HBM算力卡核心組件國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈有望受益2024

HBM算力卡核心組件，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈有望受益10% 0%-10%-20%-30%-40%電子滬深30007/2309/2312/2302/2404/2407/24資料來源：Wind，甬興證券研究所《企業(yè)級需求支撐NAND價(jià)格，三γDRAM試產(chǎn)順利》于高性能數(shù)據(jù)中心，有望適用于提高人工智能生成相關(guān)的機(jī)器學(xué)習(xí)，故其應(yīng)用標(biāo)志著高性能存儲在數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用迎來新時(shí)代。％，業(yè)有望持續(xù)受益。片需求上漲。我們認(rèn)為美光事件或利好存儲商將同時(shí)受益于供應(yīng)鏈國產(chǎn)份額的提升及存儲芯片行業(yè)的景氣周期復(fù)蘇。各地相繼出臺支持算力發(fā)展相關(guān)政策，帶動硬件建設(shè)需求。中長期來看，我們認(rèn)為存在三因素共振：存儲周期回暖、國產(chǎn)推進(jìn)順利以度受益，建議關(guān)注國內(nèi)HBM產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)廠商： 3 3 4 5 5 7 122.3.核心技術(shù)硅通孔（TSV）提升存儲系統(tǒng)性能 14 15 17 17 17 19 19 19 22 22 23 23 24 3 6 6 7 8 9 9 10 10 12 13 13 13 14 15 16 16 17 18 21 22 4 20SKHynix開發(fā)出全球首款第三代HBMDRAM，并于2022年量產(chǎn)。HBM3芯片組合而成，作為高價(jià)值產(chǎn)品其主要是提高數(shù)據(jù)處理速度。HBM3能夠們認(rèn)為，HBM3將搭載于高性能數(shù)據(jù)中心，有望適用于提高人工智能生成相關(guān)的機(jī)器學(xué)習(xí)，故其應(yīng)用標(biāo)志著高性能存儲在數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用迎來新時(shí)資料來源：SKHynix官網(wǎng)，甬興證券研究所品請求，英偉達(dá)宣布其采用增強(qiáng)型HBM3EDRAM應(yīng)用于新一代加速卡SkHynix官網(wǎng)報(bào)道，公司率先成功模為25.2億美元，到2029年將達(dá)到79.5億美元，2024-2029年年復(fù)合增長業(yè)有望持續(xù)受益。表1:目前搭載HBM和GDDR的相關(guān)GPUAMDRadeonR9FuryXNVIDIAA10080GB資料來源：奎芯科技，甬興證券研究所一方面是高端芯片國產(chǎn)替代的大趨勢，另一方面是在人工智能發(fā)展的大背21日中國宣布美國芯片制造商美光公司在華銷售的產(chǎn)品未通過網(wǎng)絡(luò)安全時(shí)受益于供應(yīng)鏈國產(chǎn)份額的提升及存儲芯片行業(yè)的景氣周期復(fù)蘇。于預(yù)期。存儲芯片價(jià)格向上拐點(diǎn)初顯，或?qū)⒂瓉砩痰臐q價(jià)要求，帶動在智慧手機(jī)、PC、資料中心服務(wù)器上用于暫時(shí)儲存數(shù)產(chǎn)生量將達(dá)到48.6ZB，超越美國成為全球第一大數(shù)據(jù)產(chǎn)生國。