【畢業(yè)學(xué)位論文】含微量鎳或鍺之錫銀銅錫球接點沖球試驗特性研究

國立高雄大學(xué)電機(jī)工程學(xué)系碩士班 碩士論文 含微量鎳或鍺之錫銀銅錫球接點衝球試驗特性研究 A 究生：張效銓 撰 指導(dǎo)教授：藍(lán)文厚 博士 中華民國98年1月 i 含微量鎳或鍺之錫銀銅錫球接點衝球試驗特性研究 指導(dǎo)教授：藍(lán)文厚 博士 國立高雄大學(xué)電機(jī)工程學(xué)系 學(xué)生：張效銓 國立高雄大學(xué)電機(jī)工程學(xué)系 摘要 本論文之錫球衝擊試驗可量化錫球接點結(jié)構(gòu)在高速剪力荷載下之結(jié)構(gòu)強(qiáng)度與性質(zhì)，且與上板掉落衝擊可靠度有相當(dāng)程度的正相關(guān)性。本研究即以錫球衝擊試驗針對不同無鉛錫球成份、表面處理與錫球接點結(jié)構(gòu)狀態(tài)進(jìn)行測試，在 500 釐米/秒之衝擊速度，對其所反應(yīng)之暫態(tài)結(jié)構(gòu)響應(yīng)進(jìn)行解析，針對實驗組合的抗掉落衝擊能力與性質(zhì)進(jìn)行評估，並利用統(tǒng)計軟體，進(jìn)行顯著性差異檢定，以取得客觀之結(jié)果。本研究針對結(jié)構(gòu)點結(jié)構(gòu)實驗化錫表面處理與接點結(jié)構(gòu)強(qiáng)度與關(guān)鍵字：錫球，衝球試驗，錫球接點結(jié)構(gòu)，著性差異檢定。 as a in of a is In we IT at an 00mm/s on on of or on IT In IT be by in no i e to a Ni MC e of 謝 學(xué)昶麟博士以其專業(yè)外，同事淑華、盈達(dá)、岳、秉豐、東鴻、孟鎧、燦賢、英志與姝嫻等，有 錄 .文摘要.錄. 目錄. 目錄. 論. 1 1言. 1 1密度半導(dǎo)體封裝. 1 1保政策. 1 1球接點. 2 1態(tài)荷載可靠度. 2 1球試驗. 3 1究動機(jī)與目的. 4 1. 4 1構(gòu). 4 1構(gòu)接點成. 5 1獻(xiàn)回顧. 5 1節(jié). 6 第二章 衝球試驗系統(tǒng)與. 10 2. 10 2裝層級範(fàn)圍的定義. 10 2裝的目的. 11 v 2柵陣列封裝簡. 12 2. 12 2. 13 2. 13 2球試驗系統(tǒng). 14 2球試驗發(fā)展背景. 14 2球機(jī)制之發(fā)展. 15 2球試驗之原理. 17 2. 19 2構(gòu). 20 2構(gòu)接點成. 20 第三章 衝球試驗. 29 3驗. 29 3球成. 29 3. 29 3裝. 30 3驗試片. 30 3驗步驟與流程. 31 3置作業(yè). 32 3球試驗. 33 3據(jù). 34 3品. 35 第四章 實驗結(jié)果與. 42 4-1 . 42 4構(gòu). 43 4球成. 44 . 45 4裝. 45 4構(gòu)接點成. 46 第五章 綜合結(jié)論以及. 62 5合結(jié)論. 62 5-2 . 63 . 64 附錄. 68 目錄 圖 1裝體演進(jìn)圖1. 8 圖 1導(dǎo)體製造鏈1. 8 圖 1. 9 圖 1應(yīng)2. 9 圖 2裝層級1 . 21 圖 2球試驗示意圖1. 21 圖 2鎚衝擊示意圖. 22 圖 2. 22 圖 2. 23 圖 2. 23 圖 2-7：. 24 圖 2-8：. 24 圖 21. 25 圖 2落測試與衝球試驗之應(yīng). 25 圖 2. 26 圖 2擊. 26 圖 2球接點結(jié)構(gòu). 27 圖 2. 27 圖 2. 28 圖 3片外觀(92L) . 37 圖 3-2： . 37 圖 3-3： . 38 圖 3擊裝置. 38 3-5：. 39 圖 3-6：. 39 圖 3擊. 40 圖 3擊. 40 圖 3球試驗機(jī)1. 41 圖 3. 41 圖 4構(gòu). 49 圖 4構(gòu). 50 圖 4-3：. 51 圖 4-4：. 52 圖 4-5：. 52 圖 4-6：. 53 圖 4-7：. 54 圖 4-8：. 54 圖 4-9：. 55 圖 4. 56 圖 4. 57 圖 4. 58 圖 4. 59 圖 4. 60 圖 47. 61 圖 47. 61 目錄 表 1. 7 表 1-2： . 7 表 3驗組. 35 表 3擊. 36 表 3試. 36 表 4構(gòu). 47 表 4構(gòu). 47 表 4110組實驗統(tǒng)計結(jié)果(. 48 表 41120組實驗統(tǒng)計結(jié)果(. 48 表 ：第1組實驗數(shù)據(jù)與. 68 表 ：第2組實驗數(shù)據(jù)與. 68 表 ：第3組實驗數(shù)據(jù)與. 69 表 ：第4組實驗數(shù)據(jù)與. 69 表 ：第5組實驗數(shù)據(jù)與. 70 表 ：第6組實驗數(shù)據(jù)與. 70 表 ：第7組實驗數(shù)據(jù)與. 71 表 ：第8組實驗數(shù)據(jù)與. 71 表 ：第9組實驗數(shù)據(jù)與. 72 表 0：第10組實驗數(shù)據(jù)與. 72 表 1：第11組實驗數(shù)據(jù)與. 73 表 2：第12組實驗數(shù)據(jù)與. 73 表 3：第13組實驗數(shù)據(jù)與. 74 表 4：第14組實驗數(shù)據(jù)與. 74 x 表 5：第15組實驗數(shù)據(jù)與. 75 表 6：第16組實驗數(shù)據(jù)與. 75 表 7：第17組實驗數(shù)據(jù)與. 76 表 8：第18組實驗數(shù)據(jù)與. 76 表 9：第19組實驗數(shù)據(jù)與. 77 表 0：第20組實驗數(shù)據(jù)與. 77 1 第一章 序論 1言 理速度 1高密度半導(dǎo)體封裝 封裝演進(jìn)上，W/B)製程程封裝及上板板，用以論。 1環(huán)保政策 關(guān)環(huán)保法2006of (r)、g)、2 封裝材料成份上，1錫球接點 在球(裝體導(dǎo)體