集成電路芯片長(zhǎng)期貯存技術(shù)規(guī)范

ICS31.080

CCSI.40

T/SLEIA

團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

T/SLEIA0004—2023

集成電路芯片長(zhǎng)期貯存技術(shù)規(guī)范

Long-termstoragetechnologyspecificationsforintegratedcircuitchips

（征求意見稿）

××××-××-××發(fā)布××××-××-××實(shí)施

深圳市龍崗區(qū)電子行業(yè)聯(lián)合會(huì)發(fā)布

T/SLEIA0004—2023

前??言

本文件按照GB/T1.1-2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的

規(guī)定起草。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任。

本文件由深圳市龍崗區(qū)電子行業(yè)聯(lián)合會(huì)提出并歸口。

本文件起草單位：

本文件主要起草人：

本文件首次發(fā)布

I

T/SLEIA0004—2023

集成電路芯片長(zhǎng)期貯存技術(shù)規(guī)范

1范圍

本文件規(guī)定了單個(gè)芯片以及帶金屬結(jié)構(gòu)（引入金屬層、植球植柱等）芯片的貯存條件和規(guī)則，同時(shí)

為含有芯片的通用和專用封裝產(chǎn)品提供了操作指導(dǎo)。

本文件適用于預(yù)計(jì)貯存時(shí)間超過(guò)12個(gè)月的芯片的長(zhǎng)期貯存。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本文件。

凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。

IEC62435-2電子元器件半導(dǎo)體器件長(zhǎng)期貯存第2部分：退化機(jī)理

GB/T42706.2電子元器件半導(dǎo)體器件長(zhǎng)期貯存第2部分：退化機(jī)理

3術(shù)語(yǔ)、定義和縮略語(yǔ)

3.1術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。

3.1.1

貯存環(huán)境storageenvironment

按照產(chǎn)品的要求，對(duì)溫度、濕度、大氣環(huán)境和其他條件進(jìn)行特別控制的貯存區(qū)域。

3.1.2

長(zhǎng)期貯存long-termstorage；LTS

為延長(zhǎng)產(chǎn)品的生命周期，滿足后期使用而進(jìn)行的有計(jì)劃的元器件貯存。

3.1.3

干燥劑desiccant

用于從大氣中除去水分的吸濕物質(zhì)。

3.2縮略語(yǔ)

下列縮略語(yǔ)和符號(hào)適用于本文件。

EMR電磁輻射(electromagneticradiation)

ESD靜電放電(clectro-staticdischarge)

HIC濕度指示卡(humidityindicatorcard)

ILD層間電介質(zhì)(inter-layerdielectric)

IOFF夾斷電流(currentoff)

MBB防潮袋(moisturebarrierbag)

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MEMS微機(jī)電系統(tǒng)(microelectromechanicalsystems)

QSS表面態(tài)電荷(surfaceatatecharge)

RF射頻(radiofrequency)

VOFF夾斷電壓(voltageoff)

VT閾值電壓(voltagethreshold)

VCI揮發(fā)性防腐蝕劑(volatilecorrosioninhibitors)

4貯存要求

4.1通則

本文件規(guī)定了芯片的貯存要求，包括特殊環(huán)境的選擇。產(chǎn)品需要的貯存環(huán)境以及條件的控制應(yīng)根據(jù)

表1中所列的詳細(xì)內(nèi)容來(lái)確定。

例如：氧氣會(huì)影響產(chǎn)品預(yù)期貯存時(shí)間，選擇的貯存環(huán)境宜減少空氣中的氧氣含量。

本文件詳細(xì)列舉了常用的不同貯存方式，見附錄A。

4.2裝配數(shù)據(jù)

宜關(guān)注貯存后的產(chǎn)品后續(xù)裝配用到的數(shù)據(jù)或信息。

4.3貯存的必備條件

貯存的產(chǎn)品應(yīng)是質(zhì)量和性能狀態(tài)已知的產(chǎn)品，以便在貯存后使用。同時(shí)，應(yīng)確保貯存環(huán)境中的溫度

