微波參數(shù)在高溫、低溫、溫度循環(huán)、濕度載荷下的測試方法 標(biāo)準(zhǔn)文本

ICSXX.XXX.XX

CCSXXXX

團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

T/CSTMXXXXX—202X

微波參數(shù)在高溫、低溫、溫度循環(huán)、濕度

載荷下的測試方法

Testmethodformicrowaveparametersunderhightemperature,low

temperature,temperaturecyclingandhumidity

202X-XX-XX發(fā)布202X-XX-XX

實施

中關(guān)村材料試驗技術(shù)聯(lián)盟發(fā)布

T/CSTMXXXXX—2022

前言

本文件參照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》，GB/T

20001.4—2015《標(biāo)準(zhǔn)編寫規(guī)則第4部分：試驗方法標(biāo)準(zhǔn)》給出的規(guī)則起草。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任。

本文件由中國材料與試驗團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)委員會XXXX領(lǐng)域委員會（CSTM/FCXX）提出。

本文件由中國材料與試驗團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)委員會XXXX領(lǐng)域委員會（CSTM/FCXX）或技術(shù)委員會

（CSTM/FCXX/TCXX）歸口。

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T/CSTMXXXXX—2022

引言

通信系統(tǒng)的工作環(huán)境復(fù)雜多變，覆銅板和印制電路微波參數(shù)會隨著環(huán)境的變化出現(xiàn)波動，特別是

隨著通信頻率的不斷提升，微波電路對板材微波參數(shù)的波動更為敏感，相關(guān)測試方法受到生產(chǎn)企業(yè)與使

用單位的廣泛關(guān)注。本標(biāo)準(zhǔn)適用于覆銅板和印制電路板高溫、低溫、溫度循環(huán)、濕度載荷下微波參數(shù)的

測試，其微波參數(shù)包括：傳輸損耗、特性阻抗、介電常數(shù)、介質(zhì)損耗角正切值和無源互調(diào)測試PIM。對

比國內(nèi)外現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)情況，本標(biāo)準(zhǔn)改進(jìn)優(yōu)化的地方：a）該方法提出了覆銅板與印制電路板兩個層級的微

波參數(shù)在不同環(huán)境老化下測試方法，更為系統(tǒng)完整；b）提出傳輸損耗和特性阻抗環(huán)境載荷下的測試方

法，明確了環(huán)境載荷下在線測試系統(tǒng)搭載方法，操作步驟以及樣品在環(huán)境箱內(nèi)穩(wěn)定時間，填補了測試方

法的空白；c）提出基材無源互調(diào)測試PIM的測試方法，明確測試樣品需求，將現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)覆蓋對象從無

源或微波元器件拓展到高頻基材。

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T/CSTMXXXXX—2022

高溫、低溫、溫度循環(huán)、濕度載荷下微波參數(shù)測試方法

重要提示（危險或警告或注意）：使用本文件的人員應(yīng)有正規(guī)實驗室工作的實踐經(jīng)驗。本文件并未

指出所有可能的安全問題。使用者有責(zé)任采取適當(dāng)?shù)陌踩徒】荡胧?，并保證符合國家有關(guān)法規(guī)規(guī)定的

條件。

1范圍

本文件規(guī)定了覆銅板和印制電路板的高溫、低溫、溫度循環(huán)、濕度載荷下微波參數(shù)的測試方法。

本文件適用于覆銅板和印制電路板環(huán)境載荷下微波參數(shù)的測試，其微波參數(shù)包括：傳輸損耗、特性阻抗、

介電常數(shù)、介質(zhì)損耗角正切值和無源互調(diào)PIM測試。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅

該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。

GB/T2036印制電路術(shù)語和定義

GB/T2423.1-2008環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗A：低溫

GB/T2423.2-2008環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗B：高溫

GB/T2423.3-2006電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗Cab：恒定濕熱試驗

GB/T2423.22-2012環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗N：溫度變化

T/CSTMXXXXX-202X高頻介質(zhì)基板的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切測試方法—帶狀線測試法

3術(shù)語和定義

GB/T2036界定的術(shù)語和定義適用于本文件。

下列術(shù)語和定義適用于本文件。

3.1

印制板printedboard

印制電路或印制線路成品板的通稱。它包括剛性、撓性和剛撓結(jié)合的單面、雙面和多層印制板等。

[來源：GB/T2036-1994，2.3]

3.2

基材basematerial

可在其上形成導(dǎo)電圖形的絕緣材料。基材可以是剛性或者撓性的，也可以說是不覆金屬箔的或覆金屬箔

的。

[來源：GB/T2036-1994，3.1.1]

