
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文檔簡介
2025/2/28第一章電磁場的數(shù)學(xué)、
物理基礎(chǔ)知識(shí)2025/2/28第一章
電磁場的數(shù)學(xué)、物理基礎(chǔ)知識(shí)1-1電磁場與矢量代數(shù)
1-2正交曲面坐標(biāo)系
1-3標(biāo)量場及其梯度1-4矢量場的通量、散度與高斯散度定理1-5矢量場的環(huán)量、旋度與斯托克斯定理1-6亥姆赫茲定理1-7電磁場麥克斯韋方程組1-8矢量場惟一性定理2025/2/281-1電磁場與矢量代數(shù)1.1.1矢量及其表示方法1.1.2矢量相加(疊加)
1.1.3矢量的乘積運(yùn)算2025/2/281.1.1
矢量及其表示方法一個(gè)由大小和方向共同確定的物理量叫做矢量。
,
2025/2/281.1.2矢量相加(疊加),
2025/2/281.1.3矢量的乘積運(yùn)算A?B=ABcosθ⑴A?B=B?A⑵(A+B)?C=A?C+B?C⑶λ(A
?B)=(λA)?
B=A?(λB)⑷若A⊥B,則A?B=01.矢量的標(biāo)量積dotproduct,
兩個(gè)標(biāo)量a與b相乘,標(biāo)量參數(shù)之間可用“
”號(hào)、“
?
”
號(hào)或什么符號(hào)也不加,都代表二者之間的倍數(shù)關(guān)系,即2025/2/282.矢量的矢量積crossproduct
⑴A×B≠B×AA×B=-B×A⑵C?(A+B)=C?A+C?B⑶λ(A×B)=(λA)×B=
A×(λB)⑷若A∥B,則A×B=0C=A×B=ABsinθec
ec為垂直于A、B平面的單位矢量,A、B、C服從右手螺旋法則。2025/2/283.矢量的混合積⑴轉(zhuǎn)換性
C?(A×B)=A?(B×C)=B?(C×A)
C
?
(
A×B)=|C|?|A×B|cosθ⑶三個(gè)矢量共面的條件
C
?
(
A×B)=0
Cx
Cy
Cz
C
?
(
A×B)=Ax
Ay
AzBx
ByBz⑵坐標(biāo)表示式2025/2/284.矢量的三重積
A×(B×C)⑴A×(B×C)≠(A×B)×C
不滿足結(jié)合律⑵A×(B×C)=(A?C)B-(A?B)C
2025/2/28
矢量代數(shù)運(yùn)算式均為矢量垂直于所在平面并與成右手螺旋關(guān)系。2025/2/28矢量代數(shù)運(yùn)算式2025/2/28
場的概念
場是一個(gè)以空間位置(x,y,z)和時(shí)間(t)為自變量的函數(shù)。標(biāo)量場矢量場穩(wěn)恒場均勻場——描繪場的函數(shù)為標(biāo)量函數(shù)φ=φ(x,y,z,t)——描繪場的函數(shù)為矢量函數(shù)A=A(x,y,z,t)——不隨時(shí)間變化的場φ(x,y,z),A(x,y,z)——不隨空間變化的場φ(t),A(t)2025/2/28
標(biāo)量體元
矢量面元
矢量線元矢量積分運(yùn)算矢量線積分矢量面積分標(biāo)量體積分2025/2/281-2正交曲面坐標(biāo)系矢量線元把長度元與坐標(biāo)元之比定義為拉梅(Lame)系數(shù)2025/2/28
直角坐標(biāo)系
2025/2/282025/2/28
圓柱坐標(biāo)系2025/2/282025/2/28
2025/2/28
球坐標(biāo)系2025/2/282025/2/28,
2025/2/282025/2/281-3標(biāo)量場及其梯度標(biāo)量場u(x,y,z)的等值面U(x,y,z)=const2025/2/28
標(biāo)量場的梯度(gradient)
梯度是描述標(biāo)量場各點(diǎn)最大空間變化率的量——矢量。2025/2/28▽:哈密爾頓算符(del)哈密爾頓算符
——是一個(gè)兼有微分運(yùn)算和矢量運(yùn)算雙重性質(zhì)的運(yùn)算符——服從矢量運(yùn)算的規(guī)則;——代表一種微分運(yùn)算,服從微分運(yùn)算規(guī)則。①▽本身無獨(dú)立意義,只有作用于標(biāo)量函數(shù)或矢量
函數(shù)時(shí)才代表一種運(yùn)算。②只對(duì)它后邊的量起運(yùn)算作用。不能隨便交換▽的
位置。▽矢量算子2025/2/28梯度的展開式
P82025/2/28
1-4矢量場的通量與散度矢量場A矢量線——曲線上任一點(diǎn)處場的矢量都沿著(位于)
該點(diǎn)的切線方向2025/2/28矢量場的描述有旋場無旋場2025/2/28矢量場的通量2025/2/28矢量場的散度(divergence)
散度也是描述矢量場的一種空間變化率,其數(shù)值表征矢量場中任一點(diǎn)處場源的流(發(fā))散程度——標(biāo)量2025/2/28散度展開式P112025/2/281-5矢量場的環(huán)量與旋度
若在閉合有向曲線l上,矢
量場A的方向處處與線元
dl的方向保持一致,則環(huán)
量大于零;若處處相反,
則環(huán)量小于零。因此,環(huán)
量既可以用來描述矢量場的渦旋特性,又可以根據(jù)其正負(fù)判斷矢量場的大致的旋轉(zhuǎn)方向。如果任意選擇一個(gè)閉合曲線,其環(huán)量總為零,則說明該矢量場為無旋場,否則稱為有旋場。若環(huán)量大于零,說明矢量場的渦旋方向與有向曲線的方向大體一致,否則旋轉(zhuǎn)方向與有向曲線的方向相逆。2025/2/28矢量場的旋度(curl)