和濕度在規(guī)定的范圍，宜采取適當(dāng)?shù)姆漓o電措施。

對(duì)貯存的芯片進(jìn)行標(biāo)識(shí)和記錄，進(jìn)行定期檢查和測(cè)試要求。

4.4長(zhǎng)期貯存過(guò)程中芯片產(chǎn)品的損壞

制定長(zhǎng)期貯存方案時(shí)，宜考慮機(jī)械損傷引起的產(chǎn)品缺陷會(huì)影響芯片的質(zhì)量和性能。

4.5貯存中的機(jī)械防護(hù)

長(zhǎng)期貯存應(yīng)使用封閉式的貯存容器或防塵罩，規(guī)定適當(dāng)?shù)亩询B和儲(chǔ)存方式，最大程度地減少芯片之

間的接觸和沖擊。

長(zhǎng)期貯存時(shí)應(yīng)防止機(jī)械損傷造成的芯片缺陷。在將芯片產(chǎn)品放置在貯存裝置中和從貯存裝置中取出

芯片時(shí)應(yīng)注意避免造成損傷。裝載和卸載過(guò)程中很容易損傷產(chǎn)品。

貯存過(guò)程中應(yīng)有防護(hù)措施，防止產(chǎn)品發(fā)生移動(dòng)或振動(dòng)。

芯片的放置方向比較重要，可以最大限度地減少?zèng)_擊或振動(dòng)造成的損傷，特別是MEMS或傳感器產(chǎn)品。

貯存容器或貨架安裝時(shí)應(yīng)有防振動(dòng)和共振措施。包裝材料的設(shè)計(jì)也宜具有一定程度的防沖擊和振動(dòng)功能。

應(yīng)確保貯存過(guò)程中對(duì)芯片的檢驗(yàn)和記錄按照標(biāo)準(zhǔn)操作程序進(jìn)行。

除非特定的抽樣程序有要求，應(yīng)減少芯片的檢驗(yàn)次數(shù)。

與芯片表面接觸的材料應(yīng)確保表面有最小的磨損或異物黏附。

4.6長(zhǎng)期貯存環(huán)境

環(huán)境條件是長(zhǎng)期貯存的關(guān)鍵因素，長(zhǎng)期貯存比短期貯存要求的條件更加嚴(yán)格。本文件推薦的貯存方

法不適用于海運(yùn)，尤其不適用于航空運(yùn)輸。

氧氣和濕度是造成未封裝半導(dǎo)體器件退化的關(guān)鍵因素，因此貯存環(huán)境中應(yīng)嚴(yán)格控制氧氣含量和濕度。

實(shí)際的失效機(jī)理應(yīng)根據(jù)產(chǎn)品類型確定，符合IEC62435-2。

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長(zhǎng)期貯存芯片或晶圓的容器或樣品架，應(yīng)滿足下列條件：

a)凈化氣體：99%氮?dú)饣蚨栊詺怏w（見4.7）；

b)溫度：17℃?25℃；

c)相對(duì)濕度：7%?25%；

d)氣壓：略高于環(huán)境大氣壓。

宜有足夠高的壓力來(lái)防止外界污染物侵入。

為了控制相對(duì)濕度，芯片貯存時(shí)通常使用高純氮?dú)猓鐝囊旱刑崛〉牡獨(dú)狻?/p>

相對(duì)濕度不宜低于7%,以防止靜電積累，也不宜超過(guò)25%以防止產(chǎn)生冷凝和濕氣進(jìn)入。通常安裝自動(dòng)

空氣調(diào)節(jié)器來(lái)調(diào)節(jié)濕度，以便存儲(chǔ)柜打開后，濕度快速恢復(fù)到規(guī)定值，這一點(diǎn)非常重要。

包裝材料可以使用靜電屏蔽材料，比如金屬箔。靜電耗散涂層可能會(huì)在貯存過(guò)程中降解和污染芯片，

所以不應(yīng)使用。

貯存期間的溫度和濕度應(yīng)形成記錄。

可以安裝氣體純度監(jiān)測(cè)設(shè)備確保貯存容器中的氮?dú)饣蚨栊詺怏w的純度維持在合適的水平，并及時(shí)監(jiān)

