裂。2)簡單斷裂的規(guī)律(1)含雜原子的化合物存在三種斷裂方式①鄰接雜原子的C-C鍵(

-C上的另一根鍵)發(fā)生斷裂(

斷裂)。質(zhì)譜中很常見。正電荷一般在含雜原子的一側(cè)。雜原子兩側(cè)的烷基都可發(fā)生

斷裂時,大的烷基優(yōu)先脫去。②雜原子和碳原子之間的單鍵斷開,正電荷在烷基一側(cè)(i斷裂)。③雜原子和碳原子之間的單鍵斷開,正電荷在雜原子一側(cè)(類似

斷裂)。這種斷裂方式較為少見。規(guī)律:雜原子和碳原子以雙鍵相連,只能進(jìn)行①。飽和雜原子則有不同傾向:a)當(dāng)X為周期表上方偏左(如N、O)發(fā)生①的可能性大;當(dāng)X為周期表右下方,則發(fā)生③的可能性大。b)雜原子連接氫原子時,發(fā)生①的可能性大;雜原子連接烷基時,發(fā)生②、③的可能性大。c)烷基R所對應(yīng)的離子R+穩(wěn)定性高時,易發(fā)生②,反之則易發(fā)生③。-NH2,-NHR:①-NR1R2:①,

②-OH:①-OR:①,②-SR:①,②(②的幾率更大些)RI,RBr:③(2)鄰接碳、碳不飽和鍵的C-C鍵易斷裂(

斷裂)。共振的結(jié)構(gòu)式越多,離子的穩(wěn)定性越高。(3)鄰接苯環(huán)、雜芳環(huán)的C-C鍵易斷裂(同(2))。(4)碳鏈分枝處易發(fā)生斷裂,某處分枝愈多,該處愈易斷裂。(5)飽和環(huán)易于在環(huán)與側(cè)鏈連接處斷裂(同(4))。(6)當(dāng)在某分枝處有幾種斷裂的可能時,逐出大的基團(tuán)是有利的,進(jìn)行該反應(yīng)的可能性也就較大。6.2.3重排(rearrangement)1)重排的特點(diǎn)重排同時涉及至少兩根鍵的變化,在重排中既有鍵的斷裂也有鍵的生成。重排產(chǎn)生了在原化合物中不存在的結(jié)構(gòu)單元的離子。最常見的是脫離中性小分子的重排反應(yīng)。由分子離子脫離中性小分子所產(chǎn)生的重排離子是奇電子離子。脫離掉的中性小分子及所產(chǎn)生的重排離子均符合氮規(guī)則。從離子的質(zhì)量數(shù)的奇、偶性可區(qū)分經(jīng)簡單斷裂所產(chǎn)生的碎片離子和脫離中性小分子所產(chǎn)生的重排離子。2)McLafferty重排

麥?zhǔn)街嘏趴僧a(chǎn)生兩種重排離子,其通式為:說明:D=E代表一個雙鍵(或叁鍵)基團(tuán);

C可以是碳原子也可以是雜原子;

H是相對于不飽和鍵

位置碳原子A上的氫原子。只要滿足條件(不飽和基團(tuán)及其

氫的存在),發(fā)生麥?zhǔn)街嘏诺膸茁瘦^大。重排離子如仍滿足條件,可再次發(fā)生該重排。麥?zhǔn)街嘏庞猩蓛煞N離子的可能性,但含

鍵的一側(cè)帶正電荷的可能性大些。3)逆Diels-Alder反應(yīng)(Retro-Diels-Alder,RDA)

當(dāng)分子中存在含一根

鍵的六員環(huán)時,可發(fā)生RAD反應(yīng)。這種重排反應(yīng)為:說明:該重排正好是Diels-Alder反應(yīng)的逆反應(yīng);

含原雙鍵的部分帶正電荷的可能性大些;當(dāng)存在別的較易引發(fā)質(zhì)譜反應(yīng)的官能團(tuán)時,RDA

反應(yīng)則可能不明顯。4)某些含雜原子的化合物,失去中性分子(消去反應(yīng))