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3.3

介電常數(shù)dielectricconstant

規(guī)定形狀電極之間填充電介質(zhì)獲得的電容量與相同電極之間為真空時的電容量之比，常用εr,Dk表示。

[來源：GB/T2036-1994，6.3.6]

3.4

介質(zhì)損耗角正切值dielectricdissipationfactor

對電介質(zhì)施加正弦波電壓時，通過介質(zhì)的電流相量超前于電壓相量間的相角的余角稱為損耗角，對該損

耗角取正切函數(shù)值為損耗因數(shù)，即為介質(zhì)損耗角正切值，常用tanδ,Df表示。

[來源：GB/T2036-1994，6.3.7]

3.5

傳輸線transmissionline

由導(dǎo)線和絕緣材料組成，具有可控電氣特性的載送信號的電路，用于傳輸高頻信號或窄脈沖信號。

[來源：GB/T2036-1994，4.79]

3.6

特性阻抗characteristicimpedance

傳輸波中電壓與電流的比值，即在傳輸線的任一點對傳輸波產(chǎn)生的阻抗。在印制板中，特性阻抗值取決

于導(dǎo)線的寬度、導(dǎo)線離接地面的距離以及它們之間的介質(zhì)的介電常數(shù)。

[來源：GB/T2036-1994，4.80]

3.7

傳輸損耗transmissionloss

傳輸損耗是輸出功率和輸入功率的比值，指在傳輸過程中因傳輸介質(zhì)等因素引起的能力損失。

3.8

無源互調(diào)passiveintermodulation

無源互調(diào)是兩個或者多信號通過一個具有非線性特性的無源器件、電路傳輸時產(chǎn)生的交調(diào)產(chǎn)物。

4一般要求

4.1試驗條件

4.1.1正常試驗的標(biāo)準(zhǔn)大氣條件

除另有規(guī)定外，試驗應(yīng)在下列條件下進(jìn)行：

a)溫度：15℃~35℃；

b)相對濕度：25%~75%；

c)大氣壓力：試驗場所氣壓。

4.1.2仲裁試驗的標(biāo)準(zhǔn)大氣條件

如果測試參數(shù)依賴于溫度、濕度與氣壓，則試驗應(yīng)在下列仲裁試驗的標(biāo)準(zhǔn)大氣條件下進(jìn)行：

a)溫度：（23±2）℃；

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b)相對濕度：45%~55%；

c)大氣壓力：86kPa~106kPa。

4.2試驗報告

除另有規(guī)定外，試驗報告應(yīng)包括下列內(nèi)容：

a)試樣的基本信息，例如：試樣名稱、型號規(guī)格、制造商、試樣數(shù)量、送樣單位等。

b)試驗條件信息，例如：環(huán)境條件、測試條件等。

c)試驗設(shè)備基本信息，例如：設(shè)備名稱、型號、編號等。

d)人員與日期信息：試驗日期、檢測人、復(fù)核人和批準(zhǔn)人等。

e)試驗結(jié)果。

5環(huán)境試驗測試方法

5.1高溫試驗

高溫環(huán)境試驗應(yīng)按GB/T2423.2-2008環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗B：高溫規(guī)定的方法進(jìn)行。

5.2低溫試驗

低溫環(huán)境試驗應(yīng)按GB/T2423.1-2008環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗A：低溫規(guī)定的方法進(jìn)行。

5.3溫度循環(huán)試驗

溫度循環(huán)環(huán)境試驗應(yīng)按GB/T2423.22-2012環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗N：溫度變化規(guī)定的方法

進(jìn)行。

5.4濕熱試驗

濕熱環(huán)境試驗應(yīng)按GB/T2423.3-2016電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗Cab：恒定濕熱試

驗規(guī)定的方法進(jìn)行。

6傳輸損耗

6.1目的

本方法用于測量印刷電路板在不同環(huán)境載荷條件傳輸線的信號傳輸損耗和印制電路板在進(jìn)行環(huán)境老化

試驗后傳輸線信號傳輸損耗性能的變化。

6.2試樣

測試試樣包含兩條或多條傳輸線。這些傳輸線測試結(jié)構(gòu)可以放置在印刷電路板的功能區(qū)域內(nèi)或測試試樣

內(nèi)。建議樣品標(biāo)有標(biāo)簽，其中包含有關(guān)相關(guān)測試線信號層的信息；例如，L1、L3等。差分導(dǎo)體的接觸焊盤的

