《IC模擬版圖設(shè)計-2011最新版》【稀缺資源，路過別錯過】

第一部分 ：了解版圖 1. 版圖的定義 2. 版圖的意義 3. 版圖的工具 4. 版圖的設(shè)計流程 第二部分： 版圖設(shè)計基礎(chǔ) 1. 認(rèn)識版圖 2. 版圖組成兩大部件 3. 版圖編輯器 4. 電路圖編輯器 5. 了解工藝廠商 第三部分：版圖的準(zhǔn)備 1. 必要文件 2. 設(shè)計規(guī)則 3. DRC文件 4. LVS文件 第四部分：版圖的藝術(shù) 1. 模擬版圖和數(shù)字版圖的首要目標(biāo) 2. 首先考慮的三個問題 3. 匹配 4. 寄生效應(yīng) 5. 噪聲 6. 布局規(guī)劃 7. ESD 8. 封裝 第一部分 ：了解版圖 1. 版圖的定義 2. 版圖的意義 3. 版圖的工具 4. 版圖的設(shè)計流程 1. 版圖的定義：版圖是在掩膜制造產(chǎn)品上實現(xiàn) 電路功能且滿足電路功耗、性能等，從版圖上減少工藝制造對電路的偏差，提高芯片的精準(zhǔn)性。 V D DG N DI NO U T3 u / 0 . 1 8 u1 u / 0 . 1 8 u第一部分：了解版圖 電路圖 版圖 2. 版圖的意義： 1）集成電路掩膜版圖設(shè)計師實現(xiàn)集成電路制造所必不可少的設(shè)計環(huán)節(jié)，它不僅關(guān)系到集成電路的 功能 是否正確，而且也會極大程度地影響集成電路的 性能、成本與功耗 。 2）它需要設(shè)計者具有電路系統(tǒng)原理與工藝制造方面的基本知識，設(shè)計出一套符合設(shè)計規(guī)則的“正確”版圖也許并不困難，但是設(shè)計出最大程度體現(xiàn) 高性能、低功耗、低成本、能實際可靠 工作的芯片版圖缺不是一朝一夕能學(xué)會的本事。 3. 版圖的工具： Cadence Virtuoso Dracula Assura Diva Mentor calibre Spring soft laker 熟悉所需文件 對電路的了解 版圖布局布線 第一部分：了解版圖 DRC/LVS GDSII to FAB 工藝廠商提供： .tf .display Design rule 、 DRC LVS 文件、PDK、 ESD文件、金屬阻值文件 第二部分：版圖設(shè)計基礎(chǔ) 1. 認(rèn)識版圖 2. 版圖組成兩大部件 2.1 器件 2.2 互連 3. 版圖編輯器 4. 電路圖編輯器 5. 了解工藝廠商 Poly M1 CT M2 1. 認(rèn)識版圖 2. 版圖是電路圖的反映，有兩大組成部分 2.1器件 2.1.1 MOS管 2.1.2 電阻 2.1.3 電容 2.1.4 三極管（省略） 2.1.5 二極管（省略） 2.1.6 電感（省略） 2.2互連 2.2.1金屬 （第一層金屬，第二層金屬 ） 2.2.2通孔 2.1 器件 2.1.1 MOS管 NMOS PMOS MOS管剖面圖 2.1 器件 2.1.1 MOS管 NMOS工藝層立體圖 NMOS版圖 2.1 器件 2.1.1 MOS管 1) NMOS管 以 TSMC， CMOS， N單阱工藝為例 NMOS管，做在 P襯底上，溝道為 P型，源漏為 N型 2) 包括 層次： NIMP， N+注入 DIFF，有源區(qū) Poly，柵 M1，金屬 CONT，過孔 3) MOS管的寬長確定 4) 當(dāng) 有 PCELL時 ；當(dāng)無 PCELL時 NMOS版圖 2.1 器件 2.1.1 MOS管 1) NMOS管 以 TSMC， CMOS， N單阱工藝為例 PMOS管，做在 N阱中，溝道為N型，源漏為 P型 2) 包括層次： NWELL， N阱 PIMP， P+注入 DIFF，有源區(qū) Poly，柵 M1，金屬 CONT，過孔 3) MOS管的寬長確定 PMOS版圖 反向器 2.1 器件 器件版圖 器件剖面圖及俯視圖 2.1.1 MOS管 1)反向器 2)NMOS， PMOS 3)金屬 連 線 4)關(guān)于 Butting Contact部分 V D DG N DI NO U T3 u / 0 . 