也是一種空間最大變化率,描述矢量場中每一點(diǎn)的渦旋(旋轉(zhuǎn))強(qiáng)弱程度的量——矢量2025/2/28旋度的展開式
P14廣義正交曲面坐標(biāo)系中旋度的展開式為直角坐標(biāo)系中拉梅系數(shù)均為1,故2025/2/281-6矢量場中的常用定理梯度場、散度場和旋度場的關(guān)系定理矢量場的積分定理矢量場唯一性定理亥姆霍茲定理2025/2/28
⑴標(biāo)量場的梯度為無旋場;⑵矢量場的旋度為無源(散)場;⑶無旋場必可表示為標(biāo)量場的梯度;如,則必存在某一標(biāo)量場ψ,使
得。⑷無源場必可表示為另一矢量場的旋度;如,則必存在某一矢量場,使得。梯度場、散度場和旋度場
的關(guān)系定理2025/2/28
⑸如果一個(gè)矢量場B為另一個(gè)矢量場的旋度,即,則任意選擇的值,矢量場的值不受影響。
這說明不論是有源場,還是無源場,或取任何值,對(duì)的渦旋性皆無影響。即矢量場的散度和旋度是彼此獨(dú)立的,不能相互代替。因此,對(duì)于一個(gè)矢量場只有同時(shí)研究它的散度和旋度才能準(zhǔn)確的把握?qǐng)龅淖兓?guī)律。
2025/2/28(1)高斯(散度)定理2.矢量場的積分定理此定理揭示了矢量場的“表里”關(guān)系。(2)斯托克斯定理
此定理揭示了矢量場的“邊面”關(guān)系。2025/2/28
設(shè)有矢量場,在以S為界面的區(qū)域V內(nèi),它的散度和旋度及其S面上的法向分量均已知,3.矢量場唯一性定理2025/2/284.亥姆霍茲定理1)場與源,源與散度、旋度
矢量場是由場源激發(fā)出來的,應(yīng)把源看作是產(chǎn)生場的起因;矢量場的散度對(duì)應(yīng)于一個(gè)激發(fā)通量的源;矢量場的旋度對(duì)應(yīng)于一個(gè)激發(fā)渦旋量(環(huán)流量)的源。
進(jìn)一步說,用場的散度可唯一確場中任一點(diǎn)的通量源密度,用場的旋度可唯一確定場中任一點(diǎn)的環(huán)量源密度。2025/2/28
假如在有限空間τ內(nèi),一個(gè)場矢量的散度和旋度處處已給定,邊界條件也已確定,那么,這個(gè)矢量場就是給定的了.進(jìn)而這個(gè)矢量場還可用無旋場,一個(gè)標(biāo)量函數(shù)的梯度;無散場,一個(gè)矢量函數(shù)的旋度之和來表示,即2)定理2025/2/28說明:
無旋場應(yīng)存在如下關(guān)系:
無散場應(yīng)存在如下關(guān)系:2025/2/28
研究一個(gè)矢量場時(shí)一定要從散度和旋度兩個(gè)方面進(jìn)行。
既要導(dǎo)出矢量場散度應(yīng)滿足的關(guān)系,又要導(dǎo)出矢量場旋度應(yīng)滿足的關(guān)系,這種關(guān)系決定了場的基本性質(zhì),故又稱為微分形式的基本方程。也可用矢量沿閉合面的通量和矢量沿閉合路徑的環(huán)流去研究,從而得到積分形式的基本方程。3)定理的意義2025/2/281-7麥克斯韋方程組電荷守恒定律法拉弟電磁感應(yīng)定律修正的安培環(huán)路定律電場高斯定律磁場高斯定律2025/2/28微分形式的Maxwell方程
應(yīng)用斯托克斯定理、高斯散度定理于麥克斯韋積分形式的方程,可得相應(yīng)的微分形式的方程為2025/2/28積分方程與微分方程的對(duì)應(yīng)關(guān)系積分形式的麥克斯韋方程組
Maxwell’sEquationsinIntegralForm
從宏觀的角度描述電磁場的場量與場源之間的整體對(duì)應(yīng)關(guān)系
微分形式的麥克斯韋方程組
Maxwell’sEquationsinPointForm
從微觀的角度描述場域內(nèi)每個(gè)點(diǎn)處場量與場源之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系
在很多情況下人們對(duì)電磁場的局部特性更為關(guān)注,這就要求以微分形式的方程去分析問題。此時(shí)矢量分析就是必不可少的,所以在這個(gè)意義上說:
矢量分析是建立電磁場理論的語言工具第2章靜電場
2-1電場強(qiáng)度,電位一.電荷與電荷分布二.電場強(qiáng)度、庫侖定律三.電位函數(shù)
如果電荷只分布在面或線上,則定義電荷的面密度和線密度分別為
如果電荷分布在體積V內(nèi),則用電荷體密度(即體積電荷密度)來描述電荷在空間的分布。
要計(jì)算電荷總量,可應(yīng)用相應(yīng)的積分運(yùn)算求得。一.電荷與電荷分布源點(diǎn)、場點(diǎn)(直角坐標(biāo)系)源點(diǎn)——場源所在點(diǎn),點(diǎn)電荷、元電荷。(源點(diǎn))場點(diǎn)——要確定場量的點(diǎn),待求的點(diǎn)。(場點(diǎn))r’源點(diǎn)矢量場點(diǎn)矢量r源點(diǎn)到場點(diǎn)的矢量RRPQO(坐標(biāo)原點(diǎn))模
方向矢量
設(shè)靜止的源電荷周圍的空間內(nèi)某點(diǎn)處一個(gè)靜止的實(shí)驗(yàn)電荷q受到的靜電力為F,則該點(diǎn)的電場強(qiáng)度定義為N(牛[頓])C(庫)V/m(伏/米)ElectricFieldIntrisity二.電場強(qiáng)度、庫侖定律
場強(qiáng)E大的地方點(diǎn)電荷所受力也大,我們說場比較強(qiáng),反之,我們說場比較弱。注意:E的大小與qt無關(guān)。力如何求?
