用于ESD分析的傳輸線脈沖(TLP)測試--元件級.pdf

2015 01 23版 Wei Huang Jerry Tichenor Web Email info Tel 1 573 202 6411 Fax 1 877 641 9358 Address 4000 Enterprise Drive Suite 103 Rolla MO 65401 用于ESD分析的傳輸線脈沖測試 Transmission Line Pulse TLP Measurement 元件級 目錄 ESD的定義 ESD的研究意義 ESD防護方法 ESD抗擾度測試 TLP測試簡介 ESD抗擾度測試 vs TLP測試 脈沖形狀參數(shù) TLP測試的優(yōu)點 TLP測試步驟 采購注意事項 TLP標準 TLP測試系統(tǒng)比較 TLP常見問題 3 4 8 10 15 29 30 31 32 33 34 35 參考文獻43 2 什么是ESD ESD的定義 靜電放電 Electrostatic Discharge ESD 是兩個物體間的電荷轉(zhuǎn)移 當兩個物體直接接觸 或 相互靠近發(fā)生介質(zhì)擊穿時 會產(chǎn)生靜電放電 3 注意 例子中的電壓值相當高 部分在某些極端情況下可能發(fā)生 不同相對濕度 RH 生成靜電電壓實例 靜電生成方式10 25 RH65 90 RH 人在地毯上走動35 000V1 500V 人在乙烯樹脂地板上走動12 000V250V 人在工作臺上操作6 000V100V 從工作臺上上拿起普通聚乙烯袋20 000V1 200V 從墊有聚氨基甲酸泡沫的工作椅上站起18 000V1 500V 表1 靜電產(chǎn)生實例 來源 ESD Association 我們?yōu)楹侮P(guān)注ESD ESD的研究意義 電路設(shè)計的潛在ESD損壞可能導(dǎo)致 產(chǎn)品質(zhì)量差 用戶不滿 維修和返工費用上漲 電擊穿 氧化擊穿 以及由于元件不能及時散熱造成的局部過熱 都會造成元件的 永久性損壞 4 來源 2005 ESD EOS 會議論文 我們?yōu)楹侮P(guān)注ESD 硬件故障 ESD造成的IC損傷 5 Picture 5 15kV靜電電擊后的RS 232接口IC 我們?yōu)楹侮P(guān)注ESD 有物理損傷 但功能正常 ESD造成的IC損傷 6 ESD浪涌造成的過電壓 IC仍然能工作 但已經(jīng)接近 徹底損壞 Picture 6 我們?yōu)楹侮P(guān)注ESD 硬件故障 ESD造成的IC損傷 7 Picture 7 電氣過應(yīng)力 Electrostatic Over Stress EOS 損壞 如何進行ESD防護 ESD防護方法 1 受控環(huán)境1 減少潛在的電荷積聚 設(shè)備和家具接地 清潔房間 控制濕度和顆粒粉塵 這類措施對電子產(chǎn)品終端用戶 例如消費電子的用戶 無效 Picture 8 ESD 友好的工作環(huán)境 8 如何進行ESD防護 ESD防護方法 2 改善系統(tǒng)ESD抗擾度 了解電子系統(tǒng)的工作環(huán)境和潛在的ESD風(fēng)險 仔細考慮系統(tǒng)的ESD防護設(shè)計 請參考System Level ESD White Paper 1 2 3 Industry Council on ESD Target Levels http esda org IndustryCouncil html 了解關(guān)鍵元件的ESD敏感度 測試并選擇ESD薄弱點的最佳防護方案 測試并進一步改善系統(tǒng)級ESD抗擾度 設(shè)計師需要掌握不同類型ESD測試的關(guān)鍵數(shù)據(jù) TLP測試可以為ESD設(shè)計提供很多重要數(shù)據(jù) Graph 1 Graph 2 9 如何進行ESD抗擾度測試 ESD抗擾度測試 人體模型 Human Body Model HBM 2 帶電人體接觸受試設(shè)備 DUT ANSI ANSI ESDA JEDEC JS 001 2010 對地測試電壓4000V 電流 3A 也可用8000V 皮膚放電 IEC 61000 4 2標準是手持金屬放電 10對地放電 上升時間 tr 2 to 10ns對地放電 衰減時間 td 130 to 170ns Picture 9 如何進行ESD抗擾度測試 ESD抗擾度測試 機器模型 Machine Model MM 3 MM 模型很少用到 帶電機器對設(shè)備放電 在生產(chǎn)過程中可能發(fā)生 ESD STM5 2 2012 400V測試電壓 對地放電電流 7A 11 對地放電 脈沖主周期 tpm 66 to 90ns Graph 3 如何進行ESD抗擾度測試 ESD抗擾度測試 帶電器件模型 Charged Device Model CDM 4 帶電器件對其他金屬部件或?qū)Φ仄矫娣烹?