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班級(jí)姓名學(xué)號(hào)分?jǐn)?shù)第三章晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(A卷·知識(shí)通關(guān)練)核心知識(shí)1晶體的理解與判斷科學(xué)研究表明,物質(zhì)含有許多種聚集狀態(tài),下列關(guān)于物質(zhì)聚集狀態(tài)的描述錯(cuò)誤的是A.等離子體的外觀為氣態(tài)B.液晶和液態(tài)是物質(zhì)的兩種聚集狀態(tài)C.等離子體的基本構(gòu)成粒子只有陰、陽(yáng)離子D.離子液體是熔點(diǎn)不高的僅由離子組成的液體物質(zhì)下列有關(guān)晶體常識(shí)的敘述錯(cuò)誤的是A.水晶屬于晶體,有固定的熔點(diǎn),而玻璃無(wú)固定的熔點(diǎn),屬于非晶體B.當(dāng)單一波長(zhǎng)的X-射線通過(guò)晶體時(shí)可以看到明顯的分立的斑點(diǎn)或者譜線C.晶體都具有自范性。自范性是晶體的本質(zhì)屬性D.晶體都具有規(guī)則的幾何外形,而非晶體都不具有規(guī)則的幾何外形下列關(guān)于晶體的說(shuō)法中,不正確的是①晶體中原子呈周期性有序排列,有自范性;而非晶體中原子排列相對(duì)無(wú)序,無(wú)自范性;②晶胞是晶體中最小的“平行六面體”;③呈粉末狀的固體物質(zhì)沒(méi)有規(guī)則的晶體外形,均不屬于晶體;④晶體內(nèi)部的微粒按一定規(guī)律呈周期性排列;⑤晶胞是晶體結(jié)構(gòu)的基本單元;⑥晶體盡可能采取緊密堆積的方式,以使其更穩(wěn)定。A.①②③ B.②③④ C.④⑤⑥ D.②③晶體是一類非常重要的材料,在很多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。我國(guó)現(xiàn)已能夠拉制出直徑為300mm、重達(dá)81kg的大直徑硅單晶,晶體硅大量用于電子產(chǎn)業(yè)。下列敘述正確的是(
)A.形成晶體硅的速率越快越好B.晶體硅有固定的熔沸點(diǎn),研碎后就變成了非晶體C.可用X射線衍射實(shí)驗(yàn)來(lái)鑒別晶體硅和玻璃D.晶體硅的形成與晶體的自范性有關(guān),而與各向異性無(wú)關(guān)下列物質(zhì)中,常溫下屬于晶體的是__________(填序號(hào),下同),沒(méi)有固定熔點(diǎn)的固體是__________。①鋁
②氯化鉀
③氫氧化鈉
④二氧化碳⑤塑料
⑥玻璃
⑦鐵礦石
⑧硫酸⑨石蠟核心知識(shí)2晶胞中的粒子數(shù)目和晶體化學(xué)式的確定某離子化合物的晶胞如右圖所示立體結(jié)構(gòu),晶胞是整個(gè)晶體中最基本的重復(fù)單位。陽(yáng)離子位于此晶胞的中心,陰離子位于8個(gè)頂點(diǎn),該離子化合物中,陰、陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比是A.1∶8 B.1∶4 C.1∶2 D.1∶1已知冰晶石(Na3AlF6)熔融時(shí)的電離方程式為Na3AlF6=3Na++AlF。現(xiàn)有冰晶石的結(jié)構(gòu)單元如圖所示,位于大立方體頂點(diǎn)和面心,位于大立方體的12條棱的中點(diǎn)和8個(gè)小立方體的體心,是圖中、中的一種。下列說(shuō)法正確的是A.冰晶石是共價(jià)晶體B.大立方體的體心處代表Al3+C.與Na+距離相等且最近的Na+有6個(gè)D.冰晶石晶體的密度約為g?cm-3一種儲(chǔ)氫合金的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。在晶胞中Cu原子處于面心,Au原子處于頂點(diǎn)位置。實(shí)現(xiàn)儲(chǔ)氫功能時(shí),氫原子可進(jìn)入由Cu原子與Au原子構(gòu)成的四面體空隙中心,若所有四面體空隙都填滿,該晶體儲(chǔ)氫后的化學(xué)式為A. B. C. D.科學(xué)家進(jìn)行了利用CaF2晶體中釋放出的Ca2+和F-脫除硅烷的研究,拓展了金屬氟化物材料的生物醫(yī)學(xué)功能。下列說(shuō)法正確的是A.F、Si和Ca三種元素均位于元素周期表的p區(qū)B.鍵能:Si-O鍵>Si-Si鍵,因此自然界中硅元素以二氧化硅或硅酸鹽形式存在為主C.CaF2晶胞中,A處原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為,則B處原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為D.