庫侖定律庫侖定律Coulemb’sLawrRq2q1or'F21點(diǎn)電荷產(chǎn)生的電場將電場強(qiáng)度的定義式與庫侖定律對(duì)比
即可得到點(diǎn)電荷在空間任意一點(diǎn)產(chǎn)生的電場強(qiáng)度的公式為點(diǎn)電荷分布電荷產(chǎn)生的電場
由點(diǎn)電荷的電場強(qiáng)度的公式可以得到體分布電荷的電場強(qiáng)度的公式
面分布電荷與線分布電荷的電場強(qiáng)度的公式相應(yīng)的分別為面分布電荷與線分布電荷產(chǎn)生的電場1.電位的定義(ElectricPotential)將試驗(yàn)電荷從A點(diǎn)移動(dòng)到B點(diǎn)電場力所做的功
移動(dòng)單位點(diǎn)電荷所做的功即定義為AB兩點(diǎn)之間的電位差伏特三.電位函數(shù)
設(shè)電場由點(diǎn)電荷q產(chǎn)生,任取一條曲線連接A、B兩點(diǎn),如下圖所示。
當(dāng)積分路徑是閉合回路,即A、B兩點(diǎn)重合時(shí)RA=RB,故ABqRARBdldRR2.靜電場的特性方程由斯托克斯定理靜電場是守恒場任意兩點(diǎn)之間的電位差與路徑無關(guān)靜電場是無旋場ABqRARBdldRR例已知真空中一靜電場的電場強(qiáng)度求系數(shù)c
。c=23.電位的計(jì)算把B點(diǎn)做為參考點(diǎn),即令A(yù)點(diǎn)相對(duì)于B點(diǎn)(參考點(diǎn))的電位則為當(dāng)參考點(diǎn)為無窮遠(yuǎn)點(diǎn)時(shí)點(diǎn)電荷在空間任意一點(diǎn)的電位即為體電荷、面電荷、線電荷的電位
對(duì)于體電荷、面電荷、線電荷的電位,可用場源積分法,分別求得4.電位與電場強(qiáng)度的對(duì)應(yīng)關(guān)系以體分布為例由于靜電場是無旋場如何利用電位求電場?由電位與電場強(qiáng)度的對(duì)應(yīng)關(guān)系可得或式中積分常數(shù)C由參考點(diǎn)確定。參考點(diǎn)的選取例如長直導(dǎo)線,線密度τ1)當(dāng)電荷分布在有限區(qū)域內(nèi)時(shí)選無窮遠(yuǎn)為參
考點(diǎn)。2)當(dāng)電荷分布在無限區(qū)域內(nèi)時(shí)選有限區(qū)域內(nèi)
的點(diǎn)為參考點(diǎn)。原則:盡量使電位計(jì)算公式簡單當(dāng)選rQ=1的柱面為參考點(diǎn)時(shí)5.線與等位面(線)每一點(diǎn)的切線方向即為該點(diǎn)電場強(qiáng)度的方向。等位面:電位φ相等的點(diǎn)組成的曲面。規(guī)則:相鄰等位面間電位差應(yīng)相等等位面越密,場強(qiáng)越大。E線E線方程由梯度定義可知E線與等位面處處正交2-2
高斯定理一.真空中的高斯定理二.導(dǎo)體三.電介質(zhì)四.介質(zhì)中的高斯定理一.真空中的高斯定理
真空中,由任意閉合面穿出的的通量等于閉合面內(nèi)所有電荷的代數(shù)和除以。2)點(diǎn)電荷系3)分布電荷1)點(diǎn)電荷二.導(dǎo)體Conductor
含大量自由電荷,電荷在電場中受電場力的作用定向運(yùn)動(dòng)。靜電場中的導(dǎo)體應(yīng)具有下列性質(zhì):1)導(dǎo)體內(nèi)E=0;2)導(dǎo)體為等位體,φ為常量;3)導(dǎo)體外的E處處垂直于表面;4)電荷只能分布在表面,即只有σ,不存在ρ。Φ=?σ如何確定?三.電介質(zhì)
Dielectric含束縛電荷,在電場作用下只能有微小的移動(dòng)。電介質(zhì)分子
在外電場作用下,非極性分子作用中心相對(duì)位移,極性分子電矩發(fā)生轉(zhuǎn)向,因此電矩向量之和不再為零。即電介質(zhì)發(fā)生了極化。極性分子非極性分子正負(fù)電荷作用中心重合。不重合,形成電偶極子。電矩方向不規(guī)則。電偶極子:+-d電偶極矩介質(zhì)的極化對(duì)電場的影響
極化使得束縛電荷的分布發(fā)生變化,從而在電介質(zhì)內(nèi)部或表面形成極化電荷。極化電荷產(chǎn)生的場如何描述?例2
電偶極子產(chǎn)生的電場電偶極子:+-d電偶極矩+-dzr-=rr+場點(diǎn)P的電位等于兩個(gè)點(diǎn)電荷電位的疊加解:例1-5公式推導(dǎo)
極化強(qiáng)度向量稱為極化強(qiáng)度向量,單位C/㎡可得元偶極子PdV在真空中任意點(diǎn)的電位為由電偶極子的電位電偶極子:+-d電偶極矩極化電荷產(chǎn)生的場電介質(zhì)對(duì)電場的影響可看成極化后極化電荷(束縛電荷)在真空中產(chǎn)生的電場。
設(shè)有自由電荷分布在導(dǎo)體表面S1上,體積V1。假想高斯面為S,體積為V。四.介質(zhì)中的高斯定理所以令介質(zhì)中的高斯定理電位移矢量D、E與P的關(guān)系方程式中χe稱為電極化率,是一個(gè)無單位的比例系數(shù)。
對(duì)于任意極化介質(zhì)當(dāng)介質(zhì)線性極化時(shí)相對(duì)介電常數(shù),無量綱。電介質(zhì)的介電常數(shù),單位為F/m。線性極化介質(zhì)
若電場分布具有對(duì)稱性,即D高斯面=常量,,取對(duì)稱面作為高斯面,化矢量的面積分為標(biāo)量面積分。先求E或D,再求φ。高斯定理的應(yīng)用Example
Letusselecta50-cmlengthofcoaxialcablehavinganinnerradiusof1mmandanouterradiusof4mm.Thespacebetweenconductorsisassumedtobefilledwithair.Thetotalchargeontheinnerconductoris30nC.Wewishtoknowthechargedensityoneachconductor,andtheEandDfields.
2-3
靜電場基本方程
與分界面上的銜接條件1.積分形式的基本方程(物理中學(xué)過)2.微分形式的基本方程(重點(diǎn))3.兩種介質(zhì)分界面的銜接條件(難點(diǎn))1.積分形式的基本方程
靜電系統(tǒng)的守恒定律。表明基本變量E在閉合回路上的環(huán)流特性,說明靜電場是一種守恒性的矢量場。
高斯定律。表明基本變量D在閉合面S上的通量特性。介質(zhì)特性方程。2.微分形式的基本方程由高斯散度定理可得由斯托克斯定理有Example
Giventhepotentialfield,φ=2x2y-5z,andapointP(-4,3,6),wewishtofindseveralnumericalvaluesatpointP:thepotentialφ,theelectricfieldintensityE,thedirectionofE,theelectricfluxdensityD,andthevolumechargedensityρ.