測(cè)和糾正任何純度的下降情況。溫濕度超限時(shí)，應(yīng)采取適當(dāng)?shù)募m止措施。

建立貯存期限管理制度，確保在合適的時(shí)候?qū)A存的芯片進(jìn)行檢查、測(cè)試或更新。

輕微超限未必會(huì)永久降低貯存產(chǎn)品的性能。但是，貯存產(chǎn)品取出時(shí)應(yīng)防止超限造成的影響。

4.7推薦的惰性氣體純度

貯存環(huán)境所需的惰性氣體應(yīng)滿足以下要求：

純度優(yōu)于99.5%的惰性氣體中：

——氧含量小于0.5%；

——其他氣體含量小于0.01%；

——鹵化物含量小于10-6mg/m3；

——硫化氣體含量小于10-6mg/m3。

4.8化學(xué)污染

芯片產(chǎn)品應(yīng)防止有源區(qū)的離子黏污和其他化學(xué)品黏污，且注意黏污物在半導(dǎo)體材料中的擴(kuò)散和可能

產(chǎn)生的金屬間化學(xué)反應(yīng)。

應(yīng)對(duì)產(chǎn)品接觸區(qū)、有源區(qū)和底部接觸的保護(hù)給予特別注意。確保芯片產(chǎn)品放入長(zhǎng)期貯存容器之間進(jìn)

行徹底的清潔，防止任何可溶性污染物殘留。

將芯片產(chǎn)品放入合適的容器中進(jìn)行長(zhǎng)期貯存前，應(yīng)去除運(yùn)輸時(shí)使用的可降解包裝材料。尤其是紙張、

紙板、泡沫塑料或粉膜等，此類包裝材料會(huì)逐漸退化造成化學(xué)黏污和顆粒黏污。靜電膜也不宜保留，因

為這種涂層會(huì)在長(zhǎng)期貯存過(guò)程中釋放出氣體。

宜定期檢測(cè)和檢測(cè)貯存環(huán)境中的化學(xué)污染物以及芯片產(chǎn)品中的化學(xué)狀態(tài)，建立警報(bào)機(jī)制，以便及時(shí)

發(fā)現(xiàn)異常情況。

4.9真空包裝

4.9.1通則

運(yùn)輸芯片產(chǎn)品時(shí)通常會(huì)使用真空包裝，但真空包裝不適用于長(zhǎng)期貯存。因?yàn)殡S著時(shí)間的推移，包裝