但料，高帶寬存儲器（HBM）是一項(xiàng)先進(jìn)的高性能技術(shù)，它通過使用硅通孔項(xiàng)技術(shù)，或?qū)⒊掷m(xù)受益。在汽車領(lǐng)域隨著ADAS發(fā)展，汽車攝像頭數(shù)將快速增長，攝像頭與處理器間需更大帶寬，HBM需求或?qū)⑻嵘?。在AR/VR/MR領(lǐng)域，攝像頭、顯示器HBM（HighBandwidthMemory）高帶寬存儲器，被視作是新一代料，高帶寬存儲器（HBM）是一項(xiàng)先進(jìn)的高性能技術(shù)，它通過使用硅通孔資料來源：AMD，甬興證券研究所數(shù)據(jù)傳輸路徑隨著每一代產(chǎn)品的發(fā)展而顯著資料來源：SKHynix，甬興證券研究所海力士官網(wǎng)資料，由于采用了系統(tǒng)級封裝（SIP）和硅通孔（TSV）資料來源：AMD，甬興證券研究所道，JEDEC定義了三種主要類型的DRAM：標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存的雙倍數(shù)據(jù)速率(DDRx)；低功耗DDR(LPDDRx)，主要用于移動或電池供電設(shè)備；圖形DDR(GDDRx)，最初是為高速圖形應(yīng)用程序設(shè)計(jì)的，但也用于其他應(yīng)用程資料來源：Synopsys，甬興證券研究所率已經(jīng)超過7GHz，提升空間較小。另外，GDDR5都面臨著“占地面積”的提升。資料來源：SKHynix，甬興證券研究所資料來源：超能網(wǎng)，甬興證券研究所偽通道模式(PseudoChannel偽通道模式可優(yōu)化內(nèi)存訪問并降低延遲，從而提高有效帶寬。HBM2的其他改進(jìn)包括用于通道的硬修復(fù)和軟修復(fù)的通道重新映射模式以及防過熱保資料來源：SKHynix，甬興證券研究所資料來源：SKHynix，甬興證券研究所度相同，適用于AI、HPC等容量密集型的一個(gè)重要新增功能當(dāng)屬定制設(shè)計(jì)的ECC校驗(yàn)（OnDie-ErrorCorrecting資料來源：SKHynix，甬興證券研究所為新一代高帶寬內(nèi)存確定了發(fā)展方向。資料來源：JEDEC，甬興證券研究所資料來源：《高帶寬存儲器的技術(shù)演進(jìn)和測試挑戰(zhàn)》工業(yè)和信息化部電子第五研究所2023年2月陳煜海等，甬興證券研究所HBM4標(biāo)準(zhǔn)即將定稿，堆棧通道數(shù)較HBM3或?qū)⒎?。根?jù)準(zhǔn)即將定稿，在更高的帶寬、更低的功耗、增加裸晶/堆棧性能之外，還進(jìn)確保如果需要，單個(gè)控制器可以同時(shí)使用HBM3和HBM4。不同的配置將戶在基于HBM3組成的系統(tǒng)中，無需修改資料來源：SKHynix，甬興證券研究所比，HBM3E的數(shù)據(jù)傳輸速率更快，熱響應(yīng)更強(qiáng)，單片密度提高了50%。資料來源：美光官網(wǎng)，甬興證券研究所資料來源：美光官網(wǎng)，甬興證券研究所向英偉達(dá)等客戶交付樣品，預(yù)估2024年會有訂單入賬。美光表示旗下的偉達(dá)的要求。在整個(gè)硅晶圓厚度上打孔的技術(shù)，從而在芯片正面和背面之間形成數(shù)千個(gè)垂直互連。在早期，TSV技術(shù)僅被視為一種用于取代引線鍵合技術(shù)的封裝技術(shù)。該技術(shù)已經(jīng)成為一種提升DRAM性能和密度的重要手段。如今，DRAM行業(yè)已經(jīng)成功應(yīng)用TSV，以克服容量和TSVDRAM和高帶寬存儲器（HighBandwid資料來源：SKHynix，甬興證券研究所寬。