3.兩種介質(zhì)交界面的銜接條件介質(zhì)中靜電場的基本方程D2D1E1E2交界面法線方向的銜接條件柱面h<<SD2nD1nD2tD1t
式中σ是分界面上的自由電荷密度。當(dāng)分界面上沒有自由電荷時(shí),有對(duì)于此閉合面,高斯通量定律寫成法線方向的銜接條件還可寫成D2D1n例(解法二)解:利用微分形式的散度方程求解。對(duì)于球外的點(diǎn)(r>=a),有:對(duì)于球內(nèi)的點(diǎn)(r<=a),散度方程為:由邊界條件可知,當(dāng)r=a時(shí),D1=D2C1=0(r<=a)(r>=a)確定系數(shù)C1、C2
由于r0時(shí)電場應(yīng)為有限值分界面切線方向的銜接條件E2nE1nE2tE1t電場強(qiáng)度在矩形回路上的環(huán)量為零E1E2介質(zhì)分界面銜接條件小結(jié)當(dāng)分界面上沒有自由電荷時(shí),有或折射定律
Giventhepotentialfield,φ=100(x2-y2),andapointP(2,-1,3)thatisstipulatedtolieonaconductor-freespaceboundary,letusfindφ,E,D,andσatP,andalsotheequationoftheconductorsurface.
2-4靜電場邊值問題1.靜電場位函數(shù)方程2.邊值問題及其分類3.邊值問題的建立4.邊值問題的分析方法概述1.靜電場位函數(shù)方程
——泊松方程與拉普拉斯方程
由靜電場微分形式的基本方程靜電場泊松方程靜電場拉普拉斯方程ρ=0時(shí)是矢量算子,但是標(biāo)量算子。介質(zhì)分界面上位函數(shù)的銜接條件在不同的介質(zhì)分界面上電場強(qiáng)度的切向分量連續(xù)
的銜接條件用位函數(shù)表示為電位移法向分量的銜接條件
用位函數(shù)表示為例
半徑為a
的帶電導(dǎo)體球,已知球體電位為U(無窮遠(yuǎn)處電位為零),試求球外空間的電位函數(shù)分布。
解:球坐標(biāo)系位函數(shù)拉普拉斯方程為電場強(qiáng)度可求電位的負(fù)梯度得到:球內(nèi)電位分布?如果已知球面電位分布,如何求解?2.邊值問題及其分類第一類邊界條件:場域邊界上的電位值是給定的第二類邊界條件:場域邊界上電位的法向?qū)?shù)值是給定的第三類邊界條件:混合邊界條件注:場域周界的邊界條件與介質(zhì)分界面銜接條件是
兩個(gè)不同的概念邊值問題:泛定方程+定解條件=邊值問題位函數(shù)方程
場域周界的邊界條件
(介質(zhì)分界面銜接條件)3.邊值問題的建立(難點(diǎn))邊值問題:泛定方程+定解條件=邊值問題例2-122-134.邊值問題的分析方法概述邊值問題的求解
解析法數(shù)值法有限差分法有限元法間接法球坐標(biāo)系分離變量法直角坐標(biāo)系圓柱坐標(biāo)系保角變換法復(fù)位函數(shù)法復(fù)變函數(shù)法(二維平面場)鏡像法(電軸法)邊界元法矩量法直接解方程
Twoinfiniteradialplaneswithaninteriorangleα0.Aninfinitesimalgapexistsatρ=0.ThepotentialfieldmaybefoundbyapplyingLaplace’sequationincylindricalcoordinates.
2.5.1電容
——靜電場參數(shù)計(jì)算之一
1.兩個(gè)導(dǎo)體系統(tǒng)的電容電容的計(jì)算方法:假設(shè)QE高斯定理φ,U假設(shè)Uφ▽2φ=0E,DQ關(guān)鍵是場的計(jì)算電容計(jì)算舉例
例1平行板電容器由兩塊面積為S,相隔距離為d的平行導(dǎo)體板組成,極板間填充介電常數(shù)為ε=εrε0的電介質(zhì),求電容量。解:忽略電場的邊緣效應(yīng),拉普拉斯方程簡化為:極板間的電場強(qiáng)度為電通密度為電容為例2-28
半徑分別為a和b的同軸電纜,外加電壓U,如圖所示,圓柱面電極間在圖示θ0角部分充滿介電常數(shù)為ε1
的介質(zhì),其余部分為介質(zhì)ε2,求電纜單位長度上的電容量。
解:兩個(gè)區(qū)域的電位方程均為:ab由邊界條件
內(nèi)導(dǎo)體表面單位長度上的電荷量單位長度的電容為ab例2-282.多導(dǎo)體系統(tǒng)的部分電容
等效電容120C20C10C12三導(dǎo)體系統(tǒng)與左圖相對(duì)偶的電導(dǎo)網(wǎng)絡(luò)等效電導(dǎo)等效電容120G20G10G12靜電屏蔽
電場的最基本特征是對(duì)靜止的電荷有作用力,即對(duì)任一種電荷分布總存在著與之相關(guān)聯(lián)的力系統(tǒng),因此也就有與之相關(guān)聯(lián)的能量儲(chǔ)存在系統(tǒng)中,在靜態(tài)條件下帶電體系的能量完全以勢能形式存在著,稱為靜電能。2.5.2靜電能量
——靜電場參數(shù)計(jì)算之二電場能量的來源?由建立電荷系統(tǒng)的過程中外界的能源提供。如電源、外力……1.點(diǎn)電荷系統(tǒng)的電場能量表達(dá)式點(diǎn)電荷系統(tǒng)的相互作用能2.分布電荷系統(tǒng)的靜電能量
對(duì)于某體積單元dV,其電位為α
φ
,送入微分電荷(dα
ρ)dV,能量增量為(α
φ)(dα
ρ)dV。