標(biāo)簽應(yīng)清楚地標(biāo)明匹配的對。建議測試試樣包括印制板序列號、部件號和日期代碼。

6.3儀器設(shè)備

本試驗所需適用于規(guī)定程序的儀器和材料如下：

a)網(wǎng)絡(luò)分析儀；

b)校準(zhǔn)件；

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c)高溫箱；

d)環(huán)境試驗箱（高溫試驗箱，低溫試驗箱，高低溫試驗箱，高低溫濕熱試驗箱，快速溫度變化試驗箱）；

e)傳輸線纜；

f)連接器或測試探頭。

備注：其中電纜和連接器或測試探頭的性能（如：最高測試頻率、工作溫度）要覆蓋測試要求。

6.4測試環(huán)境條件

本試驗測試環(huán)境條件為溫度：23℃±2℃，濕度：50%±5%，試驗時環(huán)境溫度的波動不應(yīng)超過1℃。

6.5程序

6.5.1傳輸損耗的環(huán)境老化影響

6.5.1.1網(wǎng)絡(luò)分析儀設(shè)置

開啟儀器預(yù)熱30min，使其達(dá)到穩(wěn)定。設(shè)置測試頻段，掃描點數(shù)，中頻帶寬。連接測試電纜，進(jìn)行校準(zhǔn)。

6.5.1.2初始值測量

本方法初始值測量程序如下：

a)樣品前處理，將試樣應(yīng)置于105℃﹢5℃/-2℃高溫干燥箱中烘干處理2h＋10min/-0min。

注：烘烤時間可根據(jù)樣品厚度和大小等，與應(yīng)用單位協(xié)商確定。

b)測試前將測試試樣放置在測試環(huán)境內(nèi)冷卻至室溫30分鐘。

c)測試樣品安裝連接器。

d)測試樣品的傳輸損耗，并記錄TL0。

6.5.1.3環(huán)境老化試驗

參考第5節(jié)環(huán)境試驗測試方法要求進(jìn)行。

6.5.1.4環(huán)境老化試驗后的傳輸損耗

環(huán)境老化試驗后傳輸損耗的測量有以下兩種方法：

方法A：

a)樣品完成環(huán)境老化試驗后出箱，將試樣應(yīng)置于105℃﹢5℃/-2℃高溫干燥箱中烘干處理2h＋

10min/-0min。

注：烘烤時間可根據(jù)樣品厚度和大小等，與應(yīng)用單位協(xié)商確定。

b)測試前將測試試樣放置在測試環(huán)境內(nèi)冷卻至室溫30min。

c)測試樣品安裝連接器。

d)測試樣品的傳輸損耗，并記錄TL1。

備注：高溫老化試驗不需再將樣品放置于105℃﹢5℃/-2℃高溫干燥箱內(nèi)烘烤。

方法B：

a)樣品完成環(huán)境老化試驗后立即出箱。

b)放置在測試環(huán)境內(nèi)冷卻至室溫，30min內(nèi)完成測試。

c)測試樣品安裝連接器。

d)測試樣品的傳輸損耗，并記錄TL1。

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6.5.1.5結(jié)果計算

按式1計算樣品的傳輸損耗變化率：

=×100………….（1）

??1???0

：傳輸損耗變化率，單位為%；ξ??0

：傳輸損耗初始值，單位為dB；

ξ

：環(huán)境試驗后傳輸損耗測量值，單位為dB。

??0

1

6.5.2??環(huán)境載荷下傳輸損耗測試

6.5.2.1測試系統(tǒng)設(shè)置

環(huán)境試驗載荷測試系統(tǒng)設(shè)置如圖1所示。

圖1環(huán)境試驗載荷測試系統(tǒng)設(shè)置

6.5.2.2網(wǎng)絡(luò)分析儀設(shè)置

開啟儀器預(yù)熱30min，使其達(dá)到穩(wěn)定。設(shè)置測試頻段，掃描點數(shù)，中頻帶寬。連接測試電纜，進(jìn)行校準(zhǔn)。