例如集成電路裝配時可能發(fā)生 ESD S5 3 1 2009 器件由導(dǎo)電平板充電 為非接觸式放電 例如 當接地物體向帶電引腳靠近時 會發(fā)生CDM放電 測試電壓達2000V 放電電流達30A 驗證模塊電容為4pF 260ps 上升時間 12 上升時間 tr 200ps 脈沖寬度 50 50 td 400ps Graph 4 CDM 測試裝置 如何進行ESD抗擾度測試 ESD抗擾度測試 IEC 61000 4 2標準 2008版 5 帶電人體持金屬對受試系統(tǒng)設(shè)備 DUT 放電 系統(tǒng)級測試 13 4kV接觸式放電 理想電流波形 IEC 測試裝置 EUT 如何進行ESD抗擾度測試 ESD抗擾度測試 人體金屬模型 Human Metal Model HMM 6 充電人體手持金屬放電 ANSI ESD SP5 6 2009 元件級測試 與IEC 61000 4 2類似 電流波形參數(shù)與IEC 61000 4 2標準相同 TLP 50 系統(tǒng)測試更具可靠性 并可同時自動進行故障檢測 14 50W Coaxial Source Setup Setup A Setup B 什么是TLP測試 什么是TLP測試 傳輸線脈沖 Transmission Line Pulse TLP 測試是一種通過測量時域的電流電壓來 研究集成電路及其特性的ESD測試方法 歷史 由于對電磁脈沖環(huán)境感興趣 Wunsch 和 Bell 于20世紀60年代研究了半導(dǎo)體結(jié)的 脈沖功率故障7 20世紀60年代 Bradley Higgins等人用帶電傳輸線生成了矩形波8 20世紀80年代 Maloney和Khurana提出了用傳輸線脈沖對ESD建模9 第一臺商用TLP系統(tǒng)由Barth Electronics在20世紀90年代中期提出10 15 TLP標準 什么是TLP測試 TLP標準 標準TLP STM5 5 1 2014 0 2 至 10ns 上升時間 10ns 至 ms級脈沖寬度 典型值為100ns 至少200MHz帶寬示波器 至少200MHz帶寬電壓探頭 至少200MHz帶寬電流探頭 超快TLP SP5 5 2 2007 典型值 200ps 上升時間 1ns 10ns 脈沖寬度 至少2 5GHz帶寬 5Gsa s采樣率示波器 至少1GHz帶寬電壓探頭 至少2GHz帶寬電壓探頭 16 什么是TLP測試 什么是TLP測試 TLP脈沖發(fā)生器基本結(jié)構(gòu) 長度為L的充電線 TL1 開關(guān) S1 和高壓電源 Vo 充電線長度決定脈沖寬度 標準TLP的典型值為100ns脈沖寬度 1ns上升時間 逐步增加脈沖幅度 直至DUT出現(xiàn)故障或達到 最大電壓 DUT故障通常通過測量DC漏電流來判斷 通常取脈沖時間70 90 區(qū)域 測量窗口 的 測量值來獲取I V曲線 17 t t I t I t t t V t V t IDUT VDUT I V I V Measurement Window Graph 5 什么是TLP測試 什么是TLP測試 TVS二極管I V 特性曲線測量 測量窗口 70 至 90 脈沖時間 18 測量窗口 70 至 90 脈沖時間 什么是TLP測試 什么是TLP測試 TVS二極管I V 特性曲線測量 70 至 90 脈沖時間 100ns 脈寬 19 Semtech uClamp0541Z 數(shù)據(jù)表 ESDEMC TLP 測試結(jié)果 什么是TLP測試 什么是TLP測試 超快TLP測試 TVS二極管的開啟特性 脈沖開始的幾個納秒 20 DUT電阻 時間 脈沖電壓瀑布圖 6V TLP脈沖 DUT電阻值上限取決于繪圖 目的 什么是TLP測試 