材料在真空條件下容易引入污染物，而且真空度也會(huì)逐步降低。初始包裝內(nèi)干燥劑也可能導(dǎo)致小顆粒的

出現(xiàn)而損傷芯片。

一般泡沫材料不宜在真空包裝內(nèi)使用，因?yàn)樵谑軌呵闆r下，泡沫材料可能會(huì)釋放吸收的污染物。充

氮的閉孔泡沫材料可在真空包裝內(nèi)使用。

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4.9.2真空干燥包裝

真空干燥包裝一般是配有干燥劑和濕度指示卡的防潮真空袋，用來(lái)當(dāng)作芯片的原包裝。輕度抽真空

優(yōu)于完全抽真空。

其他相關(guān)信息見IEC60749-20-1。

4.10正壓包裝

正壓包裝比真空包裝更適合長(zhǎng)期貯存。通常的做法是在保證接口有過(guò)濾情況下先抽真空，再充氮?dú)?/p>

保護(hù)。在充氣時(shí)一定要防止外界污染物進(jìn)入包裝袋。

4.11犧牲性包裝材料的使用

有時(shí)使用有犧牲特性的包裝材料，例如在芯片腐蝕前優(yōu)先腐蝕的活性銅包裝材料。

其他的犧牲材料，如揮發(fā)性的腐蝕抑制劑（VCI）也可使用，但需要關(guān)注高毒性對(duì)環(huán)境條件的污染。

4.12可降解材料的使用

一些包裝可使用可生物降解的材料，如常用的晶圓罐或桶的泡沫。已知的隨時(shí)間積累而不斷退化的

包裝材料不應(yīng)使用，因?yàn)樵谕嘶^(guò)程中釋放的化學(xué)物質(zhì)會(huì)污染產(chǎn)品。

示例：

——橡膠帶中的硫；

——紙板和紙張中的氯；

——防靜電泡沫中的氟；

——鐵桶中的鐵離子。

有些泡沫是專為長(zhǎng)期使用而設(shè)計(jì)的，是不可生物降解的。例如，氮?dú)馓畛涞拈]孔泡沫。如果使用碳

填充的泡沫，需要注意確保碳被固定在材料中，受擠壓時(shí)不會(huì)有顆粒脫落。

4.13等離子清洗

等離子清洗可用于貯存前去除芯片表面的污染物，或貯存后封裝前的焊盤清潔。表面清潔度和附著

力可通過(guò)水滴角測(cè)試進(jìn)行監(jiān)測(cè)。

4.14靜電影響

包裝材料和貯存裝置的結(jié)構(gòu)件應(yīng)使用通過(guò)敏感性和穩(wěn)定性分析確定的導(dǎo)電和靜電釋放性材料。

靜電放電損傷的可能由以下原因造成；包括不正當(dāng)?shù)慕拥鼗虻鼐€連接、使用不當(dāng)?shù)陌b材料、相對(duì)

濕度過(guò)低或過(guò)于靠近靜電場(chǎng)。

這些情況可導(dǎo)致P-N結(jié)損傷、氧化層擊穿、敏感的參數(shù)漂移、被表面態(tài)電荷（QSS）俘獲電荷后的閾

值電壓（VT）改變，還有夾斷電流（IOFF）或夾斷電壓（VOFF）參數(shù)的變化等。

4.15輻照防護(hù)

宜避免芯片暴露在強(qiáng)光照射或放射環(huán)境中。一般情況下，確保產(chǎn)品不受核輻射（高的背景輻射）、

電磁輻射（射頻和微波源產(chǎn)生）、紫外線、X射線輻射和環(huán)境照明的影響。一些芯片類型（如模擬電路）

對(duì)此特別敏感。

貯存區(qū)域內(nèi)應(yīng)無(wú)腐蝕性化學(xué)物質(zhì)或污染物、強(qiáng)電磁干擾源。

貯存區(qū)域內(nèi)應(yīng)防止日光照射，同時(shí)宜注意盡量減少輻射源，常見的如移動(dòng)電話、無(wú)線通信和微波爐

等。

4.16貯存芯片產(chǎn)品的周期性檢驗(yàn)

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某些特殊類型的芯片產(chǎn)品需要抽樣檢驗(yàn)。然而，由于抽樣檢驗(yàn)需要消耗樣品，故此方法只適用于貯

存的樣品量比較大的情況下。如果需要進(jìn)行周期性檢驗(yàn),需要額外貯存一些芯片用于檢驗(yàn)。

周期性檢驗(yàn)時(shí)，宜按照規(guī)定的時(shí)間間隔從貯存環(huán)境中抽取代表性的產(chǎn)品，并且檢查其是否有損傷或

退化的跡象。

對(duì)于每次周期性檢驗(yàn)都應(yīng)生成詳細(xì)的檢驗(yàn)報(bào)告，記錄檢驗(yàn)結(jié)果，發(fā)現(xiàn)的問題和采取的措施。

通過(guò)適當(dāng)?shù)姆庋b用于后續(xù)的電學(xué)測(cè)試和可靠性試驗(yàn),封裝過(guò)程中應(yīng)評(píng)估芯片產(chǎn)品的黏接牢固性。