6.5.2.3傳輸損耗測試

6.5.2.3.1高/低溫載荷下傳輸損耗測試

本方法測量程序如下：

a)樣品前處理，將試樣應(yīng)置于105℃﹢5℃/-2℃高溫干燥箱中烘干處理2h＋10min/-0min。測試前將測試

試樣放置在測試環(huán)境內(nèi)冷卻至室溫30min。

注：烘烤時間可根據(jù)樣品厚度和大小等，與應(yīng)用單位協(xié)商確定。

b)測試樣品安裝連接器。

c)按照圖1安裝樣品，將線纜端穿過環(huán)境試驗箱的通道，連接到環(huán)境試驗箱的測試樣品。確保線纜穿

過環(huán)境試驗箱后用耐熱材料密封通道。

注：應(yīng)使用耐高溫線纜。

d)將試驗箱設(shè)置為目標(biāo)測試溫度。

e)當(dāng)溫度達(dá)到設(shè)定溫度值后，溫度穩(wěn)定至少20min，以確保測試樣品達(dá)到環(huán)境溫度。

注：溫度穩(wěn)定時間可根據(jù)樣品厚度和大小等，與應(yīng)用單位協(xié)商確定。

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f)測量樣品傳輸損耗并記錄數(shù)據(jù)。

g)進(jìn)入下一個溫度設(shè)置，重復(fù)步驟d）~f）直到記錄所有設(shè)置的結(jié)果。

注：低溫測試時，如需調(diào)整測試樣品，需將試驗箱溫度設(shè)置達(dá)到常溫再進(jìn)行樣品調(diào)整。

6.5.2.3.2溫循載荷下傳輸損耗測試

本方法測量程序如下：

a)同6.5.2.3.1中a)~c)。

b)設(shè)置溫循箱程序，測量樣品初始狀態(tài)的傳輸損耗并記錄數(shù)據(jù)。

c)第一次和最后一次達(dá)到循環(huán)溫度時，在穩(wěn)定時間的30%~70%的時間段內(nèi)測試樣的傳輸損耗并記錄

數(shù)據(jù)。

6.5.2.3.3濕熱載荷下傳輸損耗測試

本方法測量程序如下：

a)同6.5.2.3.1中a)~c)。

b)設(shè)置環(huán)境試驗箱溫濕度。

c)當(dāng)環(huán)境穩(wěn)定達(dá)到設(shè)定條件后，穩(wěn)定至少20min，以確保測試樣品達(dá)到環(huán)境溫度。

注：溫度穩(wěn)定時間可根據(jù)樣品厚度和大小等，與應(yīng)用單位協(xié)商確定。

d)測量樣品傳輸損耗并記錄數(shù)據(jù)。

6.6試驗報告

除4.2的規(guī)定外，試驗報告還應(yīng)包括：

a)測試頻率；

b)預(yù)處理條件；

c)環(huán)境老化條件；

d)測試結(jié)果和傳輸損耗曲線圖。

7特性阻抗

7.1目的

本方法用于測量由印刷電路板在不同溫度下與環(huán)境試驗老化后傳輸線的特性阻抗。

7.2試樣

測試試樣包含兩條或多條傳輸線。這些傳輸線測試結(jié)構(gòu)可以放置在印刷電路板的功能區(qū)域內(nèi)或測試試樣

內(nèi)。建議樣品標(biāo)有標(biāo)簽，其中包含有關(guān)相關(guān)測試線信號層的信息；例如，L1、L3等。差分導(dǎo)體的接觸焊盤的

標(biāo)簽應(yīng)清楚地標(biāo)明匹配的對。建議測試試樣包括印制板序列號、部件號和日期代碼。

7.3儀器設(shè)備

本試驗所需適用于規(guī)定程序的儀器和材料如下：

a）TDR時域反射儀或者帶有TDR模塊的網(wǎng)絡(luò)分析儀；

b）校準(zhǔn)件；

c）高溫箱；

d）環(huán)境試驗箱（高溫試驗箱，低溫試驗箱，高低溫試驗箱，高低溫濕熱試驗箱，快速溫度變化試驗箱）；

e）線纜；

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f）連接器或測試探頭。

其中線纜和連接器或測試探頭的性能（如：最高測試頻率、工作溫度）要覆蓋測試要求。

7.4測試環(huán)境條件

本試驗測試環(huán)境條件為溫度：23℃±2℃，濕度：50%±5%，試驗時環(huán)境溫度的波動不應(yīng)超過1℃。

7.5程序

7.5.1特性阻抗的環(huán)境老化影響

7.5.1.1網(wǎng)絡(luò)分析儀設(shè)置

開啟儀器預(yù)熱30min，使其達(dá)到穩(wěn)定。設(shè)置測試頻段，掃描點數(shù)，中頻帶寬。連接測試電纜，進(jìn)行校準(zhǔn)。