常見的有醇失水或醇失水及乙烯:苯環(huán)的“鄰位效應(yīng)”:5)四員環(huán)重排

含飽和雜原子的化合物,當(dāng)與雜原子相連的烷基長于兩個碳時,在雜原子與碳鏈斷裂的同時,氫原子經(jīng)四員環(huán)轉(zhuǎn)移和雜原子結(jié)合,失去乙烯(或取代乙烯),生成含雜原子的碎片離子。

這種重排雖然發(fā)生于含雜原子的分子離子中,但概率不大。它主要發(fā)生于含雜原子的碎片離子。含雜原子的化合物經(jīng)簡單斷裂生成的含雜原子的碎片離子,是偶電子離子,不能再失去自由基,只能丟失中性小分子,四員環(huán)重排就是一個重要途徑。6)自由基引發(fā)或正電荷誘導(dǎo),經(jīng)過五、六員環(huán)過渡態(tài)氫的重排

7)兩個氫原子的重排這種重排在乙酯以上的羧酸酯較易找到。在碳酸酯、磷酸酯、酰胺、酰亞胺及其它含不飽和鍵的化合物都可能發(fā)生。該重排產(chǎn)生的離子比相應(yīng)的簡單斷裂產(chǎn)生的離子質(zhì)量數(shù)大2。

8)其它重排(非氫重排,無規(guī)重排)鏈狀氯化物、溴化物較易發(fā)生成環(huán)的重排:

X:Cl,Br,SH,NH2

6.2.4脂環(huán)化合物的復(fù)雜斷裂脂環(huán)化合物需經(jīng)兩次開裂才能掉下碎片。一般在斷裂前還經(jīng)歷氫原子的轉(zhuǎn)移。從空間因素考慮,氫原子的轉(zhuǎn)移易發(fā)生在

位或其附近。6.2.5

初級碎片離子的后續(xù)分解偶電子規(guī)則:離子進(jìn)一步分解與離子的電子配對情況有關(guān)。一般講,偶電子離子的穩(wěn)定性較高,反應(yīng)性較低;奇電子離子則穩(wěn)定性較差,具有較高的反應(yīng)活性。奇電子離子可以逐出一個自由基或中性分子相應(yīng)產(chǎn)生偶電子離子或奇電子離子;偶電子離子則只能逐出中性分子生成偶電子離子,而逐出自由基生成奇電子離子一般是不可行的。6.3常見官能團(tuán)的質(zhì)譜裂解模式6.3.1烷烴1)直鏈烷烴的質(zhì)譜特點(diǎn)①

直鏈烷烴顯示弱的分子離子峰。②直鏈烷烴的質(zhì)譜由一系列峰簇(CnH2n-1,CnH2n,CnH2n+1)組成,峰簇之間差14個質(zhì)量單位。峰簇中CnH2n+1為最高峰。③各峰簇的頂端形成一平滑曲線,最高點(diǎn)在C3或C4。④比分子離子峰質(zhì)量數(shù)低的下一個峰簇頂點(diǎn)是M-29,而有甲基分枝的烷烴將有M-15。2)分枝烷烴的質(zhì)譜特點(diǎn)①分枝烷烴的分子離子峰較直鏈烷烴降低。②各峰簇頂點(diǎn)不再形成一平滑曲線。因在分枝處易斷裂,其離子強(qiáng)度增強(qiáng)。③在分枝處的斷裂,伴隨有失去單個氫的傾向,產(chǎn)生較強(qiáng)的CnH2n離子,有時可強(qiáng)于相應(yīng)的CnH2n+1離子。3)環(huán)烷烴的質(zhì)譜特點(diǎn)①由于環(huán)的存在,分子離子峰的強(qiáng)度相對增加。②通常在環(huán)的支鏈處斷開,給出CnH2n-1峰,也常伴隨氫原子的失去,有較強(qiáng)的CnH2n-2峰。③環(huán)的碎化特征是失去C2H4(也可能失去C2H5)。6.3.2不飽和脂肪烴1)鏈狀不飽和脂

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