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1、半導(dǎo)體及二極管,1. 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性,本征半導(dǎo)體 硅 鍺,兩種載流子： 空穴 自由電子,N 型半導(dǎo)體,P 型半導(dǎo)體,PN 結(jié)的形成,多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),形成 PN 結(jié),擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)與漂移運(yùn)動(dòng),PN 結(jié)的單向?qū)щ娦?結(jié)加正向電壓,PN,（導(dǎo)通）,結(jié)加反向電壓,PN,（截止）,2. 半導(dǎo)體二極管,二極管的 伏安特性,二極管的主要參數(shù),（1）最大整流電流 IF （2）反向擊穿電壓 VBR （3）反向電流 IR,二極管基本電路及其分析方法,（1）二極管正向V-I特性的建模 理想化模型 恒壓降模型,（2）模型分析法應(yīng)用舉例 1）靜態(tài)工作情況分析 2）限幅電路 3）開(kāi)關(guān)電路 4）低電壓穩(wěn)壓電路,齊納二極管

2、 （穩(wěn)壓管）,簡(jiǎn)單的穩(wěn)壓電路,半導(dǎo)體三極管 及 放大電路基礎(chǔ),1. 半導(dǎo)體三極管（晶體管）,NPN 型三極管結(jié)構(gòu)及符號(hào),PNP 型三極管結(jié)構(gòu)及符號(hào),晶體管中的載流子運(yùn)動(dòng)和電流分配,晶體管的電流方向、 發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的極性,晶體管的輸入特性曲線,晶體管的輸出特性曲線,晶體管的主要參數(shù),(1)電流放大系數(shù) (2)集-基極反向電流 ICBO (3)集-射極反向電流 ICEO,集-基極反向電流 ICBO,集-射極反向電流 ICEO （穿透電流）,(4)集電極最大允許電流 ICM (5)集電極最大允許耗散功率 PCM,2. 基本放大電路,晶體管工作在放大狀態(tài)必須： 發(fā)射結(jié)為正向偏置 集電結(jié)為反向偏置,共射極基本放大電路,共射極基本放大電路的簡(jiǎn)化及習(xí)慣畫(huà)法,（1）靜態(tài)分析,直流通路,（2）動(dòng)態(tài)分析,放大電路輸出端接有負(fù)載電阻的電路,晶體管的 H 參數(shù)小信號(hào)等效模型,晶體管的 小信號(hào)模型的簡(jiǎn)化,共射極放大電路的 小信號(hào)等效電路,求共

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