7.5.1.2初始值測量

本方法初始值測量程序如下：

a)樣品前處理，將試樣應(yīng)置于105℃﹢5℃/-2℃高溫干燥箱中烘干處理2h＋10min/-0min。

注：烘烤時間可根據(jù)樣品厚度和大小等，與應(yīng)用單位協(xié)商確定。

b)測試前將測試試樣放置在測試環(huán)境內(nèi)冷卻至室溫30min。

c)測試樣品安裝連接器，若使用手持探頭測試則可以直接進(jìn)行測試。

d)將探頭置于空氣中測量測試探頭的TDR波形，建立測試區(qū)域起點。

e)將探頭連接到被測樣品，測量被測樣品的TDR波形，將終點光標(biāo)放置于被測樣品波形的末端作為測

試區(qū)域的終點。

f)數(shù)據(jù)處理，對測試區(qū)域內(nèi)所得曲線設(shè)置取值范圍（30%~70%、50%~70%或供需雙方協(xié)商確定），讀

取該范圍內(nèi)的平均值，該值為傳輸線的阻抗值，記錄傳輸線阻抗值Ztran0。

g)多條特性阻抗測試，重復(fù)步驟d）~f）。

7.5.1.3環(huán)境老化試驗

參考第5節(jié)環(huán)境試驗測試方法要求進(jìn)行。

7.5.1.4環(huán)境老化試驗后的特性阻抗

環(huán)境老化試驗后特性阻抗的測量有以下兩種方法：

方法A：

a)樣品完成環(huán)境老化試驗后出箱，將試樣應(yīng)置于105℃﹢5℃/-2℃高溫干燥箱中烘干處理2h＋

10min/-0min。

注：烘烤時間可根據(jù)樣品厚度和大小等，與應(yīng)用單位協(xié)商確定。

b)同7.5.1.2中b)~e)。

c)數(shù)據(jù)處理，對測試區(qū)域內(nèi)所得曲線設(shè)置取值范圍（30%~70%、50%~70%或供需雙方協(xié)商確定），讀

取該范圍內(nèi)的平均值，該值為傳輸線的阻抗值，記錄傳輸線阻抗值Ztran1。

d)多條特性阻抗測試，重復(fù)步驟d）~f）。

注：高溫老化試驗不需再將樣品放置于105℃﹢5℃/-2℃高溫干燥箱內(nèi)烘烤。

方法B：

a)樣品完成環(huán)境老化試驗后立即出箱。

b)放置在測試環(huán)境內(nèi)冷卻至室溫，30min內(nèi)完成測試。

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c)重復(fù)方法A步驟c）~e)。

7.5.1.5結(jié)果計算

按式2計算樣品的特性阻抗變化率：

=×100………….（2）

′?????1??????0

：特性阻抗變化率，單位為%；ξ?????0

′：特性阻抗初始值，單位為Ω；

ξ

：環(huán)境試驗后特性阻抗測量值，單位為Ω。

?????0

????1

7.5.2?環(huán)境載荷下特性阻抗測試

7.5.2.1測試系統(tǒng)設(shè)置

測量特性阻抗的溫度影響，需要在環(huán)境箱內(nèi)進(jìn)行測試，因此測試樣品不能用手持探針測試，只能使用連

接器安裝在測試樣品上的形式。

測試系統(tǒng)參考6.5.2.1。

7.5.2.2特性阻抗測試

7.5.2.2.1高/低溫載荷下傳輸損耗測試

本方法測量程序如下：

a)樣品前處理，將試樣應(yīng)置于105℃﹢5℃/-2℃高溫干燥箱中烘干處理2h＋10min/-0min。測試前將測

試試樣放置在測試環(huán)境內(nèi)冷卻至室溫30min。

注：烘烤時間可根據(jù)樣品厚度和大小等，與應(yīng)用單位協(xié)商確定。

b)測試樣品安裝連接器。

c)按照圖1安裝樣品，將電纜端穿過環(huán)境試驗箱的通道，連接到環(huán)境試驗箱的測試樣品。確保電纜穿

過環(huán)境試驗箱后用耐熱材料密封通道。

注：應(yīng)使用耐高溫電纜。

d)將探頭置于空氣中測量測試探頭的TDR波形，建立測試區(qū)域起點。

e)將試驗箱設(shè)置為目標(biāo)測試溫度。

f)將探頭連接到被測樣品，測量被測樣品的TDR波形，將終點光標(biāo)放置于被測樣品波形的末端作為測

試區(qū)域的終點。

g)當(dāng)溫度達(dá)到設(shè)定溫度值后，溫度穩(wěn)定至少20min，以確保測試樣品達(dá)到環(huán)境溫度。

注：溫度穩(wěn)定時間可根據(jù)樣品厚度和大小等，與應(yīng)用單位協(xié)商確定。

h)測量被測樣品的TDR波形，數(shù)據(jù)處理，對測試區(qū)域內(nèi)所得曲線設(shè)置取值范圍（30%~70%、50%~70%

或供需雙方協(xié)商確定），讀取該范圍內(nèi)的平均值，該值為傳輸線的特性阻抗值，記錄傳輸線阻抗值。