設(shè)系統(tǒng)完全建立時(shí),最終的電荷分布為ρ,電位函數(shù)為φ。如果在充電過程中使各點(diǎn)的電荷密度按其最終值的同一比例因子α增加,則各點(diǎn)的電位也按同一因子增加。整個(gè)空間增加的能量為
整個(gè)充電過程中增加的能量就是系統(tǒng)增加的總能量,為(2-83a)
若是帶電導(dǎo)體系統(tǒng),每個(gè)導(dǎo)體的電位為常數(shù)
若電荷分布在表面上,其面密度為σ,則(2-83b)(2-82)
對(duì)于點(diǎn)電荷系統(tǒng)可推導(dǎo)出靜電能量的另一表示式靜電能量的分布由P334高斯散度定理對(duì)于場源在有限范圍內(nèi)分布的情況,取無限大空間作為積分區(qū)域,則(2-84)靜電能量體密度對(duì)于線性各向同性介質(zhì)是否代表電場能量的體密度?(2-85)靜電能量的計(jì)算小結(jié)(2-83a)(2-83b)(2-82)(2-84)點(diǎn)電荷系統(tǒng)的相互作用能V,S指場源所在區(qū)域(有限)V指整個(gè)場域(無限大)例2-28續(xù)
部分填充介質(zhì)的同軸線,求介質(zhì)與空氣中單位長度內(nèi)的電場能量,已知同軸線內(nèi)導(dǎo)體電位φ1=U0,外導(dǎo)體電位為零。ab解法一:由前面例2-28可知,內(nèi)導(dǎo)體單位長度上的電荷量為單位長度內(nèi)的電場能量單位長度上的電容解法二:由例2-28可知,空氣和介質(zhì)中的電場強(qiáng)度相等
空氣和介質(zhì)中的能量密度對(duì)場空間體積分,得單位長度的電場能量為2.5.3電場力——虛位移法點(diǎn)電荷的電場力虛位移法的理論依據(jù)是能量守恒
對(duì)某多導(dǎo)體系統(tǒng),假設(shè)系統(tǒng)內(nèi)某一導(dǎo)體因受靜電力F的作用引起某種位移dg,則靜電力所作的功為Fdg。
該位移使得該導(dǎo)體與其他所有導(dǎo)體之間的相對(duì)位置發(fā)生改變,導(dǎo)體的電位亦發(fā)生變化,則系統(tǒng)的靜電能量隨之變化為dgWe。按照能量守恒的原理,這兩項(xiàng)能量的改變應(yīng)由電源提供dgW。dgW=dgWe+Fdg1.常電位系統(tǒng)電場能量的增量為
假定導(dǎo)體系統(tǒng)內(nèi)各導(dǎo)體保持與外加電源相連,此時(shí)各導(dǎo)體的電位保持為常數(shù),如某一導(dǎo)體發(fā)生位移,則必然引起所有導(dǎo)體上的電荷量變化。故外界電源所作的功為
故電源提供的能量一半用于電場儲(chǔ)能,另一半用于靜電力作功,這時(shí)靜電力計(jì)算為
假定半徑為R的孤立導(dǎo)體球的電位φ=U=常數(shù),總的靜電能量為靜電力例2.孤立導(dǎo)體球——常電位2.常電荷系統(tǒng)
假定導(dǎo)體系統(tǒng)內(nèi)各導(dǎo)體與外加電源不相連,此時(shí)各導(dǎo)體的電荷保持為常數(shù),此時(shí)外界電源不作功,dgW=0。
此時(shí)電場能量的增量全部用于靜電力作功,這時(shí)靜電力為
如某一導(dǎo)體發(fā)生位移dg,則必然引起所有導(dǎo)體上的電位的變化,從而引起電場能量的改變。0=dgWe+Fdg力的方向如何判斷?F>0,力的方向沿位移增加的方向F<0,力的方向沿位移減小的方向例3.孤立導(dǎo)體球——常電荷
如一半徑為R的孤立導(dǎo)體球充電后與電源斷開,這時(shí)帶電量q為常量,設(shè)無限遠(yuǎn)處電位為零。則總的靜電能量為法拉第觀點(diǎn)例2-33ad1d2AB令
單位面積上的力為例2-33b+QS1S2-QABh1h2令
單位面積上的力為電場力的方向總是由介電常數(shù)大的一面指向介電常數(shù)小的一面,或者說介電常數(shù)大的介質(zhì)總是試圖將介電常數(shù)小的介質(zhì)推離自己,從而擴(kuò)大自己的空間,即以大欺小。
例2-31×介質(zhì)球受力=?靜電場計(jì)算小結(jié)
靜電場分析計(jì)算的類型:第一類:
給定空間的電荷分布,求電位和電場的分布。
對(duì)于這一類問題的求解,可以應(yīng)用靜電場中的積分方程,即
對(duì)于某些對(duì)稱場的問題,可直接應(yīng)用高斯定理中求解。靜電場分析計(jì)算的類型
第二類:給定空間某一區(qū)域內(nèi)的電荷分布,同時(shí)給定該區(qū)域邊界上的電位或電場,即邊界條件,在這種條件下求解區(qū)域內(nèi)的電位和電場分布。這類問題也稱為邊值問題。對(duì)于這類邊值問題的求解,一是直接求解微分方程,其中解析計(jì)算方法主要有直接積分法(一維問題)和分離變量法(二維和三維問題),數(shù)值計(jì)算法有差分法、有限元法、模擬電荷法和矩量法等。二是間接計(jì)算法,如鏡像法,電軸法。1.鏡像法,電軸法2.高斯定理3.靜電場積分方程4.求解微分方程先判斷題目類型,再?zèng)Q定解題方法。121
1.
電荷處于動(dòng)態(tài)平衡狀態(tài)。
2.
導(dǎo)體內(nèi)電場不為零,表面不是等位面。
3.
外電源供給的能量用于電荷克服阻力運(yùn)動(dòng)——轉(zhuǎn)化為熱能。
4.
對(duì)導(dǎo)電媒質(zhì)以外而言場相對(duì)穩(wěn)定----與靜電場相似,可用靜電場
方法求解。恒定電場周圍還有恒定磁場,二者互不激發(fā),均可分別討論?;疚锢砹糠匠毯ツ坊羝澏ɡ韰?shù)邊界條件恒定電場分析(方程求解)恒定電場分析思路?