脫除硅烷反應(yīng)速率高度依賴晶體提供自由氟離子的能力,因此脫除硅烷能力:現(xiàn)有四種晶體,晶體的一部分結(jié)構(gòu)如圖所示(已知內(nèi)部構(gòu)成的粒子均為單原子核粒子)。晶體的化學(xué)式正確的是A. B.C. D.核心知識(shí)3分子晶體和共價(jià)晶體下列有關(guān)分子晶體的說(shuō)法正確的有①分子晶體的構(gòu)成微粒是分子,都具有分子密堆積的特征②冰融化時(shí),分子中H-O鍵發(fā)生斷裂③分子晶體在水溶液中均能導(dǎo)電④分子晶體中,分子間作用力越大,通常熔點(diǎn)越高⑤分子晶體中,共價(jià)鍵鍵能越大,該分子晶體的沸點(diǎn)一定越高⑥所有的非金屬氫化物都是分子晶體⑦所有分子晶體中既存在分子間作用力又存在化學(xué)鍵A.1項(xiàng) B.2項(xiàng) C.3項(xiàng) D.4項(xiàng)根據(jù)下列性質(zhì)判斷所描述的物質(zhì)可能屬于分子晶體的是()A.熔點(diǎn)1070℃,易溶于水,水溶液能導(dǎo)電B.熔點(diǎn)1128℃,沸點(diǎn)4446℃,硬度很大C.熔點(diǎn)10.31℃,液態(tài)不導(dǎo)電,水溶液能導(dǎo)電D.熔點(diǎn)97.81℃,質(zhì)軟,導(dǎo)電,密度0.97g/cm3為白色晶體,與足量的NaOH反應(yīng)生成,的結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A.中形成的鍵長(zhǎng):B.根據(jù)結(jié)構(gòu)可知,易溶于水C.白色晶體屬于分子晶體D.中B為+3價(jià),屬于三元弱酸金剛石具有硬度大、熔點(diǎn)高等特點(diǎn),大量用于制造鉆頭、金屬切割刀具等。其結(jié)構(gòu)如圖所示,下列判斷正確的是()A.金剛石中C—C鍵的鍵角均為109°28′,所以金剛石和CH4的晶體類型相同B.金剛石的熔點(diǎn)高與C—C鍵的鍵能無(wú)關(guān)C.金剛石中碳原子個(gè)數(shù)與C—C鍵鍵數(shù)之比為1∶2D.金剛石的熔點(diǎn)高,所以在打孔過(guò)程中不需要進(jìn)行澆水冷卻干冰和二氧化硅晶體同屬第ⅣA族元素的最高價(jià)氧化物,它們的熔、沸點(diǎn)差別很大的原因是A.干冰為分子晶體,二氧化硅為原子晶體B.C=O鍵鍵能比Si—O鍵鍵能小C.二氧化硅的相對(duì)分子質(zhì)量大于二氧化碳的相對(duì)分子質(zhì)量D.干冰易升華,二氧化硅不能核心知識(shí)4金屬晶體和離子晶體如圖是金屬晶體內(nèi)部電子氣理論圖。電子氣理論可以用來(lái)解釋金屬的某些性質(zhì)。下列說(shuō)法正確的是A.金屬能導(dǎo)電是因?yàn)榻饘訇?yáng)離子在外加電場(chǎng)作用下定向移動(dòng)B.金屬能導(dǎo)熱是因?yàn)樽杂呻娮釉跓岬淖饔孟孪嗷ヅ鲎玻瑥亩l(fā)生熱的傳導(dǎo)C.金屬具有良好的延展性是因?yàn)樵谕饬Φ淖饔孟?,金屬晶體各原子層會(huì)發(fā)生相對(duì)滑動(dòng),但不會(huì)改變?cè)瓉?lái)的排列方式,而且自由電子可以起到類似軸承中滾珠之間潤(rùn)滑劑的作用D.合金與純金屬相比,由于增加了不同的金屬或非金屬,使電子數(shù)目增多,所以合金的延展性比純金屬?gòu)?qiáng)、硬度比純金屬小下列有關(guān)離子晶體的敘述錯(cuò)誤的是A.氯化鈉晶體中有個(gè)分子B.氯化鈉晶體中,每個(gè)周圍與它距離相等且最近的有個(gè)C.氯化銫晶體中,每個(gè)周圍緊鄰個(gè)D.平均每個(gè)晶胞中有個(gè)、個(gè)有關(guān)晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示,下列說(shuō)法中不正確的是A.在NaCl晶體中,距Cl—最近的Na+形成正八面體B.在CaF2晶體中,每個(gè)晶胞平均含有4個(gè)Ca2+C.在金剛石晶體中,碳原子與碳碳鍵個(gè)數(shù)的比為1∶2D.該氣態(tài)團(tuán)簇分子的分子式為EFKO2的晶體結(jié)構(gòu)與相似,可以看作是的位置用代替,的位置用代替(如圖),晶體中含有的啞鈴形O2-使晶胞沿一個(gè)方向拉長(zhǎng)。設(shè)為阿伏加德羅常數(shù)的值,下列對(duì)于晶體的描述正確的是A.一個(gè)晶胞的質(zhì)量為 B.的熔點(diǎn)比的熔點(diǎn)低C.一個(gè)晶胞中含有12個(gè) D.