i)進(jìn)入下一個溫度設(shè)置，重復(fù)步驟e）~h），直到記錄所有設(shè)置的結(jié)果。

注：低溫測試時，如需調(diào)整測試樣品，需將試驗箱溫度設(shè)置達(dá)到常溫再進(jìn)行樣品調(diào)整。

7.5.2.2.2溫循載荷下傳輸損耗測試

本方法測量程序如下：

a)同7.5.2.2.1中a)~d)。

b)設(shè)置溫循箱程序，將探頭連接到被測樣品，測量被測樣品的TDR波形，將終點光標(biāo)放置于被測樣品

波形的末端作為測試區(qū)域的終點。測量樣品初始狀態(tài)的特性阻抗曲線并記錄數(shù)據(jù)。

12

T/CSTMXXXXX—2022

c)當(dāng)?shù)谝淮魏妥詈笠淮芜_(dá)到循環(huán)溫度時，在穩(wěn)定時間的30%~70%的時間段內(nèi)測試樣的特性阻抗曲線

并記錄。

d)數(shù)據(jù)處理，對測試區(qū)域內(nèi)所得曲線設(shè)置取值范圍（30%~70%、50%~70%或供需雙方協(xié)商確定），

讀取該范圍內(nèi)的平均值，該值為傳輸線的特性阻抗值，記錄傳輸線阻抗值。

7.5.2.2.3濕熱載荷下傳輸損耗測試

本方法測量程序如下：

a)同7.5.2.2.1中a)~d)。

b)設(shè)置環(huán)境試驗箱溫濕度，將探頭連接到被測樣品，測量被測樣品的TDR波形，將終點光標(biāo)放置于被

測樣品波形的末端作為測試區(qū)域的終點。測量樣品初始狀態(tài)的特性阻抗曲線并記錄數(shù)據(jù)。

c)當(dāng)環(huán)境穩(wěn)定達(dá)到設(shè)定溫度值后，穩(wěn)定至少20min，測量被測樣品的TDR波形，以確保測試樣品達(dá)到

環(huán)境溫度。

注：穩(wěn)定時間可根據(jù)樣品厚度和大小等，與應(yīng)用單位協(xié)商確定。

d)數(shù)據(jù)處理，對測試區(qū)域內(nèi)所得曲線設(shè)置取值范圍（30%~70%、50%~70%或供需雙方協(xié)商確定），

讀取該范圍內(nèi)的平均值，該值為傳輸線的特性阻抗值，記錄傳輸線阻抗值。

7.6試驗報告

除4.2的規(guī)定外，試驗報告還應(yīng)包括：

a)預(yù)處理條件；

b)環(huán)境老化條件；

c)測試結(jié)果。

8介電常數(shù)、損耗角正切值

8.1試樣

本方法規(guī)定的試樣如下：

a)距板邊大于20mm區(qū)域取樣，樣品數(shù)量為2塊/組，共3組（6塊），每塊試樣尺寸應(yīng)當(dāng)為50mm×30mm×b/2，

b/2為0.5mm~2mm，測試時以2塊試樣為一組；

b)每組試樣中兩塊試樣的長度、寬度和厚度的一致性應(yīng)小于±0.02mm；

c)當(dāng)試樣厚度小于要求時，可重疊適當(dāng)數(shù)量的試樣，以滿足厚度的范圍要求，應(yīng)保證層間壓合后沒有

空隙；

d)若基板為表面覆金屬箔，應(yīng)當(dāng)用蝕刻方法去除掉所有的金屬箔并清洗干凈。；

e)樣品應(yīng)為均勻介質(zhì)，表面應(yīng)無不正常斑點，內(nèi)部無不正常的雜質(zhì)和氣孔，在測試前應(yīng)嚴(yán)格清潔和干

燥處理。

8.2儀器設(shè)備

本試驗所需適用于規(guī)定程序的儀器和材料如下：

a)網(wǎng)絡(luò)分析儀（頻率覆蓋1GHz~40GHz）；

b)變溫帶狀線測試系統(tǒng)或等效測試系統(tǒng)；

c)數(shù)顯千分尺：分辨率0.001mm；

d)游標(biāo)卡尺：分辨率0.01mm；

e)空氣循環(huán)式烘箱，溫度能保持在105℃。

+5

?2

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T/CSTMXXXXX—2022

8.3測試環(huán)境條件

本試驗測試環(huán)境條件為溫度：23℃±2℃，濕度：50%±5%，試驗時環(huán)境溫度的波動不應(yīng)超過1℃。

8.4程序

8.4.1介電常數(shù)、損耗角正切值的環(huán)境老化影響

8.4.1.1網(wǎng)絡(luò)分析儀設(shè)置

網(wǎng)絡(luò)分析儀設(shè)備應(yīng)在制造商推薦的校準(zhǔn)周期內(nèi)進(jìn)行校準(zhǔn)，測試前主機至少開機預(yù)熱30min，使儀器達(dá)到

穩(wěn)定。

8.4.1.2初始值測量

初始值測量應(yīng)按T/CSTMXXXXX-202X高頻介質(zhì)基板的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切測試方法—帶狀線