標準TLP的典型應(yīng)用 1 用TLP獲取I V曲線 例如 保護器件的動態(tài)阻抗 動態(tài)阻抗定義 I V曲線的dV dI 動態(tài)阻抗是ESD保護器件一個非常重要的參數(shù) 動態(tài)阻抗越低 表明更多的ESD電流會流經(jīng)保護器件 更少的電流會流經(jīng)被保護設(shè)備 瞬態(tài)電壓抑制器 TVS 幾百m 至幾 多層壓敏電阻 對于低電容設(shè)備 有幾 或更高的阻抗 21 Rdyn Vt2 Vt1 It2 It1 0 5 10 15 20 25 0510152025 TLP Voltage V TLP Current A RDYN dV dI Vt2 Vt1 It2 It1 什么是TLP測試 標準TLP的典型應(yīng)用 2 用TLP和故障自動檢測裝置測試DUT的ESD抗擾度 敏感度 系統(tǒng) IC 模塊的ESD抗擾度通常由不同ESD測試裝置來進行評估 由瞬時高能量造成的故障可以通過上升時間 脈沖寬 度受控的TLP脈沖或者RC電路向50歐姆系統(tǒng)放電得到 TLP測試結(jié)果可用于估測HBM IEC61000 4 2 HMM的失效 等級 ESD熱失效相關(guān) 注意 TVS IEC 1 kV level 2 A 100 ns TLP pulse level IC HBM 1 kV level 1 5 A 100 ns TLP pulse level 請參考TLP測試用法的相關(guān)文獻 不同設(shè)備的敏感性不同 Correlation between transmission line pulsing I V curve and human body model Jon Barth John Richner ESD Relations between system level ESD and vf TLP T Smedes J van Zwol G de Raad T Brodbeck H Wolf A TLP based Human Metal Model ESD Generator for Device Qualification according to IEC 61000 4 2 Yiqun Cao 1 David Johnsson 1 Bastian Arndt 2 and Matthias Stecher Pitfalls when correlating TLP HBM and MM testing Guido Notermans Peter de Jong and Fred Kuper A Failure Levels Study of Non Snapback ESD Devices for Automotive Applications Yiqun Cao Ulrich Glaser Stephan Frei and Matthias Stecher Correlation Between TLP HMM and System Level ESD Pulses for Cu Metallization Y Xi S Malobabic V Vashchenko and J Liou Capacitive Coupled TLP CC TLP and the Correlation with the CDM Heinrich Wolf Horst Gieser Karlheinz Bock Agha Jahanzeb Charvaka Duvvury Yen Yi Lin please check for your device and applications 注意 1 標準TLP不提供類似IEC61000 4 2標準脈沖的第一個峰 所以由第一個峰引起的設(shè)備故障不能用TLP測試檢測 超快TLP可以提供上升時間短 脈寬窄的矩形脈沖 可用來進行此類測試 2 標準TLP是基于50歐姆阻抗的 而其他ESD模型基于不同的阻抗系統(tǒng) 所以設(shè)備完全開啟之前的電壓可能會有很 大不同 從而導(dǎo)致不同的失效類型 22 N溝道 MOSFET的snapback測量 100ns TLP 100ns 脈寬 200ps 上升時間 TDR疊加測量 入射波反射波的方法 Snapback是由于DUT的動態(tài)阻抗在100ns脈寬應(yīng)力作用下變化導(dǎo)致的 