與距離最近且相等的共有4個(gè)物質(zhì)結(jié)構(gòu)理論推出:金屬鍵越強(qiáng),其金屬的硬度越大,熔、沸點(diǎn)越高。且研究表明,一般來(lái)說(shuō),金屬陽(yáng)離子半徑越小,所帶電荷越多,則金屬鍵越強(qiáng),由此判斷下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A.硬度:Mg>Al B.熔點(diǎn):Mg>CaC.硬度:Mg>K D.熔點(diǎn):Ca>K核心知識(shí)5過(guò)渡晶體與混合型晶體石墨晶體是層狀結(jié)構(gòu)。以下有關(guān)石墨晶體的說(shuō)法正確的有項(xiàng)①石墨晶體只有分子晶體和共價(jià)晶體的特征;②石墨是混合型晶體;③石墨中的C為sp2雜化;④石墨熔點(diǎn)、沸點(diǎn)都比金剛石低;⑤石墨中碳原子數(shù)和C—C鍵個(gè)數(shù)之比為1:2;⑥石墨和金剛石的硬度相同;⑦石墨層內(nèi)碳原子核間距比金剛石碳原子核間距大⑧石墨的導(dǎo)電性只能沿著石墨平面的方向A.3項(xiàng) B.4項(xiàng) C.5項(xiàng) D.6項(xiàng)石墨晶體是層狀結(jié)構(gòu)如圖。以下有關(guān)石墨晶體的說(shuō)法正確的是A.石墨的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)都比金剛石的低B.石墨中的C原子均為雜化C.每個(gè)六元環(huán)完全占有的碳原子數(shù)是2D.石墨晶體中存在的化學(xué)鍵有共價(jià)鍵、金屬鍵和范德華力構(gòu)想某鋰電池的負(fù)極材料晶體是鋰原子嵌入石墨烯層間,晶體結(jié)構(gòu)如圖。(1)石墨的硬度小、熔沸點(diǎn)高的原因分別是____。(2)如圖晶體的化學(xué)式為_(kāi)___。(1)石墨晶體由層狀石墨“分子”按ABAB方式堆積而成,如圖甲所示,圖中用虛線標(biāo)出了石墨的一個(gè)晶胞.該晶胞中含有的碳原子數(shù)為_(kāi)_________。甲(石墨晶胞)
乙(石墨烯)
丙(金剛石晶胞)
丁()(2)石墨烯是一種由單層碳原子構(gòu)成的平面結(jié)構(gòu)新型碳材料,如圖乙所示,石墨烯中含有的六元環(huán)個(gè)數(shù)為_(kāi)__________,下列有關(guān)石墨烯的說(shuō)法正確的是_________(填序號(hào))。a.晶體中碳原子間全部是碳碳單鍵b.石墨烯中所有碳原子處于同一個(gè)平面內(nèi)c.從石墨中剝離得到石墨烯需克服分子間作用力碳元素的單質(zhì)有多種形式,下圖依次是C60、石墨和金剛石的結(jié)構(gòu)圖:回答下列問(wèn)題:(1)金剛石、石墨、C60.、碳納米管等都是碳元素的單質(zhì)形式,它們互為_(kāi)______。(2)石墨烯(指單層石墨)中碳原子的雜化形式_______。(3)C60屬于_______晶體。(4)石墨晶體中,層內(nèi)C-C鍵的鍵長(zhǎng)為142pm,而金剛石中C-C鍵的鍵長(zhǎng)為154pm。其原因是金剛石中只存在C-C間的σ鍵,而石墨層內(nèi)的C-C間不僅存在σ鍵,還有_______鍵。(5)若金剛石晶胞的晶胞參數(shù)a=365.6pm,其密度為_(kāi)______g·cm-3(列出計(jì)算式即可)。(6)Ge與C是同族元素,比較下列鍺鹵化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn),分析其變化規(guī)律及原因_______。GeCl4GeBr4GeI4熔點(diǎn)/℃?49.526146沸點(diǎn)/℃83.1186約400(7)氮化硼(BN)晶體有多種相結(jié)構(gòu)。六方相氮化硼是通常存在的穩(wěn)定相,與石墨相似,具有層狀結(jié)構(gòu),可作高溫潤(rùn)滑劑。立方相氮化硼是超硬材料,有優(yōu)異的耐磨性。它們的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示。①關(guān)于這兩種晶體的說(shuō)法,正確的是_______(填序號(hào))。a.立方相氮化硼含有σ鍵和π鍵,所以硬度大
b.六方相氮化硼層間作用力小,所以質(zhì)地軟c.兩種晶體中的B-N鍵均為共價(jià)鍵