測試法第10節(jié)試驗步驟中10.1~10.5測試介電常數(shù)、損耗角正切值的初始值。

8.4.1.3環(huán)境老化試驗

參考第5節(jié)環(huán)境試驗測試方法要求進(jìn)行。

8.4.1.4環(huán)境老化試驗后的介電常數(shù)、損耗角正切值

環(huán)境老化試驗后傳輸損耗的測量有以下兩種方法：

方法A：

a)樣品完成環(huán)境老化試驗后出箱，將試樣應(yīng)置于105℃﹢5℃/-2℃高溫干燥箱中烘干處理2h＋

10min/-0min。

b)測試前將測試試樣放置在測試環(huán)境內(nèi)冷卻至室溫30min。

c)按T/CSTMXXXXX-202X高頻介質(zhì)基板的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切測試方法—帶狀線測試法

第10節(jié)試驗步驟中10.4~10.5。

備注：高溫老化試驗不需再將樣品放置于105℃﹢5℃/-2℃高溫干燥箱內(nèi)烘烤。

方法B：

a)樣品完成環(huán)境老化試驗后立即出箱。

b)放置在測試環(huán)境內(nèi)冷卻至室溫，30min內(nèi)完成測試。

c)按T/CSTMXXXXX-202X高頻介質(zhì)基板的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切測試方法—帶狀線測試法

第10節(jié)試驗步驟中10.4~10.5。

8.4.2介電常數(shù)、損耗角正切值的溫度影響

按T/CSTMXXXXX-202X高頻介質(zhì)基板的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切測試方法—帶狀線測試法第10

節(jié)試驗步驟中10.1~10.4、10.6~10.7測試介電常數(shù)、損耗角正切值的溫度影響。

8.5試驗報告

除4.2的規(guī)定外，試驗報告還應(yīng)包括：

a)平均介電常數(shù)；

b)平均損耗角正切值；

c)試樣預(yù)處理條件；

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T/CSTMXXXXX—2022

d)測定的環(huán)境條件；

e)試樣是否疊加與疊加情況。

9無源互調(diào)測試PIM

9.1目的

本方法用于測量基材的環(huán)境試驗老化后無源互調(diào)性能。

9.2試樣

帶有測試連接器的微帶線，如圖3所示。

試樣a）是不帶轉(zhuǎn)接頭的測試樣品，該測試樣品需要工程師自己將測試線纜焊接在測試樣品中對樣品進(jìn)

行PIM測試。焊接在測試樣品上的焊點要求如下：1）焊點發(fā)亮，無分層，無拉尖，無間隙，焊點周圍不能

有錫珠、錫渣等氧化物；2）焊接過程中必須帶好手套或指套，防止測試樣品氧化；3）焊接完成后，可用酒

精對焊點進(jìn)行清潔，保證焊點的清潔。

試樣b）帶有轉(zhuǎn)接頭的測試樣品，該測試樣品的轉(zhuǎn)接頭與樣品之間的連接要復(fù)合樣品a）的焊接要求。試

樣b）適合用于樣品的多次測量，試樣a）每次測試之前都需要對樣品進(jìn)行焊接，每次焊接不能保證其焊接與

之前的焊接完全相對，在進(jìn)行環(huán)境老化影響測試時，會帶入工程師每次焊接情況的誤差，使得測試結(jié)果的一

致性不能保證。

a）b）

圖3測試樣品

9.3儀器設(shè)備

本試驗所需適用于規(guī)定程序的儀器和材料如下：

a)信號源或者等效互調(diào)測試儀器；

b)頻譜分析儀；

c)濾波器；

d)合路分路設(shè)備；

e)低互調(diào)負(fù)載。

9.4測試環(huán)境條件

本試驗測試條件為溫度：23℃±2℃，濕度：50%±5%，試驗時環(huán)境溫度的波動不應(yīng)超過1℃。

9.5測試系統(tǒng)

測試系統(tǒng)如圖4所示。

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T/CSTMXXXXX—2022

圖4PIM測試系統(tǒng)