周期性檢驗(yàn)的頻數(shù)宜適當(dāng).避免對(duì)貯存產(chǎn)品造成不必要的影響。

當(dāng)無(wú)法驗(yàn)證貯存的芯片產(chǎn)品時(shí)，可檢驗(yàn)封裝后的產(chǎn)品。

為了避免打開和重新處理貯存材料（可能比貯存本身?yè)p傷更大），周期性檢驗(yàn)宜抽取貯存后不準(zhǔn)備

使用或出售的特定的批次進(jìn)行。

5長(zhǎng)期貯存失效機(jī)理

長(zhǎng)期貯存過(guò)程中可能發(fā)生的失效機(jī)理包括：

——包裝材料釋氣造成離子污染；

——濕氣滲入包裝材料造成金屬腐蝕；

——不兼容的包裝或/和集成電路（IC）材料之間的相互作用引起的有害反應(yīng)；

——溫度變化造成金屬疲勞，焊料蠕變或鈍化層開裂；

——處理不當(dāng)造成芯片表面開裂、劃傷或污染；

——大氣中的電離或輻射效應(yīng)使柵氧化層和金屬化失效；

——壓電效應(yīng)——通過(guò)內(nèi)應(yīng)力改變電氣參數(shù)；

——光電效應(yīng)——通過(guò)注入電荷改變電氣參數(shù)；

——靜電釋放或其他輻射源引起的過(guò)電應(yīng)力

6長(zhǎng)期貯存的注意事項(xiàng)、方法、驗(yàn)證和限制

6.1通則

本章給岀了芯片長(zhǎng)期貯存過(guò)程中的注意事項(xiàng)，并針對(duì)暴露的環(huán)境列出了推薦的包裝方法、驗(yàn)證、合

適的環(huán)境條件和貯存時(shí)間的限制。

長(zhǎng)期貯存過(guò)程中的注意事項(xiàng)應(yīng)與產(chǎn)品的生產(chǎn)單位協(xié)商或者根據(jù)產(chǎn)品預(yù)計(jì)貯存期間的物理性能來(lái)確

定。

宜采用IEC62435-2確定貯存產(chǎn)品適用的失效機(jī)理，以此確定需特別關(guān)注的事項(xiàng)。

詳情參考第4章介紹的各類包裝方法。

6.2芯片

芯片暴露的環(huán)境，以及減小暴露環(huán)境影響所采取的措施按表1規(guī)定。

5

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表1芯片長(zhǎng)期貯存暴露的環(huán)境

暴露環(huán)境包裝方法驗(yàn)證措施貯存環(huán)境/方式貯存時(shí)間上限預(yù)處理驗(yàn)證測(cè)試內(nèi)容

HIC（適用基于濕度指示目檢

水汽防潮袋、濕度時(shí)）；MBBB和C卡結(jié)果適用鍵合強(qiáng)度

指示卡密封完整性時(shí)；驗(yàn)證測(cè)試不適用可焊性（焊料）

結(jié)果填充料/膠的完

水汽干燥柜氣體流量計(jì)A驗(yàn)證測(cè)試結(jié)果不適用整性

充氮?dú)饣蚨铓怏w流量目檢

氧氣性氣體計(jì)；氧氣百A驗(yàn)證測(cè)試結(jié)果不適用鍵合強(qiáng)度

萬(wàn)分率檢測(cè)可焊性

氧氣傳感器

不含空氣防氧氣監(jiān)測(cè)目檢

氧氣潮袋儀；防潮袋B和C驗(yàn)證測(cè)試結(jié)果不適用鍵合強(qiáng)度

密封完整性可焊性

氮?dú)狻⒍栊詺饽繖z

釋氣體或空氣干A驗(yàn)證測(cè)試結(jié)果不適用鍵合強(qiáng)度可焊

燥柜氣體流量計(jì)性（焊料嚴(yán)填充

料/膠的完整性

目檢

鍵合強(qiáng)度

釋氣防潮袋防潮袋密封B和C驗(yàn)證測(cè)試結(jié)果不適用可焊性（焊料嚴(yán)