d.兩種晶體均為分子晶體②NH4BF4(氟硼酸銨)是合成氮化硼納米管的原料之一、1molNH4BF4含有_______mol配位鍵。核心知識(shí)6晶胞結(jié)構(gòu)的有關(guān)計(jì)算Li2S屬立方晶體,晶胞邊長(zhǎng)為dpm,晶胞截面圖如圖所示。則下列關(guān)于該晶胞的描述錯(cuò)誤的是:A.每個(gè)晶胞中含有的S2-數(shù)目為4B.與Li+距離最近且相等的S2-有8個(gè)C.該晶胞中兩個(gè)距離最近的Li+和S2-的核間距的計(jì)算表達(dá)式為pmD.Li2S晶體的密度為×1030g?cm-3晶胞中粒子數(shù)目的計(jì)算(1)銅晶胞①位于頂角上的銅原子為_(kāi)____________個(gè)晶胞共有。②位于面心上的銅原子為_(kāi)____________個(gè)晶胞共有。因此晶體銅中完全屬于某一晶胞的銅原子數(shù)是8×+6×=_____________。(2)NaCl晶胞①Cl-位于_____________和_____________,共有_____________個(gè)。②Na+位于_____________和_____________,共有_____________個(gè)。一種立方鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的金屬鹵化物光電材料的組成為、和有機(jī)堿離子,其晶胞如圖(b)所示。其中與圖(a)中_______的空間位置相同,有機(jī)堿中,N原子的雜化軌道類型是_______;若晶胞參數(shù)為anm,則晶體密度為_(kāi)______(列出計(jì)算式,設(shè)為阿伏加德羅常數(shù)的值)。鎳(28Ni)及其化合物在工業(yè)生產(chǎn)領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。(1)Ni在元素周期表中的位置是_______,前四周期元素中,基態(tài)原子含有未成對(duì)電子最多的元素的價(jià)層電子排布式為_(kāi)______。(2)如圖所示為NaCl的晶胞結(jié)構(gòu),NiO(氧化鎳)的晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同,Ni2+與最鄰近O2-的核間距離為a×10-8cm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,NiO晶體的密度是_______。(已知NiO的摩爾質(zhì)量為74.7g/mol)(3)天然的晶體和絕大部分人工制備的晶體都存在各種缺陷。例如,在某種氧化鎳晶體中就存在如圖所示的缺陷,一個(gè)Ni2+空缺,另有兩個(gè)Ni2+被兩個(gè)Ni3+所取代,其晶體仍呈電中性,但化合物中Ni和O的個(gè)數(shù)比卻發(fā)生了變化。某氧化鎳樣品組成為Ni0.97O,試計(jì)算該晶體中Ni3+與Ni2+的個(gè)數(shù)之比為_(kāi)______。填空。(1)下圖是由Q、R、G三種元素組成的一種高溫超導(dǎo)體的晶胞結(jié)構(gòu),其中R為+2價(jià),G為?2價(jià),則Q的化合價(jià)為_(kāi)______。(2)已知下圖所示晶體的硬度很可能比金剛石大,且原子間以單鏈結(jié)合,試根據(jù)下圖(晶體的一部分)確定該晶體的化學(xué)式為_(kāi)______(用A、B表示)。(3)圖(a)是的拉維斯結(jié)構(gòu),Mg以金剛石方式堆積,八面體空隙和半數(shù)的四面體空隙中,填入以四面體方式排列的Cu。圖(b)是沿立方格子對(duì)角面取得的截圖??梢?jiàn),Cu原子之間最短距離x=_______pm,Mg原子之間最短距離y=_______pm。設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為,則的密度是_______(列出計(jì)算表達(dá)式)。核心知識(shí)7配合物與超分子配合物Na2[Fe(CN)5(NO)]可用于離子檢驗(yàn),下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A.此配合物中存在離子鍵、配位鍵、極性鍵B.配離子為[Fe(CN)5(NO)]2-,中心離子為Fe3+,配位數(shù)為6C.1mol配合物中σ鍵數(shù)目為10NAD.該配合物為離子化合物,1mol該配合物含有陰、陽(yáng)離子的總數(shù)為3NA科學(xué)家近期合成了一種配合物,該物質(zhì)可以在溫和條件下活化H2,將N3-轉(zhuǎn)化為NH,反應(yīng)過(guò)程如圖所示。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A.產(chǎn)物中N原子的雜化軌道類型為sp3B.NH2-的VSEPR模型為四面體形C
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