導(dǎo)體內(nèi)電場如何求解?導(dǎo)體外電場如何求解?導(dǎo)體電位差?恒定電場的特點(diǎn)第3章恒定電場1223-1
電流與電流密度
電荷(一般指外加電荷)以體電荷密度ρ分布,同時(shí)電荷以速度作勻速運(yùn)動(dòng),這時(shí)各點(diǎn)的電流分布狀態(tài)可用電流面密度矢量描述:
穿過任意曲面s的電流強(qiáng)度(簡稱電流)1.電流密度123面電流與線電流
如果電荷在一個(gè)很薄的面上流動(dòng),這種電流就叫做面電流。
如果電荷以線密度τ分布,并以速度運(yùn)動(dòng),則在導(dǎo)體中形成線電流:流過任意曲線l的電流強(qiáng)度:電流線密度矢量124元電流元電荷dq以速度運(yùn)動(dòng),形成的電流叫做元電流:元電流段:1252.電流密度與電場強(qiáng)度的關(guān)系
電場使電荷做定向運(yùn)動(dòng),從而形成電流。在均勻、線性、各向同性的導(dǎo)電媒質(zhì)中微分形式的歐姆定律導(dǎo)體的電導(dǎo)率126電源電動(dòng)勢與局外場強(qiáng)說明:⑴導(dǎo)電媒質(zhì)中的電場除了由電源提供以外,還包括運(yùn)動(dòng)電荷產(chǎn)生的電場。當(dāng)電場最后穩(wěn)定時(shí)在導(dǎo)電媒質(zhì)中運(yùn)動(dòng)的電荷分布也應(yīng)穩(wěn)定。⑵恒定電流在導(dǎo)電媒質(zhì)中流動(dòng)時(shí),在導(dǎo)電媒質(zhì)中以及在導(dǎo)電媒質(zhì)外(電介質(zhì)中)都有恒定電場存在(除非超導(dǎo)材料)。電源內(nèi)同時(shí)存在兩種場:局外場和靜電場電源的電動(dòng)勢定義為:E1271.積分形式的基本方程
無源區(qū)導(dǎo)體媒質(zhì)中的場由分布穩(wěn)定的運(yùn)動(dòng)電荷產(chǎn)生,類似于分布狀態(tài)相同的靜態(tài)電場。靜電場的特性為保守場。恒定電場也應(yīng)滿足這種關(guān)系。即:表示流出曲面S的電流由電荷守恒原理,知KCL的積分形式的方程保守場電荷守恒恒定電場特性方程亥姆霍茲定理3.2
恒定電場基本方程1282.微分形式的基本方程斯托克斯定理
無旋場高斯散度定理
無散場恒定電場特性方程1293.位函數(shù)及其方程由恒定電場的無旋性可定義電位由恒定電場的散度方程、特性方程均勻、線性、各向同性媒質(zhì)恒定電場拉普拉斯方程130導(dǎo)電媒質(zhì)的壓降電源的電動(dòng)勢為:E若積分線內(nèi)包含電源,則積分EKVL的積分形式的方程1313.3分界面上的銜接條件
設(shè)媒質(zhì)為線性、均勻、各向同性,分界面上無電源。由積分形式的基本方程可推出兩種導(dǎo)電媒質(zhì)分界面上的銜接條件為:
折射定律恒定電場邊值問題的建立及其求解與靜電場類似E2E1J1J2132
特殊分界面
①良導(dǎo)體()與不良導(dǎo)體():②導(dǎo)體()與理想介質(zhì)
():除外,即都有不良導(dǎo)體中的電場與良導(dǎo)體表面近似垂直E2只能是有限值,故有J2=0
導(dǎo)體內(nèi)的電場與導(dǎo)體表面近似平行如鐵棒與土壤如銅導(dǎo)線與空氣導(dǎo)體外的電場與導(dǎo)體表面不再垂直133導(dǎo)體中的功率損耗元電流段:功率損耗的體密度導(dǎo)電媒質(zhì)的功率微分形式的焦耳定律dq=Idt積分形式的焦耳定律134功率損耗導(dǎo)電媒質(zhì)的電導(dǎo)=EdlE=dU/dl電路理論功率的計(jì)算135思考題:導(dǎo)體內(nèi)、外的電場如何求解?導(dǎo)體電位差?
1.
場源——運(yùn)動(dòng)的電荷——電流:
2.導(dǎo)體內(nèi)電場:
3.導(dǎo)體表面壓降:
4.
對(duì)導(dǎo)電媒質(zhì)以外的場——靜電比擬。
136靜電場恒定電場方程位函數(shù)及方程(通量)源場變量、參數(shù)導(dǎo)電媒質(zhì)內(nèi),無外源,或說無局外場。無源區(qū)3.4
導(dǎo)電媒質(zhì)中的恒定電場與靜電場的比擬137靜電比擬計(jì)算——通過靜電場的計(jì)算分析恒定電場(反之亦可)。例1:兩種導(dǎo)電媒質(zhì),媒質(zhì)1中放有電極,電流為I,求場的分布。
I=+II’I’’鏡像法138
實(shí)驗(yàn)——用恒定電場實(shí)驗(yàn)?zāi)M靜電場
模擬法就是應(yīng)用一種具有中等導(dǎo)電率的媒質(zhì)代替靜電場所在空間的介質(zhì)或真空;另外一種具有高導(dǎo)電率的導(dǎo)體制成電極使其形狀與形成靜電場的導(dǎo)體電極相同。在模擬電極上加上與原靜電場中電極上電位成比例的電位,于是在導(dǎo)電媒質(zhì)中形成恒定電流場。
這個(gè)恒定電場的與靜電場中的完全相同。電位分布也必然與被模擬的靜電場的電位分布完全相同。實(shí)際的模擬裝置有電阻紙、電解槽、電阻網(wǎng)絡(luò)等。1393.5
電導(dǎo)與接地電阻1.電導(dǎo)的定義2.電導(dǎo)的計(jì)算假設(shè)IEΦ,U假設(shè)UΦ▽2φ=0EJ,IJ均勻分布靜電比擬法電阻、電導(dǎo)、漏電阻、漏電導(dǎo)140
同心金屬球,尺寸相同,內(nèi)外球體間加電壓U0。A組充導(dǎo)電媒質(zhì),B組充電介質(zhì)。求①場的分布;②A組的G,B組的C。例2
ababU0U0A組B組對(duì)B組:
解:
設(shè)金屬球帶電Q,由高斯定理:靜電比擬球表面
>>電流線近似垂直于球表面
區(qū)別?141接地電阻
作用:保護(hù)接地——保障人身、設(shè)備安全。工作接地——單線輸電,用大地作為回路。接地體:球形、管形、柱形導(dǎo)體——用導(dǎo)線將其與地面相連。接地電阻:電流流入地面所受阻力——接地體本身電阻、連接線電阻、接地體與大地接觸電阻、土壤電阻(主要)。土壤電導(dǎo)率一般不是常數(shù)。142接地電阻的計(jì)算假設(shè):