TLP的典型應(yīng)用 3 測試設(shè)備的I V曲線 確定設(shè)備的安全工作區(qū) Snapback N溝道MOSFET的電安全工作區(qū) 安全工作區(qū) Safe operating area SOA 是元件的一個重要電氣特性 用來表征元件的ESD EOS瞬 態(tài)限制 什么是TLP測試 標準TLP的典型應(yīng)用 4 表征器件的開啟 關(guān)斷瞬態(tài)特性 3D 瀑布圖 例如 ESD保護器件的響應(yīng)速度 5 表征器件充電的恢復(fù)效果 例如 二極管的反向和正向恢復(fù) 6 表征瞬態(tài)脈沖下器件的線性特性 例如 高電壓下的電容變化 7 表征設(shè)備的擊穿特性 例如 觸摸板傳感器微帶線在靜電放電時的火花和熔斷 8 表征共模扼流圈和以太網(wǎng)變壓器的飽和特性 9 測量多層電容器電容的非線性特性 注意 TLP還有許多系統(tǒng)級應(yīng)用 將會在另一個PPT中說明 如果需要 請與我們聯(lián)系 25 什么是TLP測試 什么是TLP測試 超快TLP Very Fast TLP VF TLP 通常用來表征設(shè)備的鉗位速度和柵氧化層穿通 脈沖寬度非常窄 10ns 上升時間小于脈沖寬度的15 100ps to 500ps at least Or less than 超快TLP測量裝置 通常由低損延遲線和T型寬帶電壓傳感器 或?qū)拵Фㄏ蝰詈掀?或一對 離DUT距離非常近的寬帶定向電流和電壓探頭等組 可以單獨并精確的測量入射和反射波 需要使用頻域電纜損耗去耦合 26 Graph 6 A Typical VF TLP Measurement Setup with Delay Line ESDEMC TECHNOLOGY LLC ESDEMC ES621 設(shè)備產(chǎn)生的超快TLP波形 60 ps 上升時間 1ns 脈寬 使用18GHz Cable ATT 23 GHz 100Gs Scope Tek MSO 72304DX測量得到 超快TLP脈沖 使用TLP檢測ESD保護電路可通過的峰值電壓和鉗位電壓 峰值電壓是對脈沖上升 下降沿速率的初始響應(yīng) 鉗位電壓是保護器件完全開啟并鉗位后的輸出電壓 一些器件對短時峰值電壓敏感 高電場強度 因此兩個參數(shù)對了解設(shè)備敏感度和設(shè)計最 佳ESD保護方案都很重要 Peak Clamping TLP測試 ESD抗擾度測試VS TLP 測試 ESD抗擾度測試 vs TLP 測試 脈沖參數(shù) 29 HBMMMIEC 2ndPeak IEC 1stPeak CDM 典型最大電壓值 4000V400V8kV 接觸式 2000V 典型最大電流值 3A 對地 7A 對地 16A 30ns 30A30A 上升時間 2 10ns ns 10ns ns800ps 200ps 脈寬 130 170ns66 90ns 100ns 5ns 400ps 對應(yīng)的TLP類型標準TLP標準TLP標準TLP超快TLP超快TLP 典型失效模式 結(jié)點損傷 金屬 滲透 金屬層熔 化 接觸點打火 柵氧化物損傷11 結(jié)點損傷 熔化 柵氧化物損傷11 熔化失效氧化穿透 柵氧化物損傷 電荷俘獲 結(jié)點 損傷11 典型值在各相關(guān)標準中有注明 TLP測試 VS 其他ESD測試的優(yōu)點 TLP測試 VS 其他ESD測試的優(yōu)點 波形定義明確 ESD發(fā)生器的標準中 電路和波形的定義都有太多不確定因素 沒有測試路徑的阻抗控制 只有特性時間內(nèi)30 的容差 這使得不同的ESD發(fā)生器在不同的測試條件下會得到非 常不同的ESD測試結(jié)果 TLP脈沖的波形干凈一致 測試裝置可重復(fù)性高 手持ESD發(fā)生器可能導(dǎo)致測試裝置的不一致 然而 TLP測試的夾具能夠提供更易控制的測 試裝置 自動快速測試 測量 生成報告 通常 TLP測試有全自動化控制的脈沖 DC漏電流 I V 曲線實時更新和故障自動檢測 能夠記錄設(shè)備特性 為ESD分析和設(shè)計提供重要信息 從TLP測試中可以提取設(shè)備的許多有用瞬態(tài)特性信息 可用于設(shè)備的分析 建模和系統(tǒng)級 ESD設(shè)計 System Efficient