Rietveld全譜擬合及應(yīng)用課件

1、Rietveld全譜擬合及應(yīng)用,Rietveld全譜擬合及應(yīng)用,Rietveld全譜擬合及應(yīng)用,一、Rietveld全譜擬合-多晶體衍射全譜擬合,所謂全譜擬合即是在假設(shè)的晶體結(jié)構(gòu)模型與結(jié)構(gòu)參數(shù)的基礎(chǔ)上，結(jié)合某種峰型函數(shù)來計算多晶體衍射譜，調(diào)整這些結(jié)構(gòu)參數(shù)與峰型函數(shù)使算得的多晶體衍射譜能與實驗譜相符合，從而獲得結(jié)構(gòu)參數(shù)和峰型參數(shù)的方法。這一逐漸逼近的過程就稱為擬合。,Rietveld全譜擬合及應(yīng)用,Structural model,Raw data,Rietveld Refinement,Refined model,shift,Rietveld全譜擬合及應(yīng)用,全譜擬合原理 1.衍射峰可用函數(shù)模擬

2、（Gik為峰形函數(shù)）,2.衍射譜是各衍射峰的疊加,Rietveld全譜擬合及應(yīng)用,根據(jù)結(jié)構(gòu)模型計算粉末衍射譜Yic。 4. 改變結(jié)構(gòu)模型（結(jié)構(gòu)參數(shù)），利用非線性最小二乘法時計算譜擬合實測譜。,Rietveld全譜擬合及應(yīng)用,5.判別因子R Rp=| Yio-Yic |/Yio Rwp=Wi (Yio-Yic)2/WiYio21/2 RB= RI=|Iko-Ikc| /Iko Rexp(N-P)/ WiYio2 1/2 GofFWi(Yio-Yic)2/(N-P)(Rwp/Rexp)2,N為衍射譜上數(shù)據(jù)點的數(shù)目，P為擬合中被精修的參數(shù)數(shù)目。GofF為Goodness of Fitting的縮寫。

3、,Rietveld全譜擬合及應(yīng)用,結(jié)構(gòu)參數(shù)：其中包括晶胞參數(shù)、各原子位置的占有率、原子的各向同性（或各向異性）溫度因子，還有定標因子等。 峰型參數(shù)：其中包括峰型參數(shù)、峰寬參數(shù)、不對稱參數(shù)、擇優(yōu)取向參數(shù)、本底參數(shù)、消光校正及零位校正等。,二、在結(jié)構(gòu)精修過程中，可變動的精修參數(shù)是很多的，概括起來分為兩類：,Rietveld全譜擬合及應(yīng)用,三、Material Studio軟件中Reflex模塊的作用,應(yīng)用晶體結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)的Rietveld精修 利用衍射譜從頭晶體結(jié)構(gòu)的測定,Rietveld全譜擬合及應(yīng)用,Rietveld全譜擬合及應(yīng)用,Rietveld全譜擬合及應(yīng)用,Rietveld全譜擬合及應(yīng)用,R

4、ietveld全譜擬合及應(yīng)用,Rietveld全譜擬合及應(yīng)用,理想的PV峰形是對稱的，但是由于實驗條件的影響，使得實際得到的峰形是不對稱的，所以要進行校正。,Rietveld全譜擬合及應(yīng)用,Rietveld全譜擬合及應(yīng)用,Rietveld全譜擬合及應(yīng)用,Rietveld全譜擬合及應(yīng)用,Rietveld全譜擬合及應(yīng)用,精修步驟（分布精修）： 由于精修的參數(shù)很多，如果一開始就同時對所有的參數(shù)精修，則參數(shù)改變的途徑會很多，可能使得到的最小二乘法收斂到偽極小。 因此，Rietveld精修總是分布進行。先調(diào)整、精修12個參數(shù)，將其它的固定在處之。在最小二乘方極小后，在增加12個參數(shù)，這樣逐步增加，直到全部參數(shù)都被修正。,Rietveld全譜擬合及應(yīng)用,一般地，先精修的常是定標因子和零位校正，接下來是本底參數(shù)和晶胞參數(shù)，其后是原子坐標，占有率和各向同性溫度因子，再后是考慮各種線性參數(shù)，如高