1 8 u1 u / 0 . 1 8 u2.1 器件 2.1器件 2.1.2 電阻 選擇 合適的類型，由電阻阻值、方塊電阻值， 確定 W、 L； R=L/W*R0 電阻類型 電阻版圖 2.1器件 2.1.3 電容 1) 電容值計算 C=L*W*C0 2) 電容分類： poly電容 MIM電容 基于 單位面積電容值 MOS電容 源漏接地，基于柵電容，C=W*L*Cox MIM電容版圖 MOS電容版圖 2.2互連 2.2.1金屬（第一層金屬，第二層金屬 ） 1) 金屬連線 M1， M2， M3， M4 2.2.2 通孔 2)過孔 Via1， Via2， Via3 2.2互連 1) 典型 工藝 CMOS N阱 1P4M工藝 剖面圖 連線與孔之間的連接 建立 LIBRARY 3. 版圖編輯器 1) virtuoso編輯器 CIW窗口 3. 版圖編輯器 2) virtuoso編輯器 -Library manager CIW窗口 3. 版圖編輯器 3) virtuoso編輯器 - 建立cell 3. 版圖編輯器 4) virtuoso編輯器 -工作區(qū)和層次顯示器 LSW 工作區(qū)域 3. 版圖編輯器 5) virtuoso編輯器 -版圖層次顯示（ LSW） 3. 版圖編輯器 6) virtuoso編輯器 -版圖編輯菜單 3. 版圖編輯器 7) virtuoso編輯器 -顯示窗口 3. 版圖編輯器 8) virtuoso編輯器 -版圖顯示 3. 版圖編輯器 9) virtuoso編輯器 -數(shù)據(jù)流格式版圖輸出 4. 電路圖編輯器 1) virtuoso編輯器 -電路圖顯示 4. 電路圖編輯器 2) virtuoso編輯器 -電路器件及屬性 4. 電路圖編輯器 3) virtuoso編輯器 - 電路添加線名、端口及移動窗口 4. 電路圖編輯器 4) virtuoso編輯器 - 建立 SYMBOL VIEW 電路圖 Symbol 圖 4. 電路圖編輯器 5) virtuoso編輯器 -建立 SYMBOL 操作 4. 電路圖編輯器 6) virtuoso編輯器 -CDL輸出操作 4. 電路圖編輯器 7) virtuoso編輯器 -CDL輸出 5. 了解工藝廠商 SMIC -中芯國際 CSMC 華潤上華 TSMC - 臺積電 UMC - 臺聯(lián)電 Winbond - 華邦 先鋒 宏力 華虹 NEC 比亞迪 新進(jìn) 廈門集順 深圳方正 無錫和艦 第三部分：版圖的準(zhǔn)備 1.必要文件 2.設(shè)計規(guī)則 3. DRC文件 4. LVS文件 1. 必要 文件 PDK *.tf display.drf DRC LVS cds.lib .cdsenv .cdsinit 2. 設(shè)計規(guī)則 2.1 版圖 設(shè)計規(guī)則 工藝技術(shù) 要求 2.2 0.35um， 0.25um， 0.18um， 0.13um，不同的工藝 N阱 DIFF Poly Metal Cont Via 2.3 最小 寬度 2.4 最小 間距 2.4 最小覆蓋 等等 2. 設(shè)計規(guī)則 1) PMOS的形成 2. 設(shè)計規(guī)則 2) 調(diào)用 PCELL 2. 設(shè)計規(guī)則 3) Design Rule 2. 設(shè)計規(guī)則 4) 規(guī)則定義 2. 設(shè)計規(guī)則 4) 規(guī)則定義 4.1 NW（ N WELL） 2. 設(shè)計規(guī)則 4) 規(guī)則定義 4.2 PO(Poly) 2. 設(shè)計規(guī)則 4) 規(guī)則定義 4.3 M1(Metal1) 2. 設(shè)計規(guī)則 4