ESD Design SEED 而傳統(tǒng)的ESD測試只能得到用于 Pass Fail的結(jié)果 30 測試步驟 一般測試步驟 校準 僅當測試裝置改變時需要 短路 開路 齊納 負載 SOZL Short Open Zener Load 短路和開路測量分別提供串聯(lián)和并聯(lián)電阻值 齊納和負載測量分別提供電壓和電流修正系數(shù) 每個數(shù)月或當測試裝置改變時 需要進行校準This calibration should be performed every few months or if equipment is changed 測試標準件 測量一個已知設(shè)備或器件 用于驗證測試系統(tǒng)的正確性 生成報告 脈沖寬度 上升時間 故障類別和等級 DC漏電流 熔斷 snapback 出現(xiàn)故障時的TLP脈沖電壓 DUT測試端口電壓和電流 可提供動態(tài)阻抗 Snapback eSOA 31 采購注意事項 TLP系統(tǒng)配置注意事項 什么情況下需要TLP測試 評估ESD保護器件性能 比較動態(tài)阻抗Rdyn和鉗位速度 評估設(shè)備和模塊的ESD失效等級 當需要不同的脈沖形狀 TLP HMM HBM 脈沖寬度 上升時間 或者不同的電流注 入等級 40A 90A 160A 時 可使用TLP測試 評估安全工作區(qū)域 TLP可提供各種不同范圍的脈沖寬度和注入等級 觸摸板的擊穿和熔斷敏感度 TLP可提供不同的脈沖注入和測量 需要配置什么設(shè)備 脈沖發(fā)生器 生成 TLP VF TLP HMM HBM 等 設(shè)備測量探頭 PCB對應(yīng)的SMA接頭 IC測試夾具 探針臺 單端接地或差分注入 高壓帶寬分離器和反相器 電流和電壓測量方法 探頭直接測量 瞬態(tài)數(shù)據(jù)獲取 示波器 帶寬由應(yīng)用范圍決定 偏置和直流測量 SMU source measurement unit 電源 皮安表 32 TLP系統(tǒng)比較 商業(yè)TLP 系統(tǒng)規(guī)格比較 標準TLP系統(tǒng) 常用規(guī)格 2kV開路電壓 40A短路電流 ESDEMC公司目前可提供高達7kV 140A 的TLP系統(tǒng) 是世界上脈沖注入和IV曲線測量 規(guī)格最高的系統(tǒng) 其他生產(chǎn)商能提供的最高規(guī)格 4kV 80A 或者 2kV 40A 超快TLP系統(tǒng) 常用規(guī)格 注入等級達到1kV 20A 有 100ps的干凈 快速 穩(wěn)定的上升時間 寬范圍 模擬測量帶寬 2 5 4GHz 以及數(shù)字頻率補償 ESDEMC公司目前可提供的 超快TLP系統(tǒng) TLP脈沖可達1kV 20A 上升時間 為60ps或者5 kV 100 A 上升時間為 200ps 高達6GHz模擬帶寬測量 以及網(wǎng)絡(luò)分析儀S參數(shù)所有端口頻率補償算法 33 ESDEMC TECHNOLOGY LLC 2011 IV TLP系統(tǒng)開始研發(fā) 2013 達到頂級規(guī)格 2014 最好的IV TLP系統(tǒng)之一 規(guī)格 功能ESDEMC ES620 ES621其他公司的系統(tǒng) 最快上升時間約60ps 世界最快 100 ps 200 ps 最長脈沖寬度2000 us 1ms正在研發(fā)中 1600 us 400 ns 最大注入電流等級160 A80 A 40A 30A 標準2D IV曲線分析可以可以 先進的3D IVT曲線分析可以 目前是唯一一家不可以 需要進行額外分析 電壓測量方法電阻直接測量 重疊TDR測量 非重疊TDR測量通常只有1 2種 電流測量方法電阻直接測量 電阻率方程 電感直接測量 重疊 TDR 非重疊TDR 通常只有1 2種 錯誤校驗方法SOLZ校驗 所有端口S參數(shù)頻率補償 觸發(fā)定時校 準 SOLZ校驗 差分TLP脈沖和IV測試可以 目前是唯一一家 不可以 世界頂級規(guī)格TLP動態(tài)IV曲線測量系統(tǒng) TLP系統(tǒng)比較 TLP測試的常見問題 TLP系統(tǒng)的價格是多少 大多數(shù)商用TLP系統(tǒng)目前價格為8萬至25萬美元 