1.在短距離內(nèi)認(rèn)為為常數(shù)。2.金屬
>>土壤。認(rèn)為通過接地體流向土壤的電流近似垂直于接地體表面。
3.電力系統(tǒng)。電流變化慢,波長大,漏電流衰減很快,所以近似認(rèn)為是恒定電流場。計(jì)算方法——按定義式計(jì)算,靜電比擬法。143接地電阻的計(jì)算2)淺埋于地面的半球體(半徑R0)。I3)淺埋于地下的球體(半徑R0)。I鏡像法1)深埋于地中的球體(半徑R0)。孤立球體的電容
靜電比擬144電力系統(tǒng)接地體的安全問題
BA距離接地體半徑r的地面處Irlb跨步電壓危險(xiǎn)區(qū)半徑U跨步=50~70Vb=0.8m第4章恒定磁場磁場是由運(yùn)動(dòng)電荷或電流產(chǎn)生的。運(yùn)動(dòng)電荷或載流導(dǎo)線在磁場中要受到磁場的作用力。檢驗(yàn)磁場是否存在的一種方法是改變載流導(dǎo)線在磁場中受力的情況。永久磁鐵的磁場基本質(zhì)是運(yùn)動(dòng)電荷(分子電流)產(chǎn)生磁場。磁相互作用實(shí)質(zhì)上是運(yùn)動(dòng)電荷之間的相互作用。分析方法
磁場的性質(zhì)同靜電場完全不同,但作為分析矢量場的基本方法仍是相同的。
基本物理量參數(shù)方程亥姆霍茲定理邊界條件恒定磁場分析(方程求解)注意恒定磁場
與靜電場、恒定電場的對(duì)比4.1
磁感應(yīng)強(qiáng)度
可從不同的角度定義以運(yùn)動(dòng)電荷在磁場中所受到的作用力定義
以電流元在磁場中受力定義
以線圈在磁場中受到的力矩定義
運(yùn)動(dòng)電荷在磁場中受洛侖茲力
元電流段:電流元在磁場中受力載流回路在磁場中受力安培力定律——實(shí)驗(yàn)定律C1C2回路C1受回路C2的力為載流回路產(chǎn)生的磁場為畢奧—沙伐定律磁感應(yīng)強(qiáng)度計(jì)算元電流段:注意的方向磁通連續(xù)性定理4.2安培環(huán)流定律立體角真空中的安培環(huán)流定律例:lI1I2I3物質(zhì)的磁化磁介質(zhì)在磁場中要發(fā)生磁化現(xiàn)象,有分子電流出現(xiàn)。分子電流構(gòu)成小電流回路稱為磁偶極子。
磁偶極矩Am2
磁化強(qiáng)度向量A/m
磁偶極矩Am2
電偶極子:+-d電偶極矩:介質(zhì)中的高斯定理磁化電流
元磁偶極矩
磁介質(zhì)中的安培環(huán)路定律真空中的安培環(huán)流定律磁化電流
令
磁介質(zhì)中的安培環(huán)流定律磁場強(qiáng)度向量A/m
磁介質(zhì)及其分類線性磁介質(zhì)磁介質(zhì)非鐵磁質(zhì)鐵磁質(zhì)順磁質(zhì)抗磁質(zhì)錳、鉻、鋁、水金、銀、銅、鉍、硅、空氣非線性磁滯磁化電流磁化電流模型斯托克斯定理
體磁化電流
面磁化電流
4.3恒定磁場的基本方程分界面上的銜接條件磁通連續(xù)性定理安培環(huán)流定律輔助方程—恒定磁場特性方程1.積分形式的基本方程高斯散度定理
2.微分形式的基本方程斯托克斯定理
無散場恒定磁場特性方程有旋場磁力線是閉合的,無頭無尾。靜電場微分方程3.分界面上的銜接條件設(shè)媒質(zhì)為線性、均勻、各向同性。折射定律靜電場微分方程靜電場銜接條件B2B1H1H2恒定磁場方程K=0時(shí)靜電場恒定磁場方程位函數(shù)及方程場變量、參數(shù)無源區(qū)恒定磁場與靜電場的對(duì)比無電流區(qū)?4.4
恒定磁場位函數(shù)對(duì)于無電流區(qū)定義標(biāo)量磁位1.引出2.方程與分界面銜接條件單位A
恒定磁場方程銜接條件標(biāo)量磁位只適用于無源區(qū)!3.標(biāo)量磁位與電位之異同相同處——公式對(duì)偶不同處1)物理意義2)電位是單值函數(shù),標(biāo)量磁位是多值函數(shù)。靜電場微分方程恒定磁場微分方程電場磁場性質(zhì)不同只適用于無源區(qū)!磁場中的鏡像法I=+II’I’’場變量、參數(shù)恒定磁場與靜電場的對(duì)比(通量)源恒定磁場方程靜電場例1:長直導(dǎo)線周圍的標(biāo)量磁位分布
等標(biāo)量磁位線是射線,標(biāo)量磁位沿角度增加而減??;
磁力線是一族圓,H的方向總是由高磁位面指向低磁位面。導(dǎo)線周圍:柱坐標(biāo)Фm=0Фm=-I/8Фm=-I/4Фm=-3I/8Фm=-I/2Фm=-5I/8Фm=-3I/4Фm=-7I/8例2:傳輸線周圍的標(biāo)量磁位分布等標(biāo)量磁位線是另一族圓磁力線是一族正交圓xyPbbr-r+4.4.4
矢量磁位
1.矢量磁位的定義微分方程由于矢量磁位單位wb/m
令亥姆霍茲定理唯一確定的矢量場設(shè)為任意標(biāo)量函數(shù)指定的值稱為一種規(guī)范
庫侖規(guī)范2.矢量磁位的方程微分方程設(shè)媒質(zhì)是均勻媒質(zhì)矢量磁位泊松方程庫侖規(guī)范是矢量算子,但是標(biāo)量算子。矢量磁位的方向就是場源的方向!矢量磁位的計(jì)算矢量磁位泊松方程例1:長2L的直導(dǎo)線周圍的磁場分布
rr’zrR解:由得法二:由安培環(huán)路定律:及例2:雙線輸電線周圍的電磁場分布以y軸為參考面等Az線等線E線等線xyPbbr-r+平行平面場中等Az線就是B
線平行平面場中的等Az線與B
線B
線方程等Az線=B
線3.矢量磁位邊值問題平行平面場中4.5.1
電感2.電感的計(jì)算假設(shè)IH,BΦ,Ψ,
Ψij假設(shè)IA1.電感、互感的定義磁通、磁鏈自磁通、自磁鏈外磁通、外磁鏈互磁通、互磁鏈例4-16例4-17例4-18例4-194.6
磁場能量與力(4-88)(4-93)(4-95)(4-96)載流回路系統(tǒng)的能量V指場源所在區(qū)域(有限)磁場能量的體密度