9.6程序

9.6.1PIM的環(huán)境老化影響

9.6.1.1初始值測量

本方法測量程序如下：

a)設(shè)置信號源輸出頻率和功率。

b)PIM測試線纜和負(fù)載檢驗，保證測試線纜和負(fù)載測試結(jié)果≤-120dBm。

c)連接測試樣品，測試樣品的PIM，P0。

9.6.1.2環(huán)境老化試驗

參考第5節(jié)環(huán)境試驗測試方法要求進(jìn)行。

9.6.1.3環(huán)境老化試驗后的PIM

環(huán)境老化試驗后傳輸損耗的測量有以下兩種方法：

方法A：

a)樣品完成環(huán)境老化試驗后出箱，將試樣應(yīng)置于105℃﹢5℃/-2℃高溫干燥箱中烘干處理2h＋

10min/-0min。

b)測試前將測試試樣放置在測試環(huán)境內(nèi)冷卻至室溫30min。

c)設(shè)置信號源輸出頻率和功率。

d)連接測試樣品，測試樣品的PIM，P1。

方法B：

a)樣品完成環(huán)境老化試驗后立即出箱。

b)放置在測試環(huán)境內(nèi)冷卻至室溫，30min內(nèi)完成測試。

c)設(shè)置信號源輸出頻率和功率。

d)連接測試樣品，測試樣品的PIM，P1。

9.7試驗報告

除4.2的規(guī)定外，試驗報告還應(yīng)包括：

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T/CSTMXXXXX—2022

a)信號源輸出頻率和功率；

b)預(yù)處理條件；

c)環(huán)境老化條件；

d)測試結(jié)果。

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T/CSTMXXXXX—2022

附錄A

（資料性）

起草單位和主要起草人

本文件起草單位：工業(yè)和信息化部電子第五研究所、

本文件主要起草人：XXXXX

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T/CSTMXXXXX—2022

參考文獻(xiàn)

[1]ISOXXXXXXXX

[2]GB/TXXXXXXXXXX

[3]XXXXX

_________________________________

19

T/CSTMXXXXX—2022

目次

前言..................................................................................................................................................................3

引言..................................................................................................................................................................4

1范圍..................................................................................................................................................................5

2規(guī)范性引用文件..............................................................................................................................................5

3術(shù)語和定義......................................................................................................................................................5

4一般要求..........................................................................................................................................................6

4.1試驗條件...................................................................................................................................................6

4.2試驗報告...................................................................................................................................................7

5環(huán)境測試方法..................................................................................................................................................7

5.1高溫試驗...................................................................................................................................................7

5.2低溫試驗...................................................................................................................................................7

5.3溫度循環(huán)試驗...........................................................................................................................................7

5.4濕熱試驗...................................................................................................................................................7

6傳輸損耗..........................................................................................................................................................7

6.1目的...........................................................................................................................................................7

6.2試樣...........................................................................................................................................................7

6.3儀器設(shè)備...................................................................................................................................................7

6.4測試環(huán)境條件...........................................................................................................................................8

6.5程序...........................................................................................................................................................8

6.6試驗報告.................................................................................................................................................10

7特性阻抗........................................................................................................................................................10

7.1目的.........................................................................................................................................................10

7.2試樣.........................................................................................................................................................10

7.3儀器設(shè)備.................................................................................................................................................10

7.4測試環(huán)境條件..........................................................................................................................................11

7.5程序..........................................................................................................................................................11

7.6試驗報告.................................................................................................................................................13

8介電常數(shù)、損耗角正切值............................................................................................................................13

8.1試樣.........................................................................................................................................................13

8.2儀器設(shè)備.................................................................................................................................................13

8.3測試環(huán)境條件.........................................................................................................................................14

8.4程序.........................................................................................................................................................14

8.5試驗報告.................................................................................................................................................14

9無源互調(diào)測試PIM........................................................................................................................................15

9.1目的.........................................................................................................................................................15

9.2試樣.........................................................................................................................................................15

9.3儀器設(shè)備.................................................................................................................................................15

9.4測試環(huán)境條件.........................................................................................................................................15

9.5測試系統(tǒng).................................................................................................................................................15

9.6程序.........................................................................................................................................................16

1

T/CSTMXXXXX—2022

9.7試驗報告.................................................................................................................................................16

附錄A（資料性）起草單位和主要起草人...................................................................................................18

2

T/CSTMXXXXX—2022

高溫、低溫、溫度循環(huán)、濕度載荷下微波參數(shù)測試方法

重要提示（危險或警告或注意）：使用本文件的人員應(yīng)有正規(guī)實驗室工作的實踐經(jīng)驗。本文件并未

指出所有可能的安全問題。使用者有責(zé)任采取適當(dāng)?shù)陌踩徒】荡胧?，并保證符合國家有關(guān)法規(guī)規(guī)定的

條件。

1范圍

本文件規(guī)定了覆銅板和印制電路板的高溫、低溫、溫度循環(huán)、濕度載荷下微波參數(shù)的測試方法。

本文件適用于覆銅板和印制電路板環(huán)境載荷下微波參數(shù)的測試，其微波參數(shù)包括：傳輸損耗、特性阻抗、

介電常數(shù)、介質(zhì)損耗角正切值和無源互調(diào)PIM測試。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅

該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。

GB/T2036印制電路術(shù)語和定義

GB/T2423.1-2008環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗A：低溫

GB/T2423.2-2008環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗B：高溫

GB/T2423.3-2006電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗Cab：恒定濕熱試驗

GB/T2423.22-2012環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗N：溫度變化

T/CSTMXXXXX-202X高頻介質(zhì)基板的介電常數(shù)和介質(zhì)損