即使是具有8個(gè)存儲器通道的最先進(jìn)的CPU平臺，其速度也只能達(dá)到以單獨(dú)用作緩存，也可以用作兩層存儲中的第一層。資料來源：SKHynix，甬興證券研究所SKHynix通過強(qiáng)化學(xué)習(xí)技術(shù)，優(yōu)化偏移問題，減少HBM整個(gè)傳輸路徑的偏移。根據(jù)SKHynix官網(wǎng)資料，芯片的尺寸限制了傳機(jī)器學(xué)習(xí)。強(qiáng)化學(xué)習(xí)（Reinforcementlearni資料來源：SKHynix，甬興證券研究所哪一個(gè)分級與精確循環(huán)的外部時(shí)鐘輸入具有相同的周期，并基于該數(shù)據(jù)自變化，時(shí)鐘時(shí)序通常會將時(shí)鐘移動到一側(cè)，而PVT感知時(shí)序優(yōu)化技路徑優(yōu)化、基于機(jī)器學(xué)習(xí)的信號線路優(yōu)化、P資料來源：SKHynix，甬興證券研究所存市場規(guī)模估計(jì)在2023年為20.4億美元，預(yù)計(jì)到2028年將達(dá)到63.2億美元，2023-2028年或?qū)⒁?5.36%的復(fù)合年增長率增長。推動高帶寬內(nèi)存（HBM）市場增長的主要因素包括對高帶寬，低功耗和高度可擴(kuò)展內(nèi)存的車和其他應(yīng)用領(lǐng)域預(yù)計(jì)將大幅增長。由于自動駕駛汽資料來源：MordorIntelligence，甬興證券研究所Intelligence報(bào)告，HBM內(nèi)存在北美的高采用率主要是由于高性能計(jì)算（HPC）應(yīng)用的增長，這些應(yīng)用需要高帶寬內(nèi)存解息化技術(shù)的的深入發(fā)展，各大領(lǐng)域?qū)τ诟咝阅軆Υ嫫鳟a(chǎn)品的需求將持續(xù)增2023年底至2024年初量產(chǎn)，HBM市占率分別為38%及9%。資料來源：AnySilicon，甬興證券研究所還有較大的距離，因此其發(fā)展空間較大，并有望受益于算力需求的長期驅(qū)動。我們認(rèn)為目前中國HBM市場主要由三星及S先進(jìn)的技術(shù)、持續(xù)迭代的產(chǎn)品及服務(wù)能力占據(jù)中國乃至全球主要HBM市業(yè)將加快涉足該行業(yè)步伐。公司為業(yè)內(nèi)少數(shù)擁有完整SPD產(chǎn)品組合和技術(shù)儲備的企業(yè)。根據(jù)公模組的相關(guān)信息以及模組上內(nèi)存顆粒和相關(guān)器件的所有配置參數(shù)，并集成模組不可或缺的組件，也是內(nèi)存管理系統(tǒng)的關(guān)鍵組成部分。公司自DDR2世代起即研發(fā)并銷售配套DDR2/3/4內(nèi)存模組的系列并實(shí)現(xiàn)了在相關(guān)細(xì)分市場的領(lǐng)先地位。瀾起科技是一家集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)，主要產(chǎn)品包括內(nèi)存接局與DDR4世代類似，全球只有三家供應(yīng)商可提供DDR5第一子代的量場份額保持穩(wěn)定。在公司內(nèi)存接口芯片及內(nèi)存模組配套芯片主要的下游客存緩沖解決方案；DDR4內(nèi)存接口芯片已成功進(jìn)入全球主流領(lǐng)域，并在為新一代服務(wù)器平臺提供完全符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的高性能內(nèi)存接口解決方定機(jī)構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會的董事會成員之一，在JEDEC下屬的三個(gè)三子代內(nèi)存接口芯片及第一子代高帶寬內(nèi)存接口芯片MDB等，并積極參內(nèi)存接口芯片需與各種內(nèi)存顆粒及內(nèi)存模組進(jìn)行配套，并通過CPU廠商儲內(nèi)存模組的相關(guān)信息和實(shí)現(xiàn)內(nèi)存模組的電源及溫度管理。