(4-84)V指整個(gè)場域例4-20例4-214.6.3磁場力1.常電流系統(tǒng)2.常磁鏈系統(tǒng)3.對(duì)于兩個(gè)回路的系統(tǒng)例4-23第6章正弦平面電磁波的傳播
6.1正弦均勻平面電磁波6.2平面電磁波在無限大理想介質(zhì)中的傳播6.3平面電磁波在無限大導(dǎo)電媒質(zhì)中的傳播6.4平面電磁波的極化6.5平面電磁波在有界媒質(zhì)中的傳播
——垂直入射6.6平面電磁波在有界媒質(zhì)中的傳播
——斜入射6.1
均勻平面電磁波
等相面:波源經(jīng)同一傳播時(shí)間場量所到達(dá)的點(diǎn)形成的面叫做波陣面,相位相等,又稱為等相位面。等幅面:幅度相等的面,又稱為均勻波。平面波:等相面為平面的波。均勻平面波:場矢量只沿著傳播方向變化,在與傳播方向垂直的無限大平面內(nèi),場矢量的方向、振幅和相位保持不變。
TEM波(TransverseElectromagneticWave)zxyEHS沿z方向傳播的均勻平面電磁波zxyHES單方向、單變量6.2無限大理想介質(zhì)中的均勻平面電磁波波動(dòng)方程
假設(shè):(1)介質(zhì)無限大(只考慮入射波)(2)場域內(nèi)(3)平面波沿z方向傳播,zxyEHS入射波電場方程的通解波數(shù)相位常數(shù),相速
rad/m波速
m/s入射波磁場入射波磁場真空波阻抗zxyEHS波阻抗入射波電場特性參數(shù)本征阻抗相位常數(shù)波速波長周期、頻率波數(shù)0yxz理想介質(zhì)中的均勻平面電磁波傳播特性zxyEHS1.空間上:電場與磁場相互垂直,且垂直于場的傳播方向;2.數(shù)值上:場的幅值不變;3.相位上:電場與磁場的總是同相位的,即同步;
實(shí)數(shù)4.能量的傳播(6.2.3)
理想介質(zhì)中,任一時(shí)刻電場能量密度和磁場能量密度相等,
且各為總電磁能量密度的一半。
這說明在理想介質(zhì)中電磁波能量流動(dòng)的方向與波傳播的方向一致,電磁波能量流動(dòng)的大小等于電磁場總能量密度和能量流動(dòng)速度的乘積,即入射波中電磁能量以與波傳播速度相同的速度沿波前進(jìn)方向流動(dòng)。6.3
無限大導(dǎo)電媒質(zhì)中的均勻平面電磁波波動(dòng)方程假設(shè):(1)介質(zhì)無限大(只考慮入射波)(2)場域內(nèi)(3)平面波沿z方向傳播,zxyEHS入射波電場波動(dòng)方程入射波電場特征根介質(zhì)損耗角衰減系數(shù)相位常數(shù)復(fù)介電常數(shù)復(fù)傳播常數(shù)損耗媒質(zhì)中的入射波磁場入射波磁場波阻抗(復(fù)數(shù))入射波電場理想介質(zhì)zxyEHS導(dǎo)電媒質(zhì)中均勻平面電磁波的傳播特性1.空間上:電場與磁場相互垂直,且垂直于場的傳播方向;2.數(shù)值上:場的幅值隨著傳播的深入而衰減;3.相位上:電場與磁場不同步,且相位差與頻率有關(guān)。傳播特性表6-1理想介質(zhì)與導(dǎo)電媒質(zhì)中的平面電磁波對(duì)比6.3.2強(qiáng)導(dǎo)電媒質(zhì)中的電磁波—特例1_良導(dǎo)體波阻抗
良導(dǎo)體中的電磁波的衰減常數(shù)與相位常數(shù)近似相同,良導(dǎo)體中的電磁波的電場超前于磁場450
。衰減常數(shù)正比于,因此導(dǎo)電、導(dǎo)磁性能越強(qiáng)、頻率越高,電磁波衰減越快。集膚效應(yīng)與透入深度可見,透入深度
與頻率
及媒質(zhì)的電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率的平方根成反比。Hz時(shí),銅的透入深度為9.4mmHz時(shí),透入深度為0.66mm定義電場強(qiáng)度的振幅衰減到其表面處振幅的深度為透入深度工程上認(rèn)為經(jīng)過一個(gè)波長的距離電磁波即衰減為零6.3.3低損耗介質(zhì)中的電磁波—特例2低損耗介質(zhì)波阻抗
低損耗介質(zhì)中的電磁波與理想介質(zhì)中的電磁波的相位常數(shù)和波阻抗近似相同;理想介質(zhì)中的電磁波幅值不變,而低損耗介質(zhì)中的電磁波有衰減。電導(dǎo)率越小,衰減系數(shù)越小,相應(yīng)的電磁波衰減速度較慢。弱導(dǎo)電媒質(zhì)6.4
平面電磁波的極化重點(diǎn):電磁波極化的概念,區(qū)分,及物理特征.波的極化:討論電磁波的電場強(qiáng)度的矢量末端在空間
隨時(shí)間變化的軌跡。偏振zxyEHS沿z方向傳播的TEM波zxyHESxyxyyxoz
顯然,電場的瞬時(shí)值在觀察平面上的投影始終是在x軸上,所以這是一個(gè)沿x方向的線極化波。yzxo直線極化當(dāng)t變化時(shí),矢量末端在空間描述的軌跡為直線設(shè)電磁波沿z方向傳播觀察平面,z=const圓極化波及分類設(shè)電磁波沿z方向傳播xyz---左旋圓極化電磁波拇指為電磁波的傳播方向,四指指向波的繞行方向:滿足右手關(guān)系時(shí)為右旋極化,滿足左手關(guān)系時(shí)為左旋極化。左右手法則軌跡為橢圓,故為橢圓極化(有兩個(gè)相反的轉(zhuǎn)動(dòng)方向)橢圓極化AB橢圓由超前的分量向落后的分量旋轉(zhuǎn)的方向即為波的繞行方向拇指為電磁波的傳播方向,四指指向波的繞行方向:滿足右手關(guān)系時(shí)為右旋極化,滿足左手關(guān)系時(shí)為左旋極化。以向+z方向傳播的平面波為例,說明如何判斷極化(包括旋轉(zhuǎn)方向)極化旋轉(zhuǎn)方向工程判斷法
拇指為波的傳播方向,四指由方向經(jīng)小于1800的角度向方向旋
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