完整性填充料/膠的完

整性

聚合物基多層電介質(zhì)或鈍化層可能需要使用干燥劑；應(yīng)符合產(chǎn)品需求規(guī)定，并進(jìn)行產(chǎn)品評(píng)估。

注：A代表干燥的儲(chǔ)藏柜，通常為無(wú)油空氣；B代表防潮袋貯存；C代表充氮（NJ或正壓MBB貯存，見IEC62435-4）

a)例如：外部目檢或其他適用的檢查見IEC60749-3。

b)例如：鍵合強(qiáng)度或相關(guān)測(cè)試見IEC60749-22。

c)例如：可焊性或其他適用的檢查見1EC60749-21。

d)對(duì)填充料、膠進(jìn)行的檢驗(yàn)項(xiàng)目包括：分層、空洞、孔隙。

7芯片特有的失效機(jī)理

7.1引線鍵合強(qiáng)度

引線鍵合強(qiáng)度受氧化物和污染物影響，應(yīng)采取適當(dāng)?shù)馁A存方法以防止?jié)駳馕廴尽?/p>

7.2污漬

長(zhǎng)期貯存過(guò)程中，干燥條件不達(dá)標(biāo)的芯片表面會(huì)產(chǎn)生污漬。含氟和氯的污染物會(huì)加速污漬產(chǎn)生。污

漬會(huì)使產(chǎn)品標(biāo)識(shí)模糊影響外觀。

7.3表層剝落

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T/SLEIA0004—2023

芯片表面的水汽或化學(xué)污染物可能造成有機(jī)鈍化層的鉆蝕，導(dǎo)致鈍化層溶脹或分層。這種現(xiàn)象通常

可通過(guò)目檢來(lái)檢驗(yàn)。

8具體操作中遇到的問題

8.1薄膜框上的芯片

隨著時(shí)間的推移晶圓薄膜黏性改變，芯片可能會(huì)脫落。在長(zhǎng)期貯存過(guò)程中，薄膜黏合劑會(huì)殘留在芯

片的背面,影響可靠性。

芯片背面常用于散熱或電連接，黏合劑殘留影響焊點(diǎn)的完整性或污染散熱材料表面，從而降低部分

或所有的散熱能力和電連接。

8.2芯片盒或穿孔帶貯存

隨著時(shí)間的推移芯片盒或孔帶黏性改變，貯存的器件和芯片可能會(huì)脫落。

工業(yè)膠帶附著力測(cè)試（ASTMD333O）能用來(lái)評(píng)估黏性的變化。任何一種長(zhǎng)期貯存方法都宜考慮貯

存時(shí)間和溫度范圍，避免出現(xiàn)問題。

應(yīng)建立質(zhì)量控制程序，并保留詳細(xì)的記錄，以追蹤芯片的貯存歷史和任何問題的出現(xiàn)，以便分析和

改進(jìn)。

8.3操作損傷

操作運(yùn)輸、振動(dòng)、碰撞，或其他機(jī)械應(yīng)力造成的缺陷會(huì)影響芯片或器件的敏感區(qū)域，宜在設(shè)計(jì)長(zhǎng)期