這些芯片適用提供完整的內(nèi)存接口及模組配套芯片解決方案，是目前全球可提供全套解決方案的兩家公司之一。DDR5RCDDDR5RCDDDR5DB///資料來源：瀾起科技官網(wǎng)，甬興證券研究所公司是全球能夠提供PCIe4.0Retimer芯片的三家企業(yè)之一；在PCIe5.0家宣布量產(chǎn)該產(chǎn)品的廠家。作為PCIe相關(guān)的底層技術(shù)，公司的SerdesIP資料來源：瀾起科技官網(wǎng)，甬興證券研究所控制器芯片，屬于CXL協(xié)議所定義的第三種設(shè)備類型。該芯片支持JEDECDDR4和DDR5標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)也符合CXL2.幅提升系統(tǒng)性能的同時(shí)，顯著降低軟件堆棧復(fù)雜性和數(shù)據(jù)中心總體擁有成資料來源：瀾起科技官網(wǎng)，甬興證券研究所聯(lián)瑞新材是長期聚焦于硅微粉行業(yè)，具備較深護(hù)城河。公司的主要產(chǎn)提高存儲芯片間互通能力的重要解決方案，但這種方案會帶來封裝高度提應(yīng)用領(lǐng)域的先進(jìn)技術(shù)，持續(xù)推出了多種規(guī)格低CUT點(diǎn)Lowα微米/亞微米球形硅微粉、球形氧化鋁粉，高頻高速覆銅板用低損耗/超低損耗球形硅微粉等產(chǎn)品。系統(tǒng)中開發(fā)明暗場結(jié)合激光光學(xué)技術(shù)，針對晶圓鍵合工藝中thinning、TSV制程工藝的不良監(jiān)控，獲得了客戶的充分認(rèn)可并成功獲得批量設(shè)備訂環(huán)氧塑封料行業(yè)排名前列，隨著先進(jìn)封裝技術(shù)持續(xù)發(fā)展，公司有望持綁線、注塑成型和壓縮模塑成型的全套模擬客戶封裝能力的先進(jìn)封裝與測的產(chǎn)品生產(chǎn)，并以此為基礎(chǔ)依托公司在該領(lǐng)域具有創(chuàng)新性與前瞻性的技術(shù)與產(chǎn)品布局，積極配合業(yè)內(nèi)主要廠商對技術(shù)與工藝難點(diǎn)全面深入開展先進(jìn)公司Low-α球形氧化鋁可用于HBM封裝。根據(jù)投資者互動平臺，公未來若下游終端需求不及預(yù)期，則存在產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)公司業(yè)績發(fā)生較大波動請務(wù)必閱讀報(bào)告正文后各項(xiàng)聲明本報(bào)告署名分析師具有中國證券業(yè)協(xié)會授予的證券投資咨詢執(zhí)業(yè)資格并注冊為證券分析師，以勤勉盡責(zé)的職業(yè)態(tài)度，專業(yè)審慎的研究方法，獨(dú)立、客觀地出具本報(bào)告，保證報(bào)告采用的信息均來自合規(guī)渠道，并對本報(bào)告的內(nèi)容和觀點(diǎn)負(fù)責(zé)。負(fù)責(zé)準(zhǔn)備以及撰寫本報(bào)告的所有研究人員在此保證，本報(bào)告所發(fā)表的任何觀點(diǎn)均清晰、準(zhǔn)確、如實(shí)地反映了研究人員的觀點(diǎn)和結(jié)論，并不受任何第三方的授意或影響。此外，所有研究人員薪酬的任何部分不曾、不與、也將不會與本報(bào)告中的具體推薦意見或觀點(diǎn)直接或間接相關(guān)。