《電力電子晶閘管》PPT課件.ppt

1、鎮(zhèn)江高等?？茖W(xué)校的電氣系統(tǒng)、電力電子、晶閘管、晶閘管、晶閘管、晶閘管的殘奧儀表，除了解晶閘管的靜態(tài)、動態(tài)特性外，都必須定量掌握晶閘管的主要殘奧儀表。 下面介紹幾個常用的晶閘管的殘奧儀表. 1 .電壓殘奧表(1)斷開狀態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM柵極斷開，元件額定結(jié)溫度時，晶閘管陽極的伏安特性為：切斷高電阻區(qū)域(圖1-10中的曲線)的漏電流急劇增加的曲線，使決定的電壓在斷開狀態(tài)不重復(fù)的峰值取斷開狀態(tài)不重復(fù)的峰值電壓的90； 重復(fù)”表示可以每秒50次、1次持續(xù)時間在10ms以下的重復(fù)向元件施加該電壓。 (2)反復(fù)峰值電壓URRM的柵極被打開，將由在元件額定結(jié)溫度時根據(jù)可控硅的陽極伏安特性反向切斷高電阻區(qū)

2、域(圖1-10的曲線)的反向漏電流急劇增加的曲線決定的電壓稱為反復(fù)峰值電壓URSM 將反向反復(fù)峰值電壓的90%定義為反向反復(fù)峰值電壓URRM，該電壓可以反復(fù)施加。 晶閘管殘奧計、(3)晶閘管的額定電壓UR取UDRM和URRM中較小的一方，整形為其值以下的規(guī)定電壓電平。 電壓電平不是任意決定的，額定電壓在1000V以下是每100V、從1000V到3000V是每200V的電壓電平。 由于可控硅在工作中可能受到意想不到的瞬時過電壓，為了確保管道的安全運行，在選擇可控硅時，將額定電壓設(shè)為正常工作電壓峰值UM的23倍，作為安全穩(wěn)定量。 UR=(23)UM (1-4)(4)導(dǎo)通狀態(tài)平均電壓UT(AV )是

3、指，晶閘管通過單相商用頻率正弦半波電流，在額定結(jié)溫度、額定平均電流下，晶閘管陽極與陰極間電壓的平均值，也稱為管電壓降。 晶閘管格式始終以導(dǎo)通平均電壓的數(shù)值進(jìn)行分組，用大寫字母AI表示。 一般的平均電壓會影響元件的損失和發(fā)熱，所以請選擇管電壓降小的元件使用。 晶閘管殘奧儀表、2 .電流殘奧儀表(1)導(dǎo)通平均電流IT(AV )，在周圍溫度為40、規(guī)定的冷卻條件下，晶閘管元件在電阻性負(fù)載的單相、商用頻率、正弦半波、導(dǎo)通角為170以上的電路中，當(dāng)結(jié)溫度穩(wěn)定在額定125允許的導(dǎo)通狀態(tài)時由于可控硅的過載能力小，為了保證安全可靠的動作，選擇的可控硅的額定電流IT(AV )應(yīng)該是實際流過有效值電流的電流有效值

4、的1.52倍。 根據(jù)柵極管的額定電流的定義，額定電流為100A的柵極管，能夠通過的電流有效值為157A。 (2)維持電流IH維持電流是晶閘管維持導(dǎo)通所需的最小電流，一般為幾十至幾百毫安。 維持電流與結(jié)溫度有關(guān)，結(jié)溫度越高維持電流越小，晶閘管難關(guān)就越斷。 (3)緊接在掣點電流IL晶閘管從off狀態(tài)轉(zhuǎn)換到on狀態(tài)之后，去除柵極觸發(fā)信號，并且維持元件的on所需的最小陽極電流被稱為掣點電流。 一般情況下，施加的電流比維持電流大(24 )倍。 用萬用表判斷晶閘管殘奧表、晶閘管殘奧表、晶閘管，如圖1a所示，通過在報頭中并聯(lián)連接適當(dāng)?shù)碾娮?稱為并聯(lián)電阻)進(jìn)行并聯(lián)，能擴(kuò)大電流范圍。 通過改變分流電阻的電阻值，可以改變電流測量范圍。 l測量直流電壓的原理。 如圖1(b )所示，通過在報頭上串聯(lián)連接適當(dāng)?shù)碾娮?稱為倍頻電阻)并進(jìn)行降壓，能夠擴(kuò)大電壓范圍。 通過改變倍頻電阻的電阻值，可以改變電壓的測量范圍。 測量交流電壓的原理。 如圖1(c )所示，頭部為直流時校正，因此在測定交流的情況下，安裝殘奧電平、串行的半波整流電路，對交流進(jìn)行整流使之成為直流后通過頭部，從而能夠根據(jù)直流的大小測定交流電壓。 擴(kuò)大交流電壓范圍的方法與直流電壓范圍相似。l測量電阻的原理。 如圖1d所示，在集管上并聯(lián)及串聯(lián)連接適當(dāng)?shù)碾娮?，并且串?lián)連接一個電池，在被測量電