ESDEMC公司提供ES620超便攜低價版系統(tǒng) 價格約為4萬至10萬美金 相同規(guī)格系統(tǒng) 的價格是其他供應(yīng)商的1 2 ESDEMC承諾 當與其他商家的TLP系統(tǒng)價格相同時 我們的系統(tǒng)更好 客戶能用自己的設(shè)備配置TLP系統(tǒng)嗎 大多數(shù)商用TLP系統(tǒng)不支持多種儀器配置 但ESDEMC公司的TLP軟件兼容度高 客戶可選擇 使用自己的儀器進行配置 Agilent Tek Lecroy Rigol Keithley等 你只需點擊幾下 進 行設(shè)置更改即可 35 TLP系統(tǒng)比較 TLP測試的常見問題 TLP系統(tǒng)需要多大的帶寬 帶寬取決于你所測量的IV窗口 大多數(shù)測量使用100ns TLP脈沖 若選取100ns脈 沖的70 90 時間窗口測量動態(tài)阻抗和脈沖失效等級 需要的帶寬為200MHz ESDA TLP標準測試需要更高帶寬范圍 如果你想測量脈沖注入的前幾個ns時的設(shè)備特性 則需使用超快TLP發(fā)生器 它可 產(chǎn)生干凈穩(wěn)定的上升沿 此時 推薦使用4GHz 8GHz帶寬的示波器 36 TLP SYSTEMSCOMPARISON 謝謝 如果您有關(guān)于ESD測試和應(yīng)用的任何問題 請與我們聯(lián)系info 我 們樂意為您提供幫助 我們會持續(xù)更新PPT內(nèi)容 并提供免費咨詢 我們會發(fā)放最新技術(shù)說明和每季度促銷 信息 如果需要 請訂閱 接下來 是ESDEMC Technology公司簡介 37 我們致力于ESD EMC解決方法 為您量身打造HV RF系統(tǒng)設(shè)計 創(chuàng)立于2011年 美國 密蘇里 羅拉 ES ESD Solution EMC Test Solution HV System Design RF System Design 我們將會是本領(lǐng)域最好的商業(yè)解決方案提供商之一我們將會是本領(lǐng)域最好的商業(yè)解決方案提供商之一 by ESD EMC Engineers for ESD EMC Engineers ESDEMC TECHNOLOGY LLC 發(fā)展成果發(fā)展成果 2011 03 至今至今 靜電放電 瞬態(tài) 世界頂級規(guī)格傳輸線脈沖系統(tǒng) TLP VFTLP 世界首個商用 電纜放電系統(tǒng) Cable Discharge Event CDE ESD發(fā)生器 ESD電流靶 適配線 其他附加功能 電磁兼容 射頻 微波材料表征系統(tǒng) 5 22 GHz IC strip TEM 室 4kV DC 5 5 GHz 寬帶射頻放大器 高達40 GHz 寬帶功率放大器 4GHz 25W 其他附加功能 其他主要產(chǎn)品 寬帶高壓脈沖衰減器 對稱的 4kV 3 5GHz 示波器ESD抑制器 高達6 GHz 高壓脈沖差分分離器 1MHz to 2GHz 更多了解 請訪問ESDEMC COM網(wǎng)站 目前的部分客戶 2011至2013 ESDEMC TECHNOLOGY LLC 公司的成長公司的成長 2011 to 2013 ESDEMC TECHNOLOGY LLC Niche Solutions by ESD EMC experts innovative flexible focused on ESD EMC design analysis and debugging Growth 2010 09Business setup in Founder s home 2011 03 to nowGroup of 5 professionals ESDEMC公司地理位置優(yōu)越 我們與世界頂級公司地理位置優(yōu)越 我們與世界頂級EMC學(xué)術(shù)研究實驗室學(xué)術(shù)研究實驗室MST EMC為為 鄰 鄰 About 40 each year ESDEMC Group 2012 IEEE EMC Symposium Oh I have a new idea We are growing I can do it We can improvise Fredric Stevenson Business Technical