甬興證券有限公司經(jīng)中國證券監(jiān)督管理委員會核準(zhǔn)，取得證券投資咨詢業(yè)務(wù)許可，具備證券投資咨詢業(yè)務(wù)資格。股票投資評級：分析師給出下列評級中的其中一項(xiàng)代表其根據(jù)公司基本面及（或）估值預(yù)期以報(bào)告日起6個(gè)月內(nèi)公司股價(jià)相對于同期市場基準(zhǔn)指數(shù)表現(xiàn)的看法。買入股價(jià)表現(xiàn)將強(qiáng)于基準(zhǔn)指數(shù)20%以上增持股價(jià)表現(xiàn)將強(qiáng)于基準(zhǔn)指數(shù)5-20%中性股價(jià)表現(xiàn)將介于基準(zhǔn)指數(shù)±5%之間減持股價(jià)表現(xiàn)將弱于基準(zhǔn)指數(shù)5%以上行業(yè)投資評級：分析師給出下列評級中的其中一項(xiàng)代表其根據(jù)行業(yè)歷史基本面及（或）估值對所研究行業(yè)以報(bào)告日起12個(gè)月內(nèi)的基本面和行業(yè)指數(shù)相對于同期市場基準(zhǔn)指數(shù)表現(xiàn)的看法。增持行業(yè)基本面看好，相對表現(xiàn)優(yōu)于同期基準(zhǔn)指數(shù)行業(yè)基本面穩(wěn)定，相對表現(xiàn)與同期基準(zhǔn)指數(shù)持平減持行業(yè)基本面看淡，相對表現(xiàn)弱于同期基準(zhǔn)指數(shù)相關(guān)證券市場基準(zhǔn)指數(shù)說明：A股市場以滬深300指數(shù)為基準(zhǔn)；港股市場以恒生指數(shù)為基準(zhǔn)；新三板市場以三板成指（針對協(xié)議轉(zhuǎn)讓標(biāo)的）或三板做市指數(shù)（針對做市轉(zhuǎn)讓標(biāo)的）為基準(zhǔn)指數(shù)。投資評級說明：不同證券研究機(jī)構(gòu)采用不同的評級術(shù)語及評級標(biāo)準(zhǔn)，投資者應(yīng)區(qū)分不同機(jī)構(gòu)在相同評級名稱下的定義差異。本評級體系采用的是相對評級體系。投資者買賣證券的決定取決于個(gè)人的實(shí)際情況。投資者應(yīng)閱讀整篇報(bào)告，以獲取比較完整的觀點(diǎn)與信息，投資者不應(yīng)以分析師的投資評級取代個(gè)人的分析與判斷。在法律許可的情況下，甬興證券有限公司(以下簡稱“本公司”）或其關(guān)聯(lián)機(jī)構(gòu)可能會持有報(bào)告中涉及的公司所發(fā)行的證券或期權(quán)并進(jìn)行交易，也可能為這些公司提供或爭取提供投資銀行、財(cái)務(wù)顧問以及金融產(chǎn)品等各種服務(wù)。因此，投資者應(yīng)當(dāng)考慮到本公司或其相關(guān)人員可能存在影響本報(bào)告觀點(diǎn)客觀性的潛在利益沖突，投資者請勿將本報(bào)告視為投資或其他決定的唯一參考依據(jù)。也不應(yīng)當(dāng)認(rèn)為本報(bào)告可以取代自己的判斷。本報(bào)告版權(quán)歸屬于本公司所有，屬于非公開資料。本公司對本報(bào)告保留一切權(quán)利。未經(jīng)本公司事先書面許可，任何機(jī)構(gòu)或個(gè)人不得以任何形式翻版、復(fù)制、轉(zhuǎn)載、刊登和引用本報(bào)告中的任何內(nèi)容。否則由此造成的一切不良后果及法律責(zé)任由私自翻版、復(fù)制、轉(zhuǎn)載、刊登和引用者承擔(dān)。請務(wù)必閱讀報(bào)告正文后各項(xiàng)聲明本報(bào)告由本公司發(fā)布，僅供本公