貯存方案時(shí)考慮。MBB破損干燥劑顆粒散落，導(dǎo)致芯片長(zhǎng)期貯存的外部環(huán)境不能真正滿足貯存要求。

托盤或產(chǎn)品的移動(dòng)會(huì)造成擦傷和碎片污染。

7

T/SLEIA0004—2023AA

附錄A

（資料性附錄）

審查檢查表

制定審查檢查表中考慮的問題見表A.1。

表A.1制定檢查表

項(xiàng)目涉及的問題章條號(hào)落實(shí)情況

貯存要求4

暴露的環(huán)境如何參照第6章來(lái)確定暴露的環(huán)境？4.1

暴露的環(huán)境列表如何從表1和表2中選擇適用的貯存方4.1和第6章

法？

進(jìn)行了哪些驗(yàn)證試驗(yàn)？

裝配數(shù)據(jù)保留哪些數(shù)據(jù)用于后續(xù)工作？4.2

如何做？

已知狀態(tài)產(chǎn)品貯存前的狀態(tài)是怎么樣的？4.3

不進(jìn)行100%的測(cè)試時(shí)，如何確保產(chǎn)品功

能正常？

造作造成的機(jī)械損傷操作過(guò)程中的機(jī)械損傷怎樣防護(hù)？4.5

產(chǎn)品貯存過(guò)程中的機(jī)械產(chǎn)品貯存過(guò)程中的機(jī)械損傷怎樣防護(hù)？4.5

損壞

操作最少的措施采取哪些措施確保產(chǎn)品操作最少？4.5

貯存環(huán)境（只涉及氧氣和水汽敏感的，對(duì)其他敏感的見IEC4.6和4.7

62435-2）

存儲(chǔ)柜的環(huán)境條件氣體的純度如何？4.6

允許的溫度范圍是什么？

允許的濕度范圍是什么？

大氣壓力多少？

存儲(chǔ)柜的控制打開和關(guān)閉存儲(chǔ)柜后，如何快速達(dá)到要4.6

求的控制條件？

如何避免存儲(chǔ)柜長(zhǎng)時(shí)間處于打開狀態(tài)？

防靜電涂層控制有防靜電涂層的產(chǎn)品可否在存儲(chǔ)柜中貯4.6

存？

溫、濕記錄怎樣測(cè)量溫、濕度并記錄4.6

溫、濕度控制和超限報(bào)測(cè)量結(jié)果超差時(shí)，如何讓貯存工作人員4.6

警注意到？如何正確處理超差和記錄？

失控事件如何評(píng)估狀態(tài)失控帶來(lái)的影響？4.6

惰性氣體純度如何分析惰性氣體的純度？多久分析一4.7

次？純度分析的結(jié)果是否在允許范圍

內(nèi)？

8

T/SLEIA0004—2023

表A.1制定檢查表（續(xù)）

項(xiàng)目涉及的問題章條號(hào)落實(shí)情況

化學(xué)污染防護(hù)4.8

離子污染防護(hù)如何避免芯片產(chǎn)品離子污染？4.8

包裝材料哪些包裝材料可能會(huì)造成離子污染？如4.8

何消除?

真空包裝貯存4.9

真空包裝如何評(píng)估真空包裝是否滿足貯存要求？4.9

干燥劑抽真空包裝的防潮袋內(nèi)是否有干燥劑？4.9

包裝方法選擇哪一種真空包裝？如何評(píng)估其適用4.9

性？

電效應(yīng)或輻射效應(yīng)防護(hù)4.14和4.15

電效應(yīng)使用什么包裝材料能盡可能地減少靜電4.14

的影響？

存儲(chǔ)柜如何設(shè)計(jì)能盡可能減少靜電的影

響？

輻射效應(yīng)產(chǎn)品如何防止EMR輻射、陽(yáng)光、射頻和X4.15

射線？

輻射效應(yīng)貯存區(qū)域內(nèi)允許哪些射頻信號(hào)存在？比4.15

如：Wi-Fi、移動(dòng)電話等。

周期檢驗(yàn)4.16

檢驗(yàn)樣品是否有額外的產(chǎn)品用于檢驗(yàn)？如何控4.16

制？

檢驗(yàn)周期間隔多久需要檢查保存的檢驗(yàn)樣品？4.16

檢驗(yàn)需要做哪些試驗(yàn)？4.16

樣品周轉(zhuǎn)怎樣周轉(zhuǎn)樣品對(duì)貯存的正式產(chǎn)品影響最4.16

小？

包裝檢驗(yàn)包裝是否完整？如何檢查？4.16

操作注意事項(xiàng)8

晶圓薄膜框產(chǎn)品是否帶薄膜框保存？8.1

載帶產(chǎn)品是否用載帶保存？如何采取措施保8.2

證載帶包裝不會(huì)有問題？

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9

ICS31.080

CCSI.40

T/SLEIA

團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

T/SLEIA0004—2023

集成電路芯片長(zhǎng)期貯存技術(shù)規(guī)范

Long-termstoragetechn