Development Wei Huang Founder Owner Chief Design Engineer David Pommerenke Chief Technology Consultant Jerry Tichenor Design Application Engineer REFERENCES 參考 1 Martin Rodgaard 2007 ESD Electrostatic Discharge Retrieved Jan 13 2015 from http hibp ecse rpi edu connor education Surge Presentations ESD mr pdf 2 ESDA JEDEC Joint Standard for Electrostatic Discharge Sensitivity Testing Human Body Model HBM Component Level ANSI ANSI ESDA JEDEC JS 001 2010 April 2010 3 ESD Association Standard Test Method for Electrostatic Discharge Sensitivity Testing Machine Model Component Level ESD STM5 2 2012 July 2013 4 ESD Association Standard for Electrostatic Discharge Sensitivity Testing Charge Device Model CDM Component Level ESD S5 3 1 2009 December 2009 5 International ElectrotechnicalCommission Electromagnetic Compatibility EMC Part 4 2 Testing and measurement techniques Electrostatic discharge immunity test IEC 61000 4 2 2008 2008 6 ESD Association Standard Practice for Electrostatic Discharge Sensitivity Testing Human Metal Model HMM Component Level ANSI ESD SP5 6 2009 September 2009 7 D C Wunsch and R R Bell Determination of Threshold Failure Levels of Semiconductor Diodes and Transistors due to Pulse Voltages IEEE Trans Nuc Sci NS 15 pp 244 259 1968 8 D J Bradley J F Higgins M H Key and S Majumdar A Simple Laser triggered Spark Gap for Kilovolt Pulses of Accurately Variable Timing Opto Electronics Letters vol 1 pp 62 64 1969 9 T J Maloney and N Khurana Transmission Line Pulsing Techniques for Circuit Modeling of ESD Phenomena 1985 EOS ESD Symposium Conference Proceedings pp 49 54 1985 10 W Simburger AN 210 Effective ESD Protection Design at System Level Using VF TLP Characterization Methodology Infineon Application Note 210 Revision 1 3 December 2012 11 D Byrd T Kugelstadt 2011 Understanding and Comparing the Differences in ESD Testing Retrieved Jan 1