GB/T 44797-2025微波混合集成電路合成頻率源

ICS31200

CCSL.57

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T44797—2025

微波混合集成電路合成頻率源

Microwavehybridintegratedcircuits—Synthesizedfrequencysources

2025-01-24發(fā)布2025-01-24實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T44797—2025

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出

。

本文件由全國(guó)集成電路標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC599)。

本文件起草單位中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院合肥寶發(fā)動(dòng)

:、、

力技術(shù)有限公司安徽松菱電器有限公司深圳市錦弘興科技有限公司山東省中智科標(biāo)準(zhǔn)化研究院有

、、、

限公司安徽大衍半導(dǎo)體科技有限公司

、。

本文件主要起草人朱大成郭文勝蔣旭東張加程王琪陳玲玲崔從俊吳賢斌

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T44797—2025

微波混合集成電路合成頻率源

1范圍

本文件規(guī)定了合成頻率源的定義技術(shù)要求和檢驗(yàn)規(guī)則標(biāo)志描述了測(cè)試方法

、、,。

本文件適用于采用微波混合集成電路工藝設(shè)計(jì)制造的合成頻率源

、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)低溫

GB/T2423.1—20082:A:

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)高溫

GB/T2423.2—20082:B:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分外部目檢

GB/T4937.3—20123:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分可焊性

GB/T4937.21—201821:

膜集成電路和混合膜集成電路總規(guī)范

GB/T8976—1996

集成電路術(shù)語(yǔ)

GB/T9178—1988

半導(dǎo)體器件集成電路第部分膜集成電路和混合膜集成電路分規(guī)范

GB/T11498—201821:

采用鑒定批準(zhǔn)程序

()

半導(dǎo)體器件集成電路第部分膜集成電路和混合膜集成電路空白

GB/T13062—201821-1:

詳細(xì)規(guī)范采用鑒定批準(zhǔn)程序

()

微波電路頻率源測(cè)試方法

GB/T35002—2018

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T9178—1988。

31

.

合成頻率源synthesizedfrequencysources

采用頻率合成技術(shù)產(chǎn)生的頻率源即通過(guò)對(duì)參考基準(zhǔn)頻率進(jìn)行某種數(shù)學(xué)運(yùn)算來(lái)獲取大量與參考基

,

準(zhǔn)頻率相同精確度的信號(hào)然后再根據(jù)實(shí)際需要來(lái)選擇所需的頻率

,。

注合成頻率源根據(jù)合成原理的不同主要分為三種直接合成頻率源鎖相式合成頻率源直接數(shù)字合成頻率源

::、、。

4參數(shù)分類和特性要求

41靜態(tài)參數(shù)